JPS63153645A - Parity generating circuit - Google Patents
Parity generating circuitInfo
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- JPS63153645A JPS63153645A JP61300676A JP30067686A JPS63153645A JP S63153645 A JPS63153645 A JP S63153645A JP 61300676 A JP61300676 A JP 61300676A JP 30067686 A JP30067686 A JP 30067686A JP S63153645 A JPS63153645 A JP S63153645A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
未発明は電子回路、特に半導体集積回路におけるパリテ
ィ発生回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a parity generation circuit in an electronic circuit, particularly a semiconductor integrated circuit.
〈従来の技術〉
パリティピットをデータビット列に付加して電子回路シ
ステム装置の信頼性を向上せしめる手法は従来より広く
用いられている。<Prior Art> A method of adding parity pits to a data bit string to improve the reliability of electronic circuit systems has been widely used.
表1は4ビットのデータ(Do、D、、D2.D、)の
データ列に対する奇パリティ(Po)および偶パリティ
(Pe )の真理値表であり、必要に応じてPotたは
Peが4ビットデータ列に付加されこれらのパリティピ
ットを発生させる回路の従来例を第9図、第1O図に示
す。即ち、第9図および第10図はNチャネルMO5I
−ランジスタを用−たパリティ発生回路である。第9図
および第1O図の回路においてDi 、Di(i=0〜
3)は互に相補なるデータ入力信号であり、第9図は奇
パリティ発生回路(奇パリティ出力PO)、第1O図は
偶パリティ発生回路(偶パリティ出力Pe)である。Table 1 is a truth table of odd parity (Po) and even parity (Pe) for a data string of 4-bit data (Do, D,, D2.D,). Conventional examples of circuits that are added to bit data strings and generate these parity pits are shown in FIGS. 9 and 1O. That is, FIGS. 9 and 10 show N-channel MO5I
-A parity generation circuit using transistors. In the circuits of FIG. 9 and FIG. 1O, Di, Di (i=0 to
3) are mutually complementary data input signals; FIG. 9 shows an odd parity generation circuit (odd parity output PO), and FIG. 1O shows an even parity generation circuit (even parity output Pe).
これらの回路において、負荷トランジスタ101或いは
201のドライブ能力は、データ入力信号をゲート入力
したドライブトランジスタのドライブ能力に比べて小さ
く設定する必要があるため、パリティ出力Pa或いはP
eの立上がシ速度が立下がり速度より遅くなるという問
題を有している。In these circuits, the drive ability of the load transistor 101 or 201 needs to be set smaller than the drive ability of the drive transistor whose gate inputs the data input signal, so the parity output Pa or P
The problem is that the rising speed of e is slower than the falling speed.
この問題を解決し、さらに消費電流の低減を可能にする
CMO5構成のパリティ発生回路を第L”1図および第
12図に示す。これらの回路も第9図第10図と同様に
Di 、Di (i−0〜3)は互に相補なるデータ入
力信号であり、第11図は奇パリティ発生回路、第12
図は偶パリティ発生回路である。A parity generation circuit with a CMO5 configuration that solves this problem and further reduces current consumption is shown in FIG. (i-0 to 3) are mutually complementary data input signals, and FIG. 11 shows an odd parity generation circuit,
The figure shows an even parity generation circuit.
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記第11図及び第12図に示したパリティ発生回路に
て、パリティ出力の立上がり速度が立下がり速度より遅
くなると^う問題は解決され、更に消費電流の低減を可
能にしfcoところがこのパリティ発生回路を集積回路
装置に適用すると、互いに相補なるデータ入力信号線が
パリティ発生回路に集中するために配線が複雑になるこ
とと、トランジスタの接続関係を決定する論理構成が複
雑になることとにより、論理分割、つまりレイアウトパ
ターン上の分散配置が困難となり、パリティ発生回路部
のレイアウトパターンが非常に煩雑となるという問題が
ある。これは、データ長が長くなるほど著しl/’i。<Problems to be Solved by the Invention> The parity generation circuit shown in FIGS. 11 and 12 above solves the problem that the rising speed of the parity output is slower than the falling speed, and further reduces current consumption. However, when this parity generation circuit is applied to an integrated circuit device, the wiring becomes complicated because mutually complementary data input signal lines are concentrated in the parity generation circuit, and the logic that determines the connection relationship of transistors becomes complicated. Due to the complicated configuration, logical division, that is, distributed arrangement on a layout pattern becomes difficult, resulting in a problem that the layout pattern of the parity generation circuit section becomes extremely complicated. This becomes more noticeable as the data length increases.
く問題点を解決するための手段〉
未発明は上述する問題を解決する念めになさh、たもの
で、簡素化された回路構成を有するパリティ発生回路を
提供するものである。Means for Solving the Problems> The present invention has been made with the aim of solving the above-mentioned problems, and provides a parity generation circuit having a simplified circuit configuration.
本発明は、単一の入力電極、単一の出力電極。The present invention uses a single input electrode, a single output electrode.
および単一あるbは複数の制御電極を有し、該制御電極
に与えられる制御情報によって入力電極情報を出力電極
に伝達し、あるrは遮断する機能を有する回路手段を構
成要素とし、第1の入力端子と第1の出力端子間に上記
第1の回路手段を接続し、第2の入力端子と第2の出力
端子間に上記第2の回路手段を接続し、第1の入力端子
と第2の出力端子間に上記第3の回路手段を接続し、第
2の入力端子と第1の出力端子間に上記第4の回路手段
を接続し、第1および@2の回路手段が伝達状態のとき
は第3および第4の回路手段が遮断状態となり、また第
1および第2の回路手段が遮断状態のときは第3および
第4の回路手段が伝達状態となるように、互に相補なる
データ信号がそれぞれの回路手段の制御電極に入力され
た回路単位を、n段(ロ:正の整数)直列接読されて成
るパリティ発生回路を提供するものである。and a single b has a plurality of control electrodes, and a circuit means having a function of transmitting input electrode information to an output electrode according to control information given to the control electrode, and a circuit means having a function of interrupting a single r, as a component; The first circuit means is connected between the input terminal and the first output terminal, the second circuit means is connected between the second input terminal and the second output terminal, and the second circuit means is connected between the first input terminal and the second output terminal. The third circuit means is connected between the second output terminal, the fourth circuit means is connected between the second input terminal and the first output terminal, and the first and @2 circuit means are connected to each other. such that when the first and second circuit means are in the disconnected state, the third and fourth circuit means are in the disconnected state, and when the first and second circuit means are in the disconnected state, the third and fourth circuit means are in the transmitting state. A parity generation circuit is provided in which n stages (b: positive integer) of circuit units in which complementary data signals are input to control electrodes of respective circuit means are directly read in series.
く作 用〉
大発明により、高速で且つ簡素な論理構成が実現できる
ため、このパリティ発生回路を集積回路帖
装置に適用すると、レイアウト上の分散装置が可能にな
る上、チップ上におけるパリティ発生回路の占有面積を
小さくすることが可能になる。Thanks to the great invention, a high-speed and simple logic configuration can be realized. If this parity generation circuit is applied to an integrated circuit device, it becomes possible to distribute the device in the layout, and the parity generation circuit on the chip can be realized. It becomes possible to reduce the area occupied by the
〈実施例〉
第1図は未発明によるパリティ発生回路の第1の実施例
である。502..508,504,505は回路手段
であシ、それぞれ制御入力電極506.507,508
,509を有して、その制御信号の極性によって該回路
手段の入出力端子間の導通、非導通を制御し得るもので
ある。<Embodiment> FIG. 1 shows a first embodiment of a parity generation circuit according to the invention. 502. .. 508, 504, 505 are circuit means, control input electrodes 506, 507, 508, respectively.
, 509, and conduction or non-conduction between the input and output terminals of the circuit means can be controlled by the polarity of the control signal.
本実施例におAでは便宜上、論理°“l″の制御入力に
対し上記回路手段が導通状態となり、また論理″′O″
の制御入力に対しては非導通状態になるものとする。In this embodiment, for convenience, in A, the circuit means is in a conductive state in response to a control input of logic "1", and logic "'O"
It shall be in a non-conducting state with respect to the control input.
第1の回路手段502は第1の入力端子510及び第1
の出力端子512間に接続され、第2の回路手段503
は第2の入力端子513及び第2の出力端子514間に
接続され、第3の回路手段504は第1の入力端子51
0及び第2の出力端子514間に接続され、第4の回路
手段505は第2の入力端子513及び第1の出力端子
512間に接続されて、ひとつめ回路単位501が構成
される。なお回路手段502及び503の制御入力電極
506,507にはデータ入力信号り。が入力され、ま
た回路手段504及び505の制御入力型1508,5
09にはDoと相補なるデータ入力信号り、が入力され
る。The first circuit means 502 has a first input terminal 510 and a first
The second circuit means 503 is connected between the output terminals 512 of the
is connected between the second input terminal 513 and the second output terminal 514, and the third circuit means 504 is connected between the first input terminal 51
0 and the second output terminal 514, and the fourth circuit means 505 is connected between the second input terminal 513 and the first output terminal 512, forming a first circuit unit 501. Note that the control input electrodes 506 and 507 of the circuit means 502 and 503 receive data input signals. is input, and the control input type 1508,5 of the circuit means 504 and 505
A data input signal complementary to Do is input to 09.
本実施例では、この回路単位501を4段直列に接続し
た場合が示されており、第2段〜第4段目の回路単位へ
は、それぞれ対応する相補なるデータ入力信号Di、D
i(i=1〜3)が第1段目と同様な入力方法で接続さ
れている。第1段目の入力端子510は電源電位Vcc
(論理“l”に相当)に接続され、また第2の入力端
子5】3は接地電位(論理″0”に相当)に接続される
。In this embodiment, a case is shown in which four stages of the circuit units 501 are connected in series, and corresponding complementary data input signals Di, D are supplied to the second to fourth stage circuit units.
i (i=1 to 3) are connected using the same input method as in the first stage. The input terminal 510 of the first stage is connected to the power supply potential Vcc.
(corresponding to logic "1"), and the second input terminal 5]3 is connected to ground potential (corresponding to logic "0").
パリティ出力は4段目の回路単位の第1の出力端子51
5より奇パリティ出力Poが:また第2の出力端子51
6より偶パリティ出力Peが、それぞれデータ入力信号
の真理値(表1)に従って出力される。The parity output is the first output terminal 51 of the fourth stage circuit unit.
Parity output Po odder than 5: Also second output terminal 51
6, the even parity output Pe is output according to the truth value (Table 1) of the data input signal, respectively.
次に未実施例における動作について詳述する。Next, the operation in an unimplemented example will be described in detail.
第1段目の回路単位501に着目すると、第1の入力端
子が電源電位VCCに接続され、また第2の入力端子5
13が接地電位に接続されているため、第1のデータ入
力信号が論理″1”(Do””1’、Do=”O”)の
場合は1回路手段502及び503が導通になり1回路
手段504及び505が非導通になるため、第1の出力
端子512には第1の入力端子情報″1′が出力され、
同、様に第2の出力端子514には第2の入力端子情報
゛0”が出力される。Focusing on the first stage circuit unit 501, the first input terminal is connected to the power supply potential VCC, and the second input terminal 501 is connected to the power supply potential VCC.
13 is connected to the ground potential, so when the first data input signal is logic "1"(Do""1",Do="O"), the one circuit means 502 and 503 become conductive and the one circuit is activated. Since the means 504 and 505 become non-conductive, the first input terminal information "1" is output to the first output terminal 512,
Similarly, second input terminal information "0" is output to the second output terminal 514.
逆に第1のデータ入力信号が論理゛0’CD。Conversely, the first data input signal is logic ``0''CD.
= II Q n 、 D0= II l″)の場合は
1回路手段502及び503が非導通になり1回路手段
504.505が導通になるため、第1の出力端子51
2には第1の入力端子情報と逆の情報″l011が出力
され、同様に第2の出力端子514には第2の入力端子
情報と逆の情報″1”が出力される。= II Q n , D0 = II l″), the one-circuit means 502 and 503 are non-conductive and the one-circuit means 504 and 505 are conductive, so that the first output terminal 51
Information "1011" which is the opposite of the first input terminal information is output to the terminal 2, and similarly, information "1" which is the opposite of the second input terminal information is output to the second output terminal 514.
つまシデータ入力信号の論理が′l″の場合は入力情報
がそのまま次段に伝達され、またデータ入力信号の論理
が′″0′の場合は入力情報と逆の情報が次段に伝達さ
れることになる。If the logic of the data input signal is ``l'', the input information is transmitted to the next stage as is, and if the logic of the data input signal is ``0'', information opposite to the input information is transmitted to the next stage. It turns out.
未実施例では回路単位501の4段接続例であり、従っ
てデータ長4ビットのパリティ発生が可能である。In the non-embodiment, the circuit unit 501 is connected in four stages, and therefore it is possible to generate a parity with a data length of 4 bits.
未実施例においてパリティ情報が発生される理由は1次
の通りである。The reason why parity information is generated in the non-embodiment is as follows.
(1) データ入力信号り。−D3の中で論理“°l
”の数が偶数の場合、未実施例では4ビットのデータ長
であるため論理″0″の数も偶数となっている。従って
偶数回のデータ反転が発生し、結局終段の出力端子には
初段の入力端子と同一の情報が出力される。(Po=”
l”、Pew”O″)(2) データ入力信号D0〜
D3の中で論理″171の数が奇数の場合、この場合に
は論理”0”の数も奇数となっている。従って奇数回の
データ反転が発生し、結局終段の出力端子には初段の入
力端子と逆の情報が出力される。(Po=+Io n
、 pe−tt s′)
上記のように、未発明によれば非常に簡素な回路構成に
てパリティ発生回路を実現でき、特にデータ長が長くな
った場合においても直列接続される回路単位0)数を増
すだけで対応できるために。(1) Data input signal. −Logic “°l” in D3
If the number of ``0'' is an even number, the number of logic ``0'' is also an even number because the data length is 4 bits in the unimplemented example. Therefore, an even number of data inversions occur, and eventually the output terminal of the final stage is output. The same information as the input terminal of the first stage is output. (Po=”
l”, Pew”O”) (2) Data input signal D0~
When the number of logic ``171'' in D3 is odd, in this case the number of logic ``0'' is also odd. Therefore, an odd number of data inversions occur, and in the end, the output terminal of the final stage is connected to the first stage. Information opposite to the input terminal of is output. (Po=+Ion
, pe-tt s') As mentioned above, according to the invention, a parity generation circuit can be realized with a very simple circuit configuration, and even when the data length becomes long, the circuit units connected in series can be realized. In order to be able to respond simply by increasing the number.
複雑な論理ゲートが不要となる。No need for complex logic gates.
未発明は上記特長により、特に集積回路装置内部にパリ
ティ発生回路を内蔵する場合には非常に有効であり、高
集積化に適している。Due to the above-mentioned features, the present invention is very effective particularly when a parity generation circuit is built into an integrated circuit device, and is suitable for high integration.
次に未発明を集積回路内部のパリティ発生回路に適用し
た場合における実施例を示す。即ち、第2図は半導体メ
モリ素子の内部に未発明を適用した第2の実施例である
。Next, an embodiment will be described in which the invention is applied to a parity generation circuit inside an integrated circuit. That is, FIG. 2 shows a second embodiment in which the invention is applied inside a semiconductor memory device.
この実施例においては8ビット並列入出力およびパリテ
ィピットを持つメモリ素子を想定しており、M、)−M
、はその中の特定のビットをアクセスする手段を有する
メモリサブアレイである。This example assumes a memory element with 8-bit parallel input/output and parity pits, M, )-M
, is a memory subarray having means for accessing particular bits therein.
l10Q〜l107は各サブプレイ情報のデータの入出
力を制御する定めの制御手段であり、それぞれ個々のメ
モリサブアレイに対応して存在してカる。110Q to 1107 are predetermined control means for controlling input/output of data of each sub-play information, and exist corresponding to each individual memory sub-array.
Qo−Qyは未発明による上記回路単位であり。Qo-Qy is the above-mentioned circuit unit which is not yet invented.
初段Q。の第1の入力端子601は電源電位Vcc(論
理”1’ )に接続され、第2の入力端子602は接地
電位(論理“°0”)に接続される。第2段以降の上記
回路単位はそれぞれ2木の情報伝送線により第1図に示
した第1の実施例の如く接続されており、最終段Q7の
第1の出力端子には奇パリティが、また第2の出力端子
には偶パリティが出力される。また個々の上記回路単位
はそf−Lそれに対応する制御手段より相補なるデータ
信号Di、Di (i=0〜7)が入力されている。Shodan Q. The first input terminal 601 of the circuit unit is connected to the power supply potential Vcc (logic "1'"), and the second input terminal 602 is connected to the ground potential (logic "°0"). are respectively connected by two trees of information transmission lines as in the first embodiment shown in FIG. Even parity is output.Furthermore, complementary data signals Di, Di (i=0 to 7) are inputted to each of the above circuit units from the control means corresponding to each circuit unit.
末弟2の実施例によれば、各回路単位をそれぞれ対応す
る制御手段に近接して配置することができ、しかも各回
路単位間は2太の情報伝送線のみで接続が可能になるた
め、集積回路上で非常に面積効率の良い配線が可能にな
る。According to the embodiment of the youngest brother 2, each circuit unit can be placed close to its corresponding control means, and each circuit unit can be connected with only a 2-thick information transmission line, so that integration is possible. This enables extremely area-efficient wiring on the circuit.
上記第1.第2の実施例に於カて、回路単位を偶数段設
けて行なったが、未発明はこれに限定されるものではな
い。即ち、初段の回路単位の第1の入力端子に論理レベ
ル″1’の電位情報分、第2の入力端子に論理レベル°
°0″の電位情報を与えた時、回路単位が偶数段の場合
、終段の回路単位の第1の出力端子より奇パリティ出力
が、また第2の出力端子より偶パリティ出力が発生する
。Above 1. In the second embodiment, an even number of circuit units is provided, but the present invention is not limited to this. That is, the first input terminal of the circuit unit of the first stage receives the potential information of logic level "1", and the second input terminal receives the logic level "°".
When applying potential information of 0'', if the circuit unit is an even number of stages, an odd parity output is generated from the first output terminal of the final stage circuit unit, and an even parity output is generated from the second output terminal.
一方1回路単位が奇数段の場合、終段の回路単位の第1
の出力端子より偶パリティ出力が、まt第2の出力端子
より奇パリティ出力が発生する。On the other hand, if one circuit unit has an odd number of stages, the first
An even parity output is generated from the second output terminal, and an odd parity output is generated from the second output terminal.
ここで上記回路単位の構成要素である回路手段として種
々の回路構成が考えられる。Here, various circuit configurations can be considered as the circuit means which is a component of the above-mentioned circuit unit.
第3図はNチャネルMOSトランジスタを上記回路手段
として適用した場合の構成要素であり、ソース7’OI
は入力電極、ドレイン702は出力電極、ゲート703
はj+i制御電極として機能させる。FIG. 3 shows the components when an N-channel MOS transistor is applied as the circuit means, and the source 7'OI
is the input electrode, the drain 702 is the output electrode, and the gate 703
is made to function as a j+i control electrode.
第4図に、このMOSトランジスタを回路手段とした場
合の第3の実施例を示す。第4図における回路動作は第
1図における第1の実施例とほぼ同様である。FIG. 4 shows a third embodiment in which this MOS transistor is used as circuit means. The circuit operation in FIG. 4 is almost the same as the first embodiment shown in FIG.
第5図は、NチャネルMO5)ランジスタ801のソー
スとPチャネルMOSトランジスタ802のソースを共
通接続して入力電極803とし、ま念NチャネルMO5
)ランジスタ801のドレインとPチャネルMO5I−
ランジスタのドレインを共通接続して出力電極804と
し、NチャネルM OS トランジスタ801のゲート
を第1の制御電極805とし、ま念PチャネルMOSト
ランジスタ802のゲートを第2の制御電極806とし
て上記回路手段を構成した場合の構成要素であり第6図
にこの回路手段を用l/−また場合の第4の実施例を示
す。第6図における回路動作も第1図における第1の実
施例とほぼ同様である。In FIG. 5, the source of an N-channel MOS transistor 801 and the source of a P-channel MOS transistor 802 are commonly connected to form an input electrode 803.
) drain of transistor 801 and P channel MO5I-
The drains of the transistors are commonly connected as an output electrode 804, the gate of the N-channel MOS transistor 801 is used as the first control electrode 805, and the gate of the P-channel MOS transistor 802 is used as the second control electrode 806. FIG. 6 shows a fourth embodiment in which this circuit means is used. The circuit operation in FIG. 6 is also substantially the same as that in the first embodiment shown in FIG.
さらに上記回路手段として第7図に示すトライステート
バッファ回路を用いることも可能である。Furthermore, it is also possible to use a tri-state buffer circuit shown in FIG. 7 as the circuit means.
この場合は901が入力電極、902が出力電極。In this case, 901 is the input electrode and 902 is the output electrode.
903が制御電極として機能し、制御電極903が論理
+1171の場合は出力電極902は入力電極901と
同じ論理が出力され、また制御電極903が論理′°0
”の場合は出力電極902は高インピーダンスになる。903 functions as a control electrode, and when the control electrode 903 has logic +1171, the output electrode 902 outputs the same logic as the input electrode 901, and the control electrode 903 has logic 0
”, the output electrode 902 becomes high impedance.
この回路を第1図における構成要素として用−ることに
より同様な機能を有するパリティ発生回路が実現できる
。By using this circuit as a component in FIG. 1, a parity generation circuit having a similar function can be realized.
さらに第1図の@1の実施例の変形として、制御信号で
あるデータ入力信号Di、Di(i=0〜3)の極性を
逆転させた第8図に示す第5の実施例も可能である。回
路動作も第1図とほぼ同様である。Furthermore, as a modification of the embodiment @1 in FIG. 1, a fifth embodiment shown in FIG. 8 is also possible in which the polarities of the data input signals Di and Di (i=0 to 3), which are control signals, are reversed. be. The circuit operation is also almost the same as in FIG.
その他にも種々の実施例が可能であり、ここで引用され
た回路は実施例の一部にすぎない。Various other embodiments are possible, and the circuits cited here are only some of the embodiments.
〈発明の効果〉
本発明により、非常に簡潔な回路構成にてパリティ発生
回路を実現でき、特にデータ長が長くなつ之場合におい
ても、直列接続される回路単位の数を増すだけで対応で
きるため、複雑な論理ゲートが不要となる。<Effects of the Invention> According to the present invention, a parity generation circuit can be realized with a very simple circuit configuration, and even when the data length becomes long, it can be handled simply by increasing the number of circuit units connected in series. , no need for complex logic gates.
し念がって、パリティ発生回路を集積回路に内蔵する際
1本発明は非常に有効であシ、集積回路装置の高集積化
に寄与し得るものである。In view of this, the present invention is very effective when incorporating a parity generation circuit into an integrated circuit, and can contribute to higher integration of integrated circuit devices.
第1図は未発明による第1の実施例を示すブロック図、
第2図は未発明を半導体メモリ素子に適用した第2の実
施例を示すブロック図、第3図。
第5図及び第7図は未発明によるパリティ発生回路の構
成要素例を示す図、第4図及び第6図は本発明による第
3及び第4の実施例を示す回路図、第8図は未発明によ
る第5の実施例を示すブロック図、第9図〜第12図は
従来のパリティビット発生回路図である。
Po:奇パリティ出力、Pe:偶パリティ出力。
Di 、Di (i=0〜3):相補なるデータ入力信
号、501:回路単位、502゜503,504゜50
5=回路手段。
代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)′#511
1に711il
yccDo I> [)2
r:hM℃
1iり9 図FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment according to the invention,
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment in which the invention is applied to a semiconductor memory device, and FIG. 5 and 7 are diagrams showing examples of the components of a parity generation circuit according to the invention, FIGS. 4 and 6 are circuit diagrams showing third and fourth embodiments of the invention, and FIG. A block diagram showing a fifth embodiment according to the invention, and FIGS. 9 to 12 are conventional parity bit generation circuit diagrams. Po: Odd parity output, Pe: Even parity output. Di, Di (i=0 to 3): Complementary data input signal, 501: Circuit unit, 502°503, 504°50
5 = circuit means. Agent Patent attorney Takeshi Sugiyama (and 1 other person)'#511 1 to 711il yccDo I> [)2
r: hM℃ 1i 9 Figure
Claims (1)
を有する回路手段を要素とし、 前記回路手段からなる第1、第2、第3及び第4の回路
手段は、上記制御電極に与えられるデータ信号及びその
反転信号により制御され、第1及び第2の回路手段が伝
達状態のときは第3及び第4の回路手段が遮断状態とな
り、第1及び第2の回路手段が遮断状態のときは第3及
び第4の回路手段が伝達状態となるよう接続されて回路
単位を形成し、 該回路単位が、少なくともデータ信号のビット数と同数
直列接続されてなることを特徴とするパリティ発生回路
。 2)前記回路手段は1個のMOSトランジスタからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパリティ
発生回路。 3)前記回路手段は、ソースとソース、ドレインとドレ
インが互いに接続されたPMOSトランジスタとNMO
Sトランジスタからなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のパリティ発生回路。 4)前記各回路単位の制御電極に与えられる信号は1ビ
ットのデータ信号線及びその反転信号線の2本からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパリティ
発生回路。[Claims] 1. A circuit means having a single input electrode, a single output electrode, and a control electrode is an element, and first, second, third, and fourth circuit means consisting of the circuit means The circuit means is controlled by a data signal applied to the control electrode and its inverted signal, and when the first and second circuit means are in a transmitting state, the third and fourth circuit means are in a disconnecting state, and the first and second circuit means are in a disconnecting state. When the second circuit means is in the cut-off state, the third and fourth circuit means are connected in a transmitting state to form a circuit unit, and the circuit units are connected in series at least as many times as the number of bits of the data signal. A parity generation circuit characterized by: 2) The parity generation circuit according to claim 1, wherein said circuit means comprises one MOS transistor. 3) The circuit means includes a PMOS transistor and an NMO transistor whose sources and drains are connected to each other.
2. The parity generation circuit according to claim 1, wherein the parity generation circuit comprises an S transistor. 4) The parity generation circuit according to claim 1, wherein the signal applied to the control electrode of each circuit unit consists of two lines: a 1-bit data signal line and its inverted signal line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61300676A JPS63153645A (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Parity generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61300676A JPS63153645A (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Parity generating circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63153645A true JPS63153645A (en) | 1988-06-27 |
Family
ID=17887731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61300676A Pending JPS63153645A (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Parity generating circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63153645A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013009314A (en) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61300676A patent/JPS63153645A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013009314A (en) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
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