JPS6322598A - ゴナトリエン誘導体およびその製造法 - Google Patents
ゴナトリエン誘導体およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、下垂体性ゴナドトロピン(F8H。
LH)の産生と放出を抑制し、子宮内膜症の治療薬とし
て有用な新規ゴナトリエン誘導体およびその製造法に関
する。
て有用な新規ゴナトリエン誘導体およびその製造法に関
する。
従来、下垂体性ゴナドトロピンの産生と放出を抑制する
薬剤としてはダナゾール(DanaZOl )が挙げら
れ、子宮内膜症の治療薬として極めて有効であることが
示されているが、更に活性の高い子宮内膜症治療薬につ
いて鋭意研究した結果、ダナゾールよυ更に強力にゴナ
ドトロピンの産生と放出を抑制し、従ってよシ少用量で
子宮内膜症を治療することのできる化合物を見い出し本
発明に到達した。
薬剤としてはダナゾール(DanaZOl )が挙げら
れ、子宮内膜症の治療薬として極めて有効であることが
示されているが、更に活性の高い子宮内膜症治療薬につ
いて鋭意研究した結果、ダナゾールよυ更に強力にゴナ
ドトロピンの産生と放出を抑制し、従ってよシ少用量で
子宮内膜症を治療することのできる化合物を見い出し本
発明に到達した。
本発明の要旨は、下記一般式(1)
〔式中、RはC8〜C1のアルキル基、又は−8OR’
または一8ONを表わし、R1はC2〜C1のアルキル
基を表わす。〕で示されるゴナトリエン誘導体およびそ
の製造法に存する。
または一8ONを表わし、R1はC2〜C1のアルキル
基を表わす。〕で示されるゴナトリエン誘導体およびそ
の製造法に存する。
〔発明の構成〕
上記一般式(I)において、Rは、メチル、エチル、プ
ロピルおよびイングロビル基の炭素数/〜3のアルキル
基を示すが、メチル基およびエチル基が好ましい。又は
、−8OR’またはSONを示シ、R”はC1〜C1の
アルキル基を示すが、−80C!H,が好ましい。
ロピルおよびイングロビル基の炭素数/〜3のアルキル
基を示すが、メチル基およびエチル基が好ましい。又は
、−8OR’またはSONを示シ、R”はC1〜C1の
アルキル基を示すが、−80C!H,が好ましい。
本発明化合物の具体例としては、例えば、次のものが挙
げられる。
げられる。
17α−メチルスルフィニルメチル−77β−ヒドロキ
シ−73β−メチルーゴナーダ、9.//−トリエンー
3−オン 17α−メチルスルフィニルメチル−/りβ−ヒドロキ
シ−/3β−エチルーゴナーダ、9.//−トリエン−
3−オン /7α−メチルスルフィニルメチル−17β−ヒドロキ
シー/3β−プロビルーゴf−II、?、// −トリ
エン−3−オン/7α−チオシアナートメチル−/りβ
−ヒドロキシ−/3β−メチルーゴナーダ、9.//
−トリエン−3−オン /7α−チオシアナートメチルー/りβ−ヒドロキシ−
73β−エチルーゴナーダ、9.// −トリエン−3
−オン /7α−チオシアナートメチルー77β−ヒドロキシ−
/Jβ−プロピルーゴナー9,9.//−トリエン−3
−オン 次に、本発明化合物の製造法について説明する0 本発明の一般式(1)で示されるゴナトリエン誘導体は
下記一般式(lI)で示されるそれ自体公知(フランス
特許第13コロ96コ号(/9Aざ年)およびフランス
特許第1!2494/号(iqt、を年))のジケトン
類から次のルートに従って製造される。
シ−73β−メチルーゴナーダ、9.//−トリエンー
3−オン 17α−メチルスルフィニルメチル−/りβ−ヒドロキ
シ−/3β−エチルーゴナーダ、9.//−トリエン−
3−オン /7α−メチルスルフィニルメチル−17β−ヒドロキ
シー/3β−プロビルーゴf−II、?、// −トリ
エン−3−オン/7α−チオシアナートメチル−/りβ
−ヒドロキシ−/3β−メチルーゴナーダ、9.//
−トリエン−3−オン /7α−チオシアナートメチルー/りβ−ヒドロキシ−
73β−エチルーゴナーダ、9.// −トリエン−3
−オン /7α−チオシアナートメチルー77β−ヒドロキシ−
/Jβ−プロピルーゴナー9,9.//−トリエン−3
−オン 次に、本発明化合物の製造法について説明する0 本発明の一般式(1)で示されるゴナトリエン誘導体は
下記一般式(lI)で示されるそれ自体公知(フランス
特許第13コロ96コ号(/9Aざ年)およびフランス
特許第1!2494/号(iqt、を年))のジケトン
類から次のルートに従って製造される。
↓ ↓
(1) (Vl)〔式中、
Rおよび又は一般式(1)で定義したとおりであり、x
lはSR’を表わし、R1はC0〜C1のアルキル基を
表わし、Yはエチレン基、トリメチレン基またはコ、コ
ージメチルトリメチレン基を表わす。〕 一般式(n)のジケトンは3位カルボニル基が選択的に
保護される。通常、一般式(II)のジケトンにエチレ
ンクリコール、トリメチレングリコール、コ、コージメ
チルトリメチレングリコールを酸性条件下に作用させて
一般式(III)のアセタールを得る。この際、脱水剤
としてオルトギ酸メチル、オルトギ酸エチルなどのオル
トエステル類を共存させると良い。又、オルトエステル
類を使用しない場合には、ベンゼン、トルエンなどの水
と共沸する溶媒を使用して生成する水を共沸脱水しなが
ら行うこともできる。
Rおよび又は一般式(1)で定義したとおりであり、x
lはSR’を表わし、R1はC0〜C1のアルキル基を
表わし、Yはエチレン基、トリメチレン基またはコ、コ
ージメチルトリメチレン基を表わす。〕 一般式(n)のジケトンは3位カルボニル基が選択的に
保護される。通常、一般式(II)のジケトンにエチレ
ンクリコール、トリメチレングリコール、コ、コージメ
チルトリメチレングリコールを酸性条件下に作用させて
一般式(III)のアセタールを得る。この際、脱水剤
としてオルトギ酸メチル、オルトギ酸エチルなどのオル
トエステル類を共存させると良い。又、オルトエステル
類を使用しない場合には、ベンゼン、トルエンなどの水
と共沸する溶媒を使用して生成する水を共沸脱水しなが
ら行うこともできる。
一般式(m)のアセタールは、沃化トリメチルスルホニ
ウム、沃化トリメチルスルホキソニウム、塩化トリメチ
ルスルホキソニウムなどのトリメチルスルホニウム、ト
リメチルスルホキンニウム類にカリウムt−ブトキシド
、水素化ナトリウムなどの塩基性物質を作用させて発生
させたジメチルスルホニウムメチリドあるいはジメチル
オキソスルホニウムメチリドを反応させて一般式(IV
)のエポキシトリエンにすることができる。この場合、
トリメチルスルホニウム1トリメチルスルホキソニウム
類はアセタール(ill)の等モル以上、好−ましくは
/、2〜3倍モル、カリウムt−ブトキシド、水素化ナ
トリウムはトリメチルスルホニウムあるいはトリメチル
スルホキンニウム類の等モル以上、好ましくはへl〜/
、j倍モル使用される。溶媒はジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアミド、N
−メチルピロリドンなどの極性の高い非プロトン性溶媒
が好適に使用される。反応温度は一り0℃〜!θ℃、好
ましくはO℃〜30℃である。
ウム、沃化トリメチルスルホキソニウム、塩化トリメチ
ルスルホキソニウムなどのトリメチルスルホニウム、ト
リメチルスルホキンニウム類にカリウムt−ブトキシド
、水素化ナトリウムなどの塩基性物質を作用させて発生
させたジメチルスルホニウムメチリドあるいはジメチル
オキソスルホニウムメチリドを反応させて一般式(IV
)のエポキシトリエンにすることができる。この場合、
トリメチルスルホニウム1トリメチルスルホキソニウム
類はアセタール(ill)の等モル以上、好−ましくは
/、2〜3倍モル、カリウムt−ブトキシド、水素化ナ
トリウムはトリメチルスルホニウムあるいはトリメチル
スルホキンニウム類の等モル以上、好ましくはへl〜/
、j倍モル使用される。溶媒はジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアミド、N
−メチルピロリドンなどの極性の高い非プロトン性溶媒
が好適に使用される。反応温度は一り0℃〜!θ℃、好
ましくはO℃〜30℃である。
一般式(V)のアルキルチオメチルトリエンは一般式(
IV)のエポキシトリエンにメチルメルカプタン、エチ
ルメルカプタン又はプロピルメルカプタンのナトリウム
塩を反応させることによって得られる。この場合、アル
キルメルカプタンのナトリウム塩はエポキシトリエン(
IV)の等モル以上、好ましくは2〜3倍モルを使用す
る。
IV)のエポキシトリエンにメチルメルカプタン、エチ
ルメルカプタン又はプロピルメルカプタンのナトリウム
塩を反応させることによって得られる。この場合、アル
キルメルカプタンのナトリウム塩はエポキシトリエン(
IV)の等モル以上、好ましくは2〜3倍モルを使用す
る。
溶媒ハエグーレンゲリコール、メタノール、エタ)−に
又nプロパツールなどのアルコール類が好ましい。反応
温度は室温以上30〜り0℃が好ましい。
又nプロパツールなどのアルコール類が好ましい。反応
温度は室温以上30〜り0℃が好ましい。
一般式(Vl)のアルキルチオメチルトリエンは一般式
(V)のアルキルチオメチルトリエンを酸性条件下でア
セタール基を分解して、3位カルボニル基を再生させる
ことによって得ることができる。この工程は公知のアセ
タール脱保腰法なら如何なる方法も採用できるが、アセ
トンおよびメチルエチルケトンなどのケトン類を溶媒と
し、触媒量のp−)ルエンスルホ/酸、硫酸又は硝酸な
どの酸性化合物を添加して行なうのが好ましい。
(V)のアルキルチオメチルトリエンを酸性条件下でア
セタール基を分解して、3位カルボニル基を再生させる
ことによって得ることができる。この工程は公知のアセ
タール脱保腰法なら如何なる方法も採用できるが、アセ
トンおよびメチルエチルケトンなどのケトン類を溶媒と
し、触媒量のp−)ルエンスルホ/酸、硫酸又は硝酸な
どの酸性化合物を添加して行なうのが好ましい。
一般式(1)のアルキルスルフィニルメチルトリエンは
一般式(Vl)のアルキルチオメチル)IJエンを過酸
で酸化することによって得ることができる。この場合、
過酸は過ヨウ素酸カリウム又は過ヨウ素酸ナトリウムが
好ましく、溶媒は水トメタノールあるいはエタノールと
の混合溶媒が好ましく、反応温度は10〜30℃が好ま
しい。
一般式(Vl)のアルキルチオメチル)IJエンを過酸
で酸化することによって得ることができる。この場合、
過酸は過ヨウ素酸カリウム又は過ヨウ素酸ナトリウムが
好ましく、溶媒は水トメタノールあるいはエタノールと
の混合溶媒が好ましく、反応温度は10〜30℃が好ま
しい。
一方、一般式(I)のチオシアナートメチルトリエンは
一般式(■)のエポキシメチルトリエンにチオシアン酸
ナトリウムの水溶液と酢酸を反応させることによって得
られる。この場合、チオシアン醒ナトリウムはエポキシ
トリエン(IV)の等モル以上、好ましくは10−20
倍を使用し、酢酸はエポキシトリエン(IV)の等モル
以上、好ましくは3〜10倍使用する。溶媒はメタノー
ル、エタノール又はプロパツールなどのアルコール類が
好ましく、反応温度は室温以上30〜70℃が好ましい
。
一般式(■)のエポキシメチルトリエンにチオシアン酸
ナトリウムの水溶液と酢酸を反応させることによって得
られる。この場合、チオシアン醒ナトリウムはエポキシ
トリエン(IV)の等モル以上、好ましくは10−20
倍を使用し、酢酸はエポキシトリエン(IV)の等モル
以上、好ましくは3〜10倍使用する。溶媒はメタノー
ル、エタノール又はプロパツールなどのアルコール類が
好ましく、反応温度は室温以上30〜70℃が好ましい
。
本発明の一般式CI)のゴナトリエン騎導体は、次のル
ートに従って一般式(■)のゴナジエン類からも製造で
きる。
ートに従って一般式(■)のゴナジエン類からも製造で
きる。
(■) ” (IX)〔式中、R
およびXは一般式(1)で定義したとオリでh !+
、RIおよびR2はC1〜C4のアルキル基を示し、R
1とR2が一緒になって −(CH,)n−(nは一〜
qの整数)を表わしてもよい。〕一般式(■)のゴナジ
エン類の製造法はArZn−eimitt61f−Or
schung7 Drug Res 、 (アルツナイ
ミツテルフオルクユンク/ドラッグ リサーチ)2ダ
(/9りII)194−900頁に記述された方法で製
造できる。
およびXは一般式(1)で定義したとオリでh !+
、RIおよびR2はC1〜C4のアルキル基を示し、R
1とR2が一緒になって −(CH,)n−(nは一〜
qの整数)を表わしてもよい。〕一般式(■)のゴナジ
エン類の製造法はArZn−eimitt61f−Or
schung7 Drug Res 、 (アルツナイ
ミツテルフオルクユンク/ドラッグ リサーチ)2ダ
(/9りII)194−900頁に記述された方法で製
造できる。
一般式(Vll)のゴナジエンはジメチルアミン、ジエ
チルアミン、ピロリジンなどのアミン類(直を反応させ
一般式(1)00エナミンを製造する。
チルアミン、ピロリジンなどのアミン類(直を反応させ
一般式(1)00エナミンを製造する。
一般式(■)中、R,およびR8は炭素数l−ダのアル
キル基であり、R1とR2が一緒になって−(OH2)
。−(nは一〜ダの整数)を形成していても良い。通常
、ピロリジンが好適に使用できる。
キル基であり、R1とR2が一緒になって−(OH2)
。−(nは一〜ダの整数)を形成していても良い。通常
、ピロリジンが好適に使用できる。
アミン類(■)の使用量はゴナジエン(■)の等モル以
上、通常7.5〜3倍モルが使用される。溶媒はメタノ
ール、エタノール、プロパツールなどの低級アルコール
類が使用される。反応温度は一/θ〜70℃、通常/Q
−ダO℃で実施される。
上、通常7.5〜3倍モルが使用される。溶媒はメタノ
ール、エタノール、プロパツールなどの低級アルコール
類が使用される。反応温度は一/θ〜70℃、通常/Q
−ダO℃で実施される。
一般式(IX)のエナミンは酢酸、プロピオン酸、酪酸
などの低級脂肪酸と処理すると一般式(X)のジエンを
与える。この際、低級脂肪酸類は溶媒蓋使用してよく、
また水が共存してもよい。
などの低級脂肪酸と処理すると一般式(X)のジエンを
与える。この際、低級脂肪酸類は溶媒蓋使用してよく、
また水が共存してもよい。
低級脂肪酸に対する水の量は0./〜O,S倍容量が好
適である。反応温度は−10℃〜50℃、好ましくは一
λ〜10℃である。
適である。反応温度は−10℃〜50℃、好ましくは一
λ〜10℃である。
一般式(X)のジエンをDDQ (ジシアノジクロロベ
ンゾキノン)で脱水素すると所望のゴナトリエン(1)
が得られる。DDQの使用量はジエン(X)の等モル以
上、好ましくは八り〜3倍モル使用される。溶媒は非プ
ロトン性溶媒が好ましく、通常ジオキサン、テトラヒド
ロフランなど環状エーテル類が使用される。反応温度は
10−タO℃、通常室温でちる。
ンゾキノン)で脱水素すると所望のゴナトリエン(1)
が得られる。DDQの使用量はジエン(X)の等モル以
上、好ましくは八り〜3倍モル使用される。溶媒は非プ
ロトン性溶媒が好ましく、通常ジオキサン、テトラヒド
ロフランなど環状エーテル類が使用される。反応温度は
10−タO℃、通常室温でちる。
本発明化合物(1)は、強い抗ゴナドトロピン作用を有
し、子宮内膜症の治療薬として有用である。
し、子宮内膜症の治療薬として有用である。
以下、実施例によυ、本発明を更に砕細に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定
されない。
本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定
されない。
実施例/: /3β−エチルー/7β−ヒドロキシ−/
7α−メテルテオメテルーゴナーダ、9.//−トリエ
ン−J−オン 工HA: /Jl’−エチルー3−エチレンジオキシ
ーゴナーダ、q、/ / −)リエンー/7−オン 6.00 、!? (2八2 !; mmol )の1
3β−エテルーゴナーダ、?、/ / −トリエン−3
,17−ジオンを、yistntのテトラヒドロフラン
に浴解し、/帽コーのエチレングリコール、次いで触媒
量(200■)のp−トルエンスルホンy’t 加、t
、全体を水浴中で0℃に冷却した02g、3mlのオル
トギ酸エチルを加え、窒素気流下、0℃にて3時間攪拌
した後、j++Jのトリエチルアミンを加え反応を中止
した。反応液を、300−の酢酸エチルで希釈し、炭酸
水素ナトリウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗
浄した水層をII O0nlの塩化メチレンで抽出し、
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾
固した後、?、j f gの粗生成物を黄色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチルの混
合溶媒にて溶出し、1.2 ? 、9(収率90.6チ
)の/3β−エチルー3−エチレンジオキシーゴナーダ
、デ、//−)IJエン−/り一オンを黄白色の結晶と
して得た。
7α−メテルテオメテルーゴナーダ、9.//−トリエ
ン−J−オン 工HA: /Jl’−エチルー3−エチレンジオキシ
ーゴナーダ、q、/ / −)リエンー/7−オン 6.00 、!? (2八2 !; mmol )の1
3β−エテルーゴナーダ、?、/ / −トリエン−3
,17−ジオンを、yistntのテトラヒドロフラン
に浴解し、/帽コーのエチレングリコール、次いで触媒
量(200■)のp−トルエンスルホンy’t 加、t
、全体を水浴中で0℃に冷却した02g、3mlのオル
トギ酸エチルを加え、窒素気流下、0℃にて3時間攪拌
した後、j++Jのトリエチルアミンを加え反応を中止
した。反応液を、300−の酢酸エチルで希釈し、炭酸
水素ナトリウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗
浄した水層をII O0nlの塩化メチレンで抽出し、
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾
固した後、?、j f gの粗生成物を黄色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチルの混
合溶媒にて溶出し、1.2 ? 、9(収率90.6チ
)の/3β−エチルー3−エチレンジオキシーゴナーダ
、デ、//−)IJエン−/り一オンを黄白色の結晶と
して得た。
工程B: /3β−エチルー3−エチレンジオキシ−ゴ
ナー弘、?、/ / −)リエンー/7β−スピロ−t
1.2′−オキシラン 上記工程Aで得られたA、29g (/ 9.コクmm
ol ) の/3β−エチルー3−エチレンジオキシ
ーゴナーダ、9./ / −)ジエン−lクーオンを6
0−のジメチルホルムアミドに溶解し、り、t A I
Iの沃化トリメチルスルホニウムを加え、窒素気流下、
室温にて3分間攪拌した。次いでIQ / gのカリウ
ムt−ブトキシドを加え、2素気流下、室温にてさらに
aS分間攪拌した。
ナー弘、?、/ / −)リエンー/7β−スピロ−t
1.2′−オキシラン 上記工程Aで得られたA、29g (/ 9.コクmm
ol ) の/3β−エチルー3−エチレンジオキシ
ーゴナーダ、9./ / −)ジエン−lクーオンを6
0−のジメチルホルムアミドに溶解し、り、t A I
Iの沃化トリメチルスルホニウムを加え、窒素気流下、
室温にて3分間攪拌した。次いでIQ / gのカリウ
ムt−ブトキシドを加え、2素気流下、室温にてさらに
aS分間攪拌した。
反応液を!r00mlの酢酸エチルで希釈し、塩化アン
モニウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を300 areの酢酸エチルで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾固した後
、L/ ? #の粗生成物を褐色の油状物として得た。
モニウム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を300 areの酢酸エチルで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾固した後
、L/ ? #の粗生成物を褐色の油状物として得た。
得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて
溶出し、z、b 31 (ざま、t%)の/3β−エチ
ルー3−エチレンジオキシーゴf −!、?、/ /
−トリエン−17β−スピロ−八−′−オキシランをア
モルファス状の固形物として得た。
ーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて
溶出し、z、b 31 (ざま、t%)の/3β−エチ
ルー3−エチレンジオキシーゴf −!、?、/ /
−トリエン−17β−スピロ−八−′−オキシランをア
モルファス状の固形物として得た。
工iC: /3β−エチルー3−エチレンジオキシ−
/7β−ヒドロキシー/7α−メチルチオメチル−ゴナ
−Q、?、/ / −) +7エン上記工程Bで得られ
た3、3g& (/ OJ mmol )の/Jβ−エ
チルー3−エチレンジオキシーゴナーダ、?、/ /
−)リエンー/7β−スピロ−/’、2’−オキシ2ン
を/jO−のエチレングリコールに溶解した。次いで/
2dの75%メチルメルカプタンナトリウム水溶液を加
え、窒素気流下、60℃において3時間攪拌した。反応
液を室温に冷却し1.500m1の酢酸エチルで希釈し
、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水増をコ00−の
酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、?、?
0.9の粗生成物を褐色の油状物として得、このものを
精製することなく次の工程で使用した。
/7β−ヒドロキシー/7α−メチルチオメチル−ゴナ
−Q、?、/ / −) +7エン上記工程Bで得られ
た3、3g& (/ OJ mmol )の/Jβ−エ
チルー3−エチレンジオキシーゴナーダ、?、/ /
−)リエンー/7β−スピロ−/’、2’−オキシ2ン
を/jO−のエチレングリコールに溶解した。次いで/
2dの75%メチルメルカプタンナトリウム水溶液を加
え、窒素気流下、60℃において3時間攪拌した。反応
液を室温に冷却し1.500m1の酢酸エチルで希釈し
、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水増をコ00−の
酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、?、?
0.9の粗生成物を褐色の油状物として得、このものを
精製することなく次の工程で使用した。
工程T): /、lβ−エチル−lりβ−ヒドロキシ
−/りα−メチルチオメチル−ゴナー弘、?、/ /−
)リエンー3−オン 上記工程Cで得られた?、70.9の13β−エチル−
3−エチレンジオキン−/7β−ヒドロキシー/7α−
メチルチオメチル−ゴナー弘、9゜//−トリエンの粗
生成物を7jTO−のアセトンに浴解し、30wdの水
を加え、次いで触媒量<ioomy)のp−1ルエンス
ルホン酸を加えた。室温にて70分間攪拌した後に10
m1の炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を中止し
た。反応液を300−の酢酸エチルで希釈し、水、飽和
食塩水で洗浄し、洗浄した水層をis。
−/りα−メチルチオメチル−ゴナー弘、?、/ /−
)リエンー3−オン 上記工程Cで得られた?、70.9の13β−エチル−
3−エチレンジオキン−/7β−ヒドロキシー/7α−
メチルチオメチル−ゴナー弘、9゜//−トリエンの粗
生成物を7jTO−のアセトンに浴解し、30wdの水
を加え、次いで触媒量<ioomy)のp−1ルエンス
ルホン酸を加えた。室温にて70分間攪拌した後に10
m1の炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を中止し
た。反応液を300−の酢酸エチルで希釈し、水、飽和
食塩水で洗浄し、洗浄した水層をis。
−の酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、S、ダ
vyの粗生成物を褐色の油状物として得た。得られた粗
生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒で溶出し、ユ、コ9g
(収率ダコ%)の/3β−エチル−7りα−ヒドロキシ
−/りβ−メチルチオメチル−ゴナーQ、9.//−ト
リエン−3−オンをアモルファス状の固形物として得た
。
グネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、S、ダ
vyの粗生成物を褐色の油状物として得た。得られた粗
生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒で溶出し、ユ、コ9g
(収率ダコ%)の/3β−エチル−7りα−ヒドロキシ
−/りβ−メチルチオメチル−ゴナーQ、9.//−ト
リエン−3−オンをアモルファス状の固形物として得た
。
工程F、: /3β−エチルー/7β−ヒドロキシ−
/7α−メチルースルフイニルメチルーゴナーダ、’p
、ii−トリエンー3−オン上記工程りで得られたLA
/ I (11,47nonol)の/3β−エテル
ー/7β−ヒドロキシ−/7α−メチルチオメチルーゴ
ナー+、q、/ / −トリエン−3−オンを、300
−のメタノールに溶解し、次いで八j / I (ij
II mmol)の過ヨウ素を300−の水に溶解し
た水溶液を加え、窒素気流下、室温においてλ日間攪拌
した。反応液を300m1のクロロホルムで抽出し、水
および飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を200td
のクロロホルムにて抽出した。有機層を合わせ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、/
、/ 09の粗生成物を黄色の油状物として得た。得ら
れた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し
、クロロホルム−メタノールの混合溶媒で溶出し、酢酸
エチル−n−ヘキサンの混合溶媒より再結晶させ、o、
gsg(収率tI7%)の/Jp−エチル−/7β−ヒ
ドロキシー/7α−メチルスルフイニルメテルーゴナー
ダ、9./ / −トリエン−3−オンを白色の結晶と
して得た。(融点iqy〜/??℃)NMR(CDC1
,、90MHz ) δ : 1.0 タ (3H,t、、T= 7.s
H2)コ、Aj (,7H,日) コ、9 A (lH,d、J=/JJH2)j、/
! (lH,d、J=/、7JHz)!;、IO(l
H,brs) lj O(lH,d、、r=9H2) b、b tr (lH,a、J=9az)工R(KB
r) 3 ’I j O、/ A !r 06B−
’実施例、2: /3β−エチルー17β−ヒドロキ
シ−77α−チオシアナートーメチルーゴナーダ、?、
/ /−トリエン−3−オン実施例/の工程AおよびB
と同様の操作で得られた/、ざ21 (ij !; m
mol ) の13β−エチル−3−エチレンジオキ
シ−ゴナ−!、?、/ /−トリエン−/7β−スピロ
ー/’、2’−オキシランを200−のメタノールに溶
解した。次いでLA 71 (/ 07 mmol )
のチオシアン酸ナトリウムを30−の水に溶解した
水溶液と2.jadの氷酢酸を加え、窒素気流下、35
℃において3日間攪拌した。反応液を室温に冷却し1.
300−のクロロホルムで希釈し、水および飽和食塩水
で洗浄し、洗浄した水層を/θOmlのクロロホルムで
抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、ハ9弘lの粗生成物を
黄褐色のアモルファス状の固体として得た。得られた粗
生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し、酢酸
エチル−n−ヘキサンの混合溶媒で溶出し、酢酸エチル
−n−へキサンの混合溶媒より再結晶させ0.7 &
# (収率J9%)の73μmエチル−/りβ−ヒドロ
キシ−/7α−チオシアナートメチル−ゴナ−y、q、
// −) !jエンー3−オンを白色の結晶として得
た。(融点/92〜/qlI℃)NMR(ODC/!、
、 、 タOMHz)δ: /、o r <3H
,t、J=q、raz’)3.07 (lH,d、、
T=/コHz)、7J ? (lH,d、、r=/、
2H2)!;、t 3 (lH,brs ) A、J9 (lH,d、、T=10.jHz)149
(lH,d、、T=/θ、hHz)工R(KBr)
Jダso、2210./4110.−’出 願
人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士長香川 − ほか1名
/7α−メチルースルフイニルメチルーゴナーダ、’p
、ii−トリエンー3−オン上記工程りで得られたLA
/ I (11,47nonol)の/3β−エテル
ー/7β−ヒドロキシ−/7α−メチルチオメチルーゴ
ナー+、q、/ / −トリエン−3−オンを、300
−のメタノールに溶解し、次いで八j / I (ij
II mmol)の過ヨウ素を300−の水に溶解し
た水溶液を加え、窒素気流下、室温においてλ日間攪拌
した。反応液を300m1のクロロホルムで抽出し、水
および飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を200td
のクロロホルムにて抽出した。有機層を合わせ、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した後、/
、/ 09の粗生成物を黄色の油状物として得た。得ら
れた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し
、クロロホルム−メタノールの混合溶媒で溶出し、酢酸
エチル−n−ヘキサンの混合溶媒より再結晶させ、o、
gsg(収率tI7%)の/Jp−エチル−/7β−ヒ
ドロキシー/7α−メチルスルフイニルメテルーゴナー
ダ、9./ / −トリエン−3−オンを白色の結晶と
して得た。(融点iqy〜/??℃)NMR(CDC1
,、90MHz ) δ : 1.0 タ (3H,t、、T= 7.s
H2)コ、Aj (,7H,日) コ、9 A (lH,d、J=/JJH2)j、/
! (lH,d、J=/、7JHz)!;、IO(l
H,brs) lj O(lH,d、、r=9H2) b、b tr (lH,a、J=9az)工R(KB
r) 3 ’I j O、/ A !r 06B−
’実施例、2: /3β−エチルー17β−ヒドロキ
シ−77α−チオシアナートーメチルーゴナーダ、?、
/ /−トリエン−3−オン実施例/の工程AおよびB
と同様の操作で得られた/、ざ21 (ij !; m
mol ) の13β−エチル−3−エチレンジオキ
シ−ゴナ−!、?、/ /−トリエン−/7β−スピロ
ー/’、2’−オキシランを200−のメタノールに溶
解した。次いでLA 71 (/ 07 mmol )
のチオシアン酸ナトリウムを30−の水に溶解した
水溶液と2.jadの氷酢酸を加え、窒素気流下、35
℃において3日間攪拌した。反応液を室温に冷却し1.
300−のクロロホルムで希釈し、水および飽和食塩水
で洗浄し、洗浄した水層を/θOmlのクロロホルムで
抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、ハ9弘lの粗生成物を
黄褐色のアモルファス状の固体として得た。得られた粗
生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで処理し、酢酸
エチル−n−ヘキサンの混合溶媒で溶出し、酢酸エチル
−n−へキサンの混合溶媒より再結晶させ0.7 &
# (収率J9%)の73μmエチル−/りβ−ヒドロ
キシ−/7α−チオシアナートメチル−ゴナ−y、q、
// −) !jエンー3−オンを白色の結晶として得
た。(融点/92〜/qlI℃)NMR(ODC/!、
、 、 タOMHz)δ: /、o r <3H
,t、J=q、raz’)3.07 (lH,d、、
T=/コHz)、7J ? (lH,d、、r=/、
2H2)!;、t 3 (lH,brs ) A、J9 (lH,d、、T=10.jHz)149
(lH,d、、T=/θ、hHz)工R(KBr)
Jダso、2210./4110.−’出 願
人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士長香川 − ほか1名
Claims (3)
- (1)下記一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、RはC_1〜C_3のアルキル基、Xは−SO
R^1または−SCNを表わし、R^1はC_1〜C_
3のアルキル基を示す。〕で示されるゴナトリエン誘導
体。 - (2)下記一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、RはC_1〜C_3のアルキル基、Xは−SO
R^1または−SONを表わし、R^1はC_1〜C_
3のアルキル基を表わす。〕で示されるゴナトリエン誘
導体を製造する方法において、下記一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、RはC_1〜C_3のアルキル基を表わす。〕
の化合物にエチレングリコール、トリメチレングリコー
ルまたは2,2−ジメチルトリメチレングリコールを酸
性条件下に反応させて下記一般式(III): ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、Rは一般式( I )で定義したとおりであり、
Yはエチレン基、トリメチレン基、 2,2−ジメチルトリメチレン基を表わす。〕の中間生
成物を生成させ、次いで生成した一般式(III)の化合
物にジメチルスルホニウムメチリドまたはジメチルオキ
ソスルホニウムメチリドを反応させて下記一般式(IV)
: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、RおよびYは一般式( I )および(III)で定
義したとおりである。〕 の中間生成物を生成させ、この一般式(IV)の化合物に
金属アルキルスルフイドを反応させて下記一般式(V)
: ▲数式、化学式、表等があります▼(V) 〔式中、X’は−SR^1を表わし、R^1はC_1〜
C_3のアルキル基を表わし、RおよびYは一般式(
I )および(III)で定義したとおりである。〕の中間
生成物を生成させ、さらに酸で処理して3−アセタール
保護基を脱離することにより、下記一般式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) 〔式中、RおよびX’は一般式(V)で定義したとおり
である。〕の中間生成物を生成させ、さらに酸化剤でア
ルキルスルフイドをアルキルスルホキシドに酸化させる
ことにより、一般式( I )中、Rが−SOR^1で表
わされるアルキルスルフイニルメチルトリエン誘導体を
製造するか、あるいは、中間生成物(VI)にチオシアン
酸の金属塩と酸とを作用させて直接一般式( I )中R
が−SCNで表わされるチオジアナートメチルトリエン
誘導体を製造することを特徴とする一般式( I )のゴ
ナトリエン誘導体の製造法。 - (3)下記一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、RはC_1〜C_3のアルキル基、Xは−SO
R^1または−SCNを表わし、R^1はC_1〜C_
3のアルキル基を表わす。〕で示されるゴナトリエン誘
導体を製造する方法において、下記一般式(VII): ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) 〔式中、RおよびXは一般式( I )で定義したとおり
である。〕 に下記一般式(VIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) 〔式中、R_1、およびR_2、はC_1〜C_4、の
アルキル基を表わし、R_1とR_2が一緒になつて−
(CH_2)n−(nは2〜4の整数)を表わしてもよ
い。〕で示されるアミン類を反応させ、下記一般式(I
X): ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) 〔式中、RおよびXは一般式( I )で定義したとおり
であり、R_1およびR_2は一般式(VIII)で定義し
たとおりである。〕 の中間生成物を生成させ、次いで酸で処理して下記一般
式(X): ▲数式、化学式、表等があります▼(X) 〔式中、RおよびXは一般式( I )で定義したとおり
である。〕 の中間生成物を生成させ、これにジクロロジシアノベン
ゾキノン(DDQ)を反応させて一般式( I )のゴナ
トリエンを製造することを特徴とするゴナトリエン誘導
体の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61165235A JPS6322598A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
HU393486A HU201091B (en) | 1985-12-26 | 1986-09-15 | Process for producing gonatriene derivatives and pharmaceutical compositions comprising same |
DE8686402039T DE3673515D1 (de) | 1985-12-26 | 1986-09-17 | Gonatrien-derivate und verfahren zu ihrer herstellung. |
EP19860402039 EP0231671B1 (en) | 1985-12-26 | 1986-09-17 | Gonatriene derivatives and process for preparing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61165235A JPS6322598A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6322598A true JPS6322598A (ja) | 1988-01-30 |
JPH037680B2 JPH037680B2 (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15808425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61165235A Granted JPS6322598A (ja) | 1985-12-26 | 1986-07-14 | ゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6322598A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288300B1 (en) * | 1996-09-12 | 2001-09-11 | Consolidated Edison Company Of New York, Inc. | Thermal treatment and immobilization processes for organic materials |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5312849A (en) * | 1976-06-14 | 1978-02-04 | Ienafuarumu Veb | Production of novel gonaa4*9 *10**diene |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61165235A patent/JPS6322598A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5312849A (en) * | 1976-06-14 | 1978-02-04 | Ienafuarumu Veb | Production of novel gonaa4*9 *10**diene |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288300B1 (en) * | 1996-09-12 | 2001-09-11 | Consolidated Edison Company Of New York, Inc. | Thermal treatment and immobilization processes for organic materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH037680B2 (ja) | 1991-02-04 |
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