JP2718326B2

JP2718326B2 - 光ピックアップ

Info

Publication number: JP2718326B2
Application number: JP4168770A
Authority: JP
Inventors: 昇吾堀之内
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-06-26
Filing date: 1992-06-26
Publication date: 1998-02-25
Anticipated expiration: 2013-02-25
Also published as: JPH06290481A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコンパクトディスクや記
録再生光ディスクの情報の読み出し、または書き込みを
行う光ピックアップに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を利用して情報の記録や再生を
行う光デイスク装置の小型化が望まれており、光ピック
アップの小型・軽量化の試みが行われている。光ピック
アップの小型・軽量化は、装置全体の小型化だけでな
く、アクセス時間の短縮などの性能向上に有利となる。
近年、ホログラム光学素子利用による光ピックアップの
小型・軽量化が図られており、一部実用化に供してい
る。

【０００３】以下、従来のホログラム光学素子を利用し
た光ピックアップについて説明する。特開平１−１５５
５２９号公報記載のものには、往復光路を分離するグレ
ーティングと、このグレーティング上の酸化ケイ素膜上
に形成されたマイクロフレネルレンズと、およびフォー
カスエラー、トラッキングエラーを得るための反射型ホ
ログラムとが別々に形成されている。

【０００４】特開昭６２−１４６４４４号公報記載のも
のにも同様に、レーザ光を光ディスクの情報保持面に集
光するためのゾーンプレート、往復路分離用の偏光ビー
ムスプリッタ、非点収差を得るためのゾーンプレートが
別々に構成されている。

【０００５】特開昭６３−２０７３７号公報記載のもの
には、光ディスク盤への集光用としてのホログラムと、
往復路分離と収差を付加しフォーカスエラーを検出する
ためのホログラムとをそれぞれ設けている。

【０００６】さらに特開平２−８１３３５号公報、特開
平１−２２０１４５号公報記載のものには、屈折型の対
物レンズの表面（特開平２−８１３３５号公報）、ある
いは内面（特開平１−２２０１４５号公報）に往復路分
離、フォーカス、トラッキングエラー検出用ホログラム
を配置している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の光ピックアップにおいて、特開平１−１５５５２９
号公報記載のものは、往復路分離作用を有するグレーテ
ィングとマイクロフレネルレンズが酸化ケイ素膜をはさ
んで異なる部材上に別プロセスで形成され、またフォー
カスエラー検出用非点収差発生レンズが復路光路中にマ
イクロフレネルレンズとグレーティングとは異なる領域
に構成されており、特開昭６２−１４６４４４号公報記
載のものは、レーザ光を光ディスクの情報保持面に集光
するためのゾーンプレート、偏光ビームスプリッタ、非
点収差を得るためのゾーンプレートが別々に構成されて
いるので、特開平１−１５５５２９号公報、特開昭６２
−１４６４４４号公報記載のものは、必要な光路長が長
くなり、素子の小型化が困難であるとともに、各素子間
の位置精度を管理しなければならないという課題を有し
ている。また、特開昭６３−２０７３７号公報記載のも
のは、２枚のホログラムを積層して用いる点では前記２
つの従来例より優れているが、２枚のホログラムを別々
に作成し、しかもそれらの位置精度を管理しなければな
らない等の課題を有している。一方、特開平２−８１３
３５号公報記載のものは、対物レンズの曲面上にホログ
ラムパターンを形成するのは実際には非常に困難であ
り、特開平１−２２０１４５号公報記載のものは上下の
対物レンズの間にホログラムを形成するため、上下部材
の位置合わせ誤差による対物レンズの性能劣化と、貼り
合わせなどの工数増大が発生するという課題を有してい
る。

【０００８】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、小型・薄型で位置精度管理の容易な光ピックアップ
を提供することを目的としている。

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、発光素子からの光の一部を端面で反射し、
一部をその端面から内部に入射させるプリズムと、その
端面からプリズムに入射し、他の端面から出射された光
を受光する第１の受光手段と、プリズムで反射され、そ
の後光ディスク盤に導かれ、光ディスク盤で反射された
光の一部を反射し、一部を透過する分離手段と、分離手
段を透過した光を受光する第２の受光手段と、分離手段
で反射された光を反射する反射手段と、反射手段で反射
されてきた光を受光する第３の受光手段と、発光素子，
第１の受光手段，第２の受光手段及び第３の受光手段を
収納すると共に少なくとも光が通過する領域には開口部
が形成されている収納部材と、収納部材の開口部を塞
ぎ、収納部材の内部を密閉するカバー部材と、収納部材
に設けられ、少なくとも第１の受光手段，第２の受光手
段及び第３の受光手段とに電気的に接続されたリード端
子とを備え、第１の受光手段，第２の受光手段及び第３
の受光手段とはほぼ同一平面上に形成されていると共に
リード端子をその平面と略平行に配設した。

【０００９】

【作用】本発明は上記構成により、光ピックアップの収
納部材の底面から光が出射される光出射面までの長さが
短くなる。

【００１０】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の第１の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の第１の
実施例における光ピックアップの概略構成図、図１
（ｃ）は第１のホログラムパターンを示す図、図１
（ｄ）は第２のホログラムパターンを示す図、図１
（ｂ）は第１のホログラムパターンと第２のホログラム
パターンの重畳パターンを示す図である。

【００１１】まず、発光素子である半導体レーザから、
光ディスク盤に至る往路の光路について図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を用いて説明する。図１（ａ）
において、透明なガラス部材１の下面１ａに接触固定さ
れた半導体レーザチップ２から放射されたレーザ光３は
拡散しながらガラス部材１の上面１ｂに形成された複合
ホログラム４に到達する。複合ホログラム４には図１
（ｂ）のような、２種類のホログラムパターンが重畳さ
れて描かれている。この２種類のホログラムパターンの
内の１つは、図１（ｃ）に示すように、同心円で、外周
ほどピッチが小さくなり、拡散光３を光ディスク盤７の
情報記録面７ａにスポット８として集光する第１のホロ
グラムパターンで、もう１つは、図１（ｄ）に示すよう
に、スポット８の反射光を、収束光１０に変換し、４分
割された受光センサ９に回折集光する機能を有している
第２のホログラムパターンである。この第２のホログラ
ムパターンは集光機能と同時に非点収差を発生させ、合
焦時に受光センサ９の出力の演算値が０になるような構
成で、非点収差法として知られている。

【００１２】この様に第２のホログラムパターンに集光
機能を付加したことにより、第２のホログラムパターン
を通過する反射光の受光センサまでの光路長を短くする
ことができるので、光ピックアップのより一層の小型化
を実現できる。図２は第２のホログラムパターン４ｂに
よって作られる受光センサ９上の収束光１０の照射形状
の変化を示したもので、第２のホログラムパターン４ｂ
は、以下に説明するフォーカスエラー信号（Ｆ.Ｅ.）の
要件を満たすよう設計される。

【００１３】受光センサ９は９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄの
４つに分割されており、それぞれの出力電流をＩ（９
ａ）、Ｉ（９ｂ）、Ｉ（９ｃ）、Ｉ（９ｄ）とし、フォ
ーカスエラー信号（Ｆ.Ｅ.）を（数１）のように定義す
る。

【００１４】

【数１】

【００１５】いまスポット８が光ディスク盤７の情報記
録面７ａに正確に合焦しており、その時の受光センサ９
上の照射形状を５とすると、Ｆ.Ｅ.は（数２）となる。

【００１６】

【数２】

【００１７】このときのオペアンプ１６の出力は０であ
る。次に、光ディスク盤７とガラス部材１の上面１ｂ間
距離が合焦状態から近接した場合の照射形状を５ａとす
ると、Ｆ.Ｅ.は（数３）となり、

【００１８】

【数３】

【００１９】遠ざかった場合の照射形状を５ｂとする
と、Ｆ.Ｅ.は（数４）となる。

【００２０】

【数４】

【００２１】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図３は本発明の
第２の実施例における光ピックアップの概略構成図であ
る。図３において、第１の受光センサ１１および第２の
受光センサ１２が形成されたセンサ基板１３上には半導
体レーザチップ１４が水平にマウントされている。同様
に光路立ち上げ用反射プリズム１５もセンサ基板１３上
に、その反射面を半導体レーザチップ１４の発光面に対
向するようにマウントされている。図４は図３の半導体
レーザチップ１４と反射プリズム１５近傍の構造を拡大
して示した図である。反射プリズム１５は台形であり、
その反射面１５ａには半導体レーザチップ１４の放出光
の一部を反射プリズム１５内部に透過する半透過膜がコ
ーティングされている。センサ基盤１３には反射プリズ
ム１５の底面と接触する部分にモニターセンサ４９が形
成してある。このモニターセンサ４９は常に半導体レー
ザチップ１４の光量変化をモニターし制御回路に情報を
フィードバックする。従来は、半導体レーザチップ１４
の後面１４ａからの放出光量をモニターしていたが、後
面１４ａからの放出光は他の受光センサ（第１の受光セ
ンサ１１、第２の受光センサ１２等）に対する迷光の原
因となる。本発明の構成では反射プリズム１５内に取り
込むため、他の受光センサへの影響を少なくできるとい
うメリットがある。半導体レーザチップ１４から放出さ
れたレーザ光は反射プリズム１５によって光ガイド部材
１８の第２面１８ｂに設けられた入射窓１７から斜めに
入射し、レーザ光１９になる。反射プリズム１５を用い
ることにより、半導体レーザチップ１４をセンサ基板１
３上に水平にマウントでき、配線や放熱の点で有利であ
るとともに、光ガイド部材１８への入射角の設定が精度
良くできるというメリットがある。

【００２２】以上の様に、第１の受光センサ１１，第２
の受光センサ１２及びモニターセンサ４９とをほぼ同一
の平面上に配置したことにより、各センサの配置に必要
な空間量をより小さくすることができ、特に光ピックア
ップの厚さを薄くすることに大きく寄与することにな
る。更に第１の受光センサ１１，第２の受光センサ１２
及びモニターセンサ４９とを同一のセンサ基板１３上に
配置したことにより、それぞれ別に配置する場合に比べ
て、部品点数を削減できる。また製造時の精度管理によ
るだけで３つのセンサ相互の相対的な位置を正確に設け
ることができるので、センサの設置位置を決める位置調
整工程を大幅に簡略化することができ、光ピックアップ
の生産コストを低減することができる。半導体レーザの
放出光の光量分布は通常楕円である。このため、半導体
レーザチップ１４から複合ホログラム２４に至る光路に
おける光軸が作る平面内に前記光量分布の楕円の短径が
存在するように設定すれば、複合ホログラム２４に光が
斜めに入射するので光量分布を円形に近づけることがで
きる。そして光量分布を円形に近づけることにより、複
合ホログラム２４を介して光ディスク盤２６上に集光さ
れる光の形状を略円形とすることができ、楕円形状で集
光された場合に比べて隣接するトラック若しくは隣接し
て記録された情報の信号が再生信号に混入して、再生信
号の信号特性が劣化してしまうのを防止することができ
る。

【００２３】つぎに、光ガイド部材１８の上面で光ディ
スク盤２６に対向した第１面１８ａには、レーザ光１９
をレーザ光２０として第２面１８ｂ側に反射する第１反
射部２１がある。さらに第２面１８ｂにはレーザ光２０
をレーザ光２２として再び第１面１８ａ側に反射する第
２反射部２３がある。第２反射部２３によって反射され
たレーザ光２２は第１面１８ａ上で、しかも第１反射部
２１近傍に形成された複合ホログラム２４に斜めに入射
する。

【００２４】図５は複合ホログラム２４のパターンを説
明したもので、この複合ホログラム２４は図５（ａ）に
示すように、図５（ｂ）に示す第１のホログラムパター
ン２４ａと図５（ｃ）に示す第２のホログラムパターン
２４ｂとが重畳されたパターンになっており、複合ホロ
グラム２４に斜めに入射したレーザ光２２は第１のホロ
グラムパターン２４ａにより収束光２５に変換され、こ
の収束光２５は光ディスク盤２６の情報記録面２６ａに
スポット２７として集光する。

【００２５】次に、光ディスク盤２６からの復路につい
て説明する。スポット２７からの反射光は収束光２５と
同じ光路を逆向きに拡散光として進行し、複合ホログラ
ム２４に到達する。複合ホログラム２４に到達した拡散
光は複合ホログラム２４の第２のホログラムパターン２
４ｂにより回折収束光２８に変換される。光ガイド部材
１８の第２面１８ｂには、回折収束光２８の約５０％を
透過し、残りの約５０％を反射する半透過窓２９が形成
してある。この半透過窓２９の作用で回折収束光２８は
第１の受光センサ１１に到達する半透過光３０と、反射
光３１に分光される。光ガイド部材１８の第１面１８ａ
には反射光３１を再び第２面１８ｂ側に向かう反射光３
２に変換するための反射膜３３が形成されている。光ガ
イド部材１８の第２面１８ｂには反射光３２を第２の受
光センサ１２に導く透過窓３４が設けてある。回折収束
光２８は半透過窓２９と透過窓３４間に焦点３５が存在
するように設計されている。

【００２６】センサ基板１３への各種信号の入出力は、
リードフレーム３６を介して行われる。３７は樹脂、セ
ラミックス等の非導電材質で作られたパッケージであ
る。ここでリードフレーム３６は、図に示すように、少
なくともパッケージ３７中のセンサ基板１３近傍ではセ
ンサ基板１３に対して略平行に引かれている。この様な
構成としたことにより、リードフレーム３６がパッケー
ジ３７の厚み方向に占める割合を最小限に抑制すること
ができるので、パッケージ３７の薄型化、ひいては光ピ
ックアップ全体の薄型化に寄与することになる。更にパ
ッケージ３７から引き出されたリードフレーム３６の光
ピックアップの厚み方向へのはみ出しを最小限に抑制し
ているので、同じく光ピックアップの薄型化に大きく貢
献することになる。なお本実施例では入出力用の線をリ
ードフレームで形成していたが、パッケージに導電性材
料等をプリントして設けても良い。光ガイド部材１８と
パッケージ３７で囲まれた空間３８は通常窒素ガス等の
不活性ガスで充満されるが、必要に応じて透明樹脂等で
充填しても良い。これによりパッケージ内部に収納され
た半導体レーザチップ１４や各種センサが直接外気に触
れることを防止できるので、半導体レーザチップ１４や
各種センサの酸化等による劣化を防止でき、信頼性の高
い光ピックアップとすることができる。

【００２７】次に図６を用いて第１の受光センサ１１お
よび第２の受光センサ１２の形状と、信号検出原理につ
いて説明する。第１の受光センサ−１１および第２の受
光センサ１２は、それぞれ４つの部分１１ａ、１１ｂ、
１１ｃ、１１ｄ、および１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２
ｄに分割されている。また第１の受光センサ１１、第２
の受光センサ１２の各部分１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄ、および１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからの電
流を、それぞれＩ（１１ａ）、Ｉ（１１ｂ）、Ｉ（１１
ｃ）、Ｉ（１１ｄ）、およびＩ（１２ａ）、Ｉ（１２
ｂ）、Ｉ（１２ｃ）、Ｉ（１２ｄ）とする。図６の回路
図からわかるように、フォーカスエラー信号（Ｆ.
Ｅ.）、トラッキングエラー信号（Ｔ.Ｅ.）、ＲＦ信号
（Ｒ.Ｆ.）の各信号は以下の（数５）、（数６）、（数
７）により得られるような回路構成になっている。

【００２８】

【数５】

【００２９】

【数６】

【００３０】

【数７】

【００３１】このフォーカスエラー信号（Ｆ.Ｅ.）、ト
ラッキングエラー信号（Ｔ.Ｅ.）、ＲＦ信号（Ｒ.Ｆ.）
の内、フォーカスエラー信号（Ｆ.Ｅ.）について、さら
に説明する。

【００３２】いま光ディスク盤２６の情報記録層２６ａ
に、複合ホログラム２４のスポット２７が正確に合焦し
ており、この合焦状態における第１の受光センサ１１お
よび第２の受光センサ１２上のレーザ光の照射形状をそ
れぞれ３９ａ、４０ａとすると、フォーカスエラー信号
（Ｆ.Ｅ）は、（数８）となるように、第１の受光セン
サ１１および第２の受光センサ１２へのレーザ光の照射
位置が設定されている。

【００３３】

【数８】

【００３４】次に、光ディスク盤２６と第１面１８ａ間
の距離が合焦状態から近接した場合、第１の受光センサ
１１および第２の受光センサ１２上のレーザ光の照射形
状はそれぞれ３９ｃ、４０ｃとなり、フォーカスエラー
信号（Ｆ.Ｅ）は、（数９）となる。

【００３５】

【数９】

【００３６】逆に、光ディスク盤２６と第１面１８ａ間
距離が合焦状態から離れた場合、第１の受光センサ１１
および第２の受光センサ１２上のレーザ光の照射形状は
３９ｂ、４０ｂとなり、フォーカスエラー信号（Ｆ.
Ｅ）は、（数１０）となる。

【００３７】

【数１０】

【００３８】以上のようなフォーカスエラー検出方式は
スポットサイズ法として知られている。また、トラッキ
ングエラー検出方式はプッシュプル方式が知られてい
る。

【００３９】このように回折収束光２８の焦点３５が半
透過窓２９と透過窓３４間に存在するように設計するこ
とで、従来よく用いられている非点収差法でフォーカス
エラーを検出する場合に比べて、非点収差発生用の複雑
なホログラムパターンが不必要であり、複合ホログラム
２４の第２のホログラムパターン２４ｂが集光のみの非
常にシンプルなパターンとなる。

【００４０】図７、図８はスポットサイズ法より簡便な
フォーカスエラー検出方式を用いた場合の構成を示した
ものである。図７（ａ）において、光ガイド部材１８の
第２面１８ｂには半透過膜４８がコーティングされてお
り、さらにその外側には拡散膜４１、遮光膜４２がコー
ティングしてある。拡散膜４１の形状は図７（ｂ）に示
すように輪帯となっており、内径をｄ、外径をＤとする
とき、この内径ｄ、外径Ｄは回折収束光２８の半透過膜
４８上における直径Ｈが、（数１１）の関係になるよう
決められている。

【００４１】

【数１１】

【００４２】これは、ｄからＨまでの範囲の半透過光を
拡散膜４１で拡散させ、反射光３１に影響を与えないた
めである。このような主旨から拡散膜４１はレーザ光を
吸収する吸収膜でも良い。拡散膜４１の内径ｄより内径
側を透過した半透過光３０は第１の受光センサ４６に到
達する。

【００４３】図８は第２の受光センサ４７に入射する反
射光３２を示したものである。光ガイド部材１８の第２
面１８ｂには反射光３２の径より小さな透過窓４３を形
成するために遮光膜４４がコーティングしてある。この
遮光膜４４はもちろん図７の遮光膜４２と連続的な領域
としてコーティングしても良い。図８（ｂ）は反射光３
２が第２面１８ｂに到達するときの径と透過窓４３の径
の大小を表したものである。透過窓４３からの透過光４
５は第２の受光センサ４７に到達する。

【００４４】このような方式のフォーカスエラー検出方
式を用いるとき、第１の受光センサ４６、第２の受光セ
ンサ４７は図６の第１の受光センサ１１、第２の受光セ
ンサ１２のように分割されている必要はなく、半透過光
３０および透過光４５を受光するのに十分広い受光面積
を有する第１の受光センサ４６と第２の受光センサ４７
の出力の差をフォーカスエラー信号として用いることが
できる。図９は第１の受光センサ４６、第２の受光セン
サ４７のそれぞれの出力、および第１の受光センサ４６
と第２の受光センサ４７の差信号を表したものである。

【００４５】このフォーカスエラー検出方式では図６で
示したような多分割受光センサを用いないため、第１の
受光センサ４６、第２の受光センサ４７とレーザ光の照
射形状との微妙な位置調整が不要であり、生産性、長期
安定性に優れている。

【００４６】なお、本発明の第２の実施例で説明した図
３に示す構成、および図７、図８に示す構成のうち、ど
ちらの構成においても、入射窓１７、半透過窓２９、透
過窓３４、透過窓４３以外の部分を、光ガイド部材１８
の第２面１８ｂ全体にわたり、遮光膜４２をコーティン
グして用いると、光ガイド部材１８内で発生する色々な
迷光が受光センサに与える影響を格段に小さくすること
ができ、信号のＳ／Ｎ比が向上する。この遮光膜４２
は、代わりに第２反射部２３の反射膜と同一の材料でコ
ーティングしても良い。

【００４７】

【発明の効果】以上のように本発明は、リードフレーム
をセンサ基板に対して略平行とする構成としたことによ
り、リードフレームがパッケージの厚み方向に占める割
合を最小限に抑制することができるので、パッケージの
薄型化、ひいては光ピックアップ全体の薄型化に寄与す
ることになる。更にパッケージから引き出されたリード
フレームの光ピックアップの厚み方向へのはみ出しを最
小限に抑制しているので、同じく光ピックアップの薄型
化に大きく貢献することになる。また受光センサ及びモ
ニターセンサをほぼ同一の平面上に配置したことによ
り、各センサの光ピックアップ中への配置に必要な空間
量をより小さくすることができ、特に光ピックアップの
厚さを薄くすることに大きく寄与することになる。更に
受光センサ及びモニターセンサとを同一のセンサ基板上
に配置したことにより、それぞれ別に配置する場合に比
べて、部品点数を削減できる。また基板に対するセンサ
の製造時の精度管理によるだけで３つのセンサ相互の相
対的な位置を正確に決めることができるので、センサの
設置位置を決める位置調整工程を大幅に簡略化すること
ができ、光ピックアップの生産コストを低減することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における光ピッ
クアップの概略構成図（ｂ）は本発明の第１の実施例における光ピックアップ
の第１のホログラムパターンと第２のホログラムパター
ンの重畳パターンを示す図（ｃ）は本発明の第１の実施例における光ピックアップ
の第１のホログラムパターンを示す図（ｄ）は本発明の第１の実施例における光ピックアップ
の第２のホログラムパターンを示す図

【図２】本発明の第１の実施例における光ピックアップ
の第２のホログラムパターンによって作られる受光セン
サ上の収束光の照射形状の変化を示した図

【図３】本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の概略構成図

【図４】本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の半導体レーザチップと反射プリズム近傍の拡大図

【図５】（ａ）は本発明の第２の実施例における光ピッ
クアップの第１のホログラムパターンと第２のホログラ
ムパターンの重畳パターンを示す図（ｂ）は本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の第１のホログラムパターンを示す図（ｃ）は本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の第２のホログラムパターンを示す図

【図６】本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の受光センサの形状と信号処理回路を示す図

【図７】（ａ）は本発明の第２の実施例における光ピッ
クアップの簡便なフォーカスエラー検出方式を用いた場
合の第１の受光センサ付近の拡大図（ｂ）は本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の簡便なフォーカスエラー検出方式を用いた場合の拡散
膜の形状を示す図

【図８】（ａ）は本発明の第２の実施例における光ピッ
クアップの簡便なフォーカスエラー検出方式を用いた場
合の第２の受光センサ付近の拡大図（ｂ）は本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の簡便なフォーカスエラー検出方式を用いた場合の反射
光の径と透過窓の径の大小を示す図

【図９】本発明の第２の実施例における光ピックアップ
の簡便なフォーカスエラー検出方式を用いた場合の受光
センサの出力信号説明図

【符号の説明】

１ガラス部材２半導体レーザチップ４複合ホログラム７光ディスク盤８スポット９受光センサ１１第１の受光センサ１２第２の受光センサ１３センサ基板１５反射プリズム１８光ガイド部材２１第１反射部２３第２反射部２４複合ホログラム２９半透過窓３４透過窓４１拡散膜４２遮光膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光ディスク盤へ光を照射する発光素子と、
前記発光素子からの光の一部を端面で反射し、一部を前
記端面から内部に入射させるプリズムと、前記端面から
前記プリズムに入射し、他の端面から出射された光を受
光する第１の受光手段と、前記プリズムで反射され、そ
の後光ディスク盤に導かれ、光ディスク盤で反射された
光の一部を反射し、一部を透過する分離手段と、前記分
離手段を透過した光を受光する第２の受光手段と、前記
分離手段で反射された光を反射する反射手段と、前記反
射手段で反射されてきた光を受光する第３の受光手段
と、前記発光素子，前記第１の受光手段，前記第２の受
光手段及び前記第３の受光手段を収納すると共に少なく
とも光が通過する領域には開口部が形成されている収納
部材と、前記収納部材の開口部を塞ぎ、前記収納部材の
内部を密閉するカバー部材と、前記収納部材に設けら
れ、少なくとも前記第１の受光手段，前記第２の受光手
段及び前記第３の受光手段とに電気的に接続されたリー
ド端子とを備え、前記第１の受光手段，前記第２の受光
手段及び前記第３の受光手段とはほぼ同一平面上に形成
されていると共に前記リード端子は前記平面と略平行に
配設されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】収納部材が非導電材料で形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
【請求項３】半導体基板及びリード端子が光ディスク盤
に対して略平行に構成されていることを特徴とする請求
項１記載の光ピックアップ。
【請求項４】光ディスク盤へ光を照射する発光素子と、
光ディスク盤で反射された光を所定の位置に導く光学部
材と、前記光学部材に対向して設けられ、光学部材から
出射されてきた光を受光する第１の受光手段及び第２の
受光手段と、少なくとも前記第１の受光手段及び前記第
２の受光手段が形成されている半導体基板と、前記発光
素子，前記第１の受光手段及び前記第２の受光手段を収
納すると共に少なくとも光が通過する領域には開口部が
形成されている収納部材と、前記収納部材の開口部を塞
ぎ、前記収納部材の内部を密閉するカバー部材とを備
え、前記光学部材と前記半導体基板の間には光ディスク
盤から光の一部を反射し、一部を透過する分離手段が形
成されており、前記光学部材の前記分離手段と反対側の
端面には前記分離手段で反射された光を反射する反射手
段が形成されており、前記分離手段と前記との間には、
前記分離手段を透過してきた光の径よりも小さな開口を
有し、前記分離手段を透過してきた光の一部を遮蔽する
光遮蔽手段が形成され、更に前記分離手段と前記半導体
基板との間に、前記反射手段で反射されてきた光の径よ
りも小さな開口を有し、前記反射手段で反射されてきた
光の一部を遮蔽する光遮蔽手段が形成されたことを特徴
とする光ピックアップ。
【請求項５】光遮蔽手段が拡散膜もしくは吸光膜のいず
れか一方で形成されていることを特徴とする請求項４記
載の光ピックアップ。
【請求項６】光ディスク盤へ光を照射する発光素子と、
前記発光素子からの光の一部を端面で反射し、一部を前
記端面から内部に入射させるプリズムと、前記端面から
前記プリズムに入射し、他の端面から出射された光を受
光する第１の受光手段と、前記プリズムで反射され、そ
の後光ディスク盤に導かれ、光ディスク盤で反射された
光の一部を反射し、一部を透過する分離手段と、前記分
離手段を透過した光を受光する第２の受光手段と、前記
分離手段で反射された光を反射する反射手段と、前記反
射手段で反射されてきた光を受光する第３の受光手段
と、前記発光素子，前記第１の受光手段，前記第２の受
光手段及び前記第３の受光手段を収納すると共に少なく
とも光が通過する領域には開口部が形成されている収納
部材と、前記収納部材の開口部を塞ぎ、前記収納部材の
内部を密閉するカバー部材とを備え、前記第１の受光手
段，前記第２の受光手段及び前記第３の受光手段とはほ
ぼ同一平面上に形成されていることを特徴とする光ピッ
クアップ。
【請求項７】第１の受光手段からの出力信号に基づいて
発光素子を制御すると共に第２の受光手段及び第３の受
光手段を用いてフォーカスエラー信号を形成することを
特徴とする請求項６記載の光ピックアップ。
【請求項８】第１の受光手段，第２の受光手段及び第３
の受光手段は同一半導体基板上に形成されていることを
特徴とする請求項６，７いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項９】半導体基板上に発光素子を設けたことを特
徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１０】半導体基板上にプリズムを設けたことを
特徴とする請求項８，９いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項１１】収納部材の内部に不活性ガスを封入した
ことを特徴とする請求項６〜１０いずれか１記載の光ピ
ックアップ。