JPS63143262A - 長尺物の成膜方法および成膜装置 - Google Patents
長尺物の成膜方法および成膜装置Info
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- JPS63143262A JPS63143262A JP28989986A JP28989986A JPS63143262A JP S63143262 A JPS63143262 A JP S63143262A JP 28989986 A JP28989986 A JP 28989986A JP 28989986 A JP28989986 A JP 28989986A JP S63143262 A JPS63143262 A JP S63143262A
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、長尺物の成膜方法および成膜装置に関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
上記のような成膜方法としては、真空容器内で膜材料を
蒸発源から蒸発させ、その蒸発物をそのまま被処理物の
表面に蒸着させる真空蒸着法や、膜材料の蒸発物を正イ
オン化し、この蒸発物を、負の電圧が印加された被処理
物の表面に付着させろイオンブレーティング法等が知ら
れている。いずれの方法においても、真空容器内に彼剋
理物を設置し、蒸発源から膜材料を蒸発させることにお
いては共通である。
蒸発源から蒸発させ、その蒸発物をそのまま被処理物の
表面に蒸着させる真空蒸着法や、膜材料の蒸発物を正イ
オン化し、この蒸発物を、負の電圧が印加された被処理
物の表面に付着させろイオンブレーティング法等が知ら
れている。いずれの方法においても、真空容器内に彼剋
理物を設置し、蒸発源から膜材料を蒸発させることにお
いては共通である。
ところで、これらの方法においては、通常被処理物に対
して蒸発源は一個でまがなっているが、被処理物が長尺
な場合は、蒸発物が被処理物の表面全体にいきわたらな
い場合があるため、被処理物の長手方向に10って適数
個の蒸発源を設置し、これらの蒸発源から被処理物の表
面全体に蒸発物がいきわたるようにする方法がとられて
いる。
して蒸発源は一個でまがなっているが、被処理物が長尺
な場合は、蒸発物が被処理物の表面全体にいきわたらな
い場合があるため、被処理物の長手方向に10って適数
個の蒸発源を設置し、これらの蒸発源から被処理物の表
面全体に蒸発物がいきわたるようにする方法がとられて
いる。
このような方法を実施する装置としては、第7図に示す
ようなものがある。この装置は、真空容器1内の上方に
被処理物W(この場合長尺円筒状のもの)を水平かつ軸
回りに回転自在に支持し、この被処理物Wの直下に、被
処理物Wの長手方向に沿って等間隔に電子銃を備えた蒸
発源2を複数個並べたものである。
ようなものがある。この装置は、真空容器1内の上方に
被処理物W(この場合長尺円筒状のもの)を水平かつ軸
回りに回転自在に支持し、この被処理物Wの直下に、被
処理物Wの長手方向に沿って等間隔に電子銃を備えた蒸
発源2を複数個並べたものである。
この装置は、電子銃から電子ビームを膜材料に照射する
ことにより、蒸発源2から膜材料Pを蒸発させると同時
に、被処理物Wを回転させて、膜材料Pの蒸気を被処理
物Wの表面全体に蒸着して皮膜を形成するものである。
ことにより、蒸発源2から膜材料Pを蒸発させると同時
に、被処理物Wを回転させて、膜材料Pの蒸気を被処理
物Wの表面全体に蒸着して皮膜を形成するものである。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、上記装置により成膜した場合、被処理物Wの
表面に形成された皮膜の膜厚分布が、蒸発源2に最も近
い蒸発源2の直上部分を中心として、両側にいくにした
がい薄くなる傾向があることが判明した。
表面に形成された皮膜の膜厚分布が、蒸発源2に最も近
い蒸発源2の直上部分を中心として、両側にいくにした
がい薄くなる傾向があることが判明した。
このため、膜厚分布の均一性を向上さけるには、各蒸発
源2の間隔を狭くして、多数の蒸発源2を並べるか、あ
るいは、各蒸発源2の間隔と、膜材料Pの蒸発量の相互
のバランス(蒸発比率)を制御するか、いずれかの手段
をとる必要があった。
源2の間隔を狭くして、多数の蒸発源2を並べるか、あ
るいは、各蒸発源2の間隔と、膜材料Pの蒸発量の相互
のバランス(蒸発比率)を制御するか、いずれかの手段
をとる必要があった。
しかし、前者は、蒸発源2を多く設置するためコスト高
であり、後者は制御が難しいという問題があった。
であり、後者は制御が難しいという問題があった。
また、蒸発源2の電子銃から照射する電子ビームは、磁
界の作用によって膜材料Pに照射するようにされている
が、蒸発源2どうしが近すぎると、磁界が互いに干渉し
て電子ビームが的確に膜材料Pに照射しない場合があっ
た。また、これと同様に池のパラメータも相互干渉する
ことにより、操業の複雑化をきたし、さらに、これらの
要素により、処理時間が長い場合にはトラブルが発生し
ゃすかった。
界の作用によって膜材料Pに照射するようにされている
が、蒸発源2どうしが近すぎると、磁界が互いに干渉し
て電子ビームが的確に膜材料Pに照射しない場合があっ
た。また、これと同様に池のパラメータも相互干渉する
ことにより、操業の複雑化をきたし、さらに、これらの
要素により、処理時間が長い場合にはトラブルが発生し
ゃすかった。
さらに、蒸発源2は固定設置されているため、被処理物
Wの長さか任意に変わると、それぞれの蒸発源2の蒸発
量をそのつど調節する、すなわち、蒸発比率の計算を被
処理物の長さに合わせて行なう必要があった。しかし、
被処理物Wの長さによっては分布を均一にするには非常
に困錐な場合があった。
Wの長さか任意に変わると、それぞれの蒸発源2の蒸発
量をそのつど調節する、すなわち、蒸発比率の計算を被
処理物の長さに合わせて行なう必要があった。しかし、
被処理物Wの長さによっては分布を均一にするには非常
に困錐な場合があった。
一問題点を解決するための手段]
本発明の長尺物の成膜方法は、第1の工程として、膜材
料を蒸発させる蒸発源を前記被処理物に沿って移動させ
ることにより被処理物に蒸発物を蒸着させ、第2の工程
として、第1の工程で形成された皮膜の被処理物の長手
方向の膜厚分布を検出し、この検出結果にもとづいて、
蒸発源の移動速度を制御しながら次の成膜を行なうよう
にしたことを特徴としている。
料を蒸発させる蒸発源を前記被処理物に沿って移動させ
ることにより被処理物に蒸発物を蒸着させ、第2の工程
として、第1の工程で形成された皮膜の被処理物の長手
方向の膜厚分布を検出し、この検出結果にもとづいて、
蒸発源の移動速度を制御しながら次の成膜を行なうよう
にしたことを特徴としている。
また、本発明の長尺物の成膜装置は、被処理物に対して
二の被処理物の長平方向に移動自在に配設された蒸発源
と、この蒸発源を移動させる移動機構と、被処理物の膜
厚を検出する膜厚センサと、この膜厚センサのデータに
もとづいて被処理物の長手方向の膜厚分布を演算する演
算装置と、この演算装置の演算結果にもとづいて、前記
移動機構を制御して蒸発源の移動速度を調節する制御装
置とからなることを特徴としている。
二の被処理物の長平方向に移動自在に配設された蒸発源
と、この蒸発源を移動させる移動機構と、被処理物の膜
厚を検出する膜厚センサと、この膜厚センサのデータに
もとづいて被処理物の長手方向の膜厚分布を演算する演
算装置と、この演算装置の演算結果にもとづいて、前記
移動機構を制御して蒸発源の移動速度を調節する制御装
置とからなることを特徴としている。
[作用 ]
本発明の長尺物の成膜方法および装置によれば、まず、
第1の工程で、蒸発源を被処理物の長手方向に沿って移
動させることにより皮膜を被処理物表面に形成する。次
の第2の工程では、第1の工程で形成された皮膜の厚さ
を膜厚センサで検出し、この検出結果にもとづいて制御
装置が演算し、被処理物の長手方向の膜厚分布を推定す
る。そして、制御装置が、演算結果から求められた膜厚
分布に対応して、蒸発源の移動速度を適宜変化させる。
第1の工程で、蒸発源を被処理物の長手方向に沿って移
動させることにより皮膜を被処理物表面に形成する。次
の第2の工程では、第1の工程で形成された皮膜の厚さ
を膜厚センサで検出し、この検出結果にもとづいて制御
装置が演算し、被処理物の長手方向の膜厚分布を推定す
る。そして、制御装置が、演算結果から求められた膜厚
分布に対応して、蒸発源の移動速度を適宜変化させる。
すなわち、膜厚が薄い部分は遅く、また、厚い部分は速
くというように速度を調節する。これを繰り返すことに
より、@厚はしだいに均一化していく。
くというように速度を調節する。これを繰り返すことに
より、@厚はしだいに均一化していく。
[実施例;
以下、第1図ないし第6図を参照して本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
第1図は、本発明の成膜方法を実施し得るに好適な成膜
装置の概略構成を示す図であり、まずこの装置について
説明する。
装置の概略構成を示す図であり、まずこの装置について
説明する。
この図において符号10は真空容器であり、この容器1
0の中の上方には、長尺円筒状の被処理物Wが水平かつ
軸まわりに回転可能に支持されている。この被処理物W
の下には、蒸発源11が配置されている。この蒸発源1
1は、ふたつのルツボ12.12 と、電子銃(図示
略)とからなり、ルツボ12.12 内・に充填され
た膜材料Pに対して電子銃から電子ビームを照射するこ
とにより、膜は料Pを加熱して蒸発させるものである。
0の中の上方には、長尺円筒状の被処理物Wが水平かつ
軸まわりに回転可能に支持されている。この被処理物W
の下には、蒸発源11が配置されている。この蒸発源1
1は、ふたつのルツボ12.12 と、電子銃(図示
略)とからなり、ルツボ12.12 内・に充填され
た膜材料Pに対して電子銃から電子ビームを照射するこ
とにより、膜は料Pを加熱して蒸発させるものである。
この蒸発源11によれば、膜材料Pの蒸発状態は、蒸発
源itの上に示した実線(イ)のごとく、ふたつのルツ
ボl 2,12 を組み合わせたことにより、均一な
分布の幅が広く得られるようになっている。
源itの上に示した実線(イ)のごとく、ふたつのルツ
ボl 2,12 を組み合わせたことにより、均一な
分布の幅が広く得られるようになっている。
この蒸発源11は、真空容器lOを貢通しているダクト
13の先端に取り付けられており、このダクト13は他
端に連結された移動機構14によって、図中矢印(ロ)
で示すように、被処理物Wの長さ方向に沿って往復移動
できるようになっている。
13の先端に取り付けられており、このダクト13は他
端に連結された移動機構14によって、図中矢印(ロ)
で示すように、被処理物Wの長さ方向に沿って往復移動
できるようになっている。
ダクト13の内部には、蒸発源11に高圧電源を供給す
るケーブル15が収納されており、また、真空容器10
のダクトI3の貫通部には、シール材が装着されている
。
るケーブル15が収納されており、また、真空容器10
のダクトI3の貫通部には、シール材が装着されている
。
前記移動機構14は、駆動装置16と、この駆動装置1
6によって起動、停止および回転数が制御されるモータ
17と、ダクト13の長手方向に沿って配され減速機構
18を介してモータ17によって回転させられるボール
ねじ19とからなり、このボールねじ19に、ダクト1
3の他端に突設された板20のめねじ大がはめられてい
る。そして、モータ17が回転すると、ボールねじ19
によってその回転は直線連動に変換され、ダクト13は
被処理物Wの長手方向にそって移動し、これとともに、
蒸発源11は、真空容器10内で被処理物Wの長手方向
に沿って移動できるようになっている。
6によって起動、停止および回転数が制御されるモータ
17と、ダクト13の長手方向に沿って配され減速機構
18を介してモータ17によって回転させられるボール
ねじ19とからなり、このボールねじ19に、ダクト1
3の他端に突設された板20のめねじ大がはめられてい
る。そして、モータ17が回転すると、ボールねじ19
によってその回転は直線連動に変換され、ダクト13は
被処理物Wの長手方向にそって移動し、これとともに、
蒸発源11は、真空容器10内で被処理物Wの長手方向
に沿って移動できるようになっている。
上記構成によれば、被処理物Wを回転させながら、移動
機構14によって蒸発源11を被処理物Wに沿って移動
させると同時に、ケーブル13から蒸発源lIに高圧電
源を供給して膜材料Pを蒸発させれば、被処理物Wの表
面全体に皮膜が形成される。
機構14によって蒸発源11を被処理物Wに沿って移動
させると同時に、ケーブル13から蒸発源lIに高圧電
源を供給して膜材料Pを蒸発させれば、被処理物Wの表
面全体に皮膜が形成される。
そして、本装置においては、形成された皮膜の被処理物
Wの長手方向の膜厚分布を検出し、この結果にもとづい
て、蒸発源11の移動速度を変えて膜厚分布が均一にな
るよう移動機構14を適宜制御する機構が備えられてい
る。
Wの長手方向の膜厚分布を検出し、この結果にもとづい
て、蒸発源11の移動速度を変えて膜厚分布が均一にな
るよう移動機構14を適宜制御する機構が備えられてい
る。
この機構は、蒸着した膜材料の膜厚を検出する水晶発振
式等の膜厚センサ21・・・と、この膜厚センサ21・
・・のデータにもとづいて、被処理物Wの長手方向の膜
厚分布を演算するとともに、この演算結果にもとづいて
蒸発源11の移動速度を調節するデータ処理装置(制御
装置)22とからなっている。
式等の膜厚センサ21・・・と、この膜厚センサ21・
・・のデータにもとづいて、被処理物Wの長手方向の膜
厚分布を演算するとともに、この演算結果にもとづいて
蒸発源11の移動速度を調節するデータ処理装置(制御
装置)22とからなっている。
膜厚センサ21・・・は、真空容器10の中であって、
被処理物Wの上方近傍に被処理物Wの長子方向に沿って
等間隔に複数個(この場合5個)配置されたセンサ部2
1a・・・と、このセンサ部21a・・・の信号が入力
されるモニタ21b・・・からなるものである。この膜
厚センサ21・・・によれば、センサ部21a・・・の
直下部分における膜厚に関する情報をセンサ部21a
・・が検出し、その検出信号から各モニタ21b・・・
が、膜厚データを算出、表示するようになっている。
被処理物Wの上方近傍に被処理物Wの長子方向に沿って
等間隔に複数個(この場合5個)配置されたセンサ部2
1a・・・と、このセンサ部21a・・・の信号が入力
されるモニタ21b・・・からなるものである。この膜
厚センサ21・・・によれば、センサ部21a・・・の
直下部分における膜厚に関する情報をセンサ部21a
・・が検出し、その検出信号から各モニタ21b・・・
が、膜厚データを算出、表示するようになっている。
そして、この膜厚データは前記データ処理装置22に入
力されるとともに、このデータ処理装置22が各入力値
にもとづいて、被処理物Wの長手方向の膜厚分布を推定
演算するようになっている。
力されるとともに、このデータ処理装置22が各入力値
にもとづいて、被処理物Wの長手方向の膜厚分布を推定
演算するようになっている。
そして、このデータ処理装置22からは、演算された膜
厚分布にもとづいて、膜厚分布が被処理物Wの長子方向
に均一になるよう、蒸発源11の移動速度を適宜制御す
る信号が移動機構14の駆動装置16に送られるように
なっている。
厚分布にもとづいて、膜厚分布が被処理物Wの長子方向
に均一になるよう、蒸発源11の移動速度を適宜制御す
る信号が移動機構14の駆動装置16に送られるように
なっている。
移動速度を適宜制御するということは、膜厚が薄い部分
は遅くして蒸着速度を大きくし、また、厚い部分は速く
して蒸着速度を下げるようにすることである。
は遅くして蒸着速度を大きくし、また、厚い部分は速く
して蒸着速度を下げるようにすることである。
なお、蒸発源11の位置は、移動機構14のモータ17
に接続されたエンコーダ等の位置検出器23によって検
出され、これが電気信号に変換されてデータ処理装置2
2に送られるようになっている。データ処理装置22に
は、蒸発源11の移動範囲における位置−速度マツプが
記憶されており、これによって、データ処理装置22は
駆動装置16に対して膜厚分布に対応した速度指令信号
を出力できるようになっている。
に接続されたエンコーダ等の位置検出器23によって検
出され、これが電気信号に変換されてデータ処理装置2
2に送られるようになっている。データ処理装置22に
は、蒸発源11の移動範囲における位置−速度マツプが
記憶されており、これによって、データ処理装置22は
駆動装置16に対して膜厚分布に対応した速度指令信号
を出力できるようになっている。
次いで、上記装置の作用を、第2図の運絵順序を示すフ
ローチャートにしたがい順を追って説明する。
ローチャートにしたがい順を追って説明する。
■まず、本装置を運転する前に、予め被処理物Wの長さ
に応じた蒸発源11の移動速度パターンを求めておく必
要がある。ここでは、被処理物Wの長さが最長2000
mまでの範囲を例に説明する。
に応じた蒸発源11の移動速度パターンを求めておく必
要がある。ここでは、被処理物Wの長さが最長2000
mまでの範囲を例に説明する。
膜厚分布の度あいを次式
%式%
膜厚分布の平均値 (%)
d max ;膜厚の最大値
d m1fl:膜厚の最小値
で定義し、その値を105以内におさえる事を条件に数
値計算を行った結果、第3図に示すように、被処理物W
の長さL (mm)に応じた基本速度パターンが得られ
た。
値計算を行った結果、第3図に示すように、被処理物W
の長さL (mm)に応じた基本速度パターンが得られ
た。
速度の絶対値、vl、■、をどれ位にするかは、蒸発源
11と被処理物Wとの距離、l往復当り成膜する膜厚、
イオン化プロセスがある場合(イオンブレーティング法
による)は放電パラメータとの兼合いで決まる蒸発速度
などの諸条件によって決定される。また、第3図に示し
た速度パターンは被処理物Wの両端で適当な時間停止さ
せて補われる膜厚を重ね合わせて均一になるようなバク
ーンである。
11と被処理物Wとの距離、l往復当り成膜する膜厚、
イオン化プロセスがある場合(イオンブレーティング法
による)は放電パラメータとの兼合いで決まる蒸発速度
などの諸条件によって決定される。また、第3図に示し
た速度パターンは被処理物Wの両端で適当な時間停止さ
せて補われる膜厚を重ね合わせて均一になるようなバク
ーンである。
■移動機構14の駆動装置16を制御することにより、
上記の基本速度パターン通りに蒸発源llを1往復移動
させながら、被処理物Wの表面への蒸着を行なう(第2
図中5t−S4)。この際、蒸発源11の蒸発速度、す
なわち蒸発源11の加熱状態は一定に保ったままの状態
にしておく。
上記の基本速度パターン通りに蒸発源llを1往復移動
させながら、被処理物Wの表面への蒸着を行なう(第2
図中5t−S4)。この際、蒸発源11の蒸発速度、す
なわち蒸発源11の加熱状態は一定に保ったままの状態
にしておく。
このように蒸発源11を移動させながら蒸着させても、
蒸発源11からの蒸発量は指向性をもっており、膜厚分
布はそれらの重ね合わ什の結果であるため皮膜の膜厚分
布は完全に均一なものとはならない。その分布を次のご
とく推定する。
蒸発源11からの蒸発量は指向性をもっており、膜厚分
布はそれらの重ね合わ什の結果であるため皮膜の膜厚分
布は完全に均一なものとはならない。その分布を次のご
とく推定する。
なお、第1図においては、被処理物Wの長さは最長の2
000(mm)のものを示しているが、被処理物Wがこ
れより短い場合は、第1図における左端の膜厚センサ2
1のセンサ部21aに、その被処理物〜Vの端部を揃え
て被処理物Wを配置するようにする。
000(mm)のものを示しているが、被処理物Wがこ
れより短い場合は、第1図における左端の膜厚センサ2
1のセンサ部21aに、その被処理物〜Vの端部を揃え
て被処理物Wを配置するようにする。
■蒸発源11が1回往復してS4まで進むと、S5にて
各膜厚センサ21・・・から膜厚データがとり込まれ、
これらのデータにもとづいてデータ処理装置22が最小
2乗近似によって、被処理物Wの長さに応じた次数の近
似式を算出する。(第4図に被処理物Wの長さに応じた
膜厚データ数と近似次数を示す)。
各膜厚センサ21・・・から膜厚データがとり込まれ、
これらのデータにもとづいてデータ処理装置22が最小
2乗近似によって、被処理物Wの長さに応じた次数の近
似式を算出する。(第4図に被処理物Wの長さに応じた
膜厚データ数と近似次数を示す)。
■第5図(i)(ii)に近似計算を行った結果の一例
を示す。(i)は被処理物Wの長さが2000(mm)
の場合、(11)は被処理物Wの長さが1650(mm
)の場合を示している。この図でわかるように、5個の
膜厚センサ21のデータからでは、膜厚分布の細かい部
分の推定は不可能である。従って、この推定分布から分
布の均一性を評価できるのは、長手方向の分布の傾きで
ある。実際も、分布が重ね合わ仕の結果である事から、
ある部分だけ膜厚か上下している事は無く、分布の全体
の傾きを監視しておけばよい。
を示す。(i)は被処理物Wの長さが2000(mm)
の場合、(11)は被処理物Wの長さが1650(mm
)の場合を示している。この図でわかるように、5個の
膜厚センサ21のデータからでは、膜厚分布の細かい部
分の推定は不可能である。従って、この推定分布から分
布の均一性を評価できるのは、長手方向の分布の傾きで
ある。実際も、分布が重ね合わ仕の結果である事から、
ある部分だけ膜厚か上下している事は無く、分布の全体
の傾きを監視しておけばよい。
分布の傾きは、推定分布の近似式から被処理物Wの長さ
を4分割した位置の5点の値を使って最1112乗近似
により1次式を算出する。その数値計算の1例を第5図
(iii)に示す。この図は、第5図(ii)をもとに
して1次式を求めたもので、↓て指し示す位置が、被処
理物Wの長さを4分割した位置の5点であり、この5点
から上記方法によって太い実線で示す1次式が算出され
ている。
を4分割した位置の5点の値を使って最1112乗近似
により1次式を算出する。その数値計算の1例を第5図
(iii)に示す。この図は、第5図(ii)をもとに
して1次式を求めたもので、↓て指し示す位置が、被処
理物Wの長さを4分割した位置の5点であり、この5点
から上記方法によって太い実線で示す1次式が算出され
ている。
これらのデータ処理によって分布の推定がされると66
に進み、次式によって基本速度パターンを修正して往復
移動速度の制御を行なう。
に進み、次式によって基本速度パターンを修正して往復
移動速度の制御を行なう。
V″(X) = VF(X)X A ’(X)X I3
″(t )V”(X) ; Xの位置におけるn回目
往復の移動速度v+−(x) ; xの位置における基
本速度パターンA ”(X)= K AX (g”−’
(x) −D mn−”)/ dm″−’ (2)Br
′=KaXdmn−’/Di’ (3)
DIIlx;X回目往復後の膜厚分布の平均値dn+″
″:X回目往復時に成膜した量g(x) ; X回目往
復後の膜厚分布の1次近似式%式% ここで膜厚分布の平均値Diは、推定膜厚分布を積分し
、彼処理物長で除してやる事により求め、往復ごとに成
膜した量dmは、 dmx= D m” −D m”−’ によって求める。
″(t )V”(X) ; Xの位置におけるn回目
往復の移動速度v+−(x) ; xの位置における基
本速度パターンA ”(X)= K AX (g”−’
(x) −D mn−”)/ dm″−’ (2)Br
′=KaXdmn−’/Di’ (3)
DIIlx;X回目往復後の膜厚分布の平均値dn+″
″:X回目往復時に成膜した量g(x) ; X回目往
復後の膜厚分布の1次近似式%式% ここで膜厚分布の平均値Diは、推定膜厚分布を積分し
、彼処理物長で除してやる事により求め、往復ごとに成
膜した量dmは、 dmx= D m” −D m”−’ によって求める。
面記(1)式の意味は、予め求めである速度パターンV
F(X)に対し、膜厚分布の傾きを補正する因子A (
x)と、l往復当りの成膜量を一定に保つ(1回目往復
時の成膜量に保つ)因子Bにより修正を加えて、膜厚を
補ないたい場合は速度を遅く、膜厚を薄くしたい場合は
速度を速くする事を意味する。
F(X)に対し、膜厚分布の傾きを補正する因子A (
x)と、l往復当りの成膜量を一定に保つ(1回目往復
時の成膜量に保つ)因子Bにより修正を加えて、膜厚を
補ないたい場合は速度を遅く、膜厚を薄くしたい場合は
速度を速くする事を意味する。
■データ処理装置22から移動機構14の駆動装置16
に速度指令信号が与えられ、駆動装置16は、モータ1
7との閉ループ制御によって指令速度になるようモータ
17の回転数を制御する。
に速度指令信号が与えられ、駆動装置16は、モータ1
7との閉ループ制御によって指令速度になるようモータ
17の回転数を制御する。
■上記■〜■を繰り返し運転し、膜厚があらかじめ設定
した膜厚に到達したとS7で判断されると運転が終了さ
れる。
した膜厚に到達したとS7で判断されると運転が終了さ
れる。
第6図は、上記運転を繰り返したことにより、4回目の
操作によって、略水平な1次式を得られるまでになった
ことを示している。
操作によって、略水平な1次式を得られるまでになった
ことを示している。
以上のように、本装置においては、l往復ごとに形成さ
れる皮膜の膜厚分布を膜厚センサ21およびデータ処理
装置22によって検出し、この検出結果にもとづいてデ
ータ処理装置22が蒸発源IIの移動速度を制御するこ
とによって、被処理物Wの長手方向の膜厚が均一にする
ことができるようになっている。
れる皮膜の膜厚分布を膜厚センサ21およびデータ処理
装置22によって検出し、この検出結果にもとづいてデ
ータ処理装置22が蒸発源IIの移動速度を制御するこ
とによって、被処理物Wの長手方向の膜厚が均一にする
ことができるようになっている。
なお、上記方法は、被処理巻長の最大値が大きくなった
場合にも同槌なステップをふむことによって、拡張する
事が可能である。また、本実施例では、長尺物の被処理
物Wについて行なったが、小さな工具等が多数配置され
、全体として円筒状を形成している場合にも適用できる
。
場合にも同槌なステップをふむことによって、拡張する
事が可能である。また、本実施例では、長尺物の被処理
物Wについて行なったが、小さな工具等が多数配置され
、全体として円筒状を形成している場合にも適用できる
。
;発明の効果〕
以上説明したように、本発明の長尺物の成膜方法および
装置によれば、以下のような効果を奏する。
装置によれば、以下のような効果を奏する。
■従来のように、固定された蒸発源を複数個使った場合
の問題点は、単一蒸発源を移動させながら成膜するンス
テムによって解決できる。ひとつの蒸発源を用いる事に
より装置コストの低減化が可能であるし、たとえば、蒸
発源に高圧機器である電子銃を使う場合でも、相互パラ
メータの制御ら不用であり、移動速度のみに注目して制
御すれば良い。また、被処理巻長が変わる場合も容易に
対応でき蒸発材料の効率的な使用か可能である。
の問題点は、単一蒸発源を移動させながら成膜するンス
テムによって解決できる。ひとつの蒸発源を用いる事に
より装置コストの低減化が可能であるし、たとえば、蒸
発源に高圧機器である電子銃を使う場合でも、相互パラ
メータの制御ら不用であり、移動速度のみに注目して制
御すれば良い。また、被処理巻長が変わる場合も容易に
対応でき蒸発材料の効率的な使用か可能である。
■蒸発源を移動さけて成膜させる場合には、蒸発源から
の蒸発量に指向性があるため、完全に均一な膜厚分布を
得る事は不可能である。しかし、分布の偏差を極力をお
さえ、長手方向の膜厚分布の傾きをフラットにする最適
な移動パターンと両端停止時間の組合せを実現する事に
より、全体的に均一な分布が得られる。
の蒸発量に指向性があるため、完全に均一な膜厚分布を
得る事は不可能である。しかし、分布の偏差を極力をお
さえ、長手方向の膜厚分布の傾きをフラットにする最適
な移動パターンと両端停止時間の組合せを実現する事に
より、全体的に均一な分布が得られる。
■長手方向の膜厚分布に傾きができfこ場合、次回の往
復でその傾きを解消するような制御を行う事により、蒸
発速度に変動が生じた場合にも、自動的にそれを補うこ
とが可能となり、全運転操作の自動化を実現できる。
復でその傾きを解消するような制御を行う事により、蒸
発速度に変動が生じた場合にも、自動的にそれを補うこ
とが可能となり、全運転操作の自動化を実現できる。
■−往復毎に成膜する量を一定に保つように制御するこ
とにより、成膜した全体の膜質の均一化が可能であると
共に、往復回数によって操業時間の目安がつけられるの
で、時間の有効利用が可能である。
とにより、成膜した全体の膜質の均一化が可能であると
共に、往復回数によって操業時間の目安がつけられるの
で、時間の有効利用が可能である。
第1図ないし第6図は本発明の一実施例を示す図であっ
て、第1図は装置全体の概略構成図、第2図は装置の運
転の流れを示すフローチャート、第3図は被処理物の長
さに応じた蒸発源の移動速度パターンを示す図、第4図
は膜厚を推定するための近似式を算出する際の、被処理
物の長さに応じた膜厚データ数と近似次数の関係を示す
図、第5図(i)(ii)(山)はそれぞれ膜厚を推定
する際の近似式の計算結果をグラフ化した図、第6図は
シミュレーション計算結果の一例を示す図、第7図は従
来の装置を示す側面図である。 11・・・・・蒸発源、I4・・・・・移動機構、21
・・・・膜厚センサ、22・・・・・データ処理装置(
制御装置)、P・・・@材料、W・・・・・被処理物。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第8図 第6図 第7図
て、第1図は装置全体の概略構成図、第2図は装置の運
転の流れを示すフローチャート、第3図は被処理物の長
さに応じた蒸発源の移動速度パターンを示す図、第4図
は膜厚を推定するための近似式を算出する際の、被処理
物の長さに応じた膜厚データ数と近似次数の関係を示す
図、第5図(i)(ii)(山)はそれぞれ膜厚を推定
する際の近似式の計算結果をグラフ化した図、第6図は
シミュレーション計算結果の一例を示す図、第7図は従
来の装置を示す側面図である。 11・・・・・蒸発源、I4・・・・・移動機構、21
・・・・膜厚センサ、22・・・・・データ処理装置(
制御装置)、P・・・@材料、W・・・・・被処理物。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第8図 第6図 第7図
Claims (2)
- (1)長尺な被処理物に対し、膜材料を蒸発させその蒸
発物を前記被処理物に蒸着させることにより表面に皮膜
を形成する長尺物の成膜方法であって、第1の工程とし
て、膜材料を蒸発させる蒸発源を前記被処理物に沿って
移動させることにより被処理物に蒸発物を蒸着させ、第
2の工程として、第1の工程で形成された皮膜の被処理
物の長手方向の膜厚分布を検出し、この検出結果にもと
づいて、蒸発源の移動速度を制御しながら次の成膜を行
なうようにしたことを特徴とする長尺物の成膜方法。 - (2)長尺な被処理物に対してこの被処理物の長手方向
に移動自在に配設された蒸発源と、この蒸発源を移動さ
せる移動機構と、被処理物の膜厚を検出する膜厚センサ
と、この膜厚センサのデータにもとづいて被処理物の長
手方向の膜厚分布を演算する演算装置と、この演算装置
の演算結果にもとづいて、前記移動機構を制御して蒸発
源の移動速度を調節する制御装置とからなることを特徴
とする長尺物の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28989986A JPS63143262A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 長尺物の成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28989986A JPS63143262A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 長尺物の成膜方法および成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63143262A true JPS63143262A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17749210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28989986A Pending JPS63143262A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 長尺物の成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63143262A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02182876A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレーティング装置 |
EP2444518A1 (en) * | 2002-02-25 | 2012-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
JP6548856B1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-07-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
JP2019206759A (ja) * | 2019-06-25 | 2019-12-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
EP3663431A1 (de) * | 2018-12-06 | 2020-06-10 | Singulus Technologies AG | Verfahren zur substratbeschichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180063A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-07 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 長尺物の薄膜生成装置 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP28989986A patent/JPS63143262A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180063A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-07 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 長尺物の薄膜生成装置 |
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JP6548856B1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-07-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
WO2019171545A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
US11038155B2 (en) | 2018-03-08 | 2021-06-15 | Sakai Display Products Corporation | Film formation device, vapor-deposited film formation method, and organic EL display device production method |
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JP2019206759A (ja) * | 2019-06-25 | 2019-12-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
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