JPS5834171A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS5834171A JPS5834171A JP13023481A JP13023481A JPS5834171A JP S5834171 A JPS5834171 A JP S5834171A JP 13023481 A JP13023481 A JP 13023481A JP 13023481 A JP13023481 A JP 13023481A JP S5834171 A JPS5834171 A JP S5834171A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数の被蒸着体に対する膜厚制御が容易な電
子ビームを蒸発パワーとする真空蒸着装置に関する。
子ビームを蒸発パワーとする真空蒸着装置に関する。
従来から物体の表面に薄膜を形成する手段としては真空
蒸着装置が広く使用されているが、そのうち蒸着膜厚の
制御が必要な場合には電子ビームl蒸発パワーとする真
空蒸着装置が主として採用されている。
蒸着装置が広く使用されているが、そのうち蒸着膜厚の
制御が必要な場合には電子ビームl蒸発パワーとする真
空蒸着装置が主として採用されている。
そこで、このような電子ビームを蒸発パワーとする真空
蒸着装置の一例を第1図に示す。
蒸着装置の一例を第1図に示す。
図において、1はペルジャー(真空容器)、2はベース
(基台)、3Fi覗き室、4は電子ビーム源、Sは蒸発
源、6は蒸発源の容器(ハース)、Tはシャッタ、8は
プラネタリ治具、9は被蒸着物な保持させる回転板、1
0は蒸着膜厚検出器。
(基台)、3Fi覗き室、4は電子ビーム源、Sは蒸発
源、6は蒸発源の容器(ハース)、Tはシャッタ、8は
プラネタリ治具、9は被蒸着物な保持させる回転板、1
0は蒸着膜厚検出器。
11は制御回路、12は電子ビーム源動作用の電源回路
である。
である。
ペルジャー1はベース2の上に図示してないバッキング
を介して載置され、これも図示してない真空ポンプなど
Kより内部な高真空状態に保つことができるよ5にしで
ある。
を介して載置され、これも図示してない真空ポンプなど
Kより内部な高真空状態に保つことができるよ5にしで
ある。
電子ビームi![4は陰極となるフィラメントと、陽極
となる加速電極、それにビーム形成用の電極などからな
〕、電源回路12からフィラメント加熱用の電力と電子
ビーム1Xi速用の高電圧の供給を受け、数10kVの
加速電圧の下でアンペアオーダーに%達す為電子ビーム
を発生する。この電子ビームは図示してない偏向1Ni
t (fit、tけ磁界型のもの)Kよや偏向され、ア
ルミニウムのインゴットなどの蒸発#SK対して図の上
方から?!げ画直な方向て射突畜せられる。
となる加速電極、それにビーム形成用の電極などからな
〕、電源回路12からフィラメント加熱用の電力と電子
ビーム1Xi速用の高電圧の供給を受け、数10kVの
加速電圧の下でアンペアオーダーに%達す為電子ビーム
を発生する。この電子ビームは図示してない偏向1Ni
t (fit、tけ磁界型のもの)Kよや偏向され、ア
ルミニウムのインゴットなどの蒸発#SK対して図の上
方から?!げ画直な方向て射突畜せられる。
従って、蒸発ms#iこの電子ビームの射突によシ局部
的に溶解し、蒸発し定分子は図の破線の矢印のように飛
散する。
的に溶解し、蒸発し定分子は図の破線の矢印のように飛
散する。
プラネタリ治具・はそれ自体が図の垂直方向な中心軸と
して水平に回転しなからさらに軸支した璽数枚の浅%A
ll状をした回転板9を回転させるように動作す為。
して水平に回転しなからさらに軸支した璽数枚の浅%A
ll状をした回転板9を回転させるように動作す為。
そこで、いま1回転板9の内側面に被蒸着体を所定の数
だけ取付け、ペルジャー1の中を所定の真蜜虞に保ち、
プラネタリ治具8を動作させながらシャツ#7を蒸発源
5の上方から外せば、図の破線の矢印て示すように蒸発
源5かも蒸着物質が被蒸着体の表面に飛来し、蒸着か行
なわれる。
だけ取付け、ペルジャー1の中を所定の真蜜虞に保ち、
プラネタリ治具8を動作させながらシャツ#7を蒸発源
5の上方から外せば、図の破線の矢印て示すように蒸発
源5かも蒸着物質が被蒸着体の表面に飛来し、蒸着か行
なわれる。
そして、このときの被蒸着体に対する蒸着膜厚の制御は
次のようkして行なう。即ち、ペルジャー1の頂部には
蒸着膜厚検出器10が設けられているから、前述のよう
にして蒸着を開始するとこの検出器10の検出面にも蒸
着膜が形成されてゆき、この検出−10からはその形成
され始め良港着膜の厚さに応じt検出信号が出力されて
制御回路11に供給される。
次のようkして行なう。即ち、ペルジャー1の頂部には
蒸着膜厚検出器10が設けられているから、前述のよう
にして蒸着を開始するとこの検出器10の検出面にも蒸
着膜が形成されてゆき、この検出−10からはその形成
され始め良港着膜の厚さに応じt検出信号が出力されて
制御回路11に供給される。
そこで、制御回路11は供給された検出信号に応じて電
源回路12を制御し、電子ビーム#4に供給しているフ
ィラメント加熱電力などを変化させ、あらかじめ設定し
である所定の蒸着速度に対応した検出信号が蒸着膜厚検
出器10から得られるようkすれは膜厚の制御l′1に
:行なうことができる。
源回路12を制御し、電子ビーム#4に供給しているフ
ィラメント加熱電力などを変化させ、あらかじめ設定し
である所定の蒸着速度に対応した検出信号が蒸着膜厚検
出器10から得られるようkすれは膜厚の制御l′1に
:行なうことができる。
ところが、このような従来の真空蒸着装置においては、
ペルジャー10頂部に設けである蒸着膜厚検出器10に
19蒸着速度を検出しているだけなので、プラネタリ治
具−の回転板9の全面に対する膜厚分布の違いや蒸着操
作ごとく生じる膜厚分布の違いを補正するような制御か
できず、そのため、被蒸着体ごとの蒸着膜厚にバラツキ
を生じやすいという欠点かあった。
ペルジャー10頂部に設けである蒸着膜厚検出器10に
19蒸着速度を検出しているだけなので、プラネタリ治
具−の回転板9の全面に対する膜厚分布の違いや蒸着操
作ごとく生じる膜厚分布の違いを補正するような制御か
できず、そのため、被蒸着体ごとの蒸着膜厚にバラツキ
を生じやすいという欠点かあった。
本発明の目的は、上記し几従来技術の欠点を除I1.被
蒸着体ごとの蒸着膜厚にほとんどバラツキが生じないよ
5Kした真空蒸着装置を提供するにある。
蒸着体ごとの蒸着膜厚にほとんどバラツキが生じないよ
5Kした真空蒸着装置を提供するにある。
この目的を達成するため1本発明は、蒸発源から被蒸着
体方向KR来する蒸着物質の飛来方向分11v検出し、
それに応じて蒸着物質の飛来方向分布な制御するように
した点な特徴とする。
体方向KR来する蒸着物質の飛来方向分11v検出し、
それに応じて蒸着物質の飛来方向分布な制御するように
した点な特徴とする。
以下1本発明による真空蒸着装置の実施例な図1iKク
ーで説明する。
ーで説明する。
第!図は本発明の一実施例で、第1図の従来例と同一も
しくは開部の部分には同じ符号を付し。
しくは開部の部分には同じ符号を付し。
その評しい説明は省略しである。図において、2G。
20’、2Fは蒸着膜厚検出器、21は蒸発源位置制御
機構、22は制御駆動機構である。
機構、22は制御駆動機構である。
蒸着膜厚検出器20 、20’、 20’は蒸発[!!
に対して斜め上方″clII転板9の下側になる部分で
、かつ頂部の蒸着膜厚検出器10に対してほば対称な位
置に取シ付けられ、それぞれ膜厚検出信号を制御回路1
1に供給するようになっている。
に対して斜め上方″clII転板9の下側になる部分で
、かつ頂部の蒸着膜厚検出器10に対してほば対称な位
置に取シ付けられ、それぞれ膜厚検出信号を制御回路1
1に供給するようになっている。
蒸発源位置制御機構21は制御駆動機構22によって駆
動され、八−ス6に収容されているアル1−ラムインボ
ッドなどの蒸発i1[5の位置を図の矢印の方向に任意
に変化させるように動作する。
動され、八−ス6に収容されているアル1−ラムインボ
ッドなどの蒸発i1[5の位置を図の矢印の方向に任意
に変化させるように動作する。
そして、このときの制御駆動機構22に対する制御信号
は制御回路11から供給されるようになっている。
は制御回路11から供給されるようになっている。
次に動作について説明する。
第1図に示した従来例と同様にして蒸着が開始されると
、各検出器1,20.20’、2fKも蒸着膜が形成さ
れる−ようKなり、そのため、これらの検出器から検出
信号がそれぞれ制m@N 11 K供給される。
、各検出器1,20.20’、2fKも蒸着膜が形成さ
れる−ようKなり、そのため、これらの検出器から検出
信号がそれぞれ制m@N 11 K供給される。
そこで、制御面1!i11は全ての検出器1G、20゜
20’、20彎検出される蒸着速度があらかじめ設定し
であるl1lK等しくなるよ5に制御駆動機構22に制
御信号を与えて蒸発I15の上下方向の位置な制御する
と共に電#!回路12を介して電子ビームj14からの
電子ビームの出力を制御する。なお。
20’、20彎検出される蒸着速度があらかじめ設定し
であるl1lK等しくなるよ5に制御駆動機構22に制
御信号を与えて蒸発I15の上下方向の位置な制御する
と共に電#!回路12を介して電子ビームj14からの
電子ビームの出力を制御する。なお。
図示してないが、このとき偏向装置を制御し、蒸発源s
k対する電子ビームの射突位置tも制御するようにして
もよい。
k対する電子ビームの射突位置tも制御するようにして
もよい。
蒸発源Iを上下方向に変位させ7?、す、それに対す石
電子ビームの射突位置な変化させてやれば。
電子ビームの射突位置な変化させてやれば。
蒸発原藻から飛散する蒸着物質の飛散方向分布を駅える
ことができるから、上述のように制御回路111Cよp
制御駆動機構22YIIIIILyt6.偏向装置Vl
l制御してやれば、各検出1)10 、20 、20’
。
ことができるから、上述のように制御回路111Cよp
制御駆動機構22YIIIIILyt6.偏向装置Vl
l制御してやれば、各検出1)10 、20 、20’
。
20’ Kよりそれぞれ検出されている蒸着速度か等し
くなゐよ5な膜厚制御が可能になる。
くなゐよ5な膜厚制御が可能になる。
従って、この実m*によれば、プラネタリ治具−の一転
ll1tsのいずれの部分においても充分に均一な膜厚
か得られることkなシ、回転板9に保持し九多数の被蒸
着体の膜厚にバラツキが生じるのを充分に防止すること
がてきる。
ll1tsのいずれの部分においても充分に均一な膜厚
か得られることkなシ、回転板9に保持し九多数の被蒸
着体の膜厚にバラツキが生じるのを充分に防止すること
がてきる。
また、このような蒸着膜厚分布のバラツキは、蒸着操作
ととに変化する。従って1111図に示した従来同では
蒸着操作ごとの被蒸着体間での膜厚のバラツキかかなp
多くなシ、均一な製品を得ることか困難で6つ几が、こ
の実施例によれば、常に蒸着物質の分布の制御が可能に
なるため、蒸着操作が異なっても膜厚にバラツキを生じ
る虞れがなくなり、充分に均一な膜厚の製品を安定して
得ることができる。
ととに変化する。従って1111図に示した従来同では
蒸着操作ごとの被蒸着体間での膜厚のバラツキかかなp
多くなシ、均一な製品を得ることか困難で6つ几が、こ
の実施例によれば、常に蒸着物質の分布の制御が可能に
なるため、蒸着操作が異なっても膜厚にバラツキを生じ
る虞れがなくなり、充分に均一な膜厚の製品を安定して
得ることができる。
なお、以上の実施例では、全部で4個の検出器10.2
0.20’*20’Y設けているか、検出器の数は4個
に限らず任意に定めてよ(、このとぎ、検tB器の数は
多い程、均一な膜厚制御が可能になるのはい5tでもな
いことである。
0.20’*20’Y設けているか、検出器の数は4個
に限らず任意に定めてよ(、このとぎ、検tB器の数は
多い程、均一な膜厚制御が可能になるのはい5tでもな
いことである。
i穴、これら複数個の検出器の取付位置についても第2
図に示し友実施例は例示にす「ず、被蒸着体方向に飛来
する蒸着物質の飛来分布を検出できるならどのような配
置にしてもかまわないのはいうまで4ない。
図に示し友実施例は例示にす「ず、被蒸着体方向に飛来
する蒸着物質の飛来分布を検出できるならどのような配
置にしてもかまわないのはいうまで4ない。
以上説明したように1本発明によれば、被蒸着体が保持
された部分での蒸着膜厚分布な充分均一に保つことかで
きるから、従来技術の欠点を除幹。
された部分での蒸着膜厚分布な充分均一に保つことかで
きるから、従来技術の欠点を除幹。
精密な膜厚制御を必要とする弾性表面波素子などの製造
に際して充分な性能の素子を高い歩留りのもとで得るこ
とができる真空蒸着装置を提供することができる。
に際して充分な性能の素子を高い歩留りのもとで得るこ
とができる真空蒸着装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は電子ビームを蒸発パワーとした真空蒸着装置の
従来fllY示す模式図、第2図は本発明による真空蒸
着装置の一実施*”を示す模式図である。 1・・・・・・ペルジャー、2・・・・・・ベース、3
・・・・・・覗き室、4・・・・・・電子ビーム源、5
・・・・・・蒸発源、6・・・・・・八−ス、7−・・
・・・シャッタ、8・・・・・・プラネタリ治具、S
・−・・−回転板、10,20.20’、20’・・−
蒸着膜厚検出器、11・・・・・・制御回路、12・・
・・・・電源回路、21・・・・・・蒸発源位瞳制御機
構、22・・・・・・制卿駆動機構第1図
従来fllY示す模式図、第2図は本発明による真空蒸
着装置の一実施*”を示す模式図である。 1・・・・・・ペルジャー、2・・・・・・ベース、3
・・・・・・覗き室、4・・・・・・電子ビーム源、5
・・・・・・蒸発源、6・・・・・・八−ス、7−・・
・・・シャッタ、8・・・・・・プラネタリ治具、S
・−・・−回転板、10,20.20’、20’・・−
蒸着膜厚検出器、11・・・・・・制御回路、12・・
・・・・電源回路、21・・・・・・蒸発源位瞳制御機
構、22・・・・・・制卿駆動機構第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 電子ビームを蒸発パワーとする真空蒸着装置
において、蒸着物質が蒸発源から飛来する方向の所定の
範1iKわたって分布して設置しt複数個の蒸着膜厚検
出aを設け、これら複数個の蒸着膜厚検出器からの膜厚
検出信号に応じて上記蒸着1質の飛来方向の分布状態を
制御するように構成したことを特徴とする真空蒸着at
・ (7)特許請求の範囲第1項において、上記蒸着物質の
飛来方向の分布状tlAyt制御する几めの手段を電子
ビームの入射方向に対して蒸発源の位置を変位畜せる手
段で構成したことン特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13023481A JPS5834171A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13023481A JPS5834171A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5834171A true JPS5834171A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15029314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13023481A Pending JPS5834171A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5834171A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60200994A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Chlorine Eng Corp Ltd | 金属含有溶液からの金属の回収方法及び金属回収用電解槽 |
JPS6126795A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-06 | Chlorine Eng Corp Ltd | 流動床を用いる電解方法及び電解槽 |
JPS6147074U (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-29 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 流動床を用いる電解装置 |
JPS61175227U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-31 | ||
JPS624863A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Anelva Corp | 電子銃の蒸発速度分布制御装置 |
JPH02182876A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレーティング装置 |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13023481A patent/JPS5834171A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0474435B2 (ja) * | 1984-03-23 | 1992-11-26 | ||
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JPH0413432B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1992-03-09 | Kurorin Enjiniazu Kk | |
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JPS641961Y2 (ja) * | 1984-08-27 | 1989-01-18 | ||
JPS61175227U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-31 | ||
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JPH0254428B2 (ja) * | 1985-06-29 | 1990-11-21 | Anelva Corp | |
JPH02182876A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレーティング装置 |
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