JPS63146451A - 配線パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板上への微細配線パターン形成方
法、特に、エアブリッジの形成方法に関するものである
。

（従来の技術） 第２図（ａ）〜（ｈ）は、従来の半導体基板上への橋状
の立体的金属微細配線パターン（エアブリッジ）形成方
法の一例の主要製造工程順序を示す要部破断断面図で、
以下、これを用いて従来の方法を説明する。

第２図において、ｌは半導体基板、２及び２２はそれぞ
れ第１／第２のフォトレジスト層。

３はめっき給電金属層、４はめっき金属層である。

次に製造工程順序について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上に第
１のフォトレジスト２を塗布・バターニングし、次に、
航記フォトレジストパターン上に、蒸着又はスパッタリ
ングによって、めっき給電金属層３を形成する（第２図
（ｂ））、続いて第２のフォトレジスト２２を塗布（第
２図（Ｃ））、バターニングし、第２図（ｄ）に示すよ
うな橋状の立体的なレジストぬき部分を形成する。

次に、電解めっきを行って前記レジストぬき部分にのみ
選択的にめっき金属層４を成長させ（第２図（ｅ））、
その後、第２のフォトレジスト層２２の除去、めっき給
電金属層３の不要部分、第１のフォトレジスト層２の除
去を順次行い（第２図（ｆ）〜（ｈ））、エアブリッジ
を得るようなパターン形式方法が行われていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、以上のような従来の微細配線パターン形
成方法によると、電解めっき後、めっき給電金属３の不
要部分のエツチングを行う工程（第２図（ｇ））におい
て、めっき金属層４表面もエツチングされ１口減りや表
面荒れを生ずる。

特に、ライン幅が１〜２μｍの微細エアブリッジにおい
ては、上記めっき金属層４の目減りや表面荒れ配線の外
観のみならず、強度にも悪影響を与えるなどの問題点が
あった。

この発明は、上記の様な従来方法の問題点にかんがみて
なされたもので、外観が良好でかつ目的としている強度
の安定した微細エアブリッジを再現性良く得る方法を提
供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため、この発明に係る微細配線パターン形成方法に
おいては電解めっき工程、第２のフォトレジスト除去工
程の次に、めっき金属層部分を被覆する様な第３のフォ
トレジストパターンを形成し、その後、めっき給電層不
要部分のエツチング除去を行う様にすることにより、前
記目的を達成しようとするものである。

〔作用〕

以上のようなこの発明方法によれば、めっき金属層部分
を選択的に被覆するように形成した第３フオトレジスト
パターンは、めっき給電層不要部分のエツチング除去工
程におけるめっき金属層表面のエツチングにより目減り
や表面の荒れ等を防ぐことができる。

（実施例〕 以下に、この発明を、実施例に基づいて説明する。

第１図（ａ）〜（ｆ）は、この発明の一実施例の微細配
線パターン形成方法における主要製造工程順序を示す要
部の各破断断面図で、前記従来例第２図（ａ）〜（ｈ）
におけると同一（相当）構成要素は同一記号で表す。１
は半導体基板、２及び２２２は、それぞれ第１７第３フ
オトレジスト層、３はめっき給電金属層、４はめっき金
属層である。

第１ｒＡ（ａ）は、第２図（ｆ）と同様の工程状態を示
し、この実施例方法においては、この状態の後、第１図
（ｂ）に対ように、第３のフォトレジスト２２２を塗布
バターニングし、めっき金属層４部分を選択的に被覆す
る。次に、第１図（Ｃ）のように、めっき給電金属層３
の不要部分をエツチング除去し、続いて第１のフォトレ
ジスト層２を除去して、第１図（ｄ）にその外観を示す
ようなエアブリッジを得るようにしたものであり、第１
図（ｃ）におけるめっき給電金属層３の不要部分除去の
ためのエツチングの際、めっき金属層４は、表面液Ｔｆ
１／保護されているため、エツチングによる悪影響を受
けることがない。この効果は、例えば、ライン幅が１〜
２μｍ程度の微細なエアブリッジを形成する場合に特に
効果的である。

〔発明の効果〕

以ｔ、説明したようにこの発明、によれば、めっき給電
金属層の不要部分をエツチング除去を行う工程において
、めっき金属層表面のエツチングを防止でき、外観が良
好で、かつ強度の安定した工アブリッジを再現性良く得
られる効果がある。

第１図（ａ）〜←瞬は、この発明の一実施例の微細配線
パターン形成方法における主要製造工程順序を示す要部
各破断断面図、第２図（ａ）〜（ｈ）は、従来法の一例
の製造工程順序を示す要部各破断断面図である。

１：半導体基板 ２．２２，２２２：第１／第２／第３フオトレジスト層 ３：めっき給電金属層 ４：めっき金属層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板表面にエアブリッジを形成する工程において
   、半導体基板表面に第１のフォトレジスト層を塗布形成
   する工程と、写真製版によりエアブリッジの橋桁がくる
   位置にぬき部分を有する前記第１のフォトレジストのパ
   ターンを形成する工程と、前記形成されたパターン上に
   蒸着又はスパッタリングによりめっき給電金属層を形成
   する工程と、前記めっき給電金属層上に第２のフォトレ
   ジスト層を塗布形成する工程と、前記第１のフォトレジ
   ストのぬきパターン部分の少くとも２つを線状に結ぶ範
   囲がぬき部分となった前記第２のフォトレジストのパタ
   ーンを写真製版により形成する工程と、前記第２のフォ
   トレジストパターンをマスクとして電解めっきを行う工
   程と、前記第２のフォトレジストを除去する工程と、第
   ３のフォトレジスト層を塗布形成し、写真製版によりめ
   っきパターンのある部分にのみ前記第３のフォトレジス
   ト層を残す工程と、前記めっき給電金属の不要部分層を
   エッチング除去する工程と、第１のフォトレジスト層を
   除去してエアブリッジを得る工程とを含むことを特徴と
   する配線パターン形成方法。