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JPS6315564B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6315564B2
JPS6315564B2 JP54025307A JP2530779A JPS6315564B2 JP S6315564 B2 JPS6315564 B2 JP S6315564B2 JP 54025307 A JP54025307 A JP 54025307A JP 2530779 A JP2530779 A JP 2530779A JP S6315564 B2 JPS6315564 B2 JP S6315564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
fiber
optical fiber
lens
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54025307A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55118010A (en
Inventor
Yoshihiro Matsumoto
Yoshiki Higo
Shigeaki Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP2530779A priority Critical patent/JPS55118010A/en
Publication of JPS55118010A publication Critical patent/JPS55118010A/en
Publication of JPS6315564B2 publication Critical patent/JPS6315564B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体レーザからの光を効率よく光
フアイバに注入する結合器に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a coupler that efficiently injects light from a semiconductor laser into an optical fiber.

従来から半導体レーザの光を有効にフアイバへ
注入するために、各種の結合器が提案されてい
る。半導体レーザから出射された全光量をPT
しその中のフアイバに注入される光量をPFとす
ると、PF/PTで表わされる結合効率Kが1に近
い程すぐれた結合器となる。しかし、従来の結合
器では、Kを1に近づけると、それに比例して光
を注入するフアイバ注入面及び外部からフアイバ
を通してもどる反射光量も増大する。このため、
この反射光により発光源である半導体レーザの発
振が非常に不安定となり、場合によつては発振不
可能となる。
Conventionally, various couplers have been proposed in order to effectively inject light from a semiconductor laser into a fiber. If the total amount of light emitted from the semiconductor laser is P T and the amount of light injected into the fiber therein is P F , then the closer the coupling efficiency K expressed by P F /P T is to 1, the better the coupler will be. However, in conventional couplers, as K approaches 1, the fiber injection surface into which light is injected and the amount of light reflected back through the fiber from the outside also increase proportionately. For this reason,
This reflected light makes the oscillation of the semiconductor laser, which is the light source, extremely unstable, and in some cases, oscillation becomes impossible.

この発明の目的は上述の欠点を除去した半導体
レーザ結合器を提供することにある。すなわち、
本発明の目的は、光フアイバ端面で反射される戻
り光だけでなく光フアイバの近端で反射され光フ
アイバのクラツドを通つて戻る光も防止する半導
体レーザ結合器を提供することにある。この発明
によれば、2種類の反射防止のための個片および
単一モード型フアイバを用いて反射による影響を
なくした半導体レーザ結合器が得られる。
The object of the invention is to provide a semiconductor laser coupler which eliminates the above-mentioned drawbacks. That is,
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser coupler that prevents not only return light reflected at the end face of an optical fiber, but also light reflected at the proximal end of the optical fiber and returned through the cladding of the optical fiber. According to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor laser coupler that eliminates the influence of reflection by using two types of anti-reflection pieces and a single mode fiber.

次に図を用いて本発明を詳細に説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the figures.

第1図は従来の結合器の構成を示す図で、結合
器10は、電極12および13を有する半導体レ
ーザダイオード11と、ダイオード11からの発
光ビームを1点に集光するためのロツドレンズ1
4と、レンズ14からの光が注入される光フアイ
バ15とから構成されている。半導体レーザダイ
オード11から出射された光は図に示すように、
ロツドレンズ14により一点に集光される。集光
点に光フアイバ15の端面を固定することによ
り、ダイオード11からの光の大部分が光フアイ
バ15に注入され、光フアイバ内を伝播する有効
光量となる。光フアイバ15は多モードフアイバ
を想定しており、第1図の斜線で示す有効領域の
径は通常50μ〜100μである。このフアイバ15の
他端には光コネクタがとりつけられ、外部フアイ
バもしくは他の素子および装置に接続される。し
かしながら、このような構成の結合器には光フア
イバ15の半導体レーザダイオード11側の注入
面において発生た反射光が半導体レーザダイオー
ド11にもどり、ダイオードを使用不可能にする
欠点がある。これを避けるために光フアイバ15
の注入面に無反射膜を形成することも考えられる
が、フアイバ15の外径が一般に1mm以下である
ため、このような膜の形成は製造上不可能であ
る。一方、前述のような反射を防止する構成とし
て、第2図に示すように、フアイバ注入面の位置
をレンズ14に対して前後にずらす構成がある。
この構成は、フアイバ注入面における反射の影響
を軽減できるが、フアイバ注入面の位置を、第2
図に示すように、l1もしくはl2だけ最適位置
からずらしているために、結合効率Kが悪くな
る。又、光フアイバ15の他端から帰つてくる反
射光による影響は何ら軽減されない。さらに、第
2図において、光フアイバ15の替りに単一モー
ド型フアイバを用いれば結合効率は0.05以下とな
り全く実用的でない。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a conventional coupler. A coupler 10 includes a semiconductor laser diode 11 having electrodes 12 and 13, and a rod lens 1 for condensing the emitted beam from the diode 11 to one point.
4 and an optical fiber 15 into which light from the lens 14 is injected. As shown in the figure, the light emitted from the semiconductor laser diode 11 is
The light is focused on one point by the rod lens 14. By fixing the end face of the optical fiber 15 at the focal point, most of the light from the diode 11 is injected into the optical fiber 15, resulting in an effective amount of light propagating within the optical fiber. The optical fiber 15 is assumed to be a multimode fiber, and the diameter of the effective area indicated by diagonal lines in FIG. 1 is usually 50 μ to 100 μ. An optical connector is attached to the other end of the fiber 15 for connection to external fibers or other components and devices. However, a coupler having such a configuration has a drawback that the reflected light generated at the injection surface of the optical fiber 15 on the semiconductor laser diode 11 side returns to the semiconductor laser diode 11, making the diode unusable. To avoid this, optical fiber 15
Although it is conceivable to form an anti-reflection film on the injection surface of the fiber 15, since the outer diameter of the fiber 15 is generally 1 mm or less, formation of such a film is impossible in terms of manufacturing. On the other hand, as a structure for preventing the above-mentioned reflection, there is a structure in which the position of the fiber injection surface is shifted back and forth with respect to the lens 14, as shown in FIG.
Although this configuration can reduce the effect of reflection on the fiber injection surface, it is possible to reduce the position of the fiber injection surface by
As shown in the figure, since the position is shifted by l1 or l2 from the optimum position, the coupling efficiency K deteriorates. Furthermore, the influence of the reflected light returning from the other end of the optical fiber 15 is not reduced at all. Furthermore, in FIG. 2, if a single mode fiber is used instead of the optical fiber 15, the coupling efficiency will be less than 0.05, which is completely impractical.

第3図はこの発明の一実施例を示す図である。
この実施例では従来の多モード光フアイバ15の
替りに、光通過穴を有する無反射材で作られた遮
光板31と、反射防止ガラス板32及び単一モー
ド型光フアイバ34を用いることを特徴としてい
る。まずロツトレンズ14の両端には無反射膜が
形成されている。又、反射防止ガラス板32のレ
ンズ側の面にはレンズ14からの光の反射を防止
するための無反射膜が形成されている。単一モー
ドフアイバ34とこのフアイバ34と同一屈折率
を有する反射防止ガラス板32とはフアイバ34
と同一屈折率を有する光学整合材により接着固定
されているので、反射は発生しない。又、単一モ
ード型フアイバ34の他端における接続(光コネ
クタもしくは固定接続)によつて生ずる反射は、
単一モード型フアイバ34の有効径が5μ〜10μと
極めて細いため、フアイバ34の有効光路を通つ
て半導体レーザダイオード11の発光面まで到達
する量は微少であるのでダイオード11に対して
何ら影響を与えない。しかし、フアイバ34の高
損失部分である無効部分(クラツド)を通つて半
導体レーザダイオード11の発光面まで到達する
量は、光フアイバ34の他端における接続点まで
の長さが短い場合には無視できない。このような
目的で遮光板31は設けられており、前述の光フ
アイバ34の無効部分を通過して来た外部反射光
を半導体レーザダイオード11の発光面に到達す
るのを防止している。
FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
This embodiment is characterized by using a light shielding plate 31 made of a non-reflective material having light passage holes, an anti-reflection glass plate 32 and a single mode optical fiber 34 instead of the conventional multi-mode optical fiber 15. It is said that First, a non-reflective film is formed on both ends of the rotary lens 14. Further, an anti-reflection film for preventing reflection of light from the lens 14 is formed on the lens-side surface of the anti-reflection glass plate 32. The single mode fiber 34 and the antireflection glass plate 32 having the same refractive index as the fiber 34 are the fiber 34.
Since it is adhesively fixed by an optical matching material having the same refractive index as that of , no reflection occurs. Also, the reflection caused by the connection (optical connector or fixed connection) at the other end of the single mode fiber 34 is
Since the effective diameter of the single mode fiber 34 is extremely small, 5μ to 10μ, the amount of light that reaches the light emitting surface of the semiconductor laser diode 11 through the effective optical path of the fiber 34 is minute, so it has no effect on the diode 11. I won't give it. However, the amount that reaches the light emitting surface of the semiconductor laser diode 11 through the ineffective portion (cladding), which is a high-loss portion of the fiber 34, is ignored if the length to the connection point at the other end of the optical fiber 34 is short. Can not. The light shielding plate 31 is provided for this purpose, and prevents externally reflected light that has passed through the inactive portion of the optical fiber 34 from reaching the light emitting surface of the semiconductor laser diode 11.

尚、前記反射光阻止板31のレンズ14に対応
する面31aには無反射膜を形成するか、あるい
は遮光板31の材料自身を無反射材で構成して、
レンズ14からの光の反射を防止している。
Incidentally, a non-reflective film is formed on the surface 31a of the reflected light blocking plate 31 corresponding to the lens 14, or the material of the light blocking plate 31 itself is made of a non-reflective material.
Reflection of light from the lens 14 is prevented.

以上のように、この発明による半導体レーザ結
合器は反射発生の要素を含まないので、レーザダ
イオードの安定な発振を接続できる。この発明に
よる結合器の結合効率は約0.2が期待できる。さ
らに、結合器に固定された光フアイバ34の他端
に有効径50μ〜100μの多モード型フアイバを接続
しても、有効径が単一モード型光フアイバ34の
有効径より十分大きいために接続損は微少であ
る。従つて、この発明による半導体レーザ結合器
は、従来と結合効率は余り差がないこと、完全に
反射対策がなされていること、多モード型フアイ
バ及び単一モード型フアイバともにほぼ同一損失
で接続可能と云う汎用性があること、等の大きな
利点を有する。
As described above, since the semiconductor laser coupler according to the present invention does not include a reflection generation element, stable oscillation of the laser diode can be connected. The coupling efficiency of the coupler according to the present invention can be expected to be about 0.2. Furthermore, even if a multimode fiber with an effective diameter of 50μ to 100μ is connected to the other end of the optical fiber 34 fixed to the coupler, the effective diameter is sufficiently larger than the effective diameter of the single mode optical fiber 34. The loss is minimal. Therefore, the semiconductor laser coupler according to the present invention has not much difference in coupling efficiency from the conventional one, has complete anti-reflection measures, and can connect both multimode fiber and single mode fiber with almost the same loss. It has great advantages such as versatility.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は従来の結合器を示す図、
第3図はこの発明の実施例を示す図である。 第3図において、31…遮光板、32…反射防
止ガラス板、34…単一モード型光フアイバ、3
3…反射防止ガラス板32及び単一モード型フア
イバ34を接着固定するための光学整合材であ
る。
1 and 2 are diagrams showing a conventional coupler,
FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 3, 31... light shielding plate, 32... antireflection glass plate, 34... single mode optical fiber, 3
3...An optical alignment material for adhesively fixing the antireflection glass plate 32 and the single mode fiber 34.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体レーザと、このレーザからの光を集束
するレンズと、このレンズからの光がコアに入射
される単一モード光フアイバと、このフアイバの
光入射端面に取り付けられ、前記光入射端面にお
ける反射を防止するガラス板と、前記ガラス板の
前記レンズ側の端面に配置され、前記レンズから
出射される光を通過させる穴を有し前記出射光以
外の光を遮断する遮光板とを有する半導体レーザ
結合器。
1 A semiconductor laser, a lens that focuses light from this laser, a single mode optical fiber through which light from this lens is incident on the core, and a single mode optical fiber that is attached to the light input end face of this fiber and that is attached to the light input end face to prevent reflection at the light input end face. and a light-shielding plate disposed on an end surface of the glass plate on the lens side and having a hole through which light emitted from the lens passes and blocks light other than the emitted light. combiner.
JP2530779A 1979-03-05 1979-03-05 Semiconductor laser coupler Granted JPS55118010A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2530779A JPS55118010A (en) 1979-03-05 1979-03-05 Semiconductor laser coupler

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JP2530779A JPS55118010A (en) 1979-03-05 1979-03-05 Semiconductor laser coupler

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Publication Number Publication Date
JPS55118010A JPS55118010A (en) 1980-09-10
JPS6315564B2 true JPS6315564B2 (en) 1988-04-05

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JP2530779A Granted JPS55118010A (en) 1979-03-05 1979-03-05 Semiconductor laser coupler

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58183156A (en) * 1982-04-20 1983-10-26 株式会社東芝 Laser apparatus for treatment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5515184A (en) * 1978-07-19 1980-02-02 Nec Corp Photo coupler

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JPS55118010A (en) 1980-09-10

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