JPS63181486A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザや発光ダイオードのような半導
体発光装置、特に高速変調することができる半導体発光
装置に関するものである。

（従来の技術） 光通信技術の発達に伴ない高速変調できる半導体発光装
置の開発が強く要請されている。

従来、半導体発光装置の発光出力を変調する方法として
、発光素子の励起源の注入電流に変調信号を加えて変調
する直接変調法が広く用いられている。この直接変調法
では、活性層内に存在する電子、正孔の数を制御して発
光量又は光波に対する増幅利得係数を制御する構成とし
ているため、スイッチングに要する時間は必然的に活性
層に注入された電子、正孔の再結合時間となってしまい
、スイッチング時間が制限される欠点があった。またＱ
スイッチ動作によって変調するＱスイッチング法や共振
モード間の位相関係を固定したモード状態を作り出して
光パルス列を発生させるモード同期法がある。しかし、
Ｑスイッチング法では共振器内に光変調器を配置しなけ
ればならず、またモード同期法では複雑な構造の外付は
共振器が必要であり、これらの方法では構造が複雑化す
ると共に製造コストが高価になる欠点があった。

これらの欠点を解決するものとして、本願人は特開昭６
０−１８７４号公報において電圧制御型半導体発光装置
を提案している。第６図は、本願人が提案した電圧制御
型半導体発光装置の構成を示す線図である。活性Ｎ１の
両側に絶縁性クラッド層２及び３が形成され、これらク
ラッド層の外側に第１及び第２の制御電極４及び５がそ
れぞれ形成されている。また、活性体層１の側方にはｐ
形注入領域６及びｎ形注入領域７が形成されている。ｐ
形注入領域６及びｎ形注入領域７から活性層１に正孔及
び電子がそれぞれ注入され、注入された電子と正孔とが
再結合して発光動作が行なわれる。一方、２個の制御電
極４及び５に正極性及び負極性の制御電圧を印加すると
、活性Ｎ１に注入された電子は活性層内の第１制御電極
４側に捕獲された、正孔は第２制御電極５側に捕獲され
分極が生ずる。この場合、活性層１の禁制帯の幅をクラ
ッド層２及び３の禁制帯の幅よりも小さく設定すれば、
注入された電子及び正孔が電界によって各クラッド層２
及び３内に引き出されるのが防止される。従って、第１
及び第２の制御電極４及び５に印加される制御電圧を変
調信号として利用することにより、再結合寿命時間に制
限されない極めて高速の発光出力変調を行なうことがで
きる。

（発明が解決しようとする問題点） 本願人が提案した電圧制御型半導体発光装置は発光出力
の変調速度が注入された電子及び正孔の再結合寿命時間
に制限されない顕著な効果があるが、以下に述べる欠点
がある。すなわち、ｎ形注入領域及びｐ形波λＭ域から
電子及び正孔が時間的に一定の割合で注入され続けるた
め、制御パルス印加期間（非発光期間）において再結合
するキャリヤが徐々に増大してしまい、第７図に示すよ
うに捕獲された電子、正孔の量が増大するに従って非発
光期間中における発光量が徐々に増大する不都合が生じ
ていた。逆に、発光期間中においては、キャリヤ数が徐
々に減少し、その結果、発光出力が徐々に減少する。つ
まり、一定の注入電流でもって電子、正孔を注入する限
り、発光期間、非発光期間のいずれにおいても定常状態
の発光量は、一定の注入電流に見合った状態で釣り合う
。

この結果定常状態の発光量は第６図の制御電極４及び５
のバイアス電圧の如何にかかわらず一定となってしまう
。このため、パルス幅の短い変調パルスが順次供給され
ると、活性層内に捕獲される電子、正孔が徐々に減少し
てしまい、発光出力レベル自体も徐々に低下する不都合
も生じていた。

更に、活性層の側方の両側から電子及び正孔をそれぞれ
注入する構成としているため注入効率が低い欠点もあっ
た。

従って、本発明は上述した欠点、つまりスイッチ後に生
じる発光出力変動を除去し、簡単な構成で高速変調する
ことができると共に、非発光期間における発光量を極め
て低いレベルとすることができる半導体発光装置を提供
するものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明による半導体発光装置は、一導電形エミッタ領域
と、このエミッタ領域上に形成した反対導電形のベース
領域と、このベース領域上に形成した一導電形コレクタ
領域と、これら各領域に形成した各電極と、エミッタ電
極とベース電極間に接続され常時一定圧を印加する注入
電圧源と、工ミッタ電極とコレクタ電極間にベースコレ
クタ接合が逆バイアスとなるように接続されベース領域
内に注入されたキャリヤの再結合を制御する制御電圧源
とを具え、 前記制御電圧源によって形成される電位勾配により非発
光期間中に注入されたキャリヤをベース領域内に捕獲し
、捕獲したキャリヤを発光期間中に再結合させるように
構成したことを特徴とするものである。

（作　用） 第１図ａ及びｂは本発明による半導体発光装置の原理を
説明するための線図である。活性層として作用するｎ形
ベース領域１０の両側にｐ形エミッタ領域１１およびｐ
形コレクタ領域１２を形成してダブルへテロ接合を形成
する。これらコレクタ領域１２及びエミッタ領域１１の
禁制帯幅をベース領域１０の禁制帯幅に比べ充分大きく
なるようにし、この禁制帯幅の差を０．３ｅＶ以上とす
る。

ベース領域１０の側方にベース電極１３を形成し、エミ
ッタ領域１１上にエミッタ電極１４を形成しコレクタ領
域１２上に制御電極１５をそれぞれ形成する。ベース電
極１３とエミッタ電極１４との間にキャリヤ注入源とし
て作用し常時一定電圧を印加する注入電圧源１６をベー
ス電極側が負極性となるように接続する。更に、エミッ
タ電極１４と制御電極１５との間に制御電圧源１７をベ
ースコレクタ接合に逆バイアスが生ずるように接続する
。この制御電圧源１７はベース領域内に注入された電子
、正孔の再結合を制御する機能を果たすものである。

注入電圧源１６によりベース−エミッタ間に注入電圧を
印加すると、エミッタ領域１１からベース領域１０に正
孔が注入されベース電極１３からベース領域１０に電子
が注入される。この場合、エミッターコレクタ間にバイ
アスを印加しない場合ベース領域１０内の電子とエミッ
タ領域１１から注入された正孔はベース領域１０内の同
一空間を占め、これら電子及び正孔が再結合して通常の
半導体発光装置と同様な発光動作を行なう。一方、制御
電圧源１７によりエミッタ領域１１とコレクタ領域１２
との間に制御電圧を印加すると、第１図すに示すように
ｐ形コレクタ領域１２とｎ形ベース領域１０との接合部
に強い逆バイアスが生じ、こめ結果空乏層がベース領域
１０内に侵入し電子、正孔に対する電位勾配を生ずる。

一方、エミッタ領域１１及びコレクタ領域１２の各禁制
帯幅をベース領域１０の禁制帯幅よりも充分大きくすれ
ば、ベース領域１０に注入された電子及び正孔がエミッ
タ領域１１及びコレクタ領域１２にそれぞれ引き出され
るのを防止することができる。従って各領域の禁制帯幅
を適正に設定すると共にベース領域１０内に第１図すに
示される電位勾配を形成すれば、ベース領域内に注入さ
れた電子Ａ及び正孔　−Ｂを捕獲したままで、電子Ａ及
び正孔Ｂを空間的に分離することができる。この結果制
御電圧源１７のスイッチング動作によって発光動作を切
り換えることができる。また、ベース領域１０内に生ず
る電位勾配によってベース領域１０の禁制帯幅が実質的
に低下するため、発光波長及び光波に対する利得係数が
長波側に移動することになる。

第２図に制御電圧源１７により印加される制御電圧を変
調信号として利用した場合の発光特性を示す。第２図ａ
に示すような変調信号を制御電圧としてエミッターベー
ス間に印加すると、ベース領域に注入された電子及び正
孔はエミッタ領域側及びコレクタ領域側にそれぞれ捕獲
され分極が生ずる。この非発光期間において捕獲されな
いわずかな電子及び正孔が再結合し、わずかなレベルの
発光が生ずる。一方、制御電圧が零レベル（発光期間）
に切り換わると、制御電界によって捕獲された電子及び
正孔が開放され再結合して発光動作が行なわれる。この
場合、非発光期間中に捕獲された電子、正孔が変調信号
のスイッチングと同時に再結合を開始するため、変調信
号が切り換わると同時に充分な発光出力で発光動作を開
始する。

つぎに、制御電圧が所定のバイアス電圧に切り換わると
、ベース領域ｌＯの内部に電位勾配が生じ、この電位勾
配によって注入電圧源１６から供給された電子及び正孔
が順次捕獲される。この場合、本願人が提案した従来の
電圧制御型半導体発光装置では、捕獲された電子及゛び
正孔の分極方向と直交する方向、すなわちベース領域の
側方から電子及び正孔をそれぞれ注入する構成としてい
るため、注入された電子及び正孔は、捕獲された電子及
び正孔の量に無関係に一定の時間割合で注入され続け、
この結果捕獲された電子、正孔の量が増大するに従って
捕獲されずに直接再結合発光してしまう電子、正札の量
が時間経過と共に増大し、最終的には一定の注入電流に
見合った時間割合で再結合発光が生じていた。一方、本
発明では正孔の注入方向を制御電界の方向と一致させて
いるため、電子、正孔の分極が生じるに従ってベース抵
抗が増大し、その結果正孔の注入量が減少する。この結
果、注入電圧源１６によって常時一定電圧を印加しても
キャリヤの分極量が生ずるに従ってエミッターベース間
電流が自動的に減少し、この結果、スイッチ後に生じる
発光出力変動を除去することができる。従って、非発光
期間中における発光量に対する発光期間中の発光量の割
合が一層増大し、例えば定常状態の発光出力比を１０倍
以上にすることができる。

本発明による半導体発光装置のスイッチング時間は、ベ
ース領域１０内における電子及び正孔が分極したり、逆
に分極した状態から均一な分布状態に戻るまでに要する
時間で決まる。この時間はベース領域１０の厚さｔが２
０００Å以下の場合には数ｐｓｅｃ以下の値となるため
、一層高速で変調することができる。ベース領域１０の
厚さｔは上限値と下限値によって定められる好適範囲が
ある。

すなわち、ベース領域１０に生ずる電界強度には絶縁破
壊強度によって決められる上限値Ｅｍがある。電磁見学
によればベース領域１０に電界が存在しない状態でベー
ス領域１０内に均一に存在する互いに等しい体積密度ｎ
及びｐの電子及び正孔を外部電界によりベース領域内で
充分に分極するには次式で示される条件を満たす必要が
ある。

　ｎ ここで、εはコレクタ領域１２の誘電率、ｅは電子電荷
である。通常、充分な発光出力を得るために必要な電子
の体積密度及び正孔の体積密度ｐの値は約ｌＸｌ０１７
個／ｃｍ’以上であり、例えばコレクタ領域１２がＧａ
ＡｌＡｓ系結晶の場合Ｅｍは約５Ｘ１０’Ｖ／ａｍであ
り、その誘電率εは約１０程度であるため、（１１式よ
りベース領域１０の厚さｔは約３０００Å以下でなけれ
ばならない。

一方、エミッタ領域１１から注入された正孔をコレクタ
領域１２側に漏出することなくベース領域ｌＯ内に捕獲
するためには、種々の実験検討に基き１００Å以上必要
であることを見出した。従って、ベース領域の厚さｔは
、ｉｏｏ人＜、ｔ　＜　３０００人の範囲に設定するの
が好ましい。また、ベース領域とエミッタ及びコレクタ
領域との禁制帯幅の差は０．３　ｅＶ以上とすることが
望ましい。

なお、上述した原理説明においては、Ｐ−ｎ−ｐ形のへ
テロバイポーラトランジスタ構造を以て説明したが、ｎ
−ｐ−ｎ形の構造であっても各電極に印加する動作電圧
の極性を換えることにより同一の動作特性を達成するこ
とができる。更に、本発明による発光装置は各領域を構
成する半導体材料により特に制限されず、ＧａＡｌＡｓ
系、ＧａＡｌＡｓＳｎ系、ＧａＡｌＡｓＰ系、ＧａＡｓ
Ｐ系、ＩｎＧａＡｓＰ系をはじめとするｍ−ｖ族化合物
半導体材料はもとより、Ｐｂ５ｎＴｅ系等のＩＶ−ＶＩ
族化合物半導体材料も用いることができる。

（実施例） （実施例１） 第３図は本発明による半導体発光装置の第１実施例の構
成を線図的に示す斜視図である。本例では、半導体材料
としてＧａＡｊ２Ａｓ系半導体材料を用いる。ｐ形のＧ
ａＡｓ基板２０上にｐ形のＧａ、、Ａ　ｌｔ　、Ａｓ　
　（例えばＸ　＝　０．４５〜１．０とする）から成る
エミッタ領域２１を形成し、このエミッタ領域２１上に
ｎ形のＧａＡｓから成り活性層として作用するベース領
域２２を形成する。更に、このベース領域２２上にｐ形
のＧａ１−ＸＡＩ！ＸＡＳ（例えばｘ　＝　０．６〜１
．０とする）から成るコレクタ領域２３を形成し、この
コレクタ領域２３上にｐ形不純物を高濃度にドープした
ＧａＡｓＪｉ２４を形成し、このＧａＡｓ［２４上に制
御電極２５を形成する。ベース領域２２の両側にｎ形の
Ｇａ＋−、ＡβｙＡｓから成る注入領域２６を形成し、
この注入領域２６上にベース電極２７をそれぞれ形成し
、この注入領域２６を介してベース領域に電子を注入す
る。更に、基板２０の下側にエミッタ電極２８を形成す
る。これらの各領域は液相エピタキシィ、分子線エピタ
キシィ、気相エピタキシィあるいは有機金属エピタキシ
ィによって結晶成長させることにより形成することがで
きる。また、各領域の導電形を逆にしてもよく、これは
以後説明する他の実施例でも同様である。

この半導体発光装置を製造するに当り、Ｐ−ＧａＡｓ基
板２０上にエミッタ領域２１、ベース領域２２及びコレ
クタ領域２３を連続して層状に結晶成長させる。各層の
厚さは、エミッタ領域層を０．５〜１．０μｍとし、ベ
ース領域層を１００人とし、コレクタ領域層を０．５〜
１．０μｍとすることができる。この場合、エミッタ領
域２１、コレクタ領域２３及びＧａＡｓ層２４をｐ形と
し、ベース領域２２をｎ形とするには、ｐ形不純物とじ
てＭｇ、ｎ形不純物としてＳｎを用いることができる。

このようにして形成した基体のＧａＡｓ１２４上にフォ
トレジスト工程により、例えば２μｍの横幅で帯状のフ
ォトレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクと
しレジスト膜の直下を残してＧａＡｓ層２４、コレクタ
領域２３、ベース領域２２及びエミッタ領域２１の一部
をエツチング処理により除去する。このエツチング処理
はエミッタ領域２１の途中で停止する。次に、残された
各領域を挟み込むように注入領域２６をｎ形不純物Ｓｎ
をドープして成長させる。ＧａＡｓ層２４の表面は、最
終的にはコレクタ領域２３の上面より低くするものであ
るが、ＧａＡｓ層２４の成長時には成長面はコレクタ領
域２３の上面より高（してもよく、或いはコレクタ領域
２３の上面より低い位置で成長を停止してもよい。後の
電極形成工程のためには、注入領域２６の成長表面はＧ
ａＡｓ１２４の上面に一致させるのが好ましい。その後
フォトレジスト工程及び真空蒸着法を利用して制御電極
２５としてＡｕ−Ｃｒ合金膜を、ベース電極２７として
Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金膜を被着する。尚、注入領域２６
の成長終了時において注入領域の成長表面がＧａＡｓ層
２４の上面より高い場合には、フォトレジスト工程と真
空蒸着法を利用し、制御電極２５としてＡＵ−Ｃｒ合金
膜を被着した後、被着した金属電極膜をマスクとして電
極膜の直下を残して注入領域２６、ＧａＡｓ１２４及び
コレクタ領域２３の一部をコレクタ領域２３の途中まで
エツチング処理によって除去した後、フォトレジスト工
程と真空蒸着法を利用して、ベース電極としてＡＵ−Ｇ
ｅ−Ｎｉ合金膜を被着する。

最後に、エミッタ電極２８としてＡｕ−Ｃｒ合金膜を基
板２０の下面に被着する。

実施例１の装置を半導体レーザとして動作させる場合に
は、帯状ベース層の長手方向に垂直な一対の平行な面が
得られるように例えば３００μｍの長さにへき関する。

この場合、ベース領域２２に例えば、Ｉ　Ｘ　１０　”
ｃｍ−”以上の充分な電子及び正孔が存在すると、光波
の増幅が起こり、かつ、ベース領域２２の屈折率が、エ
ミッタ領域２１、コレクタ領域２３及び、注入領域２６
の屈折率より大きいため、光波はベース領域付近に閉じ
込められて伝播し、上に述べた一対の平行なへき開面間
で帰還を受ける。この二つの共振器面のいずれか一方ま
たは、その両方を化学エツチングで形成してもよい。な
お、この共振器面に代わって適当な周期構造を導入する
ことによって分布帰還形レーザあるいは分布ブラッグ反
射帰還形レーザ構造となしうろことは当業者には明らか
である。前記の共振器面ならびに周期構造共振器に関す
る事項は以後説明する他の実施例でも同様である。ベー
ス電極２７とエミッタ電極２８との間にベース電極側が
負極性となる約１．５Ｖの注入電圧源を接続し、ベース
電極２７と制御電極２５との間に変調信号としても作用
する５Ｖの制御電圧源を制御電極側が負極性となるよう
に接続する。このように構成すれば、エミッターコレク
タ間に総計６．５Ｖのバイアス電圧が印加され、このバ
イアス電圧により非発光期間中にベース領域２２に注入
されたキャリヤが有効に捕獲され、この捕獲されたキャ
リヤを制御電圧のスイッチング動作に応じて再結合させ
ることができる。この結果、非発光期間における発光量
を発光期間に対する発光量の１／１ｏ程度にすることが
でき、発光波長を１００人程度、及び光波に対する増幅
利得係数を５０ｃｍ−’程度まで制御することができる
。

（実施例２） 第４図は本発明による発光装置の第２実施例を示す線図
的断面図である。本例では活性層として作用するベース
領域３０を禁制帯幅の異なる３層構造体で構成する。尚
、第３図で用いた部材と同一部材には同一符号を付して
説明する。ベース領域３０はｎ　　Ｇａ１−ｘＡ　ｚＸ
Ａｓ　（ｘ　＝　０．１５〜０．３）から成る第１層３
１と、ｎ　−Ｇａ、、Ａ　１　ｙＡｓ（ｙ＝０．０〜０
．１５）から成る第２層３２と、ｎ−ａｌ−２Ａ　１ｚ
Ａｓ　（ｚ　＝　０．１５〜０．３　）から成る第３層
３３とを以て構成する。これら第１〜第３層の各膜厚は
例えば２００人、１００人、２００人とすることができ
、ベース領域全体の膜厚は１００〜３０００人とする。

このようにエミッタ領域２１と隣接する第１層３１及び
コレクタ領域２３と隣接する第３層３３の禁制帯幅を中
間層である第２層３２の禁制帯幅よりも大きくなるよう
に設定することにより注入された電子及び正孔を効率よ
く中間層（第２層）３２内にに閉じ込めることができる
。この結果、発光効率が一層増大しベース抵抗を一層小
さくすることができる。

（実施例３） 第５図は本発明による発光装置の第３実施例を示す線図
的断面図である。本例ではベース領域４０に複数の活性
層を形成した例を示す。活性層として作用するＧａＡｓ
層４１と、ｎ　　Ｇａ、−ｘＡ　ｊ２　ｘＡｓ（ｘ＝０
．５〜１．０）から成るクラッド層４２を交互に形成し
てベース領域４０とする。また、本例では注入領域２６
を熱拡散法或いはイオン注入法により形成する。

この実施例３の場合、活性層４１に挟まれたクラッド層
４２の厚さは、通常、電子、正孔の量子力学的波動関数
の波長、すなわち、１００人あるいは、それ以下とし、
電子、正孔が量子力学的なトンネル効果でもって充分速
く活性層を移動できるように設計する。このような多層
化によって、電子と正孔が分極した場合、電子と正孔は
空間的により遠く離れ、従って発光量、発光波長及び光
波に対する利得係数のより大きな制御性を実現しうる。

第５図には、図面を明瞭なものとするため活性層４１の
数を３としたが、この活性層の数は、２〜５であっても
よい。

（発明の効果） 以上説明した本発明の効果を要約すると次の通りである
。

（１１活性層内にキャリヤを常時注入するための注入電
圧源と活性層内に注入されたキャリヤの再結合を制御す
るための制御電圧源とを具え、この制御電圧源が形成す
る電位勾配によって非発光期間中に注入されたキャリヤ
を活性層内に有効に捕獲し、捕獲されたキャリヤを発光
期間内に再結合させる構成としているから、制御信号の
スイッチングと同時に十分な強度で発光動作を開始する
ことができる。この結果、変調パルス幅を一層短くする
ことができ、変調周波数を一層高くすることができる。

（２）電子又は正孔のいずれか一方のキャリヤを、制御
電圧源が形成する電位勾配方向に沿って注入する構成と
しているから、活性層内のキャリヤ分極１２に応じて注
入されるキャリヤの量を自動的に制御することができる
。この結果、スイッチ後の発光出力変動を除去すること
が出来る。

（３）電子又は正孔のいずれか一方のキャリヤを電位勾
配方向に沿って注入すると共に他方のキャリヤを電位勾
配方向と直交する方向から注入する構成としているから
注入効率を一層高くすることができる。

（４）　　エミッタ電極と制御電極（コレクタ電極）と
の間に制御電圧を印加する構成としているから、電極形
成が一層容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ及びｂは本発明による発光装置の原理を説明す
るための線図、 第２図ａ及びｂは制御信号と発光量の関係を示すグラフ
、 第３図は本発明による発光装置の第１実施例の構成を示
す線図的斜視図、 第４図は本発明による発光装置の第２実施例の構成を示
す線図的断面図、 第５図は本発明による発光装置の第３実施例の構成を示
す線図的断面図、 第６図は従来の発光装置の構成を示す線図的断面図、 第７図ａ及びｂは従来の発光装置の制御信号と発光量の
関係を示すグラフである。 １１．２１・・・エミッタ領域 １０．２２，３０．４０・・・ベース領域１２．２３・
・・コレクタ領域 １４．２８・・・エミッタ電極 １５．２５・・・制御電極 １６・・・注入電圧源 １７・・・制御電圧源 ２６・・・注入領域 ２７・・・ベース電極 特許出願人　　広　島　大　学　長 筒１図 第４図 第５図 廃光量−制御電圧 ｏ　　　　　　　　　　　　　　０ 々＃、量−制御電圧−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一導電形エミッタ領域と、このエミッタ領域上に形
   成した反対導電形のベース領域と、このベース領域上に
   形成した一導電形コレクタ領域と、これら各領域に形成
   した各電極と、エミッタ電極とベース電極間に接続され
   常時一定圧を印加する注入電圧源と、エミッタ電極とコ
   レクタ電極間にベースコレクタ接合が逆バイアスとなる
   ように接続されベース領域内に注入されたキャリヤの再
   結合を制御する制御電圧源とを具え、 前記制御電圧源によって形成される電位勾配により非発
   光期間中に注入されたキャリヤをベース領域内に捕獲し
   、捕獲したキャリヤを発光期間中に再結合させるように
   構成したことを特徴とする半導体発光装置。 ２、前記ベース領域の膜厚を１００〜３０００Åとし、
   このベース領域の禁制帯幅をエミッタ領域およびコレク
   タ領域の禁制帯幅よりも０．３ｅＶ以上大きくなるよう
   に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体発光装置。 ３、前記ベース領域を、禁制帯幅の異なる複数層を以て
   構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   半導体発光装置。 ４、前記エミッタ領域、ベース領域及びコレクタ領域を
   、それぞれｐ−Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ（ｘ＝０
   ．４５〜１．０）、ｎ−ＧａＡｓおよびｐ−Ｇａ＿１＿
   −＿ｙＡｌ＿ｙＡｓ（ｙ＝０．６〜１．０）の半導体材
   料で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の半導体発光装置。