JPS63191337A - 光磁気記録媒体及び記録方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気カー効果を利用して読出しすることので
きるキュリー点書込みタイプの光磁気記録媒体を使用し
た、重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があった。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける・方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射し
ながら、同時に印加する磁場を変調しながら記録する方
式などが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調ができないなどの欠
点を有する。

公知技術の上述の欠点を除去し、従来の装置構成に簡単
な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体
と同様な重ね書き（オーバーライド）を可能とした、光
磁気記録方法を本出願人は昭和６１年７月８日に特願昭
６１−１５８７８７号（該出願は昭和６２年２月２日の
国内優先の基礎出願となる）で提案した。

しかし、この方法は全く新しい記録方法であるが故に、
いまだ多くの改良すべき点が内在されていた。すなわち
記録の信頼性の向上に関して等である。

そこで本発明者は更に研究を遼めた結果、いくつかの成
果が得られた。

本発明はこうして完成されたものであり、その目的は重
ね書き可能な記録方法を提供するだけでなく、その重ね
書き可能な記録方法による記録の信頼性を向上すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的達成可能な本発明は、 低いキュリー点（Ｔし）と高い保磁力（ＨＨ）を有する
第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に高いキュ
リー点（”ｒ、）と低い保磁力（ＨＬ）を有する第２磁
性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該第２磁性層の
外側に配された厚さ約２００Å以上の保護膜と、が基板
上に設けられた構成であって、 第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
間の磁壁エネルギーをσ胃とすると、）ＩＨ＞ＨＬ、　
＞□ Ｍｓｈ を満たす光磁気記録媒体と、これを使用して、次の二値
の記録を行なう記録方式である。

（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁化させるのに充分
で保磁力ＨＨの第１磁性層の磁化の向きを反転させるこ
とのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッ
ドにより、バイアス磁界を印加すると同時に低いキュリ
ー点（ＴＬ）付近（Ｔ　Ｌに近い温度で第１磁性層の磁
化の向きを均一に第２磁性層の磁化の向きに対して安定
な方向に配列可能な温度）まで該媒体が昇温するだけの
レーザーパワーを照射することにより、第２磁性層の磁
化の向きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第２
磁性層に対して安定な向きにそろえる第１種の予備記録
か、バイアス磁界を印加すると同時に高いキュリー点（
ＴＨ’）付近（ＴＨに近い温度で第２磁性層の磁化の向
きを均一に反転可能な温度）まで該媒体が昇温するだけ
のレーザーパワーを照射することにより、第２磁性層の
磁化の向きを反転させて同時に第・１磁性層も第２磁性
層に対して安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを
、信号に応じて実施し、（Ｃ）次に、該媒体を運動させ
て、予備記録されたビットを前記磁界Ｂを通過させるこ
とにより、第１種の予備記録に・より形成されたビット
については磁化の向きをそのまま変化させず（第１種の
記録）、第２種の予備記録により形成されたビットにつ
いては第２磁性層の磁化の向きだけを前記磁界Ｂと同方
向に反転させる（第２種の記録）、二値の記録。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、（ｂ）は各々本発明に用いる光磁気記
録媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図（ａ
）の光磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透光
性の基板１上に、第１の磁性層２、第２の磁性層３およ
び保護膜４が積層されたものである。第１磁性層２は低
いキュリー点（Ｔｔ、）と高い保磁力（ＨＨ）を有し、
第２磁性層３は、高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁力
（ｔｉｔ、）を有する。ここで「高い」、「低い」とは
内磁性層を比較した場合の相対的な関係を表わす（保磁
力は室温における比較）。ただし、通常は第１磁性層２
のＴＬは７０〜１８０℃、Ｈ，は、３〜ｌＯにＯｅ、第
２磁性層３のＴＨは１５０〜４００℃、ＨＬは０．５〜
２にＯｅ程度の範囲内にするとよい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈するものが利用できるが、ＧｄＣｏ、ＧｄＦ
ｅ　　、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙ
Ｆｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＣｏ等
の希土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金が好ま
しい。

本発明の光磁気記録方法においては、第１磁性層２が主
に再生に関与する。即ち、第１磁性層２が呈する磁気光
学効果が主に再生に利用され、第２磁性層３は記録に重
要な役割りを果たす。

一方、従来の光磁気記録方法における、交換結合二層膜
では、逆に、低いキュリー点と高い保磁力とを有する磁
性層は主に記録に関与し、高いキュリー点と低い保磁力
とを有する磁性層が主に再生に関与した。

かかる従来の交換結合二層膜では、主に再生に関与する
磁性層の飽和磁化Ｍｓと、膜厚りと、二層間の磁壁エネ
ルギーσ胃の間に、次の様な関係があるのが望ましかフ
だ。

ＨＨ＞　　　　　＞　Ｈｔ。

Ｍｓｈ しかし、本発明に使用する記録媒体の交換結合二層膜で
は、第２磁性層３の飽和磁化Ｍｓと膜厚りと、二磁性層
間の磁壁エネルギーσｗの間に、次の関係が必要である
。

ＨＨ＞Ｈし　〉□ Ｍｓｈ これは、記録によって最終的に完成されるビットの磁化
状態（第２図（ｆ）に示す）が安定に存在できるように
するためである（詳しい理由は後述する）。したがって
、内磁性層２．３は上記の関係式を満たすように各層の
実効的バイアス磁界、膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ
、磁壁エネルギーなどを設定すればよい。

しかし、磁性層の特性のみを調整することによって上式
を満たすようにすることは必ずしも容易ではなく、たと
えそうできたとしても、例えば記録ビットの大きさ、即
ち鱗のオーダーでは充分には記録ビットを、全面均一に
安定にできなかったり（つまり、従来の記録方式の光磁
気記録媒体よりもビットの誤り率が大きくなる）、内磁
性層のもつ特性が長期間経つと上記関係式の示す条件か
ら逸脱してしまうこともあった。

そこで、その対策として完成されたのが本発明である。

すなわち、図示したように二層構造の垂直磁化膜の少な
くとも第２磁性層３の外側に連続膜としての性質を示す
厚さ２００Å以上の保護膜４を設けて磁性層の磁性に影
響を与え、これによって、σｗ／２Ｍ５ｈの値をより適
当な値に設定して充分安定な記録を可能とし、加えて長
期間記録ビットを安定に保つことを可能にした。

以上の裏付けは後の実施例で述べる。

保護層の材料は、緻密な非磁性材料で普通には無機の誘
電体材料が用いられ、例えば、Ｓｉ、Ｎ４゜Ｓｉｎ、Ｚ
ｎＳ、　　　八ＡＮ、ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ２，Ｃｒ２Ｏ３
，Ｓｉ、Ｇｅ等が使用できる。第２の保護膜を第１磁性
層の外側に設けてもよい。この保護膜も連続膜しての性
質を示す厚さ２００Å以上のものが好ましい。

なお、両磁性層２と３は、記録時の実効的バイアス磁界
の大きさく両磁性層が安定な向きに配列しようとする力
）、あるいは二値の記録ビットの安定性などを考えると
、交換結合していることが望ましい。

Ｍ１図（ｂ）において、５は連続膜としての性質を示す
厚さ２００Å以上のもう一つの保護膜である。６は、貼
り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層である。貼
り合わせ用基板７にも、２から５までの層を積層し、こ
れを接着すれば表裏で記録・再生が可能となる。

以下、第２図〜第４図を用いて記録の過程を示すが、記
録前、両磁性層２と３の磁化の安定な向きは平行（同じ
向き）でも反平行（逆方向）でも良い。第２図では磁化
の安定な向きが平行な場合について説明する。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある　。

一部の磁化状態が初め第２図（ａ）のようにならている
とする。光磁気ディスク３５はスピンドルモータにより
回転して、磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界
発生部３４の磁界の大きさを両磁性層２と３の保磁力の
間の値に設定すると（磁界の向きは本実施例では上向き
）、第２図（ｂ）に示す様に第２磁性層３は一様な方向
に磁化され、一方、第１磁性層２の磁化は初めのままで
ある。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３
１を通過するときに、記録信号発生器３２からの信号に
従って、２種類（第１種と第２種）のレーザーパワー値
を持つレーザービームをディスク面に照射する。第１種
のレーザーパワーは該ディスクを第１磁性層２のキュリ
ー点付近まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレ
ーザーパワーは該ディスクを第２磁性層３のキュリー点
付近まで昇温可能なパワーである。即ち、両磁性層２゜
３の保磁力と温度との関係の概略を示した第４図におい
て、第１種のレーザーパワーはＴ、、付近、第２種のレ
ーザーパワーはＴＨ付近までディスクの温度を上昇でき
る。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層２は、キュリ
ー点付近まで昇温するが第２磁性層３はこの温度でビッ
トが安定に存在する保磁力を有しているので記録時のバ
イアス磁界を適正に設定しておくことにより、第２図（
ｂ）のいづれからも第２図（Ｃ）の様なビットが形成さ
れる（第１種の予備記録）。

ここでバイアス磁界を適正に設定するとは、次のような
意味である。即ち、第１種の予備記録では、第２磁性層
３の磁化の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方
向に）第１磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受
けるので９本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、
バイアス磁界は後述する第２種のレーザーパワーを用い
た予備記録では第２磁性層３の磁化反転を補助する向き
（すなわち、第１種の予備記録を妨げる向き）に設定さ
れる。そして、このバイアス磁界は、第１種、第２種ど
ちらのレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を
同じ状態に設定しておくこ−とが便宜上好ましい。

かかる観点からバイアス磁界の設定は欠配に示す原理に
よる第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最小限の
大きさに設定しておくことが好ましく、これを考慮した
設定が前でいう適正な設定である。

次に第２種の予備記録について説明する。

第２種のレーザーパワーにより、第２磁性層３のキュリ
ー点近くまで昇温させる（第２種の予備記録）と、上述
のように設定されたバイアス磁界により第２磁性層３の
磁化の向きが反転する。続いて第１磁性層２の磁化も第
２磁性層３に対して安定な向きに（ここでは同じ方向に
）配列する。

即ち、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（ｄ）のよう
なビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（Ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、予備記録のビット
（Ｃ）　、　（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると
、磁界発生部３４の磁界の大きさは前述したように磁性
層２と３の磁化反転磁界間に設定されているので、記録
ビット（Ｃ）は、変化が起こらずに（ｅ）の状態である
（最終的な記録状態）、、一方、記録ビット（ｄ）は第
２磁性層３が磁化反転を起こして（ｆ）の状態になる（
もう一つの最終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、第
２磁性層３の飽和磁化の大きさをＭｓ、膜厚をｈ、磁性
層２，３間の磁壁エネルギーをａｗとすると、前述した
ように次の様な関係があれば良い。

２Ｍ５ｈ　　　　＜　　　Ｈｔ、　　　＜　　　Ｈ）１
０ｗ７２Ｍ５ｈは第２磁性層に働く交換力の強さを示す
。つまり、０ｗ７２Ｍ５ｈの大きさの磁界で第２磁性層
３の磁化の向きを、第１磁性層２の磁化の向きに対して
安定な方向へ（この場合は同じ方向）゛向けようとする
。そこで第２磁性層３がこの磁界に抗して磁化が反転し
ないためには第２磁性層３の保磁力をＨｔ、としてＨＬ
＞０ｗ７２Ｍ５ｈであればよい。

記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ）は、記録時のレーザー
のパワーで制御され、記録前の状態には依存しないので
、重ね書き（オーバーライド）が可能である。記録ビッ
ト（ｅ）と（ｆ）は、再生用のレーザービームを照射し
、再生光を記録信号再生器３３で処理することにより、
再生できる。

第２図の説明では第１Ｆａ性層２と第２Ｍｉ性層３の磁
化の向きが同じときに安定な例を示したが、磁化の向き
が反平行のときに安定な磁性層についても同様に考えら
れる。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を第２
図に対応させて示しておく。

〔実施例〕

実施例１ ３元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたガラス製のデ
ィスク状基板を、ターゲットとの間の距離１０ｃｍの間
隔にセットし、回転させた。

次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
１００人／Ｉ！Ｉｉｎ、スパッタ圧５ｘ　１０’　Ｔｏ
ｒｒでＧｄＴｂＦｅ　Ａ１合金をスパッタし、膜厚２１
０　Ａ、　ＴＩ。

＝約１［ｉ５℃、ＨＨ＝Ｈｔ０ＫＯｅのＧｄ１６Ｔｂ６
ＦｅｔｓＡｌｌ、の第１ｉｉｉ性層を形成した。

次にアルゴン中でスパッタ圧５ｘ　１ｏ−３Ｔｏｒｒで
かＴｂＦｅＣｏＣｒ合金をスパッタし、膜厚５００人、
Ｔ、＝約１９０℃、ＨＬ＝約１にＯｅのＴｂ２３Ｆｅｓ
ｏ（：Ｏ＋　４Ｃｒ３の第２Ｍｉ性層を形成した。

次にアルゴン中で第１のターゲットよりスパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ　ｔｏ−’　Ｔｏｒｒ
で、ＺｎＳを保護層として１５００人の厚さに設けた。

次に膜形成を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクを作成した。

この光磁気ディスクを記録再生装置にセットし、２．５
ＫＯｅの磁界発生部を、線速度約５　ｍ／ｓｅｃで通過
させつつ、約１μに集光した８３０ｍｍの波長のレーザ
ービームを５０％のデユーティで５００ＫＨｚで変調さ
せながら、４ｍＷと８ｍ１ｆの２値のレーザーパワーで
記録を行なった。バイアス磁界は１０００ｅであった。

その後１　、０ｍＷのレーザービームを照射して再生を
行なったところ、２値の信号の再生ができた。

次に、上記と同様の実験を、全面記録された後の光磁気
ディスクについて行なった。この結果前に記録された信
号成分は検出されず、オーバーライトが可能であること
が確認された。

実施例２ 実施例１と同様な方法で表１に示す構成のサンプル２−
２〜２−１１を作製した。表１の構成の欄でＭａｇ（１
）、Ｍａｇ　（２）は順に第１磁性層、第２磁性層を示
し、実施例１と同じように形成したものであり、Ｇｄ＋
５ＴｂｓＦｅｙ９Ａノｒ　、　Ｔｂ２ＪｅａｏＣＯ＋ｎ
Ｃｒ３の膜で膜厚、保磁力等も同じであった。また構成
の欄で、ガラスはガラスディスク基板を示す。

それぞれのサンプルのＨＬ、０ｗ７２Ｍ５ｈの値を測定
した。結果を表１に示す。

なおＨＬ、０ｗ７２Ｍ５ｈの値は次のように測定した。

実施例１と同様の方法で基板上に第１ｖＡ性層と第２磁
性層とを積層したサンプルを作製し、外部磁界を印加し
ながら光磁気効果により第２磁性層の磁化の向きが反転
する磁界を調べることにより得た。

０表１の結果より今までに示した（ｆ）の記録ビットが
安定に存在するためでの条件ＨＬ＞０ｗ７２Ｍ５ｈと保
護層との関係を調べた。以下、それについて説明する。

サンプル２−１はＭａｇ　（２）に接して保護膜が設け
られていない状態である（比較例）。このときＨＬ−ａ
ｗ／２Ｍ５ｈ＝２０００ｅであった。これは第１磁性層
、第２磁性層の磁化を互いに非安定な方向に配向させて
外部磁界を取り去ったとき２０００ｅのマージンで安定
に存在することを示す。しかし実際にはＨＬ−０ｗ　／
　２　Ｍｓ　ｈの大きさの反転磁化よりも小さな磁界で
反転磁区の発生があるため、第二磁性層の磁化の１〜５
％程度の反転が起こってしまう。

サンプル２−２〜２−５はＭａｇ（２）に接してＺｎＳ
の保護膜を設けたものであり、保護層の厚さが大きくな
るにしたがって０ｗ７２Ｍ５ｈの値が減少する。その値
はＺｎＳの膜厚が約１００〜２００人の間でほぼ１００
０人のときの値とほぼ近い一定の値になり約σｗ　／　
２　Ｍｓｈ　７０００ｅのマージンである。これらのサ
ンプルでは外部磁界なしの状態で上述のような第２磁性
層の磁化の反転は起こらなかフた。すなわち、安定であ
った。

各サンプルの電子顕微鏡の観察結果によれば保護膜が１
００〜２００Å以上の膜厚で島状構造から連続膜へと変
化しており、第２磁性層へ保護膜が原因となる圧縮応力
が発生し、この影響により０ｗ７２Ｍ５ｈの値が変化す
ると考えられる。

サンプル２−６〜２−１１では同様にして第２磁性層へ
保護膜を積層したときの保護膜材料の違いによる差を調
べた。この結果、Ｓｉ３Ｎ　４．　ＳｉＣ、ＳｉＯを保
護膜として用いても０ｗ７２Ｍ５ｂの値を減少させる効
果、すなわち記録ビットの安定化の効果があった。

また、サンプル２−２〜２−１１を温度４５℃、湿度６
５％の環境下に３日間放置したところ保護膜の厚さが１
００人のサンプル２−２では約３０％程σｗ／２Ｍ５ｈ
の値が増加するように変化したが、他のサンプルは減少
ように変化し変化率も１０％以下であった。

Ｃ発明の効果〕 以上詳細に説明したように光磁気媒体として、低いキュ
リー点（’ｒｔ、）と高い保磁力（Ｈ，）を有する第１
の磁性層と相対的に高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁
力（ＨＬ　）を存する第２の磁性層からなる二層構造の
磁性層を有するものを用い、記録時に、記録ヘッドと別
位置に磁界発生部を設け、２値レーザーパワーで記録す
ることにより、重ね書き（オーバーライド）が可能にな
り、第２Ｆｉｉ性層の外側に保護膜を配すことによって
、安定な、特に長期間たっても安定な記録ビットが得ら
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例構成を示す図、第２図は、本発明の記録法
を実施中の、磁性層２．３の磁化の向きを示す図、第３
図は、記録・再生装置の概念図、第４図は内磁性層２と
３の保磁力と温度との関係を示す概略図である。第５図
は本発明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。 １ニブリグルーブ付の透光性基板、 ２．３：磁性層 ４．５：保護層、 ６：接着層、 ７：貼り合わせ用基板、 ３１：記録・再生用ヘッド、 ３２：記録信号発生器、 ３３：記録信号再生器 ３４：磁界発生部 ３５：光磁気ディスク、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ）
   を有する第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に
   高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ）を有
   する第２磁性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該第
   ２磁性層の外側に配された厚さ約２００Å以上の保護膜
   と、が基板上に設けられた構成であって、 第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
   間の磁壁エネルギーをσｗとすると、 Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／２Ｍｓｈ を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）前記第１磁性層の外側にも厚さ２００Å以上の保護
   膜が設けられてる特許請求の範囲第１項記載の光磁気記
   録媒体。 ３）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ）
   を有する第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に
   高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ）を有
   する第２磁性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該第
   ２磁性層の外側に配された厚さ約２００Å以上の保護膜
   と、が基板上に設けられた構成であって、 第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
   間の磁壁エネルギーをσｗとすると、 Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／２Ｍｓｈ を満たす光磁気記録媒体を使用して、次の二値の記録を
   行なうことを特徴とする記録方式。 （ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
   保磁力Ｈ＿Ｌの第２磁性層を一方向に磁化させるのに充
   分で保磁力Ｈ＿Ｈの第１磁性層の磁化の向きを反転させ
   ることのない大きさの磁界Ｂを加え、 （ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
   ると同時に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）付近まで該媒体が
   昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
   第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁
   化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
   １種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
   いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）付近まで該媒体が昇温するだけ
   のレーザーパワーを照射することにより、第２磁性層の
   磁化の向きを反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層
   に対して安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、
   信号に応じて実施し、 （ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
   トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
   記録により形成されたビットについては第１磁性層、第
   ２磁性層とも磁化の向きをそのまま変化させず、 第２種の予備記録により形成されたビットについては、
   第２磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
   せ、第１磁性層については磁化の向きをそのまま変化さ
   せないとする、二値の記録。