JPS63261219A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPS63261219A JPS63261219A JP9523387A JP9523387A JPS63261219A JP S63261219 A JPS63261219 A JP S63261219A JP 9523387 A JP9523387 A JP 9523387A JP 9523387 A JP9523387 A JP 9523387A JP S63261219 A JPS63261219 A JP S63261219A
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- electrodes
- buffer layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明による光変調素子は、導波路と導体電極の間にバ
ッファ層を介在させた構造を有する導波路型光変調素子
に係り、前記導波路がニオブ酸リチウム中に形成され、
そして前記バッファ層が膜厚２０００〜５０００人の５
ｉｎ２膜からなりかつ電極の幅Ｗと電極間隔Ｓの比が６
もしくはそれ以上であることを特徴とする。本発明によ
れば、電極の設計を従来方法に比較してより正確に行う
ことができる、等の利点を得ることができる。
ッファ層を介在させた構造を有する導波路型光変調素子
に係り、前記導波路がニオブ酸リチウム中に形成され、
そして前記バッファ層が膜厚２０００〜５０００人の５
ｉｎ２膜からなりかつ電極の幅Ｗと電極間隔Ｓの比が６
もしくはそれ以上であることを特徴とする。本発明によ
れば、電極の設計を従来方法に比較してより正確に行う
ことができる、等の利点を得ることができる。
本発明は光変調素子に関する。本発明は、さらに詳しく
述べると、導波路型あるいは光導波路型の、すなわち、
光導波路（光ガイド）に光ビームを閉じ込めて伝送する
構造の光変調素子、例えば光変調器、光スィッチなどに
関する。
述べると、導波路型あるいは光導波路型の、すなわち、
光導波路（光ガイド）に光ビームを閉じ込めて伝送する
構造の光変調素子、例えば光変調器、光スィッチなどに
関する。
従来の光変調器、光スィッチ等は、それらの多くが電気
光学効果を利用している。これらの光変調素子は、した
がって、印加された電流の電界によって、媒質の屈折率
が変化する現象である電気光学効果をもつ結晶、いわゆ
る電気光学結晶、具体的にはニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂ（Ｌ＋）などを基板として用いている。このような電
気光学効果を利用した光変調素子のなかで、とりわけ導
波路型光変調素子が注目されている。なぜなら、かかる
光変調素子は、光ビームを自由伝播させる構造のバルク
型光変調素子と比較して、低電圧で高速動作が可能であ
り、小型で広帯域であり、個別素子として優れているか
らである。
光学効果を利用している。これらの光変調素子は、した
がって、印加された電流の電界によって、媒質の屈折率
が変化する現象である電気光学効果をもつ結晶、いわゆ
る電気光学結晶、具体的にはニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂ（Ｌ＋）などを基板として用いている。このような電
気光学効果を利用した光変調素子のなかで、とりわけ導
波路型光変調素子が注目されている。なぜなら、かかる
光変調素子は、光ビームを自由伝播させる構造のバルク
型光変調素子と比較して、低電圧で高速動作が可能であ
り、小型で広帯域であり、個別素子として優れているか
らである。
従来の導波路型光変調素子、特に光変調器は、例えば第
７図及び第８図に断面で示すような導波路−電極構造を
有しているのが一般的である。図示の変調器は、前記し
たＬｉＮｂＯ３のような結晶を基板ｌとして用いている
。基板１の光導波路３Ａ及び３Ｂは、その基板へのチタ
ン（Ｔｉ）等の拡散処理によって形成することができる
。基板１の光導波路３Ａ及び３Ｂの上面には、それぞれ
、例えばアルミニウム（ＡＩｌ）のような導体からなる
電極４Ａ及び４Ｂが、直接に（第７図）あるいは例えば
Ｓｉ０ｇ膜のようなバッファ層２を介して（第６図）、
形成されている。バッファ層２は、導波路上に電極を直
接に配置する場合に発生する悪影響を避けるために屡々
用いられている。電極と導波路の配置についてみると、
両者はほぼ同じ幅を有し、電極間隔は導波路間隔より大
きくなっている。これは、電極４Ａ及び４Ｂの電界がそ
れらの端部４ａ及び４ｂの真下で最大となるので、導波
路３Ａ及び３Ｂの中心、すなわち、光波の中心が、電極
端４ａ及び４ｂの下になるように、電極及び導波路が配
置されているからである。
７図及び第８図に断面で示すような導波路−電極構造を
有しているのが一般的である。図示の変調器は、前記し
たＬｉＮｂＯ３のような結晶を基板ｌとして用いている
。基板１の光導波路３Ａ及び３Ｂは、その基板へのチタ
ン（Ｔｉ）等の拡散処理によって形成することができる
。基板１の光導波路３Ａ及び３Ｂの上面には、それぞれ
、例えばアルミニウム（ＡＩｌ）のような導体からなる
電極４Ａ及び４Ｂが、直接に（第７図）あるいは例えば
Ｓｉ０ｇ膜のようなバッファ層２を介して（第６図）、
形成されている。バッファ層２は、導波路上に電極を直
接に配置する場合に発生する悪影響を避けるために屡々
用いられている。電極と導波路の配置についてみると、
両者はほぼ同じ幅を有し、電極間隔は導波路間隔より大
きくなっている。これは、電極４Ａ及び４Ｂの電界がそ
れらの端部４ａ及び４ｂの真下で最大となるので、導波
路３Ａ及び３Ｂの中心、すなわち、光波の中心が、電極
端４ａ及び４ｂの下になるように、電極及び導波路が配
置されているからである。
従来の導波路型光変調素子において、ＬｉＮｂ０ｉ結晶
基板上に形成された導波路に電界を印加するために形成
される電極は、非常に多くの種類及び形状のものが知ら
れている。しかし、これらの電極は、もしもバッファ層
が存在していないならば、所望とする特性インピーダン
ス、一般に５０Ωを考慮して、常用の計算式から容易か
つ正確に設計し得るというものの、例えば５ｔ（ｈ膜の
ようなバッファ層が存在した場合には事実上正確に設計
することが困難である。但し、電極の特性インピーダン
スを５０Ωとすることは、高速での信号の伝送のために
進行波動作が光変調素子において用いられかつ、その際
、同時に用いられろ同軸ケーブル等の電気導波路も５０
Ωで設計されているので素子内部も５０Ωで設計し、素
子そのものもパワーの損失を伴なわない線路の状態とす
ることが望ましい事実にかんがみて、ぜひとも解決され
なければならない問題点である。
基板上に形成された導波路に電界を印加するために形成
される電極は、非常に多くの種類及び形状のものが知ら
れている。しかし、これらの電極は、もしもバッファ層
が存在していないならば、所望とする特性インピーダン
ス、一般に５０Ωを考慮して、常用の計算式から容易か
つ正確に設計し得るというものの、例えば５ｔ（ｈ膜の
ようなバッファ層が存在した場合には事実上正確に設計
することが困難である。但し、電極の特性インピーダン
スを５０Ωとすることは、高速での信号の伝送のために
進行波動作が光変調素子において用いられかつ、その際
、同時に用いられろ同軸ケーブル等の電気導波路も５０
Ωで設計されているので素子内部も５０Ωで設計し、素
子そのものもパワーの損失を伴なわない線路の状態とす
ることが望ましい事実にかんがみて、ぜひとも解決され
なければならない問題点である。
本発明者らは、このたび、導波路型光変調素子、すなわ
ち、対向せる導波路上にそれらに対応する導体電極がバ
ッファ層を介して配設されている構造をもった光変調素
子において電極の設計を行うに当って、バッファ層の材
質及び膜厚ならびに電極の幅及び電極間隔を選択するこ
とにより、電極のインピーダンスを所望の値にし得ると
いうことを見い出した。
ち、対向せる導波路上にそれらに対応する導体電極がバ
ッファ層を介して配設されている構造をもった光変調素
子において電極の設計を行うに当って、バッファ層の材
質及び膜厚ならびに電極の幅及び電極間隔を選択するこ
とにより、電極のインピーダンスを所望の値にし得ると
いうことを見い出した。
本発明による光変調素子は、その導波路がニオブ酸リチ
ウム中に形成され、そしてそのバッファ層が膜厚２００
０〜５０００人、好ましくは２５００Å以上の５ｉ０２
膜からなり、そして電極の幅Ｗと電極間隔Ｓの比：Ｗ／
Ｓが６もしくはそれ以上であることを特徴とする。ここ
で、電極の幅Ｗは、もしもその電極の対が非対称電極で
あるならば、幅の小さいほうの電極の幅を指す。対称電
極の場合の電極の幅Ｗは、いずれか一方の電極の幅を指
す。
ウム中に形成され、そしてそのバッファ層が膜厚２００
０〜５０００人、好ましくは２５００Å以上の５ｉ０２
膜からなり、そして電極の幅Ｗと電極間隔Ｓの比：Ｗ／
Ｓが６もしくはそれ以上であることを特徴とする。ここ
で、電極の幅Ｗは、もしもその電極の対が非対称電極で
あるならば、幅の小さいほうの電極の幅を指す。対称電
極の場合の電極の幅Ｗは、いずれか一方の電極の幅を指
す。
本発明の光変調素子において用いられる電極は、上記し
た通り、対称電極又は非対称電極のいずれであってもよ
い。しかし、アースの設置や実用性を考慮した場合、非
対称電極のほうがより有効である。また、これらの電極
は、好ましくは、それらの対が特性インピーダンス５０
Ωを示す線路から構成されておりかつ進行波電気信号を
伝播させる電極である。
た通り、対称電極又は非対称電極のいずれであってもよ
い。しかし、アースの設置や実用性を考慮した場合、非
対称電極のほうがより有効である。また、これらの電極
は、好ましくは、それらの対が特性インピーダンス５０
Ωを示す線路から構成されておりかつ進行波電気信号を
伝播させる電極である。
バッファ層の材質及び膜厚ならびに電極の幅及び電極間
隔の選択は、基板として用いられる結晶、特にＬｉＮｂ
０ｉ結晶の種類（カッＨによって変化するが、これらは
単に誘電率の軸方向に対する異方性を考慮すれば容易に
設計の変更が可能である。
隔の選択は、基板として用いられる結晶、特にＬｉＮｂ
０ｉ結晶の種類（カッＨによって変化するが、これらは
単に誘電率の軸方向に対する異方性を考慮すれば容易に
設計の変更が可能である。
本発明による光変調素子において、基板の材質及び方位
、バッファ層の材質及び厚さ、電極の幅、そして電極間
隔を任意に組み合わせることの結果として、電極の特性
インピーダンスを正確に設計することができ、また、電
極の幅を太く構成することにより、この電極を進行波電
極として用いた場合、電極の導体損失を低減でき、高周
波信号を印加できる。また、バッファ層を厚くすること
により、光波とマイクロ波の高速整合をとることができ
、変調帯域を高帯域化できる。
、バッファ層の材質及び厚さ、電極の幅、そして電極間
隔を任意に組み合わせることの結果として、電極の特性
インピーダンスを正確に設計することができ、また、電
極の幅を太く構成することにより、この電極を進行波電
極として用いた場合、電極の導体損失を低減でき、高周
波信号を印加できる。また、バッファ層を厚くすること
により、光波とマイクロ波の高速整合をとることができ
、変調帯域を高帯域化できる。
以下、添付の図面を参照しながら本発明の光変調素子を
説明する。なお、図示の素子において、基板、導波路、
バッファ層及び電極の位置及び寸法は、それぞれ、説明
の簡略化のために変更して示してあり、実際と異なるこ
とを理解されたい。
説明する。なお、図示の素子において、基板、導波路、
バッファ層及び電極の位置及び寸法は、それぞれ、説明
の簡略化のために変更して示してあり、実際と異なるこ
とを理解されたい。
第１図は、本発明による光変調器の一例を示した斜視図
である。この光変調器は、線分ｎ−ｎにそって見た場合
、第２図に示すような断面を有する。Ｚ板ＬｉＮｂ０ｚ
結晶からなる基板１はＴｉ拡散層からなる光導波路３Ａ
及び３Ｂを有する。これらの導波路は、図示の干渉形の
ほかに、直線形、方形等の形をとることができる。５ｉ
０２バッファ層２の膜厚りは２５００Å以上である。バ
ッファ層２の上面には電極４Ａおよび４Ｂが形成されて
いる。これらの電極は対称電極であって、電極の幅Ｗと
電極間隔Ｓの比は６以上である。なお、図示の素子にお
いては、本発明者らの最近の発明から、電極をその下方
の導波路よりも幅広としかつ電極間隔を導波路間隔より
も狭くして低電圧で素子を駆動可能としているけれども
、従来のように導波路及び電極を配置することも可能で
ある（第８図参照）図示の本発明による光変調器では、
入射光を導波路３に案内した後、２本の平行導波路３Ａ
及び３Ｂに等分割し、差動位相変調を行った後に再び合
成して出力する。ここで、電源５を５Ｖとしかつ終端抵
抗６を５０Ωとすると、変調器の内部も５０Ωと、すな
わち、線路と同じ状態とすることができる。
である。この光変調器は、線分ｎ−ｎにそって見た場合
、第２図に示すような断面を有する。Ｚ板ＬｉＮｂ０ｚ
結晶からなる基板１はＴｉ拡散層からなる光導波路３Ａ
及び３Ｂを有する。これらの導波路は、図示の干渉形の
ほかに、直線形、方形等の形をとることができる。５ｉ
０２バッファ層２の膜厚りは２５００Å以上である。バ
ッファ層２の上面には電極４Ａおよび４Ｂが形成されて
いる。これらの電極は対称電極であって、電極の幅Ｗと
電極間隔Ｓの比は６以上である。なお、図示の素子にお
いては、本発明者らの最近の発明から、電極をその下方
の導波路よりも幅広としかつ電極間隔を導波路間隔より
も狭くして低電圧で素子を駆動可能としているけれども
、従来のように導波路及び電極を配置することも可能で
ある（第８図参照）図示の本発明による光変調器では、
入射光を導波路３に案内した後、２本の平行導波路３Ａ
及び３Ｂに等分割し、差動位相変調を行った後に再び合
成して出力する。ここで、電源５を５Ｖとしかつ終端抵
抗６を５０Ωとすると、変調器の内部も５０Ωと、すな
わち、線路と同じ状態とすることができる。
図示のような対称電極をもった光変調器において、特性
インピーダンスＺＯと容量Ｃ及びＣＯの関係を第５図に
示す。ＳｉＯ。バッファ層の膜厚りが３０００人であり
かつ電極間隔Ｓが１５μｍである場合、特性インピーダ
ンスＺｏ＝５０Ωを得ることのできるＷ／Ｓ比は２４で
ある。ここで、電極間隔５−１５μｍであるので、電極
の幅Ｗは３６０μｍとなる。このような幅広の電極は、
従来のこの種の電極がＷ＝数μｍ〜数十μｍで設計され
ていた（バッファ層を考慮に入れた計算は非常に難解な
ため、バッファ層のない場合の結果を近イ以的に用いて
いたから；したがって、従来の電極のＷ／Ｓ比はせいぜ
い約０．６が一般的であった）ことからすれば、非常に
驚異的なことである。このように電極の幅を広くするこ
とによって、この電極を進行波電極として用いた場合、
電極の導体損失を低減でき、高周波信号を印加できる。
インピーダンスＺＯと容量Ｃ及びＣＯの関係を第５図に
示す。ＳｉＯ。バッファ層の膜厚りが３０００人であり
かつ電極間隔Ｓが１５μｍである場合、特性インピーダ
ンスＺｏ＝５０Ωを得ることのできるＷ／Ｓ比は２４で
ある。ここで、電極間隔５−１５μｍであるので、電極
の幅Ｗは３６０μｍとなる。このような幅広の電極は、
従来のこの種の電極がＷ＝数μｍ〜数十μｍで設計され
ていた（バッファ層を考慮に入れた計算は非常に難解な
ため、バッファ層のない場合の結果を近イ以的に用いて
いたから；したがって、従来の電極のＷ／Ｓ比はせいぜ
い約０．６が一般的であった）ことからすれば、非常に
驚異的なことである。このように電極の幅を広くするこ
とによって、この電極を進行波電極として用いた場合、
電極の導体損失を低減でき、高周波信号を印加できる。
第３図は、第１図に示した変調器の１変更例を示してい
る。この図及びその線分ＩＶ−ＴＶにそった断面図であ
る第４図から理解されるように、図示の変調器の電極は
非対称電極である。非対称電極も、対称電極と同様な効
果を得ることができる。
る。この図及びその線分ＩＶ−ＴＶにそった断面図であ
る第４図から理解されるように、図示の変調器の電極は
非対称電極である。非対称電極も、対称電極と同様な効
果を得ることができる。
このことを添付の第６図を参照して説明する。
第６図は、非対称電極におけるインピーダンスと容量の
関係を示したグラフである。５ｉＯｚハソファ層の膜厚
りが３０００人でありかつ電極間隔Ｓが１５μｍである
場合、特性インピーダンスＺｏ −５０Ωを得ることの
できるＷ／Ｓ比は２０である。
関係を示したグラフである。５ｉＯｚハソファ層の膜厚
りが３０００人でありかつ電極間隔Ｓが１５μｍである
場合、特性インピーダンスＺｏ −５０Ωを得ることの
できるＷ／Ｓ比は２０である。
ここで、電極間隔Ｓが１５μｍであるので、狭いほうの
電極４Ａの幅Ｗは３００μｍとなる。電極を太く構成す
ることの効果は前記した。なお、上記の例はＺ板ＬｉＮ
ｂＯ３基板について記載したけれども、他の基板、方位
に対しても単に誘電率の変更により同様に設計され、こ
の場合にもＷ／Ｓ比は６以上である。
電極４Ａの幅Ｗは３００μｍとなる。電極を太く構成す
ることの効果は前記した。なお、上記の例はＺ板ＬｉＮ
ｂＯ３基板について記載したけれども、他の基板、方位
に対しても単に誘電率の変更により同様に設計され、こ
の場合にもＷ／Ｓ比は６以上である。
本発明によれば、光変調素子の線路の特性インピーダン
スを正確に５０Ωとすることができる。
スを正確に５０Ωとすることができる。
また、対称電極、非対称電極にかかわらず、電極幅を極
めて太くすることができるので、進行波電極として用い
た場合、導体損失を小さくすることができる。また、バ
ッファ層が厚いため、光波とマイクロ波の速度整合がと
れ、広帯域変調が可能となる。
めて太くすることができるので、進行波電極として用い
た場合、導体損失を小さくすることができる。また、バ
ッファ層が厚いため、光波とマイクロ波の速度整合がと
れ、広帯域変調が可能となる。
第１図は、本発明による導波路型光変調器の一例を示し
た斜視図、 第２図は、第１図の変調器の線分ｎ−ｎにそった断面図
、 第３図は、第１図の変調器の一変更例を示した斜視図、 第４図は、第３図の変調器の線分ＩＶ−ＩＶにそった断
面図、 第５図は、対称電極におけるインピーダンスと容量の関
係を示したグラフ、 第６図は、非対称電極におけるインピーダンスと容量の
関係を示したグラフ、 そして 第７図及び第８図は、それぞれ、従来の変調器の一例を
示した断面図である。 図中、１はＬｉＮｂ０．結晶基板、２は５ｉｎ２バッフ
ァ層、３，３Ａ及び３Ｂは光導波路、４Ａ及び４Ｂは電
極、５は電源、そして６は終端抵抗である。 変調器の断面図 第２図 ／７出射光 変調器の斜視図 変調器の断面図 第４図
た斜視図、 第２図は、第１図の変調器の線分ｎ−ｎにそった断面図
、 第３図は、第１図の変調器の一変更例を示した斜視図、 第４図は、第３図の変調器の線分ＩＶ−ＩＶにそった断
面図、 第５図は、対称電極におけるインピーダンスと容量の関
係を示したグラフ、 第６図は、非対称電極におけるインピーダンスと容量の
関係を示したグラフ、 そして 第７図及び第８図は、それぞれ、従来の変調器の一例を
示した断面図である。 図中、１はＬｉＮｂ０．結晶基板、２は５ｉｎ２バッフ
ァ層、３，３Ａ及び３Ｂは光導波路、４Ａ及び４Ｂは電
極、５は電源、そして６は終端抵抗である。 変調器の断面図 第２図 ／７出射光 変調器の斜視図 変調器の断面図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対向せる導波路上にそれらに対応する導体電極がバ
ッファ層を介して配設されている構造をもった光変調素
子において、 前記導波路がニオブ酸リチウム中に形成され、そして 前記バッファ層が膜厚２０００〜５０００ÅのＳｉＯ＿
２膜からなり、そして前記電極の対のうち小さい幅を有
する電極の幅Ｗと電極間隔Ｓの比Ｗ／Ｓが６もしくはそ
れ以上であることを特徴とする光変調素子。 ２、前記電極の対が特性インピーダンス５０Ωを示す線
路から構成されている、特許請求の範囲第１項に記載の
光変調素子。 ３、前記電極が進行波電気信号を伝播させる電極である
、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光変調素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9523387A JPS63261219A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9523387A JPS63261219A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261219A true JPS63261219A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14132043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9523387A Pending JPS63261219A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261219A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196212A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
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-
1987
- 1987-04-20 JP JP9523387A patent/JPS63261219A/ja active Pending
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