JPS63220432A - 光学ヘツド - Google Patents
光学ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63220432A JPS63220432A JP62054641A JP5464187A JPS63220432A JP S63220432 A JPS63220432 A JP S63220432A JP 62054641 A JP62054641 A JP 62054641A JP 5464187 A JP5464187 A JP 5464187A JP S63220432 A JPS63220432 A JP S63220432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical head
- light
- recording medium
- condensing
- information recording
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光ビームを情報記録媒体上に集束する光学
ヘッドに係り、特に情報記録媒体から情報を光ビームで
再生する情報再生装置に用いられる光学ヘッドに関する
。
ヘッドに係り、特に情報記録媒体から情報を光ビームで
再生する情報再生装置に用いられる光学ヘッドに関する
。
［従来技術］
情報再生装置においては、光ビームを情報記録媒体上に
集束する為に光学ヘッドが用いられているが、この光学
ヘッドは、一般に光源と、この光源から発せられた光ビ
ームを集束する為の凸レンズから成る対物レンズと、情
報記録媒体がら反射され、対物レンズを通過した先ビー
ムを光検出器に向ける為のビーム・スプリッタとから構
成されている。
集束する為に光学ヘッドが用いられているが、この光学
ヘッドは、一般に光源と、この光源から発せられた光ビ
ームを集束する為の凸レンズから成る対物レンズと、情
報記録媒体がら反射され、対物レンズを通過した先ビー
ムを光検出器に向ける為のビーム・スプリッタとから構
成されている。
［発明が解決しようとする問題点］
光学ヘッドは、その構成から明らかなようにその小型化
に限界があり、小型化、軽量化及び、薄型化が困難であ
る問題がある。また、光学ヘッドの小型化が困難である
ことに伴いこれが用いられる情報再生装置の小型化が困
難となり、更には、光学ヘッドの軽量化が困難であるこ
とに伴い情報再生装置において光学ヘッドの移動機構が
大型化し、情報の高速アクセスに限界があることが指摘
されている。
に限界があり、小型化、軽量化及び、薄型化が困難であ
る問題がある。また、光学ヘッドの小型化が困難である
ことに伴いこれが用いられる情報再生装置の小型化が困
難となり、更には、光学ヘッドの軽量化が困難であるこ
とに伴い情報再生装置において光学ヘッドの移動機構が
大型化し、情報の高速アクセスに限界があることが指摘
されている。
この発明は、上述した事情に鑑みなされたちのであって
小型軽量化が可能でしかも、情報の高速アクセスが可能
な薄型光学ヘッドを提供するにある。
小型軽量化が可能でしかも、情報の高速アクセスが可能
な薄型光学ヘッドを提供するにある。
［聞届を解決する為の手段〕
光ビームを発生する光源と、この光源からの光ビームが
入射され、この入射光を反射するとともにこの入射光を
情報記録媒体に集光する層構造を有する光学手段とから
なることを特徴とする光学ヘッド。
入射され、この入射光を反射するとともにこの入射光を
情報記録媒体に集光する層構造を有する光学手段とから
なることを特徴とする光学ヘッド。
［作用］
層構造で光学ヘッドの集光手段が形成されていることか
ら光学ヘッドが薄型となる。
ら光学ヘッドが薄型となる。
［実−絶倒］
以下図面を参照でこの発明の一実施例について説明する
。
。
第１図及び第２図は、この発明の一実施例に係る薄型光
学ヘッドを示し、図中、１は、光ディスク、光カード、
コンパクトΦディスク成るいは、ビディオ・ディスク等
の情報記録媒体を示し、良く知られるようにこの情報記
録媒体１は、一般に透明基板２上に記録層３を形成して
作られ、情報が記録される領域を指定する機能を有する
トラッキング・ガイドが溝又は、突出部として連続的に
形成されている。この情報記録媒体１の透明基板２に対
向してこの発明の一実施例に係る薄型光学ヘッド４が例
えば、情報記録媒体１の透明基板２から１．５〜３．０
ｍｍの間隔を空けて配置されている。この光学ヘッド４
は、図示しない支持機構によってＺ方向及びＹ方向に移
動可能に支持されている。また、この光学ヘッド４は、
フロート・ガラス等の基板材料で作られたベース５上に
光検出層１２を介してフレネル・レンズ構造を有する集
光層６が積層されて形成されている。この集光検出層４
の製造方法については、後に詳述するが、図に示す構造
では、集光層６は、特定の入射角で入射した発散光を反
射し、一点に集光する凹鏡として機能するフレネル反射
面に形成され、その反射面の特定の領域上に光検出層１
２が設けられている。光学ヘッド４のベース５上には、
更に支持脚７を介してマウント部８が設けられている。
学ヘッドを示し、図中、１は、光ディスク、光カード、
コンパクトΦディスク成るいは、ビディオ・ディスク等
の情報記録媒体を示し、良く知られるようにこの情報記
録媒体１は、一般に透明基板２上に記録層３を形成して
作られ、情報が記録される領域を指定する機能を有する
トラッキング・ガイドが溝又は、突出部として連続的に
形成されている。この情報記録媒体１の透明基板２に対
向してこの発明の一実施例に係る薄型光学ヘッド４が例
えば、情報記録媒体１の透明基板２から１．５〜３．０
ｍｍの間隔を空けて配置されている。この光学ヘッド４
は、図示しない支持機構によってＺ方向及びＹ方向に移
動可能に支持されている。また、この光学ヘッド４は、
フロート・ガラス等の基板材料で作られたベース５上に
光検出層１２を介してフレネル・レンズ構造を有する集
光層６が積層されて形成されている。この集光検出層４
の製造方法については、後に詳述するが、図に示す構造
では、集光層６は、特定の入射角で入射した発散光を反
射し、一点に集光する凹鏡として機能するフレネル反射
面に形成され、その反射面の特定の領域上に光検出層１
２が設けられている。光学ヘッド４のベース５上には、
更に支持脚７を介してマウント部８が設けられている。
このマウント部８の正面には、光源としてレーザーを発
生する半導体レーザー９及び光ヘッドの合焦状態を検出
する夫々一対の検出領域１０Ａ。
生する半導体レーザー９及び光ヘッドの合焦状態を検出
する夫々一対の検出領域１０Ａ。
ｒｏＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢを有する第１及び第２の検出部
１０．１１が設けられている。更に、マウント部８の背
面には、半導体レーザー９の背面に対向して半導体レー
ザー９をモニターするモニター用検出器１３が配置され
ている。半導体レーザー９は、図示しない駆動回路に接
続され、第１及び第２の検出部１０．１１及び、モニタ
ー用検出器１−３は、同様に図示しないフォーカス・エ
ラー信号及びモニター信号を発生する処理回路に接続さ
れている。
１０．１１が設けられている。更に、マウント部８の背
面には、半導体レーザー９の背面に対向して半導体レー
ザー９をモニターするモニター用検出器１３が配置され
ている。半導体レーザー９は、図示しない駆動回路に接
続され、第１及び第２の検出部１０．１１及び、モニタ
ー用検出器１−３は、同様に図示しないフォーカス・エ
ラー信号及びモニター信号を発生する処理回路に接続さ
れている。
第２図に示すようにフレネル・レンズ構造の集光層６上
の領域は、入射したレーザー・ビームのほとんどを反射
する主フレネル反射領域１４、主フレネル反射領域１４
の両側に配置された補助フレネル反射領域１５．１６及
び平坦面であり、好ましくは、乱反射画成るいは、非反
射面として形成されている周辺領域２２に区分されてい
る。主フレネル反射領域１４上の光検出層１２の領域は
、先革検出領域１７で区分された第１及び第２の検出領
域１８．１９に分離され、その夫々は、ボンディング・
ワイヤ２０．２１に接続されトラック・エラー信号及び
再生信号を発生する図示しない処理回路に接続されてい
る。
の領域は、入射したレーザー・ビームのほとんどを反射
する主フレネル反射領域１４、主フレネル反射領域１４
の両側に配置された補助フレネル反射領域１５．１６及
び平坦面であり、好ましくは、乱反射画成るいは、非反
射面として形成されている周辺領域２２に区分されてい
る。主フレネル反射領域１４上の光検出層１２の領域は
、先革検出領域１７で区分された第１及び第２の検出領
域１８．１９に分離され、その夫々は、ボンディング・
ワイヤ２０．２１に接続されトラック・エラー信号及び
再生信号を発生する図示しない処理回路に接続されてい
る。
上述した構造の光学ヘッドにおいては、半導体レーザー
９の正面から一定強度を有する再生用レーザ・ビーム或
いは、記録すべき情報に応じて強度変調された記録用レ
ーザー・ビームが主フレネル反射領域１４、補助フレネ
ル反射領域１５．１６に向けて発散される。ここで、半
導体レーザー９の背面からモニター用のレーザー・ビー
ムが発生されるが、このモニター用レーザー・ビームは
、モニター用光検出器１３で検出され、この検出器１３
からの信号で半導体レーザー９からのレーザー・ビーム
が安定に維持される。主フレネル反射領域１４に向けら
れた発散性のレーザー・ビームＬｏは、この領域１４で
反射される際に回折されて集光点Ｊに向けて集光される
。この集光点Ｊが情報記録媒体１の記録層３上に形成さ
れる場合が光学ヘッド４が合焦状態にあると定義される
が、この状態において再生用レーザー・ビームが記録層
３上に照射されると、この再生用レーザー・ビームは、
記録層３のトラッキング・ガイド（図示せず。）内のピ
ット等の記録領域で強度変調されてこの記録層３から反
射される。同様に強度変調されている記録用レーザーや
ビームが記録層にこの状態で照射されると、この記録用
レーザー・ビームによって記録層３のトラッキング・ガ
イド内に記録領域が形成される。記録層３から反射され
たレーザー・ビームＬｏは、主フレネル反射領域１４に
向けられ、そのほとんどが反射されるとともに反射領域
１４上の光検出層１２で検出される。光検出層１２の第
１及び第２の光検出領域１８．１９に入射されたレーザ
ーφビームは、第１及び第２の信号に変換され、処理Ｕ
路でその和信号を得、半導体レーザー９から直接主フレ
ネル反射領域１４上の光検出層１２に入射して信号成分
に変換のされるレーザー・ビームに相当するバイアス成
分を除去することによって情報が再生される。記録層３
からレーザー・ビームが反射される際にレーザー・ビー
ムは、トラッキングψガ・ｒドによって回折され、その
結果、回折パターンが光検出層１２の第１及び第２の光
検出領域１８．１９上に暗部として形成される。従って
、正しくレーザー・ビームＬＯがトラッキング・ガイド
を追跡している場合には、光検出層１２の第１及び第２
の光検出領域１８．１９からは、等しいレベルの第１及
び第２の信号が発生され、その差がゼロ・レベルのトラ
ック・エラー信号として処理回路から発生される。差を
得ることによって半導体レーザー９から直接主フレネル
反射領域１４上の光検出層１２に入射して信号成分に変
換されるバイアス成分は、除去される。また、正しくレ
ーザー・ビームＬＯがトラッキング・ガイドを追跡して
いない場合には、光検出層１２の第１及び第２の光検出
領域１８．１９からは、異なるレベルの第１及び第２の
信号が発生され、プラス或いは、マイナス・レベルのト
ラック・エラー信号が処理回路から発生される。このト
ラック・エラー信号に応じて光ヘッドが２方向に移動さ
れ、正しくレーザー争ビームＬＯがトラッキング・ガイ
ドを追跡している状態に光学ヘッド４が維持される。い
わゆるプッシュプル法でトラック・エラーが検出される
。
９の正面から一定強度を有する再生用レーザ・ビーム或
いは、記録すべき情報に応じて強度変調された記録用レ
ーザー・ビームが主フレネル反射領域１４、補助フレネ
ル反射領域１５．１６に向けて発散される。ここで、半
導体レーザー９の背面からモニター用のレーザー・ビー
ムが発生されるが、このモニター用レーザー・ビームは
、モニター用光検出器１３で検出され、この検出器１３
からの信号で半導体レーザー９からのレーザー・ビーム
が安定に維持される。主フレネル反射領域１４に向けら
れた発散性のレーザー・ビームＬｏは、この領域１４で
反射される際に回折されて集光点Ｊに向けて集光される
。この集光点Ｊが情報記録媒体１の記録層３上に形成さ
れる場合が光学ヘッド４が合焦状態にあると定義される
が、この状態において再生用レーザー・ビームが記録層
３上に照射されると、この再生用レーザー・ビームは、
記録層３のトラッキング・ガイド（図示せず。）内のピ
ット等の記録領域で強度変調されてこの記録層３から反
射される。同様に強度変調されている記録用レーザーや
ビームが記録層にこの状態で照射されると、この記録用
レーザー・ビームによって記録層３のトラッキング・ガ
イド内に記録領域が形成される。記録層３から反射され
たレーザー・ビームＬｏは、主フレネル反射領域１４に
向けられ、そのほとんどが反射されるとともに反射領域
１４上の光検出層１２で検出される。光検出層１２の第
１及び第２の光検出領域１８．１９に入射されたレーザ
ーφビームは、第１及び第２の信号に変換され、処理Ｕ
路でその和信号を得、半導体レーザー９から直接主フレ
ネル反射領域１４上の光検出層１２に入射して信号成分
に変換のされるレーザー・ビームに相当するバイアス成
分を除去することによって情報が再生される。記録層３
からレーザー・ビームが反射される際にレーザー・ビー
ムは、トラッキングψガ・ｒドによって回折され、その
結果、回折パターンが光検出層１２の第１及び第２の光
検出領域１８．１９上に暗部として形成される。従って
、正しくレーザー・ビームＬＯがトラッキング・ガイド
を追跡している場合には、光検出層１２の第１及び第２
の光検出領域１８．１９からは、等しいレベルの第１及
び第２の信号が発生され、その差がゼロ・レベルのトラ
ック・エラー信号として処理回路から発生される。差を
得ることによって半導体レーザー９から直接主フレネル
反射領域１４上の光検出層１２に入射して信号成分に変
換されるバイアス成分は、除去される。また、正しくレ
ーザー・ビームＬＯがトラッキング・ガイドを追跡して
いない場合には、光検出層１２の第１及び第２の光検出
領域１８．１９からは、異なるレベルの第１及び第２の
信号が発生され、プラス或いは、マイナス・レベルのト
ラック・エラー信号が処理回路から発生される。このト
ラック・エラー信号に応じて光ヘッドが２方向に移動さ
れ、正しくレーザー争ビームＬＯがトラッキング・ガイ
ドを追跡している状態に光学ヘッド４が維持される。い
わゆるプッシュプル法でトラック・エラーが検出される
。
第１及び第２の補助フレネル反射領域１５．１６に向け
られた発散性のレーザー・ビームＬａ。
られた発散性のレーザー・ビームＬａ。
Ｌｂは、同様に反射される際に回折され、夫々集光点Ａ
、Ｂに集光される。合焦時には、例えば、集光点Ａ、Ｂ
が記録層３上に形成され、第１の補助フレネル反射領域
１５から反射されたレーザー・ビームＬａは、第３Ａ図
に示すように記録層３上の集光点Ａで反射され、第２の
補助フレネル反射領域１６に向けられ、第２の補助フレ
ネル反射領域１６から反射されたレーザーやビームＬｂ
は、記録層３上の集光点Ｂで反射され、第１の補助フレ
ネル反射領域１５に向けられる。第１及び第２の補助フ
レネル反射領域１５．１６から反射されたレーザー・ビ
ームＬａ、Ｌｂは、夫々第１及び第２の検出部・１０．
１１に向けられ、レーザーφビームＬａは、第１の検出
部１０の一対の検出領域１０Ａ、ＩＯＢ間の不検出領域
に集光され、レーザー・ビームＬｂは、第２の検出部１
１の一対の検出領域１１Ａ、１１８間の不検出領域に集
光される。従って、合焦時には、一対の検出領域１０Ａ
、ＩＯＢからは、等しいレベルの信号が発生され、また
、一対の検出領域１１Ａ、ＩＩＢからは、等しいレベル
の信号が発生され、夫々その差がゼロ・レベルのフォー
カス・エラー信号として処理回路から発生される。非合
焦時には、集光点Ａ、Ｂが記録層３上外に形成される為
、第１の補助フレネル反射領域１５から反射されたレー
ザー・ビームＬａは、合焦時とは、異なる方向に記録層
３から反射されて第２の補助フレネル反射領域１６に向
けられ、第２の補助フレネル反射領域１６から反射され
たレーザー・ビームＬｂも同様に合焦時とは、異なる方
向に記録層３から反射されて第１の補助フレネル反射領
域１５に向けられる。第１及び第２の補助フレネル反射
領域１５．１６から反射されたレーザー・ビームＬａ、
Ｌｂは、夫々第１及び第２の検出部１０．１１に向けら
れるが、合焦時と異なり非合焦時においては、レーザー
・ビームＬａは、第１の検出部１０の一対の検出領域１
０Ａ、ＩＯＨのいずれかに向けられ、レーザー・ビーム
Ｌｂは、同様に第２の検出部１１の一対の検出領域１１
Ａ、ＩＩＢのいずれかに向けられる。従って、非合焦時
には、一対の検出領域１０Ａ、ＩＯＢからは、異なるレ
ベルの信号が発生され、また、同様に一対の検出領域１
１Ａ、１１Ｂからは、異なるレベルの信号発生され、夫
々を処理する処理回路からは、その差に相当するプラス
或いは、マイナス・レベルのフォーカス・エラー信号が
発生される。このフォーカス−エラー信号に応じて光ヘ
ッド４が移動され、光学ヘッド４が合焦状態に維持され
る。いわゆる軸ずらし法によってフォーカス・エラーが
検出される。
、Ｂに集光される。合焦時には、例えば、集光点Ａ、Ｂ
が記録層３上に形成され、第１の補助フレネル反射領域
１５から反射されたレーザー・ビームＬａは、第３Ａ図
に示すように記録層３上の集光点Ａで反射され、第２の
補助フレネル反射領域１６に向けられ、第２の補助フレ
ネル反射領域１６から反射されたレーザーやビームＬｂ
は、記録層３上の集光点Ｂで反射され、第１の補助フレ
ネル反射領域１５に向けられる。第１及び第２の補助フ
レネル反射領域１５．１６から反射されたレーザー・ビ
ームＬａ、Ｌｂは、夫々第１及び第２の検出部・１０．
１１に向けられ、レーザーφビームＬａは、第１の検出
部１０の一対の検出領域１０Ａ、ＩＯＢ間の不検出領域
に集光され、レーザー・ビームＬｂは、第２の検出部１
１の一対の検出領域１１Ａ、１１８間の不検出領域に集
光される。従って、合焦時には、一対の検出領域１０Ａ
、ＩＯＢからは、等しいレベルの信号が発生され、また
、一対の検出領域１１Ａ、ＩＩＢからは、等しいレベル
の信号が発生され、夫々その差がゼロ・レベルのフォー
カス・エラー信号として処理回路から発生される。非合
焦時には、集光点Ａ、Ｂが記録層３上外に形成される為
、第１の補助フレネル反射領域１５から反射されたレー
ザー・ビームＬａは、合焦時とは、異なる方向に記録層
３から反射されて第２の補助フレネル反射領域１６に向
けられ、第２の補助フレネル反射領域１６から反射され
たレーザー・ビームＬｂも同様に合焦時とは、異なる方
向に記録層３から反射されて第１の補助フレネル反射領
域１５に向けられる。第１及び第２の補助フレネル反射
領域１５．１６から反射されたレーザー・ビームＬａ、
Ｌｂは、夫々第１及び第２の検出部１０．１１に向けら
れるが、合焦時と異なり非合焦時においては、レーザー
・ビームＬａは、第１の検出部１０の一対の検出領域１
０Ａ、ＩＯＨのいずれかに向けられ、レーザー・ビーム
Ｌｂは、同様に第２の検出部１１の一対の検出領域１１
Ａ、ＩＩＢのいずれかに向けられる。従って、非合焦時
には、一対の検出領域１０Ａ、ＩＯＢからは、異なるレ
ベルの信号が発生され、また、同様に一対の検出領域１
１Ａ、１１Ｂからは、異なるレベルの信号発生され、夫
々を処理する処理回路からは、その差に相当するプラス
或いは、マイナス・レベルのフォーカス・エラー信号が
発生される。このフォーカス−エラー信号に応じて光ヘ
ッド４が移動され、光学ヘッド４が合焦状態に維持され
る。いわゆる軸ずらし法によってフォーカス・エラーが
検出される。
次に、フレネル構造を有する集光層６の製造方法につい
て第３Ａ図か第３！図を参照して説明する。第３Ａ図に
示すように原板として鏡面研磨した銅板５１を用意する
。その鏡面を第３Ｂ図に示すようにバイトで切削加工し
て溝を形成して凹面鏡として機能するフレネル構造に整
える。次に、第３Ｃ図に示すように切削加工した銅板５
１の表面をわずかに酸化させて剥離処理を施した後、第
３Ｄ図に示すようにその表面に−好ましくは、０．２〜
２．Ｏｍｍ程度の厚さＨを有するニッケル層５２を電界
メッキによって積層して光ヘッドの集光層６としてのニ
ッケル・メッキ板を作る。
て第３Ａ図か第３！図を参照して説明する。第３Ａ図に
示すように原板として鏡面研磨した銅板５１を用意する
。その鏡面を第３Ｂ図に示すようにバイトで切削加工し
て溝を形成して凹面鏡として機能するフレネル構造に整
える。次に、第３Ｃ図に示すように切削加工した銅板５
１の表面をわずかに酸化させて剥離処理を施した後、第
３Ｄ図に示すようにその表面に−好ましくは、０．２〜
２．Ｏｍｍ程度の厚さＨを有するニッケル層５２を電界
メッキによって積層して光ヘッドの集光層６としてのニ
ッケル・メッキ板を作る。
更に、第３Ｅ図に示すようにこのニッケル・メッキ板の
裏面を化学研磨した後支持体としての厚さ０６５〜１０
ｍｍを有するベース板５４をニッケル層５２に接着層５
３によって接着する。このベース板５４は、フロート番
ガラス或いは、強化ガラス等のガラス材料或いは、アル
ミニューム、鉄、或いは、ステンレス等の金属材料であ
っても良い。
裏面を化学研磨した後支持体としての厚さ０６５〜１０
ｍｍを有するベース板５４をニッケル層５２に接着層５
３によって接着する。このベース板５４は、フロート番
ガラス或いは、強化ガラス等のガラス材料或いは、アル
ミニューム、鉄、或いは、ステンレス等の金属材料であ
っても良い。
接着層５３が固化した後、第３Ｆ図に示すように集光層
６としてのニッケル・メッキ板５２を銅板５１から剥離
する。この方法いよれば、一枚の原板である銅板５１か
ら複数の集光層６としてのニッケル嗜メッキ板５２を製
造することが可能であり、従って光学ヘッド４を低コス
トで作ることができる。
６としてのニッケル・メッキ板５２を銅板５１から剥離
する。この方法いよれば、一枚の原板である銅板５１か
ら複数の集光層６としてのニッケル嗜メッキ板５２を製
造することが可能であり、従って光学ヘッド４を低コス
トで作ることができる。
次に、集光層６上の所定領域に光検出層１２が形成され
る。即ち、第３Ｇ図に示すように集光層６上の所定領域
以外をマスキングしてその所定領域」二にＩｎＴｉ０か
ら成る厚さ７００〜８００Ａを有する１７０層５６が形
成され、川に、第３Ｈ図に示すようにこの１７０層５６
−ヒに厚さ１〜３μ・ｍのアモルファスシリコン層５５
が形成される。
る。即ち、第３Ｇ図に示すように集光層６上の所定領域
以外をマスキングしてその所定領域」二にＩｎＴｉ０か
ら成る厚さ７００〜８００Ａを有する１７０層５６が形
成され、川に、第３Ｈ図に示すようにこの１７０層５６
−ヒに厚さ１〜３μ・ｍのアモルファスシリコン層５５
が形成される。
１７０層５６とアモルファスシリコン層５５との積層体
が形成された後、この積層体は、１５０℃の雰囲気中に
てアニールされる。その結果、その界面には、ショット
キーバリア層が形成される。
が形成された後、この積層体は、１５０℃の雰囲気中に
てアニールされる。その結果、その界面には、ショット
キーバリア層が形成される。
その後、第３■図に示すように厚さ７００〜８００Ａを
存する５ｉ０２層５７をアモルファスシリコン層５５上
に形成してその表面にネサコーティング５８して透明電
極に形成する。これにより光検出層１２を備えた光学ヘ
ッドの集光検出構造が完成される。
存する５ｉ０２層５７をアモルファスシリコン層５５上
に形成してその表面にネサコーティング５８して透明電
極に形成する。これにより光検出層１２を備えた光学ヘ
ッドの集光検出構造が完成される。
上述した実施例では、光学ヘッド４がフレネル構造を備
える場合について説明したが、これに限らず、グレーテ
ィング集光反射面構造、ホログラム反射面構造、或いは
、単なる凹面鏡構造が採用されても良い。凹面鏡構造が
採用された場合には、上述した実施例と同様に製造する
ことができる。
える場合について説明したが、これに限らず、グレーテ
ィング集光反射面構造、ホログラム反射面構造、或いは
、単なる凹面鏡構造が採用されても良い。凹面鏡構造が
採用された場合には、上述した実施例と同様に製造する
ことができる。
これに対してグレーティング集光反射面構造成いは、ホ
ログラム反射面構造を採用した場合には、原板としガラ
ス仮」二にクロム層を形成したものがマスクとして用い
られる。フロートガラス−ヒに均一にクロムを蒸着して
その」二にフォトレジストを塗布した後、電子ビーム露
光装置で露光し、現像する。その後、ケミカルエツチン
グしてＳｉＮ層を蒸着し、フォトレジストを塗布し、更
に、原板としてクロムマスクを重ね、全面露光してＳｉ
ｎをエツチングして局所的に除去する。その後、導電性
と光反射性とを持たせる為にアルミニュームまたは、ク
ロムを蒸着する。これにより、ベース板上に集光検出層
が形成される。
ログラム反射面構造を採用した場合には、原板としガラ
ス仮」二にクロム層を形成したものがマスクとして用い
られる。フロートガラス−ヒに均一にクロムを蒸着して
その」二にフォトレジストを塗布した後、電子ビーム露
光装置で露光し、現像する。その後、ケミカルエツチン
グしてＳｉＮ層を蒸着し、フォトレジストを塗布し、更
に、原板としてクロムマスクを重ね、全面露光してＳｉ
ｎをエツチングして局所的に除去する。その後、導電性
と光反射性とを持たせる為にアルミニュームまたは、ク
ロムを蒸着する。これにより、ベース板上に集光検出層
が形成される。
［発明の効果］
以上のようにこの発明においては、光学ヘッド自体が偏
平構造に形成されていることから装置全体の小形化が可
能であり、高速アクセスが可能となる。
平構造に形成されていることから装置全体の小形化が可
能であり、高速アクセスが可能となる。
第１図は、この発明の一実施例を示す光学ヘッドの概略
的断面図、第２図は、第１図に示した光学ヘッドを示す
斜視図、及び第３Ａ図から第３■図は、第１図に示され
た集光検出構造を製造する過程を示す断面図。 １・・・情報記録媒体、３・・・記録層、４・・・光学
ヘッド、６・・・集光層、８・・・マウント、９・・・
半導体レーザ、１０．１１・・・光検出部、１４，１５
．１６・・・主及び補助フレネル反射領域 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 二≦− 第３Ａ図 第３Ｂ図 へっ ｓ ３１ 図 出願人 株式会社 東芝手続補正書 １．事件の表示 特願昭６２−５４６４１号 ２、発明の名称 光学ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （８０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号 ＵＢＥビル〒１
００ 電話 ０３ （５０２）３１８１ （大代表）
（５８４７） 弁理士 鈴 江 武 彦５
、自発補正 ６、補正の対象 明細書、図面 ７、補正の内容 （１１龜詐ｔ！ｌ會め箭肥ｅ１１塀の涌り訂Ｔオ慝−ぷ
２、特許請求の範囲 （１） 光ビームを発生する光源と、この光源からの
光ビームが入射され、この入射光を反射するとともにこ
の入射光を情報記録媒体に集光する層構造を有する光学
手段とからなることを特徴とする光学ヘッド。 （２） 前記光学手段は、前記情報記録媒体からの光
ビームを検出する層を備えることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学ヘッド。 （３）前記光源は、光学手段上に一体的に支持され・て
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
ヘッド。 （４） 前記光集光部材は、フレネル・ミラー構造を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学ヘッド。 （５） 前記光集光部材は、凹面構造を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ヘッド。 （６） 前記光集光部材は、光源からの光ビームを情
報記録媒体に集光する第１の集光反射面と、入射光を反
射するとともにこの入射光を情報記録媒体に集光する第
１および第２の補助集光反射面とを有する特許請求の範
囲第１項記載の光学ヘッド。 （７）前記第１の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第２の補助集光反射面に
導入され、第２の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第１の補助集光反射面に
導入される関係に第１及び第２の補助集光反射面が配置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の光学へッ ド 。
的断面図、第２図は、第１図に示した光学ヘッドを示す
斜視図、及び第３Ａ図から第３■図は、第１図に示され
た集光検出構造を製造する過程を示す断面図。 １・・・情報記録媒体、３・・・記録層、４・・・光学
ヘッド、６・・・集光層、８・・・マウント、９・・・
半導体レーザ、１０．１１・・・光検出部、１４，１５
．１６・・・主及び補助フレネル反射領域 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 二≦− 第３Ａ図 第３Ｂ図 へっ ｓ ３１ 図 出願人 株式会社 東芝手続補正書 １．事件の表示 特願昭６２−５４６４１号 ２、発明の名称 光学ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （８０７） 株式会社 東芝 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号 ＵＢＥビル〒１
００ 電話 ０３ （５０２）３１８１ （大代表）
（５８４７） 弁理士 鈴 江 武 彦５
、自発補正 ６、補正の対象 明細書、図面 ７、補正の内容 （１１龜詐ｔ！ｌ會め箭肥ｅ１１塀の涌り訂Ｔオ慝−ぷ
２、特許請求の範囲 （１） 光ビームを発生する光源と、この光源からの
光ビームが入射され、この入射光を反射するとともにこ
の入射光を情報記録媒体に集光する層構造を有する光学
手段とからなることを特徴とする光学ヘッド。 （２） 前記光学手段は、前記情報記録媒体からの光
ビームを検出する層を備えることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学ヘッド。 （３）前記光源は、光学手段上に一体的に支持され・て
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
ヘッド。 （４） 前記光集光部材は、フレネル・ミラー構造を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学ヘッド。 （５） 前記光集光部材は、凹面構造を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ヘッド。 （６） 前記光集光部材は、光源からの光ビームを情
報記録媒体に集光する第１の集光反射面と、入射光を反
射するとともにこの入射光を情報記録媒体に集光する第
１および第２の補助集光反射面とを有する特許請求の範
囲第１項記載の光学ヘッド。 （７）前記第１の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第２の補助集光反射面に
導入され、第２の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第１の補助集光反射面に
導入される関係に第１及び第２の補助集光反射面が配置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の光学へッ ド 。
Claims (7)
- （１）光ビームを発生する光源と、この光源からの光ビ
ームが入射され、この入射光を反射するとともにこの入
射光を情報記録媒体に集光する層構造を有する光学手段
とからなることを特徴とする光学ヘッド。 - （２）前記光学手段は、前記情報記録媒体からの光ビー
ムを検出する層を備えることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光学ヘッド。 - （３）前記光源は、光学手段上に一体的に支持されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ヘ
ッド。 - （４）前記光集光部材は、フレネル・レンズ構造を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学ヘ
ッド。 - （５）前記光集光部材は、凹面構造を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学ヘッド。 - （６）前記光集光部材は、光源からの光ビームを情報記
録媒体に集光する第１の集光反射面と、入射光を反射す
るとともにこの入射光を情報記録媒体に集光する第１及
び第２の補助集光反射面とを有する特許請求の範囲第１
項記載の光学ヘッド。 - （７）前記第１の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第２の補助集光反射面に
導入され、第２の補助集光反射面で集光され、情報記録
媒体から反射された光ビームが第１の補助集光反射面に
導入される関係に第１及び第２の補助集光反射面が配置
されていることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の光学ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054641A JPS63220432A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光学ヘツド |
| US07/165,937 US4857719A (en) | 1987-03-10 | 1988-03-09 | Flat type optical head for focusing a light beam onto an optical memory |
| EP88103724A EP0282035A3 (en) | 1987-03-10 | 1988-03-09 | A flat type optical head for focusing a light beam onto an optical memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054641A JPS63220432A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光学ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220432A true JPS63220432A (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12976401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62054641A Pending JPS63220432A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光学ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4857719A (ja) |
| EP (1) | EP0282035A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63220432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011049562A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | National Central Univ | パッケージベース及びその成形方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4991919A (en) * | 1987-12-29 | 1991-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head apparatus including concentric, periodic grating in a waveguide |
| US5233444A (en) * | 1989-07-25 | 1993-08-03 | Olympus Optical Co., Ltd. | Focus error detecting apparatus |
| US5748598A (en) * | 1995-12-22 | 1998-05-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and methods for reading multilayer storage media using short coherence length sources |
| US5485437A (en) * | 1993-02-05 | 1996-01-16 | Discovision Associates | Shock-resistant, electrostatically actuated pick-up for optical recording and playback |
| US5757763A (en) * | 1994-07-12 | 1998-05-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical information storage via amplitude modulation |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855567B2 (ja) * | 1975-06-06 | 1983-12-10 | 株式会社日立製作所 | ジヨウホウサイセイホウシキ |
| JPS5953612B2 (ja) * | 1975-11-19 | 1984-12-26 | カブシキガイシヤ フジテレビジヨン | コウデンシキサイセイホウホウ |
| EP0174008B1 (en) * | 1984-09-03 | 1992-05-20 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data |
| DE3679648D1 (de) * | 1985-12-10 | 1991-07-11 | Nec Corp | Optischer kopf mit einem beugungsgitter zum richten von zwei oder mehreren gebeugten lichtstrahlen auf optische detektoren. |
| JPH0719394B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP62054641A patent/JPS63220432A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-09 US US07/165,937 patent/US4857719A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-09 EP EP88103724A patent/EP0282035A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011049562A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | National Central Univ | パッケージベース及びその成形方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0282035A3 (en) | 1990-07-18 |
| US4857719A (en) | 1989-08-15 |
| EP0282035A2 (en) | 1988-09-14 |
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