JPS63127557A - Chip carrier, chip mounted components and semiconductor chip mounting structure using this chip carrier - Google Patents
Chip carrier, chip mounted components and semiconductor chip mounting structure using this chip carrierInfo
- Publication number
- JPS63127557A JPS63127557A JP27195986A JP27195986A JPS63127557A JP S63127557 A JPS63127557 A JP S63127557A JP 27195986 A JP27195986 A JP 27195986A JP 27195986 A JP27195986 A JP 27195986A JP S63127557 A JPS63127557 A JP S63127557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- circuit board
- carrier
- semiconductor chip
- connection surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップとこの半導体子ノブが実装され
る回路基板との間に配設されるチップキャリア、ならび
に、そのチップキャリアを使用したチップ搭載部品およ
び半導体チップ実装構造に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention provides a chip carrier disposed between a semiconductor chip and a circuit board on which this semiconductor knob is mounted, and a chip carrier using the chip carrier. Related to chip mounting components and semiconductor chip mounting structures.
従来、高速演算を要求される大型コンピュータ等におい
ては、プリント板等の回路基板をストリップライン構造
にして特性インピーダンスを一定にし、線路の終端に特
性インピーダンスに一致する抵抗を置く、いわゆる整合
終端゛方式の信号電送を行っているものがある。このよ
うな高速性を要求されるコンピュータの回路基板構造は
、セラミックス多層回路基板上に薄膜抵抗素子、更にそ
の上にポリイミド高密度多層配線を有する構成が望まし
い。しかし、大型基板に高密度バターニングをするため
の高度の技術が要求されるために、プロセス歩留りの低
下が問題になっている。Conventionally, in large computers that require high-speed calculations, the so-called matched termination method is used, in which the circuit board such as a printed board has a strip line structure to keep the characteristic impedance constant, and a resistor that matches the characteristic impedance is placed at the end of the line. There are some that carry out signal transmission. The circuit board structure of a computer that requires such high-speed performance preferably has a thin film resistive element on a ceramic multilayer circuit board, and a high-density polyimide multilayer wiring thereon. However, since advanced technology is required to perform high-density patterning on large substrates, a reduction in process yield has become a problem.
前記歩留りの低下はチップキャリア構造を採用し、この
チップキャリア上に終端整合用の抵抗および半導体チッ
プ接続用の配線層等を形成することにより防止すること
ができる。The aforementioned decrease in yield can be prevented by adopting a chip carrier structure and forming a resistor for termination matching, a wiring layer for connecting semiconductor chips, etc. on the chip carrier.
このため、従来から高速性を要求されるコンピュータに
おいてチップキャリア構造を採用することが行われてお
り、たとえば、特開昭58−199552号公報が知ら
れている。For this reason, a chip carrier structure has been employed in computers requiring high speed, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 199552/1983.
前記特開昭58−199552号公報に記載されたチッ
プキャリア01は、第15図に示すように、キャリア基
板01aを備えている。キャリア基板01aには、内部
に導体が収容された貫通スルーホールO1bが形成され
るとともに、内部に電源配線層01cが設けられている
。前記キャリア基板01aの上面または下面のいずれか
の面には薄膜または厚膜法によって抵抗O1dおよび配
線01eが形成されるとともに、前記電源配線層01c
に接続するスルーホール01fが設けられている。そし
て、前記配線01eは、前記貫通スルーホールO1bと
抵抗O1dとの間および前記スルーホールO1fと抵抗
O1dとの間を接続している。また、前記抵抗O1dは
レーザトリミングにより高精度の抵抗値が得られている
。The chip carrier 01 described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-199552 includes a carrier substrate 01a, as shown in FIG. The carrier substrate 01a has a through hole O1b in which a conductor is accommodated, and a power supply wiring layer 01c is provided therein. A resistor O1d and a wiring 01e are formed on either the upper surface or the lower surface of the carrier substrate 01a by a thin film or thick film method, and the power supply wiring layer 01c
A through hole 01f connected to is provided. The wiring 01e connects between the through hole O1b and the resistor O1d and between the through hole O1f and the resistor O1d. Further, the resistor O1d has a highly accurate resistance value obtained by laser trimming.
前記符号01a =01fで示した構成要素を備えたチ
ップキャリア01の上面には、ハンダを介して半導体チ
ップ02が搭載されるとともに、下面は、ハンダを介し
て回路基板03に接続されている。A semiconductor chip 02 is mounted on the upper surface of the chip carrier 01 equipped with the components indicated by 01a to 01f through solder, and the lower surface is connected to a circuit board 03 through solder.
ところで、高速計算が要求されるコンピュータの場合、
前記レーザトリミングした抵抗O1dの上に、低誘電率
、低抵抗の銅(Cu)、ニッケルー金合金(Ni−Au
合金)等の導体を用いた導体−ポリイミド薄膜を形成す
る必要がある。しかし、ポリイミド膜形成時の熱処理は
max、400℃の高温に達する。By the way, for computers that require high-speed calculation,
On the laser-trimmed resistor O1d, copper (Cu) with low dielectric constant and low resistance, nickel-gold alloy (Ni-Au
It is necessary to form a conductor-polyimide thin film using a conductor such as alloy). However, the heat treatment during polyimide film formation reaches a maximum temperature of 400°C.
このため、前記抵抗O1dを薄膜抵抗O1dとした場合
には、抵抗値の変化が激しく、再トリミングが必要とな
るが、ポリイミド膜の上からのトリミングは信頼性の点
で問題が残る。また、厚膜抵抗01dとした場合には、
400℃程度の熱処理では安定しているが、後工程の導
体−ポリイミド薄膜層形成プロセスとのマツチングで困
難を伴う(たとえば、凹凸が顕著のため、導体−ポリイ
ミド薄膜層形成の高歩留化が困難等)。For this reason, when the resistor O1d is a thin film resistor O1d, the resistance value changes drastically and re-trimming is required, but trimming from above the polyimide film still poses a problem in terms of reliability. In addition, when the thick film resistor is 01d,
Although it is stable when heat treated at about 400°C, it is difficult to match with the subsequent process of forming a conductor-polyimide thin film layer (for example, the unevenness is noticeable, making it difficult to achieve a high yield in forming a conductor-polyimide thin film layer). difficulties, etc.).
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたもので、終端整
合用の抵抗を備えたチップキャリアにおいて、後工程の
導体−ポリイミド薄膜層形成プロセスとのマツチングが
良好で、しかも前記後工程によっても終端整合用の抵抗
の抵抗値を高精度に維持できる構造のチップキャリアを
提供することを主な目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and provides a chip carrier equipped with a resistor for termination matching, which has good matching with the conductor-polyimide thin film layer forming process in the subsequent process, and is also capable of achieving good matching with the process of forming a conductor-polyimide thin film layer in the subsequent process. The main purpose of the present invention is to provide a chip carrier having a structure that can maintain the resistance value of a resistor for termination matching with high precision.
また、前記チップキャリアを用いた半導体チップ実装構
造を提供することを他の主な目的とする。Another main object of the present invention is to provide a semiconductor chip mounting structure using the chip carrier.
前記目的を達成するために、本願の第1発明によるチッ
プキャリアは、
半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を有す
るチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面に形
成されるとともに4回路基板に接続される複数の回路基
板接続端子を有する回路基板接続面とを備えたチップキ
ャリアにおいて、前記チップ接続面と回路基板接続面と
の間には、内部に導体が収容された複数の導体収容スル
ーホールおよび内部に抵抗体が収容された複数の抵抗体
収容スルーホールを有するキャリア基板が配設されると
ともに、前記複数のチップ接続端子と複数の基板接続端
子とは前記導体収容スルーホールまたは抵抗体収容スル
ーホールを介して接続されたことを特徴とする。In order to achieve the above object, a chip carrier according to the first invention of the present application includes: a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to a semiconductor chip; and a surface opposite to this chip connection surface. 4. In a chip carrier equipped with a circuit board connection surface having a plurality of circuit board connection terminals connected to a circuit board, between the chip connection surface and the circuit board connection surface, a plurality of conductors are housed inside. A carrier board having a conductor-accommodating through-hole and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which a resistor is housed is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of board connection terminals are connected to the conductor-accommodation through-hole. It is characterized in that it is connected via a hole or a through hole for accommodating the resistor.
また、本願の第2発明によるチップキャリアは、前記チ
ップ接続面および回路基板接続面の少なくともいずれか
一方の接続面は薄膜配線層によって形成されたことを特
徴とする。Further, the chip carrier according to the second invention of the present application is characterized in that at least one of the chip connection surface and the circuit board connection surface is formed of a thin film wiring layer.
また、本願の第3発明によるチップ搭載部品は、前記チ
ップキャリアとこのチップキャリアの前記チップ接続面
にフェイスダウンボンディングされた半導体チップとか
ら構成されたことを特徴とする。Further, a chip mounting component according to a third invention of the present application is characterized in that it is composed of the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier.
また、本願の第4発明によるチップ搭載部品は、前記チ
ップ搭載部品において、チップキャリアとこのチップキ
ャリアの前記チップ接続面にフェイスダウンボンディン
グされた半導体チップ表面との間の隙間に封止部材を配
設したことを特徴とする。Further, in the chip mounting component according to the fourth invention of the present application, a sealing member is disposed in the gap between the chip carrier and the surface of the semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier. It is characterized by having been established.
また、本願の第5発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアとこのチップキャリアの+iii記
チップ接続面にフェイスダウンボンディングされた半導
体チップとから構成される複数個のチップ搭載部品が、
一枚の回路基板にワイヤレスボンディングされたことを
特徴とする。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the fifth invention of the present application is as follows:
A plurality of chip mounting components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the +iii chip connection surface of the chip carrier,
It is characterized by wireless bonding to a single circuit board.
また、本願の第6発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアと、このチップキャリアの前記チッ
プ接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚
の回路基板にワイヤレスボンディングされた半導体チッ
プ実装構造において、前記チップキャリアの回路基板接
続面の周縁部とこの周縁部に対向する回路基板との間の
隙間に封止部材を配設したことを特徴とする。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the sixth invention of the present application is as follows:
A semiconductor chip mounting structure in which a plurality of chip mounting components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to one circuit board, The present invention is characterized in that a sealing member is disposed in a gap between a peripheral edge of the circuit board connection surface of the chip carrier and a circuit board facing the peripheral edge.
また、本願の第7発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアと、このチップキャリアの前記チッ
プ接続面にフェイスダウンポジディングされた半導体チ
ップとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚
の回路基板にワイヤレスボンディングされた半導体チッ
プ実装構造において、前記半導体チップの裏面上方に冷
却板が配設されるとともに、前記半導体チップの裏面と
冷却板との間に半導体チップの熱を冷却板に伝達する熱
伝導部材が介設されており、前記熱伝導部材は、熱伝導
グリースを有することを特徴とする。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the seventh invention of the present application is as follows:
In a semiconductor chip mounting structure in which a plurality of chip mounting components including the chip carrier and a semiconductor chip face-down positioned on the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to a single circuit board. , a cooling plate is disposed above the back surface of the semiconductor chip, and a heat conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate for transmitting heat of the semiconductor chip to the cooling plate; The thermally conductive member is characterized by having thermally conductive grease.
また、本願の第8発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアと、このチップキャリアの前記チッ
プ接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚
の回路基板にワイヤレスボンディングされ、さらに、前
記半導体チップの裏面上方に冷却板が配設されるととも
に、前記半導体チップの裏面と冷却板との間に半導体チ
ップの熱を冷却板に伝達する熱伝導部材が介設されてい
る半導体チップ実装構造において、前記回路基板の周縁
部と前記冷却板の周縁部との間に、これらの間を気密に
封止する脚部材を配設することにより、前記回路基板上
にワイヤレスボンディングされた複数個のチップ搭載部
品が全て封止されていることを特徴とする。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the eighth invention of the present application is as follows:
A plurality of chip-mounted components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to a single circuit board, and In the semiconductor chip mounting structure, a cooling plate is disposed above the back surface, and a heat conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate for transmitting heat of the semiconductor chip to the cooling plate. A plurality of chip-mounted components are wirelessly bonded onto the circuit board by arranging leg members between the peripheral edge of the circuit board and the peripheral edge of the cooling plate to airtightly seal the space between them. It is characterized by being completely sealed.
前述の構成を備えた本願の第1発明によるチップキャリ
アは、チップ接続面と回路基板接続面との間に配設され
たキャリア基板の抵抗体収容スルーホールを介して、チ
ップ接続端子と回路基板接続端子とが接続されている。The chip carrier according to the first invention of the present application having the above-mentioned configuration connects the chip connection terminal to the circuit board through the resistor housing through hole of the carrier board disposed between the chip connection surface and the circuit board connection surface. The connection terminal is connected.
したがって、キャリア基板の厚さすなわち抵抗体収容ス
ルーホールの長さと、抵抗体収容スルーホールの直径と
、この抵抗体収容スルーホール内に収容する抵抗体の材
料とを適当に選定することにより、チップ接続端子と基
板接続端子との間の抵抗値を適切な値に設定することが
できる。そして、前記キャリア基板の表面は、薄膜抵抗
または厚膜抵抗のような回路素子が形成されていないの
で、平坦に形成される。Therefore, by appropriately selecting the thickness of the carrier substrate, that is, the length of the resistor-accommodating through-hole, the diameter of the resistor-accommodating through-hole, and the material of the resistor housed in the resistor-accommodating through-hole, the chip The resistance value between the connection terminal and the board connection terminal can be set to an appropriate value. The surface of the carrier substrate is flat because no circuit elements such as thin film resistors or thick film resistors are formed thereon.
したがって、前記キャリア基板の平坦な表面に形成され
るチップ接続面または回路基板接続面とに導体−ポリイ
ミド薄膜層形成プロセスのような薄膜配線層形成プロセ
スを行う場合、薄膜配線層形成の高歩留り化が図れる。Therefore, when performing a thin film wiring layer forming process such as a conductor-polyimide thin film layer forming process on the chip connection surface or circuit board connection surface formed on the flat surface of the carrier substrate, a high yield of thin film wiring layer formation can be achieved. can be achieved.
また、前記抵抗体収容スルーホール内に収容する抵抗体
の材料としては種々の材料を使用できるので、薄膜形成
技術によってキャリア基板表面に抵抗を形成する従来技
術に比較して材料の選択範囲が広い。したがって、前記
抵抗体の材料には、前記薄膜配線層形成プロセスにおけ
る高温の熱処理に際し、抵抗値が変化し難い材料を用い
ることができる。しかも、このようにして形成される抵
抗は、チップキャリアの表面ではなく、内部に形成され
ているため、チップキャリアの表面すなわち前記チップ
接続面または回路基板接続面に薄膜配線層を形成するプ
ロセスにおいて、いっそう影響を受は難くなっている。Furthermore, since various materials can be used for the resistor housed in the resistor housing through-hole, the range of material selection is wider than in the conventional technique of forming a resistor on the surface of the carrier substrate using thin film formation technology. . Therefore, as the material of the resistor, a material whose resistance value does not easily change during high-temperature heat treatment in the thin film wiring layer forming process can be used. Moreover, since the resistor formed in this way is not formed on the surface of the chip carrier but inside, it is difficult to form a thin film wiring layer on the surface of the chip carrier, that is, on the chip connection surface or the circuit board connection surface. , it is becoming more and more difficult to be influenced.
また、本願の第2発明によるチップキャリアは、前記チ
ップ接続面および回路基板接続面の少なくともいずれか
一方の接続面は薄膜配線層によって形成されている。こ
の薄膜配線層によって形成された接続面に設けられる接
続端子(チップ接続端子または回路基板接続端子)は、
その薄膜配線層の表面に配置される端子位置を半導体チ
ップまたは回路基板の端子配列状他に対応させて形成す
ることができる。Further, in the chip carrier according to the second invention of the present application, at least one of the chip connection surface and the circuit board connection surface is formed of a thin film wiring layer. The connection terminal (chip connection terminal or circuit board connection terminal) provided on the connection surface formed by this thin film wiring layer is
The positions of the terminals arranged on the surface of the thin film wiring layer can be formed to correspond to the terminal arrangement of the semiconductor chip or circuit board.
また、本願の第3発明によるチップ搭載部品は、前記チ
ップキャリアとこのチップキャリアの前記チップ接続面
にフェイスダウンボンディングされた半導体チップとか
ら成るワンチップ部品として構成されているので、半導
体チップとチップキャリアとを別々に取り扱うのに比較
して取り扱いが便利である。Further, the chip mounting component according to the third invention of the present application is configured as a one-chip component consisting of the chip carrier and the semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier. It is more convenient to handle than handling the carrier separately.
また、本願の第4発明によるチップ搭載部品は、前記ワ
ンチップ化されたチップ搭載部品において、前記チップ
接続面とこのチップ接続面にフェイスダウンボンディン
グされた半導体チップ表面との間の隙間に封止部材を配
設したので、耐湿構造となっている。したがって、チッ
プ搭載部品の保管、取り扱い等が楽になる。Further, in the chip mounting component according to the fourth invention of the present application, in the chip mounting component integrated into one chip, the gap between the chip connection surface and the surface of the semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface is sealed. The structure is moisture resistant due to the arrangement of these parts. Therefore, storage, handling, etc. of chip-mounted components become easier.
また、本願の第5発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアと、このチップキャリアの前記チッ
プ接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚
の回路基板にワイヤレスボンディングされている。この
ようにすると、大面積の回路基板上に半導体チップ接続
用の薄膜配線層を形成する必要がなくなる。すなわち半
導体チップ接続用の薄膜配線層を形成する場合、比較的
小面積のチップキャリア上に形成することができる。こ
のため、薄膜配線層のパターンニングに際してのパター
ンニング面の反り等に起因する問題点が無くなる。また
、半導体チップのりペアに際しては、前記チップ搭載部
品をリペアすればよいが、このとき、回路基板上に薄膜
配線層が無いと、回路基板の耐リペア性が向上する。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the fifth invention of the present application is as follows:
A plurality of chip mounting components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to one circuit board. This eliminates the need to form a thin film wiring layer for connecting semiconductor chips on a large-area circuit board. That is, when forming a thin film wiring layer for connecting a semiconductor chip, it can be formed on a chip carrier having a relatively small area. Therefore, problems caused by warping of the patterned surface during patterning of the thin film wiring layer are eliminated. Furthermore, in the case of a semiconductor chip glue pair, the chip-mounted component may be repaired, but at this time, if there is no thin film wiring layer on the circuit board, the repair resistance of the circuit board will be improved.
また、本願の第6発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアとこのチップキャリアの前記チップ
接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チッ
プとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の
回路基板にワイヤレスボンディングされた半導体チップ
実装構造において、前記チップキャリアの回路基板接続
面の周縁部とこの周縁部に対向する回路基板との間の隙
間に封止部材を配設している。このため、チップキャリ
アと回路基板との電気的接続部が前記封止部材により保
護される。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the sixth invention of the present application is as follows:
In the semiconductor chip mounting structure in which a plurality of chip mounting components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to one circuit board, A sealing member is disposed in a gap between the peripheral edge of the circuit board connection surface of the chip carrier and the circuit board facing the peripheral edge. Therefore, the electrical connection between the chip carrier and the circuit board is protected by the sealing member.
また、本願の第7発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアとこのチップキャリアの前記チップ
接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チッ
プとから構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の
回路基板にワイヤレスボンディングされた半導体チップ
実装構造において、前記半導体チップの裏面上方に冷却
板が配設されるとともに、前記半導体チップの裏面と冷
却板との間に半導体チップの熱を冷却板に伝達する熱伝
導部材が介設されており、前記熱伝導部材は、熱伝導グ
リースを有している。このように熱伝導グリースを介し
て、半導体チップで発生する熱を冷却板に伝達すると、
回路基板や冷却板等の反りに基づく変形等を吸収するこ
とができる。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the seventh invention of the present application is as follows:
In the semiconductor chip mounting structure in which a plurality of chip mounting components each including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip carrier are wirelessly bonded to one circuit board, A cooling plate is disposed above the back surface of the semiconductor chip, and a heat conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate to transfer the heat of the semiconductor chip to the cooling plate. The component includes thermally conductive grease. When the heat generated in the semiconductor chip is transferred to the cooling plate through the thermally conductive grease,
It is possible to absorb deformations caused by warping of circuit boards, cooling plates, etc.
また、本願の第8発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアと、このチップギヤリアの前記チッ
プ接続面にフェイスダウンボンディングされた半導体チ
ップと、から構成される複数個のチップ搭載部品が、一
枚の回路基板にワイヤレスボンディングされ、さらに、
前記半導体チップの裏面上方に冷却板が配設されるとと
もに、前記半導体チップの裏面と冷却板との間に半導体
チップの熱を冷却板に伝達する熱伝導部材が介設されて
いる半導体チップ実装構造において、前記回路基板の周
縁部と前記冷却板の周縁部との間に、これらの間を気密
に封止する脚部材を配設することにより、前記回路基板
上にワイヤレスボンディングされた複数個のチップ搭載
部品が全て封止されている。このようにすると、一枚の
回路基板上にワイヤレスボンディングされた複数個のチ
ップ搭載部品およびこのチップ搭載部品と回路基板との
間の電気的接続部を、一度に全部封止することができる
。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the eighth invention of the present application is as follows:
A plurality of chip mounting components including the chip carrier and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip gear carrier are wirelessly bonded to one circuit board, and further,
A semiconductor chip package in which a cooling plate is disposed above the back surface of the semiconductor chip, and a heat conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate for transmitting heat of the semiconductor chip to the cooling plate. In the structure, leg members are disposed between the peripheral edge of the circuit board and the peripheral edge of the cooling plate to airtightly seal the gap between them, so that a plurality of pieces are wirelessly bonded on the circuit board. All chip-mounted parts are sealed. In this way, a plurality of chip-mounted components wirelessly bonded onto one circuit board and the electrical connections between the chip-mounted components and the circuit board can all be sealed at once.
以下、図面により本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
なお、各実施例において、対応する構成要素には、下2
桁の数字が同一で3桁以上の数字が異なる符号を使用す
る。そして、第n (n≧2)実施例の説明において、
第1実施例の説明と重複する詳細な説明は省略する。In addition, in each example, corresponding components include the following 2.
Use codes with the same number of digits but different numbers of three or more digits. In the description of the nth (n≧2) embodiment,
Detailed explanations that overlap with those of the first embodiment will be omitted.
第1図〜第3図は本発明の第1実施例を示し、第1図は
、本発明によるチップキャリアを用いた半導体チップの
実装構造の一例を示す側面図、第2図は第1図の要部拡
大図、第3図は第1図および第2図に示されたチップキ
ャリアの要部(すなわち、チップキャリアを構成するキ
ャリア基板)の詳細説明図である。1 to 3 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a side view showing an example of a semiconductor chip mounting structure using a chip carrier according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is a detailed explanatory diagram of the main parts of the chip carrier shown in FIGS. 1 and 2 (that is, the carrier substrate constituting the chip carrier).
第1図および第2図に示されたチップキャリア1は、キ
ャリア基十反2をル苗えている。このキャリア基板2は
、第3図から明らかなように、キャリア基板上面2aお
よびキャリア基板下面2bを備えている。このキャリア
基板2の前記キャリア基板上面2aとキャリア基板下面
2bとの間には、内部に導体が収容された複数の導体収
容スルーホール2c12C・・・および内部に抵抗体が
収容された複数の抵抗体収容スルーホール2d、2d・
・・が形成されている。The chip carrier 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes ten carrier bases 2. The chip carrier 1 shown in FIGS. As is clear from FIG. 3, this carrier substrate 2 includes a carrier substrate upper surface 2a and a carrier substrate lower surface 2b. Between the carrier board upper surface 2a and the carrier board lower surface 2b of this carrier board 2, there are a plurality of conductor accommodation through holes 2c12C, each having a conductor therein, and a plurality of resistors each having a resistor therein. Body accommodation through holes 2d, 2d・
... is formed.
前記キャリア基板2は、250μm厚さのムライト (
Si(h−Ah03)グリーンシートに約450.+1
mピッチ、100μm直径の穴を電子ビーム(または、
レーザ、パンチング等)で明け、マスク印刷方式により
導体層(W)を埋め込んだ導体収容スルーホール2c、
2e・・・と、インピーダンスマツチング用の抵抗体(
Cr酸化物)を埋め込んだ抵抗体収容スルーホール2d
、 2d・・・とを形成したものを、4枚重ねて16
00℃で焼成したものである。このキャリア基板2は厚
さが厚いので、この厚さを制御することにより、抵抗値
を制御することができる。たとえば、目標抵抗値として
、厚さ1龍で55Ωとなるように設計制作した後、抵抗
の平均値が50Ωとなるようにキャリア基+7i 2の
両面を研削して目標抵抗値を達成することができる。な
お、前記ムライトグリーンシートの穴明けに際して、前
記パンチング穴明けを行った場合には、穴明精度が高い
ため、抵抗値のバラツキをより小さくすることができる
。The carrier substrate 2 is made of mullite (250 μm thick) (
Approximately 450. +1
m pitch, 100 μm diameter holes with an electron beam (or
A conductor-accommodating through-hole 2c, which is opened by laser, punching, etc., and a conductor layer (W) is embedded by a mask printing method;
2e... and a resistor for impedance matching (
Resistor housing through hole 2d filled with Cr oxide
, 2d... are stacked together to form 16
It was fired at 00°C. Since this carrier substrate 2 is thick, the resistance value can be controlled by controlling this thickness. For example, after designing and manufacturing a target resistance value of 55 Ω with a thickness of 1, the target resistance value can be achieved by grinding both sides of the carrier base +7i 2 so that the average resistance value is 50 Ω. can. Note that when the mullite green sheet is punched, the accuracy of the punching is high, so that the variation in resistance value can be further reduced.
第2図に示されているように、前記キャリア基板下面2
bには、導体−ポリイミド薄膜層3が形成される。この
導体−ポリイミド薄膜層3は、この実施例ではキャリア
基板下面2bにコーティングされたポリイミド樹脂3a
と、これをエツチングした部分にNi−Auメッキ、C
uメッキまたはCr −Cu蒸着等の導体により形成さ
れた複数の回路基板接続端子1a、la・・・とから構
成されている。そして、前記回路基板接続端子1a、
la・・・は、前記導体収容スルーホール2cおよび抵
抗体収容スルーホール2dのいずれかと接続している。As shown in FIG. 2, the lower surface 2 of the carrier substrate
A conductor-polyimide thin film layer 3 is formed on b. This conductor-polyimide thin film layer 3 is made of polyimide resin 3a coated on the carrier substrate lower surface 2b in this embodiment.
Then, the etched part is plated with Ni-Au and C.
It is composed of a plurality of circuit board connection terminals 1a, la, . . . formed of a conductor such as U plating or Cr-Cu vapor deposition. and the circuit board connection terminal 1a,
la... is connected to either the conductor accommodating through hole 2c or the resistor accommodating through hole 2d.
また、この実施例では、前記ポリイミド樹脂3aの表面
と回路基板接続端子la、la・・・の表面とによって
、前記チップキャリア1の回路7.−t +ffl接続
面1bが形成されている。Further, in this embodiment, the circuit 7. -t+ffl connection surface 1b is formed.
前記キャリア基板上面2a上には、導体−ポリイミド薄
膜層4が形成される。この導体−ポリイミド薄膜層4は
多層に形成されており、この実施例では、キャリア基板
上面2aの導体収容スルーホール2c、2c・・・上端
面および抵抗体収容スルーホール2d 、 2d・・・
上端面にCuの薄膜から形成された複数のキャリア基板
上面端子4a、4a・・・と、下側ポリイミド薄膜層4
bおよび上側ポリイミド薄膜層4cとを備えている。こ
れらの下側ポリイミド薄膜層4bおよび上側ポリイミド
薄膜層4b間には、CLIの薄膜配線層4dが配設され
ており、このCuの薄膜配線層4dは前記キャリア基板
上面端子4a、4a・・・に接続されている。また前記
上側ポリイミド薄膜層4c上にはCuの薄膜によって形
成されたチップ接続端子1c、 lc・・・が形成され
ており、このチップ接続端子1c、 lc・・・は、前
記Cuの薄n々配線層4d、キャリア基板上面端子4a
、4a・・・を介して前記導体収容スルーホール2c、
2c・・・または抵抗体収容スルーホール2d、2d・
・・の上端に接続されている。A conductor-polyimide thin film layer 4 is formed on the upper surface 2a of the carrier substrate. This conductor-polyimide thin film layer 4 is formed in multiple layers, and in this embodiment, the conductor-accommodating through holes 2c, 2c... on the upper surface 2a of the carrier substrate and the resistor-accommodating through holes 2d, 2d...
A plurality of carrier substrate upper surface terminals 4a, 4a... formed from a Cu thin film on the upper end surface, and a lower polyimide thin film layer 4.
b and an upper polyimide thin film layer 4c. A CLI thin film wiring layer 4d is disposed between the lower polyimide thin film layer 4b and the upper polyimide thin film layer 4b, and this Cu thin film wiring layer 4d is connected to the carrier substrate upper surface terminals 4a, 4a... It is connected to the. Further, chip connection terminals 1c, lc... formed of a thin film of Cu are formed on the upper polyimide thin film layer 4c, and these chip connection terminals 1c, lc... are formed of the thin film of Cu. Wiring layer 4d, carrier board top terminal 4a
, 4a... through the conductor-accommodating through-hole 2c,
2c... or resistor housing through hole 2d, 2d...
... is connected to the top end of the...
この実施例では、前記導体−ポリイミド薄膜層4は、前
記キャリア基板上面端子4a、4a・・・、下側ポリイ
ミド薄膜層4b、上側ポリイミド薄膜層4c、Cuの薄
膜配線層4dおよびチップ接続端子1c、 lc・・・
から構成されている。In this embodiment, the conductor-polyimide thin film layer 4 includes the carrier substrate upper surface terminals 4a, 4a, . . . , a lower polyimide thin film layer 4b, an upper polyimide thin film layer 4c, a Cu thin film wiring layer 4d, and a chip connection terminal 1c. , lc...
It consists of
また、この実施例では、前記上側ポリイミド薄膜層4c
の表面とチップ接続端子1c、lc・・・の表面とによ
って、前記チップキャリア1のチップ接続面1dが形成
されている。Further, in this embodiment, the upper polyimide thin film layer 4c
A chip connection surface 1d of the chip carrier 1 is formed by the surfaces of the chip connection terminals 1c, lc, . . . .
そして、前記チップキャリア1は、前述の符号la〜1
dおよび2〜4で示された要素から構成されている。The chip carrier 1 has the above-mentioned symbols la to 1.
It is composed of the elements shown in d and 2 to 4.
前記チップ接続面1dには、半導体チップ5の表面(図
中、下面) 5aがハンダバンプ(たとえば、Pb
5XSn :鉛と5%重量割合の錫とを含むハンダ)6
.6・・・を介してフェイスダウンボンディングされて
いる。そして、前記チップ接続面1dと半導体チップ5
の表面5aとの間の空間には、封止用の樹脂7が充填さ
れている。On the chip connection surface 1d, the surface (lower surface in the figure) 5a of the semiconductor chip 5 has solder bumps (for example, Pb
5XSn: Solder containing lead and 5% tin by weight) 6
.. Face-down bonding is performed via 6.... Then, the chip connection surface 1d and the semiconductor chip 5
The space between the surface 5a and the surface 5a is filled with sealing resin 7.
前記封止用の樹脂7としては、特願昭60−27680
7号に示されている下記の組成の樹脂を使用すると都合
がよい。The sealing resin 7 is disclosed in Japanese Patent Application No. 60-27680.
It is advantageous to use a resin of the following composition as shown in No. 7.
エピコート828 100部
ポリブタジェン(CTVN) 15部ジシアンジアミ
ド 10部
イミダゾール(2P4MHz) 5部石英粉(EM
C−Y2O) 55 Vo1%この組成の樹脂7
を用いた場合、前記半導体チップ5とチップキャリア1
との間のハンダバンプ6.6・・・の寿命は、フリップ
チップ裸構造の約10倍の耐熱疲労性を有している。ま
た、PCT(Pre−ssur Cook Te5t)
試験においても800時間をクリアする耐湿構造である
ことも確認されている。耐PCT性が向上する原因は基
板との密着力が強いためであり、離型剤の含まれている
トランスファモールド型の樹脂とは異なっている。Epicote 828 100 parts Polybutadiene (CTVN) 15 parts Dicyandiamide 10 parts Imidazole (2P4MHz) 5 parts Quartz powder (EM
C-Y2O) 55 Vo1% Resin 7 with this composition
When using the semiconductor chip 5 and the chip carrier 1
The lifespan of the solder bumps 6.6... between them has about 10 times the thermal fatigue resistance of a bare flip chip structure. Also, PCT (Pre-ssur Cook Te5t)
It has also been confirmed in tests that it has a moisture-resistant structure that can withstand 800 hours. The reason for the improved PCT resistance is the strong adhesion to the substrate, which is different from transfer mold type resins that contain a mold release agent.
前記符号1〜7で示された構成要素からチップ搭載部品
8が構成されている。A chip mounting component 8 is constituted by the components indicated by the numerals 1 to 7.
第2図および第1図に示されているように、多層セラミ
ックス基板から構成された回路基板9の上面には、接続
端子9aが配設されている。接続端子9aは、タングス
テン(W)焼結層9bおよびニッケル(Ni)メッキ層
9cから構成されている。前記回路基板接続端子1a、
la・・・はハンダバンプ10.10・・・を介して
前記回路基板9上面の接続端子9aにワイヤレスボンデ
ィングされている。As shown in FIGS. 2 and 1, connection terminals 9a are provided on the upper surface of the circuit board 9 made of a multilayer ceramic substrate. The connection terminal 9a is composed of a tungsten (W) sintered layer 9b and a nickel (Ni) plating layer 9c. the circuit board connection terminal 1a;
la... are wirelessly bonded to the connection terminals 9a on the upper surface of the circuit board 9 via solder bumps 10, 10....
このようにして、複数の前記チップ搭載部品8゜8・・
・が前記回路基板9の上面にワイヤレスボンディングさ
れている。In this way, a plurality of the chip mounting parts 8°8...
* is wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 9.
前記半導体チップ5の裏面5b (第1図中、上面)に
は、熱伝導のよい樹脂またはハンダ等の熱伝導性接着剤
11を介して高熱伝導板12が固定されている。この高
熱伝導板12の上面には、くし歯状突出部材12a、1
2a・・・が形成されている。この(し歯状突出部材1
2a、 12a・・・はその上方に配設された冷却板1
3の凹部13a、 13a・・・に挿入されている。こ
の凹部13a、 13a・・・内には、熱伝導グリース
14が充填されている。したがって、前記半導体チップ
5で発生した熱は、前記高熱伝導板12に伝達され、前
記くし歯状突出部材12a、1−2a・・・から前記熱
伝導グリース14を介して前記前記冷却板13に伝達さ
れるようになっている。前記冷却板13には、通水路1
3aが形成されており、その通水路13aの中を冷却水
が循環するようになっている。前記冷却板13の下面外
周部には、脚部13bが設けられている。この脚部13
bの下端は封止用の樹脂15によって前記回路基板9の
外周部に固着されている。したがって、前記回路基板9
上にワイヤレスボンディングされた複数のチップ搭載部
品8,8・・・は、前記回路基板9、冷却板13および
樹脂15等によって封止されている。A high thermal conductivity plate 12 is fixed to the back surface 5b (upper surface in FIG. 1) of the semiconductor chip 5 via a thermally conductive adhesive 11 such as resin or solder having good thermal conductivity. On the upper surface of this high heat conduction plate 12, comb-like protruding members 12a, 1
2a... is formed. This (teeth-like protruding member 1
2a, 12a... are the cooling plates 1 disposed above them.
3 are inserted into the recesses 13a, 13a... Thermal conductive grease 14 is filled in the recesses 13a, 13a, . . . . Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the high heat conduction plate 12, and is transferred to the cooling plate 13 from the comb-like protruding members 12a, 1-2a, . . . via the thermal conductive grease 14. It is meant to be transmitted. The cooling plate 13 has a water passage 1
3a is formed, and cooling water is circulated through the water passage 13a. A leg portion 13b is provided on the outer peripheral portion of the lower surface of the cooling plate 13. This leg 13
The lower end of b is fixed to the outer periphery of the circuit board 9 with a sealing resin 15. Therefore, the circuit board 9
A plurality of chip mounting components 8, 8, .
前記回路基板9の下面にはビン端子16が設けられてお
り、前述の符号1〜16で示された構成要素から、マル
チチップモジュール17が構成されている。Bin terminals 16 are provided on the lower surface of the circuit board 9, and a multi-chip module 17 is constructed from the components indicated by the above-mentioned numerals 1 to 16.
前記マルチチップモジュール17のビン端子16は、多
層プリント基板18のスルーホール18a内に挿入され
ている。スルーホール18a内には、ハンダ(たとえば
、5n−18%B1−45%pbのハンダ)19が充填
され、このハンダ19により、前記ビン端子16は、前
記多層プリント基板18に固定されている。 このよう
にして、一枚の多層プリント基板18上に複数のマルチ
チップモジュール17が装着されている。The pin terminals 16 of the multi-chip module 17 are inserted into through holes 18a of the multilayer printed circuit board 18. The through hole 18a is filled with solder (for example, 5n-18%B1-45%pb solder) 19, and the bin terminal 16 is fixed to the multilayer printed circuit board 18 by the solder 19. In this way, a plurality of multichip modules 17 are mounted on one multilayer printed circuit board 18.
次に、前述の構成をそなえた本発明の第1実施例の作用
について説明する。Next, the operation of the first embodiment of the present invention having the above-described configuration will be explained.
前記チップキャリア1のチップ接続端子1c、 lc・
・・と回路基板接続端子1a、 la・・・とは、チッ
プ接続面1dと回路基板接続面1bとの間に配設された
キャリア基板2の抵抗体収容スルーホール2d、2d・
・・を介して、接続されている。したがって、キャリア
基板2の厚さすなわち抵抗体収容スルーホール2d。Chip connection terminals 1c, lc of the chip carrier 1;
... and circuit board connection terminals 1a, la... are resistor-accommodating through holes 2d, 2d, etc. of the carrier board 2 disposed between the chip connection surface 1d and the circuit board connection surface 1b.
It is connected via... Therefore, the thickness of the carrier substrate 2, that is, the resistor housing through hole 2d.
2d・・・の厚さ方向の長さと、抵抗体収容スルーホー
ル2d、2d・・・の直径と、この抵抗体収容スルーホ
ール2d、2d・・・内に収容する抵抗体の材料とを適
当に選定することにより、チップ接続端子1c、 lc
・・・と回路基板接続端子1a、 la・・・との間の
抵抗値を適切な値に設定することができる。したがって
、抵抗体収容スルーホール2d、2d・・・の直径と、
この抵抗体収容スルーホール2d、2d・・・内に収容
する抵抗体の材料とを適当に選定しておいて、後でキャ
リア基板2の上面または下面を研削することによりキャ
リア基板2の厚さを調節すれば、前記チップ接続端子1
c、 lc・・・と回路基板接続端子1a、 la・・
・との間の抵抗値を適切な値に設定することができる。2d..., the diameter of the resistor housing through-holes 2d, 2d..., and the material of the resistor accommodated in the resistor housing through-holes 2d, 2d..., as appropriate. By selecting chip connection terminals 1c, lc
... and the circuit board connection terminals 1a, la... can be set to appropriate values. Therefore, the diameter of the resistor housing through holes 2d, 2d...
By appropriately selecting the material of the resistor to be accommodated in the resistor housing through-holes 2d, 2d, etc., and later grinding the upper or lower surface of the carrier substrate 2, the thickness of the carrier substrate 2 can be adjusted. By adjusting , the chip connection terminal 1
c, lc... and circuit board connection terminals 1a, la...
・The resistance value between can be set to an appropriate value.
このように、キャリア基板2の内部に抵抗を形成するこ
とにより、キャリア基板2の表面に薄膜抵抗または厚膜
抵抗のような終端整合用の抵抗素子を形成する必要がな
(なるので、キャリア基板2の表面を平坦に形成するこ
とができる。By forming the resistor inside the carrier substrate 2 in this way, there is no need to form a resistance element for termination matching such as a thin film resistor or a thick film resistor on the surface of the carrier substrate 2. 2 can be formed to have a flat surface.
したがって、前記キャリア基板上面2aまたはキャリア
基板下面2b上に導体−ポリイミド薄膜層3または4形
成プロセスを行って、前記チップ接続面1dまたは回路
基板接続面1bを形成する場合、前記キャリア基板上面
2aまたはキャリア基板下面2bが平坦な表面であるの
で、前記導体−ポリイミド薄膜層3または4形成の高歩
留り化が図れる。また、前記抵抗体収容スルーホール2
d、2d・・・内に収容スるインピーダンスマツチング
用の抵抗体の材料として使用したCr酸化物は、キャリ
ア基板2の表面ではなく、キャリア基板2内部に配設さ
れているため、キャリア基板2の表面すなわち前記キャ
リア基板上面2aに導体−ポリイミド薄膜配線層3を形
成するプロセスにおける熱処理に際し、抵抗値が変化し
難くなっている。したがって、前記チップキャリア1を
構成するキャリア基板2の抵抗体収容スルーホール2d
、2d・・・によって形成される各抵抗の抵抗値はバラ
ツキの少ないものが得られる。Therefore, when forming the conductor-polyimide thin film layer 3 or 4 on the carrier substrate upper surface 2a or the carrier substrate lower surface 2b to form the chip connection surface 1d or the circuit board connection surface 1b, the carrier substrate upper surface 2a or Since the lower surface 2b of the carrier substrate is a flat surface, a high yield in forming the conductor-polyimide thin film layer 3 or 4 can be achieved. In addition, the resistor housing through hole 2
The Cr oxide used as the material for the impedance matching resistor housed in d, 2d... is disposed inside the carrier substrate 2, not on the surface of the carrier substrate 2. During the heat treatment in the process of forming the conductor-polyimide thin film wiring layer 3 on the surface of the carrier substrate 2, that is, the upper surface 2a of the carrier substrate, the resistance value is difficult to change. Therefore, the resistor housing through hole 2d of the carrier substrate 2 constituting the chip carrier 1
, 2d, . . . , the resistance values of the respective resistors formed by the resistors have little variation.
また、前記チップキャリア1と半導体チップ5とのハン
ダバンプ6.6・・・による電気的接続部は、前記チッ
プ接続面1dと半導体チップ5の表面5aとの間の空間
に充填された前記封止用の樹脂7によって、湿気、塵埃
または機械的外力から保護されている。Further, the electrical connection between the chip carrier 1 and the semiconductor chip 5 by the solder bumps 6, 6, . The resin 7 protects it from moisture, dust, or external mechanical forces.
さらに、前述のようにチップキャリア1上のチップ接続
面ld側に半導体チップ5接続用のCuの薄膜配線層4
dを形成しているため、回路基板9上には半導体チップ
5接続用の配線層を設ける必要がなくなる。そして、半
導体チップ5のリペア(または、取り替え)に際しては
、前記符号1〜7で示された構成要素から成るチップ搭
載部品8をリペアすればよい。このチップ搭載部品8の
リペアの際、チップキャリア1に形成された半導体チッ
プ5接続用のCuの薄膜配線層4dも同時にリペア(ま
たは、取り替え)できる。このように、半と9体チップ
5接続用の配線層が回路基板9上に形成されていない場
合には、半導体チップ5のリペアに際して、回路基板9
自体の耐リペア性が向上する。また、半導体チップ5接
続用の配線層を比較的大面積の回路基板9上に形成する
のではなく、比較的小面積のチップキャリア1上に形成
することにより、パターンニングに際しての回路基ヰ反
9の反り等に起因する問題点等が解消され、回路基板9
の製造歩留まりが向上する。Furthermore, as described above, a Cu thin film wiring layer 4 for connecting the semiconductor chip 5 is provided on the chip connection surface ld side of the chip carrier 1.
d, there is no need to provide a wiring layer for connecting the semiconductor chip 5 on the circuit board 9. When repairing (or replacing) the semiconductor chip 5, it is sufficient to repair the chip mounting component 8, which is made up of the components indicated by the reference numerals 1 to 7. When repairing the chip mounting component 8, the Cu thin film wiring layer 4d for connecting the semiconductor chip 5 formed on the chip carrier 1 can also be repaired (or replaced) at the same time. In this way, when the wiring layer for connecting the half- and nine-chip chips 5 is not formed on the circuit board 9, when the semiconductor chip 5 is repaired, the circuit board 9
Its own repair resistance improves. Furthermore, by forming the wiring layer for connecting the semiconductor chip 5 on the relatively small area chip carrier 1 instead of forming it on the relatively large area circuit board 9, it is possible to reduce the circuit board thickness during patterning. Problems caused by warping of the circuit board 9 have been solved, and the circuit board 9
The manufacturing yield will be improved.
前記半導体チップ5の裏面5bに固定された高熱伝導板
12上面のくし歯状突出部材12a、12a・・・と、
前記冷却板13の凹部13a、13a・・・との間に充
填され熱伝導グリース14は、前記くし歯状突出部材1
2a。comb-like protruding members 12a, 12a, . . . on the upper surface of the high heat conductive plate 12 fixed to the back surface 5b of the semiconductor chip 5;
Thermal conductive grease 14 is filled between the recesses 13a, 13a, . . . of the cooling plate 13, and
2a.
12a・・・および凹部13a、13a・・・間の熱の
伝達を行うとともに、それらの部材の熱膨張率の差によ
る歪を吸収する。12a... and the recesses 13a, 13a... and absorbs the strain caused by the difference in coefficient of thermal expansion of these members.
また、前記回路基板9上にワイヤレスポンディングされ
ている前記複数のチップ搭載部品8,8・・・は、前記
回路基板9、冷却板13および樹脂15等によって封止
され、そのボンディング部分が湿気、塵埃等から保護さ
れている。Further, the plurality of chip mounting components 8, 8, . , protected from dust, etc.
また、前記マルチチップモジュール17は、そのピン端
子16によって、多層プリント基板18に容易に接続固
定されるようになっている。Further, the multi-chip module 17 is easily connected and fixed to a multilayer printed circuit board 18 through its pin terminals 16.
次に、第4図により、キャリア基板の第2実施例を説明
する。Next, a second embodiment of the carrier substrate will be described with reference to FIG.
第4図に示したキャリア基板102は、前記第3図に示
したキャリア基板2と全く同様の構成を有する基板本体
2を形成し、その上、下面2a、2bを研削して抵抗体
収容スルーホール2d、2d・・・の抵抗値を調整した
後、基板本体2の上面2aおよび下面2bに、上面側導
体埋め込みムライトグリーンシート2eおよび下面側導
体埋め込みムライトグリーンシート2fを重合したもの
である。したがって、上面側導体埋め込みムライトグリ
ーンシート2eの上面によりキャリア基板上面102a
が形成され、下面側導体埋め込みムライトグリーンシー
ト2fの下面によりキャリア基板下面102bが形成さ
れている。The carrier substrate 102 shown in FIG. 4 has a substrate main body 2 having exactly the same structure as the carrier substrate 2 shown in FIG. After adjusting the resistance values of the holes 2d, 2d, . . . , an upper conductor-embedded mullite green sheet 2e and a lower conductor-embedded mullite green sheet 2f are superposed on the upper surface 2a and lower surface 2b of the substrate body 2. Therefore, the upper surface of the upper surface side conductor-embedded mullite green sheet 2e causes the carrier substrate upper surface 102a to
is formed, and the lower surface of the lower surface side conductor-embedded mullite green sheet 2f forms the carrier substrate lower surface 102b.
前記上面側導体埋め込みムライトグリーンシート2eお
よび下面側導体埋め込みムライトグリーンシー)2fに
は導体が埋め込まれた導体収容スルーホール2g、2g
・・・が設けられている。そして、前記下面側導体埋め
込みムライトグリーンシート2eおよび下面側導体埋め
込みムライトグリーンシート2fの導体収容スルーホー
ル2e、2e・・・は、基板本体2の導体収容スルーホ
ール2c、2c・・・または抵抗体収容スルーホール2
d 、 2d・・・に接続されている。The upper surface side conductor-embedded mullite green sheet 2e and the lower surface side conductor-embedded mullite green sheet) 2f have conductor accommodation through holes 2g, 2g in which conductors are embedded.
...is provided. The conductor-accommodating through-holes 2e, 2e, . Accommodation through hole 2
d, 2d... are connected.
抵抗体収容スルーホール2d、2d・・・の厚さを薄く
して、上面、下面の導体層を収容スルーホールの厚さよ
りも厚くすることも抵抗体を選ぶことにより可能である
。It is also possible to reduce the thickness of the resistor-accommodating through-holes 2d, 2d, . . . and make the conductor layers on the upper and lower surfaces thicker than the thickness of the resistor-accommodating through-holes by selecting the resistor.
このように、上面側導体埋め込みムライトグリーンシー
ト2fおよび下面側導体埋め込みムライトグリーンシー
ト2gを配設することにより、キャリア基板102のキ
ャリア基板上面102aおよびキャリア基板下面102
b上にチップ接続端子または回路基板接続端子を形成す
る際、各端子の付着強度が均一に確保される。In this way, by arranging the upper surface side conductor-embedded mullite green sheet 2f and the lower surface side conductor-embedded mullite green sheet 2g, the carrier substrate upper surface 102a of the carrier substrate 102 and the carrier substrate lower surface 102
When forming chip connection terminals or circuit board connection terminals on b, uniform adhesion strength of each terminal is ensured.
次に、第5図により、キャリア基板の第3実施例を説明
する。Next, a third embodiment of the carrier substrate will be described with reference to FIG.
第5図に示したキャリア基板202は、キャリア基板上
面202aおよびキャリア基板下面202bを備えてい
る。このキャリア基板202の前記キャリア基板上面2
02aとキャリア基板下面202bとの間には、内部に
導体が収容された複数の導体収容スルーホール202c
、 202c・・・および内部に抵抗体が収容された複
数の抵抗体収容スルーホール202d 、 202d・
・・が設けられている。The carrier substrate 202 shown in FIG. 5 includes a carrier substrate upper surface 202a and a carrier substrate lower surface 202b. The carrier substrate upper surface 2 of this carrier substrate 202
02a and the lower surface 202b of the carrier board are a plurality of conductor accommodating through holes 202c in which conductors are accommodated.
, 202c... and a plurality of resistor-accommodating through-holes 202d, 202d, in which resistors are housed.
... is provided.
前記キャリア基板202は、250μm厚さのムライト
(SiO□・Ah(h)グリーンシート3枚から形成
されている。前記ムライトグリーンシートには、約45
0μmピンチ、100μm直径のスルーホールが電子ビ
ーム(または、サーブ、パンチング等)で明けられてい
る。そして、前記スルーホールに、マスク印刷方式によ
り導体層(W)を埋め込むことにより、前記導体収容ス
ルーホール202c、 202c・・・が形成され、ま
た、インピーダンスマツチング用の抵抗体(Cr酸化物
)を埋め込むことにより、前記抵抗体収容スルーホール
202d 、 202d・・・が形成されている。この
ようなムライトグリーンシートが3枚、各導体収容スル
ーホール202c、 202c・・・および抵抗体収容
スルーホール202d 、 202d・・・の位置をず
らせて重ね合わせ、1600℃で焼成されて、前記キャ
リア基板202が形成されている。このように、各ムラ
イトグリーンシートの位置をずらせて重ね合わせること
により、抵抗体収容スルーホール202d 、 202
d・・・の抵抗値を調整することが可能である。しかも
、前記キャリア基板202は厚さが厚いので、この厚さ
を制御することにより、抵抗値を制御するこ也もできる
。なお、前記抵抗体収容スルーホール202d 、 2
02d・・・内に埋め込む抵抗体としては、前記Cr酸
化物の他に、W、ガラス、Fe、Ni、 Mn、Cu等
の合金から成る抵抗体を混入したペーストを用いること
も可能である。また、前記ムライトグリーンシートの代
わりに、ガラスセラミツク基板を用いることも可能であ
り、その場合には、導体としてAg−Pd、抵抗層とし
てルテニウムオキサイド(R20)または八g−Pdに
ガラスを混入したもの等を使用することができる。The carrier substrate 202 is formed from three mullite (SiO□Ah(h) green sheets with a thickness of 250 μm.
A through hole with a 0 μm pinch and a diameter of 100 μm is made using an electron beam (or saber, punching, etc.). Then, the conductor-accommodating through-holes 202c, 202c... are formed by embedding a conductor layer (W) in the through-hole by a mask printing method, and a resistor (Cr oxide) for impedance matching is formed. By embedding, the resistor housing through holes 202d, 202d, . . . are formed. Three such mullite green sheets are stacked on top of each other with the positions of the conductor housing through holes 202c, 202c... and the resistor housing through holes 202d, 202d... shifted, and fired at 1600°C to form the carrier. A substrate 202 is formed. In this way, by shifting the positions of the mullite green sheets and overlapping them, the resistor housing through holes 202d, 202 are formed.
It is possible to adjust the resistance value of d.... Furthermore, since the carrier substrate 202 is thick, the resistance value can also be controlled by controlling the thickness. Note that the resistor housing through holes 202d, 2
As the resistor to be embedded in 02d..., it is also possible to use a paste containing a resistor made of an alloy of W, glass, Fe, Ni, Mn, Cu, etc. in addition to the Cr oxide. Moreover, it is also possible to use a glass ceramic substrate instead of the mullite green sheet, and in that case, a glass-ceramic substrate mixed with Ag-Pd as the conductor and ruthenium oxide (R20) or 8g-Pd as the resistive layer can be used. You can use things like
次に、第6図により、キャリア基板の第4実施例を説明
する。Next, a fourth embodiment of the carrier substrate will be described with reference to FIG.
第6図に示したキャリア基板302は、キャリア基板上
面302aおよびキャリア基板下面302bを備えてい
る。このキャリア基板302の前記キャリア基板上面3
02aとキャリア基板下面302bとの間には、内部に
導体が収容された複数の導体収容スルーホール302c
、 302c・・・および内部に抵抗体が収容された複
数の抵抗体収容スルーホール302d 、 302d・
・・が形成されている。The carrier substrate 302 shown in FIG. 6 includes a carrier substrate upper surface 302a and a carrier substrate lower surface 302b. The carrier substrate upper surface 3 of this carrier substrate 302
02a and the lower surface 302b of the carrier board are a plurality of conductor-accommodating through-holes 302c in which conductors are accommodated.
, 302c... and a plurality of resistor housing through-holes 302d, 302d.
... is formed.
前記導体収容スルーホール302c、302c・・・は
、Cuペースト等の適当な導体302eが充填されてい
る。The conductor accommodating through holes 302c, 302c, . . . are filled with a suitable conductor 302e such as Cu paste.
前記抵抗体収容スルーホール302d、302d・・・
は、スルーホール内に抵抗線302fを挿入し、スルー
ホールの両側にCuペース) 302g等を埋め込んだ
後、レーザLを前記スルーホールの両側端に照射して形
成される。前記レーザLを前記抵抗体収容スルーホール
302d、302d・・・の両側端に照射することによ
り、抵抗値が小さくなるので、レーザI7の照射量を調
節することにより、前記抵抗体収容スルーホール302
d 、 302d・・・の抵抗値を制御することができ
る。前記抵抗線302fの材料として、レニウム(19
,2μΩcm)、ランタン(57μΩcIfl)、Zr
(40μΩc!11)、銅ニッケル(49μΩcffl
)、マンガニン(39μΩcna)等を使用すれば、抵
抗体収容スルーホール302d、 302d・・・の抵
抗値を50Ω程度に制御することが可能である。The resistor housing through holes 302d, 302d...
is formed by inserting a resistance wire 302f into the through hole, embedding Cu paste 302g, etc. on both sides of the through hole, and then irradiating both ends of the through hole with a laser L. By irradiating both ends of the resistor housing through-holes 302d, 302d... with the laser L, the resistance value is reduced, so by adjusting the irradiation amount of the laser I7,
The resistance values of d, 302d, . . . can be controlled. Rhenium (19
, 2μΩcm), lanthanum (57μΩcIfl), Zr
(40μΩc!11), copper nickel (49μΩcffl
), manganin (39 μΩcna), etc., it is possible to control the resistance value of the resistor housing through holes 302d, 302d, . . . to about 50Ω.
次に、第7図により、キャリア基板の第5実施例を説明
する。第7図(イ)は、第5実施例のキャリア基板40
2の断面図であり、第7図(ロ)はその製造方法の説明
図である。Next, a fifth embodiment of the carrier substrate will be described with reference to FIG. FIG. 7(A) shows the carrier substrate 40 of the fifth embodiment.
2, and FIG. 7(b) is an explanatory diagram of the manufacturing method thereof.
第7図(イ)に示したキャリア基板402は、キャリア
基板上面402aおよびキャリア基板下面402bを備
えている。このキャリア基板402の前記キャリア基板
上面402aとキャリア基板下面402bとの間には、
内部に導体が収容された複数の導体収容スルーホール4
02c、 402c・・・および内部に抵抗体が収容さ
れた複数の抵抗体収容スルーホール402d、402d
・・・が形成されている。The carrier substrate 402 shown in FIG. 7(a) includes a carrier substrate upper surface 402a and a carrier substrate lower surface 402b. Between the carrier substrate upper surface 402a and the carrier substrate lower surface 402b of this carrier substrate 402,
A plurality of conductor-accommodating through-holes 4 in which conductors are housed
02c, 402c... and a plurality of resistor housing through holes 402d, 402d in which resistors are housed.
... is formed.
前記導体収容スルーホール402c、 402c・・・
は、スルーホール内に挿入されたCu[等の適当な導体
402eと、その導体402eの周囲に充填されたエポ
キシ樹脂402fとにより形成されている。前記抵抗体
収容スルーホール402d、402d・・・は、スルー
ホール内に挿入された適当な抵抗線402gと、その抵
抗線402g周囲に充填されたエポキシ樹脂402hと
により形成されている。The conductor accommodating through holes 402c, 402c...
is formed of a suitable conductor 402e such as Cu inserted into the through hole and an epoxy resin 402f filled around the conductor 402e. The resistor housing through holes 402d, 402d, . . . are formed by a suitable resistance wire 402g inserted into the through hole and an epoxy resin 402h filled around the resistance wire 402g.
次に、第7図(ロ)により、前述の構成を備えたキャリ
ア基板402の製造方法を説明する。Next, a method for manufacturing the carrier substrate 402 having the above-described configuration will be explained with reference to FIG. 7(b).
直径150μのスルーホールを孔明けした大型基板を離
型剤4021を間に挟んで多数枚重ね合わせ、挟持枠K
により位置決めする。そして、前記スルーホールに直径
100μの銅線402eまたは抵抗線402gを通した
後、スルーホール隙間に、耐熱性で密着力があり且つ流
動性のある樹脂(たとえば、エポキシ樹脂)を下の基板
側から吸引して充填する。A large number of large substrates with through holes of 150μ in diameter are stacked with mold release agent 4021 in between, and the holding frame K
Positioning is done by After passing a copper wire 402e or resistance wire 402g with a diameter of 100μ through the through hole, a heat-resistant, adhesive, and fluid resin (for example, epoxy resin) is applied to the gap between the through holes on the lower board side. Aspirate and fill.
この樹脂を硬化させた後、大型基板間をワイヤソー等で
分離切断後、両面を研削し、抵抗値を調整する。分離し
た基板は、各キャリア基板402毎に切断する。そして
、キャリア基板402のキャリア基板上面402aおよ
びキャリア基板下面402bを研磨する。After this resin is cured, the large substrates are separated and cut using a wire saw or the like, and then both surfaces are ground to adjust the resistance value. The separated substrates are cut into individual carrier substrates 402. Then, the carrier substrate upper surface 402a and the carrier substrate lower surface 402b of the carrier substrate 402 are polished.
次に、第8図により、チップキャリアの回路基板接続面
およびチップ接続面、並びにそれらの接続面と回路基板
および半導体チップとの接合構造の第2実施例を説明す
る。なお、第8図に示したチップキャリア101のキャ
リア基板は、前記第2図で示したキャリア基板2と全く
同一に形成されている。Next, a second embodiment of a circuit board connection surface and a chip connection surface of a chip carrier, and a bonding structure between these connection surfaces, a circuit board, and a semiconductor chip will be described with reference to FIG. The carrier substrate of the chip carrier 101 shown in FIG. 8 is formed exactly the same as the carrier substrate 2 shown in FIG. 2.
チップキャリア101を構成するキャリア基板2のキャ
リア基板下面2bには、導体−ポリイミド薄膜層103
が形成される。この導体−ポリイミド薄膜層103は、
この実施例ではキャリア基板下面2bにコーティングさ
れたポリイミド樹脂103aと、これをエツチングした
部分にNi−Auメッキ、CuメッキまたはCr −C
u蒸着等の導体により形成された複数の回路基板接続端
子101a、 101a・・・とから構成されている。A conductor-polyimide thin film layer 103 is provided on the lower surface 2b of the carrier substrate 2 constituting the chip carrier 101.
is formed. This conductor-polyimide thin film layer 103 is
In this embodiment, the polyimide resin 103a coated on the lower surface 2b of the carrier substrate, and the etched portion of the polyimide resin 103a are coated with Ni-Au plating, Cu plating or Cr-C.
It is composed of a plurality of circuit board connection terminals 101a, 101a, . . . formed of a conductor such as U vapor deposited.
そして、前記回路基板接続端子101a、 101a・
・・は、前記導体収容スルーホール2Cおよび抵抗体収
容スルーホール2dのいずれかと接続している。また、
この実施例では、前記ポリイミド樹脂103aの表面と
回路基板接続端子101a、 101a・・・の表面と
によって、前記チップキャリア101の回路基板接続面
101bが形成されている。And the circuit board connection terminals 101a, 101a.
... is connected to either the conductor housing through hole 2C or the resistor housing through hole 2d. Also,
In this embodiment, a circuit board connection surface 101b of the chip carrier 101 is formed by the surface of the polyimide resin 103a and the surfaces of the circuit board connection terminals 101a, 101a, . . . .
前記キャリア基板上面2a上には、導体−ポリイミド薄
膜層104が形成される。この導体−ポリイミド薄膜層
104は多層に形成されており、この実施例では、キャ
リア基板上面2aの導体収容スルーホール2c、2c・
・・上端面および抵抗体収容スルーホール2d、2d・
・・上端面にCuの薄膜から形成された複数のキャリア
基板上面端子104a、 104a・・・と、下側ポリ
イミド薄膜層104b、中間ポリイミド薄膜層104c
および上側ポリイミド薄膜層104dとを備えている。A conductor-polyimide thin film layer 104 is formed on the upper surface 2a of the carrier substrate. This conductor-polyimide thin film layer 104 is formed in multiple layers, and in this embodiment, the conductor-accommodating through holes 2c, 2c,
...Top end surface and resistor housing through holes 2d, 2d.
. . . a plurality of carrier substrate upper surface terminals 104a, 104a, . . . formed from a Cu thin film on the upper end surface; a lower polyimide thin film layer 104b;
and an upper polyimide thin film layer 104d.
これらの下側ポリイミド薄膜層104bおよび中間ポリ
イミド薄膜層1040間には、Cuから形成された下側
薄膜配線層104eが配設されており、また、中間ポリ
イミド薄膜層104cと上側ポリイミド薄膜層104d
間には、Cuから形成された上側薄膜配線層104fが
配設されている。前記上側薄膜配線層104「は前記下
側薄膜配線層104eを介して前記キャリア基板上面端
子104a、 104a・・・に接続されている。また
前記上側ポリイミド薄膜層104d上にはNt −Au
の薄膜によって形成されたチップ接続端子101c、
101C・・・が形成されており、このチップ接続端子
101c。A lower thin film wiring layer 104e made of Cu is disposed between the lower polyimide thin film layer 104b and the intermediate polyimide thin film layer 1040, and the intermediate polyimide thin film layer 104c and the upper polyimide thin film layer 104d
An upper thin film wiring layer 104f made of Cu is provided between them. The upper thin film wiring layer 104'' is connected to the carrier substrate upper surface terminals 104a, 104a, .
A chip connection terminal 101c formed of a thin film of
101C... are formed, and this chip connection terminal 101c.
101c・・・は、前記Cuの上側薄膜配線層104f
、下側薄膜配線層104eおよびキャリア基板上面端子
104a、104a・・・を介して、前記導体収容スル
ーホール2c、2C・・・または抵抗体収容スルーホー
ル2d 、 2d・・・に接続されている。そして、前
記チップ接続端子101c。101c... is the upper thin film wiring layer 104f of Cu.
, are connected to the conductor-accommodating through-holes 2c, 2C... or the resistor-accommodating through-holes 2d, 2d... via the lower thin film wiring layer 104e and the carrier board upper surface terminals 104a, 104a... . And the chip connection terminal 101c.
101c・・・の間隔は、第8図から明らかなように、
前記キャリア基板上面端子104a、 104a・・・
の間隔よりも小さく形成されている。これは、チップキ
ャリア101のチップ接続端子101c、 101c・
・・を、後述の半導体チップ105の端子の間隔に適合
させるためである。As is clear from FIG. 8, the intervals of 101c...
The carrier board upper surface terminals 104a, 104a...
The spacing is smaller than the spacing between the two. These are the chip connection terminals 101c and 101c of the chip carrier 101.
This is to match the spacing between the terminals of the semiconductor chip 105, which will be described later.
この実施例では、前記導体−ポリイミド薄膜層104は
、前記キャリア基板上面端子104a、 104a・・
・、下側ポリイミド薄膜層104b、中間ポリイミド薄
膜層104c、上側ポリイミド薄膜層104d、下側薄
膜配線層104e、上側薄膜配線層104fおよびチッ
プ接続端子101c、 101c・・・から構成されて
いる。In this embodiment, the conductor-polyimide thin film layer 104 includes the carrier substrate top terminals 104a, 104a...
, a lower polyimide thin film layer 104b, an intermediate polyimide thin film layer 104c, an upper polyimide thin film layer 104d, a lower thin film wiring layer 104e, an upper thin film wiring layer 104f, and chip connection terminals 101c, 101c...
また、この実施例では、前記上側ポリイミド薄膜層10
4dの表面とチップ接続端子101c、 101c・・
・の表面とによって、前記チップキャリア101のチッ
プ接続面101dが形成されている。Further, in this embodiment, the upper polyimide thin film layer 10
4d surface and chip connection terminals 101c, 101c...
A chip connection surface 101d of the chip carrier 101 is formed by the surface of the chip carrier 101.
そして、前記チップキャリア101は、前述の符号10
1a〜101d、2および103〜104で示された要
素から構成されている。The chip carrier 101 includes the aforementioned reference numeral 10.
It is composed of elements shown as 1a to 101d, 2 and 103 to 104.
前記チップ接続面101dにフェイスダウンボンディン
グされる半導体チップ105の表面105a (第8図
中、下面)には、チップ表面薄膜配線層105Cとチッ
プ表面端子105d、 105d・・・とが形成されて
いる。A chip surface thin film wiring layer 105C and chip surface terminals 105d, 105d, . .
そして、前記チップキャリア101の接続端子101c
。And the connection terminal 101c of the chip carrier 101
.
101c・・・には、チップ表面端子105d、 10
5d・・・がハンダハンプ(たとえば、Pb−5χSn
:鉛と5%重量割合の錫とを含むハンダ)106.10
6・・・を介してフェイスダウンボンディングされてい
る。そして、前記チップ接続面101dと半導体チップ
105の表面■05aとの間の空間には、封止用の樹脂
107が充填されている。101c... have chip surface terminals 105d, 10
5d... is a solder hump (for example, Pb-5χSn
: Solder containing lead and 5% tin by weight) 106.10
Face-down bonding is performed via 6.... The space between the chip connection surface 101d and the surface 05a of the semiconductor chip 105 is filled with a sealing resin 107.
前記符号101および105〜107で示された構成要
素からチップ搭載部品108が構成されている。A chip mounting component 108 is constituted by the components indicated by the reference numerals 101 and 105 to 107.
多層セラミックス基板から構成された回路姑仮109の
上面には、ニッケル(Ni)メッキ層から構成された接
続端子109aが配設されている。前記回路基板接続端
子101a、 101a・・・はハンダバンプ110゜
110・・・を介して前記回路基板109上面の接続端
子109aにワイヤレスボンディングされている。
このようにして、複数の前記チッ・ブ搭載部品108.
108・・・が前記回路基板9の上面にワイヤレスボン
ディングされている。A connection terminal 109a made of a nickel (Ni) plating layer is provided on the upper surface of the circuit board 109 made of a multilayer ceramic substrate. The circuit board connection terminals 101a, 101a, . . . are wirelessly bonded to the connection terminals 109a on the upper surface of the circuit board 109 via solder bumps 110, 110, .
In this way, a plurality of the chip mounting parts 108.
108 are wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 9.
次に、第9図により、チップキャリアの回路基板接続面
およびチップ接続面、並びにそれらの接続面と回路基板
および半導体チップとの接合構造の第3実施例を説明す
る。なお、第9図に示したチップキャリア201のキャ
リア基板は、前記第2図で示したキャリア基板2と全く
同一に形成されているものとする。Next, a third embodiment of a circuit board connection surface and a chip connection surface of a chip carrier, and a bonding structure between these connection surfaces, a circuit board, and a semiconductor chip will be described with reference to FIG. It is assumed that the carrier substrate of the chip carrier 201 shown in FIG. 9 is formed exactly the same as the carrier substrate 2 shown in FIG. 2.
キャリア基板2は、キャリア基板上面2aおよびキャリ
ア基板下面2bを備えている。キャリア基板下面2bに
は、前記導体収容スルーホール2c、2c・・・および
抵抗体収容スルーホール2d、2d・・・の下端に接続
された複数の回路基板接続端子201a、201a・・
・が形成されている。そして、前記キャリア基板下面2
bと回路基板接続端子201a、201a・・・の下面
とから、前記チップキャリア1の回路基板接続面201
bが形成されている。The carrier substrate 2 includes a carrier substrate upper surface 2a and a carrier substrate lower surface 2b. The lower surface 2b of the carrier board has a plurality of circuit board connection terminals 201a, 201a, . . . connected to the lower ends of the conductor accommodating through holes 2c, 2c, .
・is formed. Then, the lower surface 2 of the carrier substrate
b and the lower surface of the circuit board connection terminals 201a, 201a..., the circuit board connection surface 201 of the chip carrier 1.
b is formed.
前記キャリア基板上面2a上には、導体−ポリイミド薄
膜層204が形成される。この導体−ポリイミド薄膜層
204は、この実施例ではキャリア基板上面2aにコー
ティングされたポリイミド樹脂204aと、これをエツ
チングした部分にNi−Auメ・ツキ、Cuメッキまた
はCr −Cu蒸着等の導体により形成された複数のチ
ップ接続端子201c、 201c・・・とから構成さ
れている。そして、前記チップ接続端子201c。A conductor-polyimide thin film layer 204 is formed on the upper surface 2a of the carrier substrate. In this embodiment, the conductor-polyimide thin film layer 204 is made of a polyimide resin 204a coated on the upper surface 2a of the carrier substrate, and a conductor such as Ni-Au plating, Cu plating, or Cr-Cu vapor deposition on the etched portion of the polyimide resin 204a. It is composed of a plurality of chip connection terminals 201c, 201c, . . . formed therein. And the chip connection terminal 201c.
201c・・・は、前記導体収容スルーホール2Cおよ
び抵抗体収容スルーホール2dのいずれかと接続してい
る。また、この実施例では、前記ポリイミド樹脂204
の表面とチップ接続端子201c、201c・・・の表
面とによって、前記チップキャリア201のチップ接続
面201dが形成されている。201c... are connected to either the conductor accommodating through hole 2C or the resistor accommodating through hole 2d. Furthermore, in this embodiment, the polyimide resin 204
A chip connection surface 201d of the chip carrier 201 is formed by the surfaces of the chip connection terminals 201c, 201c, . . . .
前記チップキャリア201は、前述の符号201a〜2
01d、2および204で示された要素から構成されて
いる。The chip carrier 201 has the above-mentioned symbols 201a to 201a.
It is composed of elements indicated by 01d, 2 and 204.
前記チップ接続面201dには、半導体チップ205の
表面(図中、下面) 205aがハンダハンプ(Pb
−5χSn:鉛と5%重量割合の錫とを含むハンダ)2
06.206・・・を介してフェイスダウンボンディン
グされている。そして、前記チップ接続面201dと半
導体チップ205の表面205aとの間の空間には、封
止用の樹脂207が充填されている。On the chip connection surface 201d, the front surface (lower surface in the figure) 205a of the semiconductor chip 205 has a solder hump (Pb
-5χSn: solder containing lead and 5% tin by weight) 2
Face-down bonding is performed via 06.206... The space between the chip connection surface 201d and the surface 205a of the semiconductor chip 205 is filled with a sealing resin 207.
前記符号201および205〜207で示された構成要
素からチップ搭載部品208が構成されている。A chip mounting component 208 is constituted by the components indicated by the reference numerals 201 and 205 to 207.
多層セラミックス基板から構成された回路基板209の
上面には、ニッケル(Ni)メッキ層から構成された接
続端子209aが配設されている。前記回路基板接続端
子201a、201a・・・はハンダバンブ210゜2
10・・・を介して前記回路基板209上面の接続端子
209aにワイヤレスポンディングされている。 こ
のようにして、複数の前記チップ搭載部品208,20
8・・・が前記回路基板209の上面にワイヤレスボン
ディングされている。Connection terminals 209a made of a nickel (Ni) plating layer are provided on the upper surface of the circuit board 209 made of a multilayer ceramic substrate. The circuit board connection terminals 201a, 201a... are solder bumps 210°2.
10... are wirelessly bonded to the connection terminal 209a on the upper surface of the circuit board 209. In this way, the plurality of chip mounting components 208, 20
8 are wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 209.
次に、第10図により、チップキャリアの回路基板接続
面およびチップ接続面、並びにそれらの接続面と回路基
板および半導体チップとの接合構造の第4実施例を説明
する。なお、第10図に示したチップキャリア301の
キャリア基板は、前記第4図で示したキャリア基板10
2と全(同一に形成されている。Next, a fourth embodiment of a circuit board connection surface and a chip connection surface of a chip carrier, and a bonding structure between these connection surfaces, a circuit board, and a semiconductor chip will be described with reference to FIG. Note that the carrier substrate of the chip carrier 301 shown in FIG. 10 is the same as the carrier substrate 10 shown in FIG.
2 and all (formed identically.
キャリア基板102のキャリア基板下面102bには、
Ni −Auメッキ、CuメッキまたはCr −Cu蒸
着等の導体により形成された複数の回路基板接続端子3
01a。On the carrier substrate lower surface 102b of the carrier substrate 102,
A plurality of circuit board connection terminals 3 formed of a conductor such as Ni-Au plating, Cu plating, or Cr-Cu vapor deposition.
01a.
301a・・・が形成されている。そして、前記回路基
板接続端子301a、301a・・・は、前記導体収容
スルーホール2g、2gを介して、導体収容スルーホー
ル2C92C・・・または抵抗体収容スルーホール2d
、2d・・・の下端と接続している。また、この実施例
では、前記キャリア基板下面102bと回路基板接続端
子301a、301a・・・の表面とによって、前記チ
ップキャリア301の回路基板接続面301bが形成さ
れている。301a... are formed. The circuit board connection terminals 301a, 301a... are connected to the conductor accommodation through holes 2C92C... or the resistor accommodation through holes 2d via the conductor accommodation through holes 2g, 2g.
, 2d... are connected to the lower ends. Further, in this embodiment, a circuit board connection surface 301b of the chip carrier 301 is formed by the carrier board lower surface 102b and the surfaces of the circuit board connection terminals 301a, 301a, . . . .
前記キャリア基板上面102a上には、導体−ポリイミ
ド薄膜層304が形成されている。この導体−ポリイミ
ド薄膜層304は多層に形成されており、この実施例で
は、キャリア基板上面102aの導体収容スルーホール
2g、2g・・・上端面にCuの薄膜から形成された複
数のキャリア基板上面端子304a、304a・・・と
、下側ポリイミド薄膜層304bおよび上側ポリイミド
薄膜層304cとを備えている。これらの下側ポリイミ
ド薄膜層304bおよび上側ポリイミド薄膜層304c
間には、Cuの薄膜配WA層304dが配設されており
、このCuの薄膜配線層304dは前記キャリア基板上
面端子304a 、 304a・・・に接続されている
。また前記上側ポリイミド薄膜層304c上にはNi−
Auの薄膜によって形成されたチップ接続端子301c
、301c・・・が形成されており、このチップ接続端
子301c、301c・・・は、前記Cuの薄膜配線層
304d 、キャリア基板上面端子304a、 304
a・・・および前記導体収容スルーホール2g 、 2
gを介して前記導体収容スルーホール2c、2c・・・
または抵抗体収容スルーホール2d、2d・・・の上端
に接続されている。A conductor-polyimide thin film layer 304 is formed on the carrier substrate top surface 102a. This conductor-polyimide thin film layer 304 is formed in multiple layers, and in this embodiment, a plurality of conductor-accommodating through holes 2g, 2g, . It includes terminals 304a, 304a, . . . , a lower polyimide thin film layer 304b, and an upper polyimide thin film layer 304c. These lower polyimide thin film layer 304b and upper polyimide thin film layer 304c
A Cu thin film wiring WA layer 304d is disposed between them, and this Cu thin film wiring layer 304d is connected to the carrier substrate upper surface terminals 304a, 304a, . . . . Further, on the upper polyimide thin film layer 304c, Ni-
Chip connection terminal 301c formed of a thin Au film
, 301c, .
a... and the conductor accommodating through hole 2g, 2
The conductor-accommodating through holes 2c, 2c...
Alternatively, it is connected to the upper end of the resistor housing through holes 2d, 2d, . . . .
この実施例では、前記導体−ポリイミド薄膜層304は
、前記キャリア基板上面端子304a、304a・・・
、下側ポリイミド薄膜層304b、上側ポリイミド薄膜
層304c、 Cuの薄膜配線層304dおよびNi−
八Uのチップ接続端子301c、 301c・・・から
構成されている。In this embodiment, the conductor-polyimide thin film layer 304 includes the carrier substrate top terminals 304a, 304a...
, lower polyimide thin film layer 304b, upper polyimide thin film layer 304c, Cu thin film wiring layer 304d, and Ni-
It consists of 8U chip connection terminals 301c, 301c...
また、この実施例では、前記上側ポリイミド薄膜層30
4cの表面とチップ接続端子301c、301c・・・
の表面とによって、前記チップキャリア301のチップ
接続面301dが形成されている。Further, in this embodiment, the upper polyimide thin film layer 30
4c surface and chip connection terminals 301c, 301c...
A chip connection surface 301d of the chip carrier 301 is formed by the surface of the chip carrier 301.
そして、前記チップキャリア301は、前述の符号30
1a〜301d、102、および304で示された要素
から構成されている。The chip carrier 301 includes the aforementioned reference numeral 30.
It is composed of elements shown as 1a to 301d, 102, and 304.
前記チップ接続面301dには、半導体チップ305の
表面(図中、下面) 305aがハンダバンプ(たとえ
ば、Pb−5χSn:鉛と5%重量割合の錫とを含むハ
ンダ) 306,306・・・を介してフェイスダウン
ボンディングされている。そして、前記チップ接続面3
01dと半導体チップ305の表面305aとの間の空
間には、封止用の樹脂307が充填されている。On the chip connection surface 301d, the surface (bottom surface in the figure) 305a of the semiconductor chip 305 is connected to solder bumps (for example, Pb-5χSn: solder containing lead and 5% tin by weight) 306, 306, etc. It is face down bonded. Then, the chip connection surface 3
The space between 01d and the surface 305a of the semiconductor chip 305 is filled with a sealing resin 307.
前記符号301および305〜307で示された構成要
素からチップ搭載部品308が構成されている。A chip mounting component 308 is constituted by the components indicated by the reference numerals 301 and 305 to 307.
また、多層セラミックス基板から構成された回路基板3
09の上面には、ニッケル(Ni)メッキ層から構成さ
れた接続端子309aが配設されている。In addition, a circuit board 3 made of a multilayer ceramic substrate
A connecting terminal 309a made of a nickel (Ni) plating layer is provided on the upper surface of the terminal 09.
前記回路基板接続端子301a、301a・・・はハン
ダバンブ310.310・・・を介して前記回路基板3
09上面の接続端子309aにワイヤレスボンディング
されている。The circuit board connection terminals 301a, 301a... are connected to the circuit board 3 via solder bumps 310, 310...
It is wirelessly bonded to the connection terminal 309a on the top surface of 09.
このようにして、複数の前記チップ搭載部品308.3
08・・・が前記回路基板309の上面にワイヤレスボ
ンディングされている。In this way, a plurality of the chip mounting components 308.3
08... are wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 309.
次に第11図により、本発明によるチップキャリアを用
いたチップ搭載部品の実装構造の第2実施例を説明する
。Next, a second embodiment of a mounting structure for a chip mounting component using a chip carrier according to the present invention will be described with reference to FIG.
この実装構造の第2実施例におけるチップ搭載部品8は
、前記第1図で示されたチップ搭載部品8と全く同一に
構成されている。したがって、このチップ搭載部品8は
、チップキャリアlおよびこのチップ接続面1dにフェ
イスダウンボンディングされた半導体チップ5を備えて
いる。The chip mounting component 8 in the second embodiment of this mounting structure has exactly the same structure as the chip mounting component 8 shown in FIG. 1 above. Therefore, this chip mounting component 8 includes a semiconductor chip 5 face-down bonded to a chip carrier l and this chip connection surface 1d.
そして、複数のチップ搭載部品8,8・・・が回路基板
9の上面にワイヤレスボンディングされている点におい
ても、前記第1図に示された実装構造と同様である。The mounting structure is also similar to the mounting structure shown in FIG. 1 in that a plurality of chip mounting components 8, 8, . . . are wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 9.
前記半導体チップ5の裏面5b (第1図中、上面)の
上方には、冷却板113が配設されている。この冷却板
113には、通水路113aが形成されており、その通
水路113aの中を冷却水が循環するようになっている
。そして冷却板113の下面と半導体チップ5の裏面5
bとの間には、熱伝導グリース114が充填されている
。したがって、前記半導体チップ5で発生した熱は、前
記熱伝導グリース114を介して前記前記冷却板113
に伝達されるようになっている。前記冷却板113の下
面外周部には、脚部材113bが設けられている。この
脚部材113bの下端は封止用の樹脂115によって前
記回路基板9の外周部に固着されている。したがって、
前記回路基板9上にワイヤレスボンディングされた複数
のチップ搭載部品8.8・・・は、前記回路基板9、冷
却板113および樹脂115等によって封止されている
。A cooling plate 113 is disposed above the back surface 5b (upper surface in FIG. 1) of the semiconductor chip 5. A passageway 113a is formed in the cooling plate 113, and cooling water circulates through the passageway 113a. The lower surface of the cooling plate 113 and the back surface 5 of the semiconductor chip 5
A thermally conductive grease 114 is filled between the Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the cooling plate 113 through the thermally conductive grease 114.
It is intended to be transmitted to Leg members 113b are provided on the outer periphery of the lower surface of the cooling plate 113. The lower end of this leg member 113b is fixed to the outer periphery of the circuit board 9 with a sealing resin 115. therefore,
A plurality of chip mounting components 8,8, .
そして、前記冷却板113、脚部材113b、および樹
脂115は、機械的強度補強用の締め付は部材20によ
って締め付けられている。The cooling plate 113, leg members 113b, and resin 115 are tightened by a member 20 for mechanical strength reinforcement.
前記回路基板9の下面にはビン端子116が設けられて
おり、このビン端子116は、多層プリントa ’rF
L 11Bのスルーホール118a内に挿入されている
。A bin terminal 116 is provided on the bottom surface of the circuit board 9, and this bin terminal 116 is a multilayer printed a'rF
It is inserted into the through hole 118a of L11B.
スルーホール118a内には、ハンダ(たとえば、5n
−18%B1−45%pbのハンダ)119が充填され
、このハンダ119により、前記ビン端子116は、前
記多層プリント基板118に固定されている。Solder (for example, 5n) is placed inside the through hole 118a.
-18%B1-45%PB solder) 119 is filled, and the bin terminal 116 is fixed to the multilayer printed circuit board 118 by this solder 119.
次に第12図により、本発明によるチップキャリアを用
いたチップ搭載部品の実装構造の第3実施例を説明する
。Next, a third embodiment of a mounting structure for a chip-mounted component using a chip carrier according to the present invention will be described with reference to FIG.
この実装構造の第3実施例におけるチップ搭載部品8は
、前記第1図で示されたチップ搭載部品8と全く同一に
構成されている。したがって、このチップ搭載部品8は
、チップキャリア1およびこのチップ接続可1dにフェ
イスダウンボンディングされた半導体チップ5を備えて
いる。The chip mounting component 8 in the third embodiment of this mounting structure has exactly the same structure as the chip mounting component 8 shown in FIG. 1 above. Therefore, this chip mounting component 8 includes the semiconductor chip 5 face-down bonded to the chip carrier 1 and this chip connectable part 1d.
そして、複数のチップ搭載部品8.8・・・が回路基板
9の上面にワイヤレスポンディングされている点におい
ても、前記第1図に示された実装構造と同様である。The mounting structure is also similar to the mounting structure shown in FIG. 1 in that a plurality of chip mounting components 8, 8, . . . are wirelessly bonded to the upper surface of the circuit board 9.
しかしながら、チップ搭載部品8のチップキャリア1下
面外周部と回路基板9上面との間に、ハンダ封止部21
を配設した点では異なっている。このハンダ封止部21
を配設したことにより、チップキャリアエと回路基板9
との間の電気的接続部の耐湿性が大幅に向上する。した
がって、この場合には、モジニール全体を封止する必要
が無くなるので、後述のように、モジュール全体の封止
を行っていない。However, there is a solder sealing part 21 between the outer peripheral part of the lower surface of the chip carrier 1 of the chip mounting component 8 and the upper surface of the circuit board 9.
They are different in that they have been set up. This solder sealing part 21
By arranging the chip carrier and the circuit board 9
The moisture resistance of the electrical connections between the Therefore, in this case, there is no need to seal the entire module, so as described later, the entire module is not sealed.
前記半導体チップ5の裏面5b (第1図中、上面)の
上方には、冷却板213が配設されている。この冷却板
213には、通水路(図示せず)が形成されており、そ
の通水路の中を冷却水が循環するようになっている。そ
して冷却板213の下面と半導体チップ5の裏面5bと
の間には、熱伝導グリース214が充填されている。し
たがって、前記半導体チップ5で発生した熱は、前記熱
伝導グリース214を介して前記前記冷却板213に伝
達されるようになっている。前記冷却板213外周部と
前記回路基板9の外周部とは、複数の連結部材22(1
個のみ図示)によって所定間隔に保持されている。した
がって、この場合、前記第1図または第11図に示した
実装構造とは異なり、前記回路基板9上面外周部材と冷
却板213下面との間は封止されていない。すなわち、
モジュール全体の封止は行っていない。A cooling plate 213 is disposed above the back surface 5b (upper surface in FIG. 1) of the semiconductor chip 5. A water passage (not shown) is formed in this cooling plate 213, and cooling water is circulated through the water passage. Thermal conductive grease 214 is filled between the lower surface of the cooling plate 213 and the back surface 5b of the semiconductor chip 5. Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the cooling plate 213 via the thermally conductive grease 214. The outer periphery of the cooling plate 213 and the outer periphery of the circuit board 9 are connected to a plurality of connecting members 22 (1
(Only shown in the figure) are maintained at predetermined intervals. Therefore, in this case, unlike the mounting structure shown in FIG. 1 or FIG. 11, the space between the outer peripheral member of the upper surface of the circuit board 9 and the lower surface of the cooling plate 213 is not sealed. That is,
The entire module is not sealed.
このようにモジニール全体を開放しておくと、リペア時
にチップ搭載部品8の取り外しが容易となる。By leaving the entire module open in this manner, the chip mounting component 8 can be easily removed at the time of repair.
前記回路基板9の下面にはビン端子216.216・・
・が設けられており、このピン端子216.216・・
・は、コネクタ23のソケット23a 、 23a・・
・に挿入されている。そして、コネクタ23のピン端子
23b、23b・・・は、多層プリント基板218のス
ルーホール218a内に挿入されている。スルーホール
218a内には、ハンダ(たとえば、5n−18%B1
−45%pbのハンダ)219が充填され、このハンダ
219により、前記ピン端子23b、23b・・・は、
前記多層プリント基板218に固定されている。On the bottom surface of the circuit board 9 are pin terminals 216, 216...
・ is provided, and this pin terminal 216.216...
・ is the socket 23a of the connector 23, 23a...
・It is inserted into. The pin terminals 23b, 23b, . . . of the connector 23 are inserted into the through holes 218a of the multilayer printed circuit board 218. Solder (for example, 5n-18% B1) is placed inside the through hole 218a.
-45% PB solder) 219 is filled, and with this solder 219, the pin terminals 23b, 23b...
It is fixed to the multilayer printed circuit board 218.
次に第13図により、本発明によるチップキャリアを用
いたチップ搭載部品8の実装構造における、半導体チッ
プ5の冷却構造の変更例を説明する。Next, with reference to FIG. 13, an example of a modification of the cooling structure of the semiconductor chip 5 in the mounting structure of the chip mounting component 8 using the chip carrier according to the present invention will be described.
まず、第13図(イ)により、半導体チップ冷却構造の
第1変更例を説明する。First, a first modification of the semiconductor chip cooling structure will be described with reference to FIG. 13(a).
前記半導体チップ5の裏面5b (図中、上面)の上方
には、冷却板313が配設されている。この冷却板31
3には、通水路313aが形成されており、その通水路
313aの中を冷却水が矢印入方向に流れるようになっ
ている。前記冷却板313には、熱伝導グリース収容部
313bと連通路313Cが配設されている。前記連通
路313cは、前記冷却板313下面と半導体チップ5
の裏面5bとの間の空間と、前記熱伝導グリース収容部
313bとを連通している。そして、前記熱伝導グリー
ス収容部313b、連通路313Cには、熱伝導グリー
ス314が収容されている。また、冷却板313の下面
と半導体チップ5の裏面5bとの間にも、熱伝導グリー
ス314が充填されている。したがって、前記半導体チ
ップ5で発生した熱は、前記熱伝導グリース314を介
して前記前記冷却板313に伝達されるようになってい
る。A cooling plate 313 is disposed above the back surface 5b (upper surface in the figure) of the semiconductor chip 5. This cooling plate 31
3 is formed with a water passage 313a, through which cooling water flows in the direction indicated by the arrow. The cooling plate 313 is provided with a thermally conductive grease storage portion 313b and a communication path 313C. The communication path 313c connects the lower surface of the cooling plate 313 and the semiconductor chip 5.
The space between the back surface 5b and the thermally conductive grease accommodating portion 313b are communicated with each other. Thermal conductive grease 314 is accommodated in the thermally conductive grease accommodating portion 313b and the communication path 313C. Further, thermally conductive grease 314 is also filled between the lower surface of the cooling plate 313 and the back surface 5b of the semiconductor chip 5. Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the cooling plate 313 via the thermally conductive grease 314.
このような構成を採用することにより、冷却構造の構成
部材の温度変化による膨張または収縮等寸法変化は、熱
伝導グリース314により吸収される。By employing such a configuration, dimensional changes such as expansion or contraction due to temperature changes of the cooling structure components are absorbed by the thermally conductive grease 314.
次に、第13図(ロ)により、半導体チップ冷却構造の
第2変更例を説明する。Next, a second modification of the semiconductor chip cooling structure will be described with reference to FIG. 13(b).
前記半導体チップ5の裏面5b(図中、上面)には、熱
伝導のよい樹脂またはハンダ等の熱伝導性接着剤411
を介して、高熱伝導板412が固定されている。この高
熱伝導板412は、SiC、AIN 、 BN等の高熱
伝導性の材料から形成されている。また、前記高熱伝導
板412の面積は、前記半導体チップ5の裏面5bの面
積よりも広く形成されている。前記高熱伝導板412の
上方には、冷却板413が配設されている。この冷却板
413には、通水路413aが形成されており、その通
水路413aの中を冷却水が矢印入方向に流れるように
なっている。前記冷却板413の下面と前記高熱伝導板
412の上面との間の空間には、熱伝導グリース414
が充填されている。したがって、前記半導体チップ5で
発生した熱は、前記熱伝導性接着剤411、高熱伝導板
412および熱伝導グリース414を介して前記前記冷
却板413に伝達されるようになっている。A thermally conductive adhesive 411 such as resin or solder with good thermal conductivity is applied to the back surface 5b (upper surface in the figure) of the semiconductor chip 5.
A high thermal conductivity plate 412 is fixed via the. This high heat conductive plate 412 is made of a high heat conductive material such as SiC, AIN, BN, etc. Further, the area of the high thermal conductivity plate 412 is larger than the area of the back surface 5b of the semiconductor chip 5. A cooling plate 413 is disposed above the high thermal conductivity plate 412. A passageway 413a is formed in this cooling plate 413, and cooling water flows in the direction indicated by the arrow in the passageway 413a. A space between the lower surface of the cooling plate 413 and the upper surface of the high thermal conductive plate 412 is filled with thermally conductive grease 414.
is filled. Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the cooling plate 413 via the thermally conductive adhesive 411, the high thermally conductive plate 412, and the thermally conductive grease 414.
このように、半導体チップ5の裏面5bよりも面積のお
おきな高熱伝導板412を採用することにより、冷却効
率が高まる。In this way, by employing the high thermal conductivity plate 412 having a larger area than the back surface 5b of the semiconductor chip 5, cooling efficiency is increased.
次に、第13図(ハ)により、半導体チップ冷却構造の
第3変更例を説明する。Next, a third modification of the semiconductor chip cooling structure will be described with reference to FIG. 13(c).
前記半導体チップ5の裏面5b (図中、上面)の上方
には、わずかな間隙を置いて高熱伝導板512が配設さ
れている。前記間隙には、熱伝導グリース514が充填
されている。前記高熱伝導板512の面積は、前記半導
体チップ5の裏面5hの面積よりも広く形成されている
。この高熱伝導板512の上面には、くし歯状突出部5
12a、512a・・・が形成されている。前記高熱伝
導板512の上方には、冷却板513が配設されている
。この冷却板513には、通水路513aが形成されて
おり、その通水路513aの中を冷却水が矢印入方向に
流れるようになっている。A high thermal conductivity plate 512 is disposed above the back surface 5b (upper surface in the figure) of the semiconductor chip 5 with a slight gap therebetween. The gap is filled with thermally conductive grease 514. The area of the high thermal conductivity plate 512 is larger than the area of the back surface 5h of the semiconductor chip 5. The upper surface of this high heat conduction plate 512 has comb-like protrusions 5.
12a, 512a, . . . are formed. A cooling plate 513 is disposed above the high thermal conductivity plate 512. A passageway 513a is formed in the cooling plate 513, and cooling water flows in the direction indicated by the arrow in the passageway 513a.
前記冷却板513の下面には、前記くし歯状突出部材5
12a、512a ・”に対応して凹部513b、51
3b −・・が形成されている。前記くし歯状突出部材
512a、512a・・・はその上方に配設された冷却
板513の凹部513b。On the lower surface of the cooling plate 513, the comb-like protruding member 5 is provided.
12a, 512a.'' Corresponding to the recesses 513b, 51
3b-- is formed. The comb-like protruding members 512a, 512a, . . . are recessed portions 513b of the cooling plate 513 disposed above them.
513b・・・に挿入されている。この凹部513b、
513b・・・内には熱伝導グリース514が充填され
ている。513b... is inserted. This recess 513b,
513b... is filled with thermally conductive grease 514.
したがって、前記半導体チップ5で発生した熱は、前記
熱伝導グリース514を介して高熱伝導板512に伝達
され、前記くし歯状突出部材512a、512a・・・
から前記凹部513b、 513b・・・内の熱伝導グ
リース514を介して前記前記冷却板513に伝達され
るようになっている。Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transmitted to the high heat conduction plate 512 via the heat conduction grease 514, and the comb-like protruding members 512a, 512a...
The heat is transmitted to the cooling plate 513 via the heat conductive grease 514 in the recesses 513b, 513b, . . . .
このように、くし歯状突出部材512a、512a・・
・を凹部513b、5L3b・・・内に挿入する構造を
採用することにより、回路基板9の反りによる変・形を
補償することができる。In this way, the comb tooth-like protruding members 512a, 512a...
By adopting a structure in which the . . . are inserted into the recesses 513b, 5L3b, .
次に、第13図(ニ)により、半導体チップ冷却構造の
第4変更例を説明する。Next, a fourth modification of the semiconductor chip cooling structure will be described with reference to FIG. 13(d).
前記半導体チップ5の裏面5b (図中、上面)には、
熱伝導のよい樹脂またはハンダ等の熱伝導性接着剤61
1を介して、下側高熱伝導板612°が固定されている
。この下側高熱伝導板612′の面積は、前記半導体チ
ップ5の裏面5bの面積よりも広く形成されている。m
?記上下側高熱伝導板612の上方には、わずかな間隙
を置いて上側高熱伝導板612が配設されている。前記
間隙には、熱伝導グリース614が充填されている。こ
の上側高熱伝導板612の面積は、前記下側高熱伝導板
612°の面積と同じに形成されている。この上側高熱
伝導板612の上面には、<シ歯状突出部612a、
612a・・・が形成されている。前記上側高熱伝導板
612の上方には、冷却板613が配設されている。こ
の冷却板613には、通水路613aが形成されており
、その通水路613aの中を冷却水が矢印A方向に流れ
るようになっている。前記冷却板613の下面には、前
記くし歯状突出部材612a、612a −・−に対応
して凹部613b、613b ・・・が形成されている
。前記くし歯状突出部材612a、612a・・・はそ
の上方に配設された冷却板613の凹部613b、 6
13b・・・に挿入されている。この凹部613b、6
13b・・・内には熱伝導グリース614が充填されて
いる。On the back surface 5b (top surface in the figure) of the semiconductor chip 5,
Thermal conductive adhesive 61 such as resin or solder with good thermal conductivity
1, a lower high heat conductive plate 612° is fixed. The area of the lower high thermal conductivity plate 612' is larger than the area of the back surface 5b of the semiconductor chip 5. m
? An upper high heat conduction plate 612 is disposed above the upper and lower high heat conduction plates 612 with a slight gap therebetween. The gap is filled with thermally conductive grease 614. The area of this upper high heat conduction plate 612 is formed to be the same as the area of the lower high heat conduction plate 612°. The upper surface of the upper high heat conduction plate 612 includes a tooth-shaped protrusion 612a,
612a... are formed. A cooling plate 613 is disposed above the upper high heat conduction plate 612. A passageway 613a is formed in this cooling plate 613, and cooling water flows in the direction of arrow A through the passageway 613a. On the lower surface of the cooling plate 613, recesses 613b, 613b, . The comb-like protruding members 612a, 612a... are recessed portions 613b, 6 of the cooling plate 613 disposed above them.
13b... is inserted. These recesses 613b, 6
13b... is filled with thermally conductive grease 614.
したがって、前記半導体チップ5で発生した熱は、下側
高熱伝導板612゛、熱伝導グリース614、上側高熱
伝導板612に伝達され、前記くし歯状突出部材612
a、612a−から前記凹部613b、613b ・・
・内の熱伝導グリース614を介して前記前記冷却板6
13に伝達されるようになっている。Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the lower high heat conduction plate 612', the heat conduction grease 614, and the upper high heat conduction plate 612, and the comb-like protruding member 612'
a, 612a- to the recesses 613b, 613b...
・The cooling plate 6 is connected to the cooling plate 6 through the thermally conductive grease 614 inside.
13.
次に、第13図(ホ)により、半導体チップ冷却構造の
第5変更例を説明する。Next, a fifth modification of the semiconductor chip cooling structure will be described with reference to FIG. 13(e).
この半導体チップ冷却構造の変更例におけるチップ搭載
部品8゛は、半導体チップ5とチップキャリア1との間
に充填する封止用の樹脂717により、半導体チップ5
の側面までも封止している。The chip mounting component 8'' in this modified example of the semiconductor chip cooling structure has a sealing resin 717 that is filled between the semiconductor chip 5 and the chip carrier 1.
Even the sides are sealed.
そして、前記半導体チップ5の裏面5b (図中、上面
)および前記封止用の樹脂717の上面には、熱伝導の
よい樹脂またはハンダ等の熱伝導性接着剤711を介し
て、下側高熱伝導板712゛が固定されている。この下
側高熱伝導板712′の面積は、前記半導体チップ5の
裏面5bの面積よりも広く形成されている。前記下側高
熱伝導板712゛の上方には、わずかな間隙を置いて上
側高熱伝導板712が配設されている。前記間隙には、
熱伝導グリース714が充填されている。この上側高熱
伝導板712の面積は、前記下側高熱伝導板712”の
面積と同じに形成されている。この上側高熱伝導板71
2の上面には、くし歯状突出部712a、712a・・
・が形成されている。Then, a thermally conductive adhesive 711 such as a resin with good thermal conductivity or solder is applied to the back surface 5b (upper surface in the figure) of the semiconductor chip 5 and the upper surface of the sealing resin 717, so that the lower side is heated to a high temperature. A conductive plate 712' is fixed. The area of this lower high thermal conductivity plate 712' is larger than the area of the back surface 5b of the semiconductor chip 5. An upper high heat conduction plate 712 is disposed above the lower high heat conduction plate 712' with a slight gap therebetween. In the gap,
It is filled with thermally conductive grease 714. The area of this upper high heat conduction plate 712 is formed to be the same as the area of the lower high heat conduction plate 712''.
2 have comb tooth-like protrusions 712a, 712a...
・is formed.
前記高熱伝導板712の上方には、冷却板713が配設
されている。この冷却板713には、通水路713aが
形成されており、その通水路713aの中を冷却水が矢
印六方向に流れるようになっている。前記冷却板713
の下面には、前記くし歯状突出部材712a。A cooling plate 713 is disposed above the high thermal conductivity plate 712. A passageway 713a is formed in this cooling plate 713, and cooling water flows in the six directions of arrows in the passageway 713a. The cooling plate 713
The comb tooth-like protruding member 712a is provided on the lower surface of the .
712a・・・に対応して凹部713b、713b・・
・が形成されている。前記くし歯状突出部材712a、
712a・・・はその上方に配設された冷却板713の
凹部713b、713b・・・に挿入されている。この
凹部713b、713b・・・内には熱伝導グリース7
14が充填されている。また、前記上側高熱伝導板71
2には、複数の通孔712bが形成されており、この通
孔712b内にも熱伝導グリース7■4が充填されてい
る。そして、前記下側高熱伝導板712゛と上側高熱伝
導板712との間の間隙に充填された熱伝導グリース7
14と前記凹部713b。Corresponding to 712a..., recesses 713b, 713b...
・is formed. the comb-like protruding member 712a;
712a... are inserted into recesses 713b, 713b... of the cooling plate 713 disposed above it. Thermal conductive grease 7 is inside these recesses 713b, 713b...
14 is filled. In addition, the upper high heat conduction plate 71
2 has a plurality of through holes 712b formed therein, and these through holes 712b are also filled with thermally conductive grease 7*4. Thermal conductive grease 7 is filled in the gap between the lower high heat conductive plate 712' and the upper high heat conductive plate 712.
14 and the recessed portion 713b.
713b・・・内に充填された熱伝導グリース714と
は、前記通孔712bによって連通している。Thermal conductive grease 714 filled in 713b communicates with the through hole 712b.
また、前記冷却板713には、熱伝導グリース収容部7
13cと連通路713dが配設されている。前記連通路
713dは、前記冷却板713の凹部713b、713
b・・・内の熱伝導グリース714と連通している。The cooling plate 713 also includes a thermally conductive grease storage portion 7.
13c and a communication path 713d are provided. The communication path 713d is connected to the recesses 713b and 713 of the cooling plate 713.
It communicates with the thermally conductive grease 714 in b...
したがって、前記半導体チップ5で発生した熱は、下側
高熱伝導板712゛、熱伝導グリース714、上側高熱
伝導板712に伝達され、前記くし歯状突出部材712
a、712a−から前記凹部713b、713b −・
・内の熱伝導グリース714を介して前記前記冷却板7
13に伝達されるようになっている。Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 5 is transferred to the lower high heat conduction plate 712', the heat conduction grease 714, and the upper high heat conduction plate 712, and the comb-like protruding member 712'
a, 712a- to the recessed portions 713b, 713b-.
- The cooling plate 7 via the thermally conductive grease 714 inside.
13.
次に、第14図により、本発明によるチップキャリアに
半導体チップを搭載して構成されるチップ搭載部品の変
更例を説明する。Next, with reference to FIG. 14, a modified example of a chip mounting component configured by mounting a semiconductor chip on a chip carrier according to the present invention will be described.
第14図(イ)に示したチップキャリア1および半導体
チップ5は、それぞれ第1図に示したものと同様に構成
されている。そして半導体チップ5はチップキャリア1
のチップ接続面1dにハンダバンプ6.6・・・を介し
てフェイスダウンボンディングされており、半導体チッ
プ5の表面(図中、下面)5aとチップ接続面1dとの
間に封止用の樹脂7が充填されている。これらの構成に
関しては第1図に示したものと同様である。チップキャ
リア1の回路基板接続面1bは、チップキャリア1と略
同じ大きさのポリイミド基板24の上面にハンダハンプ
110.110・・・によりワイヤレスボンディングさ
れている。そして、チップキャリア1の回路基板接続端
子1a、 la・・・は、前記ハンダバンブ110.1
10・・・を介してポリイミド基板24の上面側端子2
4a、24a・・・に接続している。前記チップキャリ
アlの回路基板接続面1bと前記ポリイミド基板24上
面ととの間には、その間に配設された電気的接続部を封
Iトするための樹脂25が充填されている。そして、前
記ポリイミド基板24の下面には、前記 上面側端子2
4at24a・・・に接続されたピン端子24b、24
b・・・が突設されている。前記符号5〜7.24.2
5および110で示された構成要素により、この変更例
におけるチップ搭載部品81が構成されている。The chip carrier 1 and semiconductor chip 5 shown in FIG. 14(A) are each constructed similarly to that shown in FIG. 1. And the semiconductor chip 5 is the chip carrier 1
is face-down bonded to the chip connection surface 1d of the semiconductor chip 5 through solder bumps 6, 6, and a sealing resin 7 is bonded between the surface (lower surface in the figure) 5a of the semiconductor chip 5 and the chip connection surface 1d. is filled. These structures are similar to those shown in FIG. The circuit board connection surface 1b of the chip carrier 1 is wirelessly bonded to the upper surface of a polyimide substrate 24 having approximately the same size as the chip carrier 1 using solder humps 110, 110, . . . . The circuit board connection terminals 1a, la... of the chip carrier 1 are connected to the solder bumps 110.1.
Terminal 2 on the upper surface side of the polyimide substrate 24 via 10...
4a, 24a... A resin 25 is filled between the circuit board connection surface 1b of the chip carrier 1 and the upper surface of the polyimide substrate 24 for sealing the electrical connections provided therebetween. The upper surface terminal 2 is provided on the lower surface of the polyimide substrate 24.
Pin terminals 24b, 24 connected to 4at24a...
b... is provided protrudingly. Said code 5 to 7.24.2
The components indicated by 5 and 110 constitute a chip mounting component 81 in this modification.
第14図(ロ)に示したチップ搭載部品82は第14図
(イ)に示したチップ搭載部品81と略同様に構成され
ているが、ポリイミド基板24に封止用樹脂充填孔24
cが形成されている点で異なっている。The chip mounting component 82 shown in FIG. 14(b) is constructed almost the same as the chip mounting component 81 shown in FIG.
The difference is that c is formed.
この封止用樹脂充填孔24cにより、チップキャリア1
の回路基板接続面とポリイミド基板24上面との間に封
止用の樹脂25を充填し易くなっている。This sealing resin filling hole 24c allows the chip carrier 1
This makes it easier to fill the sealing resin 25 between the circuit board connection surface and the upper surface of the polyimide substrate 24.
…■述のチップ搭載部品81および82はいずれも、ワ
ンチップ化された部品として構成されている。Both of the chip mounting components 81 and 82 described above are configured as one-chip components.
そして、そのピン端子24b、24b・・・により、大
面積の回路基板(図示せず)に容易に脱着することがで
きるようになっている。The pin terminals 24b, 24b, . . . allow easy attachment and detachment to a large-area circuit board (not shown).
第14図(ハ)に示したチップキャリア1および半導体
チップ5は、第1図に示したものと同様に構成されてい
る。そして半導体チップ5はチ・7プキャリア1のチッ
プ接続面1dにハンダバンプ6.6・・・を介してフェ
イスダウンボンディングされており、これらの構成に関
しては第1図に示したものと同様である。しかし、半導
体チップ5の表面(図中、下面)5aとチップ接続面1
dとの間に封止用の樹脂が充填されていない点で異なる
。前記半導体チップ5の周囲を覆うキャップ26は頂部
26aと側部26bとから構成されている。前記頂部2
6a内面と前記半導体チップ5の裏面(図中、上面)5
bは合金(たとえば、Au−20%Sn) 27により
接着されており、前記側部26bの下端とチップキャリ
ア1のチップ接続面1d外周部との間はガラス、ハンダ
または樹脂等の封止剤28によって封止されている。前
述の符号1.5.6および26〜28で示された構成要
素によってこの変更例におけるチップ搭載部品83が構
成されている。The chip carrier 1 and semiconductor chip 5 shown in FIG. 14(c) are constructed in the same way as shown in FIG. 1. The semiconductor chip 5 is face-down bonded to the chip connection surface 1d of the chip carrier 1 via solder bumps 6, 6, etc., and these structures are similar to those shown in FIG. . However, the surface (bottom surface in the figure) 5a of the semiconductor chip 5 and the chip connection surface 1
The difference is that a sealing resin is not filled between d and d. The cap 26 that covers the periphery of the semiconductor chip 5 is composed of a top portion 26a and side portions 26b. Said top part 2
6a inner surface and the back surface (in the figure, top surface) 5 of the semiconductor chip 5
b is bonded with an alloy (for example, Au-20%Sn) 27, and a sealant such as glass, solder, or resin is used between the lower end of the side portion 26b and the outer periphery of the chip connection surface 1d of the chip carrier 1. It is sealed by 28. The chip mounting component 83 in this modified example is constituted by the components indicated by the aforementioned reference numerals 1.5.6 and 26 to 28.
第14図(ニ)に示したチップ搭載部品84は第14図
(ハ)に示したチップ搭載部品83と略同様に構成され
ているが、ハンダバンプ6.6.・・・の代わりにワイ
ヤ106.106・・・を用いて、チップキャリアlの
チップ接続面1dに、半導体チップ5の表面5aをワイ
ヤボンディングした点において、相違している。The chip mounting component 84 shown in FIG. 14(d) is constructed almost the same as the chip mounting component 83 shown in FIG. 14(c), except that the solder bumps 6.6. The difference is that the front surface 5a of the semiconductor chip 5 is wire-bonded to the chip connection surface 1d of the chip carrier 1 using wires 106, 106, .
以上、本発明の実施例または実装構造の変更例を詳述し
たが、本発明は、前記実施例または変更例に限定される
ものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を逸
脱することなく、種々の小変更を行うことが可能である
。Although the embodiments and modifications of the mounting structure of the present invention have been described above in detail, the present invention is not limited to the embodiments or modifications described above, and does not deviate from the scope of the invention as set forth in the claims. It is possible to make various minor changes without having to do so.
たとえば、チップキャリアを第3図に示したような多層
のキャリア基板から構成した場合には、キャリア基板内
の層と層との間に配線層を形成することも可能である。For example, when the chip carrier is constructed from a multilayer carrier substrate as shown in FIG. 3, it is also possible to form a wiring layer between the layers in the carrier substrate.
前述の本願の第1発明のチップキャリアによれば、チッ
プキャリアのチップ接続面と回路基板接続面との間にキ
ャリア基板を配設し、このキャリア基板内部に終端整合
用の抵抗をスルーホールの内部に収容したので、キャリ
ア基板の表面は平坦に形成することができる。したがっ
て、所望のチップ接続面または回路基板接続面を得るた
めにキャリア基板の表面に導体−ポリイミド薄膜層のよ
うな薄膜配線層を形成する際、歩留りが向上する。According to the above-mentioned chip carrier of the first invention of the present application, a carrier board is disposed between the chip connection surface and the circuit board connection surface of the chip carrier, and a resistor for termination matching is installed in the through hole inside the carrier board. Since the carrier substrate is housed inside, the surface of the carrier substrate can be formed flat. Therefore, the yield is improved when forming a thin film wiring layer, such as a conductor-polyimide thin film layer, on the surface of the carrier substrate to obtain a desired chip connection surface or circuit board connection surface.
また、終端整合用の抵抗の材料として種々の材料を使用
することができるとともに、抵抗がチップキャリアのス
ルーホール内部に収容されているため、前記薄膜配線層
形成プロセスにおける高温の熱処理によっても抵抗値に
変動やバラツキが生じないようにすることが容易である
。In addition, various materials can be used for the resistor for termination matching, and since the resistor is housed inside the through hole of the chip carrier, the resistance value can be changed even by the high temperature heat treatment in the thin film wiring layer forming process. It is easy to prevent fluctuations and dispersion from occurring.
また、本願の第2発明のチップキャリアによれば、前記
半導体チップまたは回路基板との接続面を形成する薄膜
配線層上の接続端子の位置を、半導体チップまたは回路
基板の端子配列状態に対応させることができる。したが
って、各種の端子配列状態を有する半導体チップまたは
回路基板に対して、本発明のチップキャリアを使用する
ことができる。Further, according to the chip carrier of the second invention of the present application, the positions of the connection terminals on the thin film wiring layer forming the connection surface with the semiconductor chip or circuit board are made to correspond to the terminal arrangement state of the semiconductor chip or the circuit board. be able to. Therefore, the chip carrier of the present invention can be used for semiconductor chips or circuit boards having various terminal arrangement states.
また、本願の第3発明によるチップ搭載部品は、半導体
チップとチップキャリアとがワンチップ化されて取り扱
いが便利になっているため、実装工程における作業能率
が向上する。Further, in the chip mounting component according to the third aspect of the present invention, the semiconductor chip and the chip carrier are integrated into one chip, making it convenient to handle, so that the work efficiency in the mounting process is improved.
また、本願の第4発明によるチップ搭載部品は、前記半
導体チップとチップキャリアとがワンチップ化されると
ともに耐湿構造となっているため、実装工程における取
り扱いがきわめて便利になっている。したがって、それ
だけ、実装工程における作業能率も向上する。Further, in the chip mounting component according to the fourth invention of the present application, the semiconductor chip and the chip carrier are integrated into one chip and have a moisture-resistant structure, so handling in the mounting process is extremely convenient. Therefore, the work efficiency in the mounting process is improved accordingly.
また、本願の第5発明による半導体チップ実装構造は、
半導体チップ接続用の薄膜配線層を回路基板上に形成す
る必要がないので、チップ搭載部品のりベアに際し、回
路基板の耐リペア性を向上させることができる。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the fifth invention of the present application is as follows:
Since it is not necessary to form a thin film wiring layer for connecting a semiconductor chip on the circuit board, the repair resistance of the circuit board can be improved when chip-mounted parts are glued and carried.
また、本願の第6発明による半導体チップ実装構造は、
前記チップキャリアの回路基板接続面の周縁部とこの周
縁部に対向する回路基板との間の隙間に配設された封止
部材により、チップキャリアと回路基板との電気的接続
部が前記封止部材により保護される。したがって、前記
チップ搭載部品の耐用時間の延長が図れる。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the sixth invention of the present application is as follows:
The electrical connection between the chip carrier and the circuit board is sealed by the sealing member disposed in the gap between the peripheral edge of the circuit board connection surface of the chip carrier and the circuit board facing the peripheral edge. protected by the member. Therefore, the service life of the chip-mounted component can be extended.
また、本願の第7発明による半導体チップ実装構造は、
前記半導体チップで発生した熱が半導体デツプの裏面か
ら熱伝導グリースを介して冷却板に伝導されるため、回
路基板や冷却板等の反りに基づ(変形等は熱伝導グリー
スの変形によって吸収することができる。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the seventh invention of the present application is as follows:
Since the heat generated in the semiconductor chip is conducted from the back side of the semiconductor chip to the cooling plate through the thermally conductive grease, the heat generated by the semiconductor chip is absorbed by the deformation of the thermally conductive grease due to warping of the circuit board, cooling plate, etc. be able to.
また、本願の第8発明による半導体チップ実装構造は、
前記冷却板を利用して回路基板上の複数個のチップ搭載
部品およびこのチップ搭載部品と回路基板との間の電気
的接続部を、一度に全部封止することができる。このよ
うに、もともと必要部品として配設されている冷却板を
利用することにより、チップ搭載部品およびこのチップ
搭載部品と回路基板との電気的接続部を、スペース的に
も工数的にも効率よく封止することができる。Further, the semiconductor chip mounting structure according to the eighth invention of the present application is as follows:
Using the cooling plate, a plurality of chip-mounted components on the circuit board and the electrical connections between the chip-mounted components and the circuit board can all be sealed at once. In this way, by using the cooling plate, which is originally provided as a necessary component, the chip-mounted components and the electrical connections between the chip-mounted components and the circuit board can be connected efficiently in terms of space and man-hours. Can be sealed.
第1図〜第3図は、本発明の第1実施例を示し、第1図
は、本発明によるチップキャリアを用いた半導体チップ
の実装構造の一例を示す側面図、第2図は、第1図の要
部拡大図、
第3図は、第1図および第2図に示されたチップキャリ
アの要部(すなわち、キャリア基板)の詳細説明図、
第4図は、キャリア基板の第2実施例の説明図、第5図
は、キャリア基板の第3実施例の説明図、第6図は、キ
ャリア基板の第4実施例の説明図、第7図(イ)は、キ
ャリア基板の第5実施例の説明図、
第7図(ロ)は第5実施例のキャリア基板の製造方法の
説明図、
第8図は、前記第2図に示した構成に対応する部分の第
2実施例の説明図、
第9図は、前記第2図に示した構成に対応する部分の第
3実施例の説明図、
第10図は、前記第2図に示した構成に対応する部分の
第4実施例の説明図、
第11図は、前記第1図に示した本発明によるチップキ
ャリアを用いたチップ搭載部品の実装構造に対応する部
分の第2実施例の説明図、第12図は、前記第1図に示
した本発明によるチップキャリアを用いたチップ搭載部
品の実装構造に対応する部分の第3実施例の説明図、第
13図は、前記第1図に示した本発明によるチップキャ
リアを用いたチップ搭載部品の実装構造冷却構造に対応
する部分の変更例の説明図で、第13図(イ)〜(ホ)
は、それぞれ異なる変更例の説明図、
第14図は、本発明によるチップキャリアに半導体チッ
プを搭載して構成されるチップ搭載部品の変更例の説明
図で、第14図(イ)〜(ニ)は、それぞれ異なる変更
例の説明図、
第15図は、従来のチップキャリアとその使用状態の説
明図で、第15図(イ)は従来のチップキャリアの平面
図、(ロ)は同側断面図、(ハ)は同(イ)の円C内の
拡大図、(ニ)は同チップキャリアの使用状態の説明図
、である。
1・・・チップキャリア、1a・・・回路基板接続端子
、1b・・・回路基板接続面、1c・・・チップ接続端
子、ld・・・チップ接続面、2・・・キャリア基板、
2C・・・導体収容スルーホール、2d・・・抵抗体収
容スルーホール、3.4・・・薄膜配線層、5・・・半
導体チップ、8・・・チップ搭載部品、9・・・回路基
板、12・・・高熱伝導板、13・・・冷却板、21・
・・ハンダ封止部(封止部材)1 チップキャリア
5半導体チップ 7封止用樹脂8チップ塔載部品
9回路基板 12 高熱伝導体13冷却板
第2図
1 チップキャリア 1c回路基板接続端子 1b回路
基板接続面9回路基板
第3図
第5図
2b、102b、202b キャリア基板下面 2c、
202C導体収容スールホーJL/2d、202d 抵
抗体収容スールホール302 キャリア基板 30
2a キャリア基板上面302C導体収容スールホー
ル302d抵抗体収容スールホール402c導体収容ス
ールホール 402d抵抗体収容スールホール第9
図
第10図
2キヤリア基板 2c導体収容スールホール 2d低
抵抗収容スールホール208、308チップ塔載部品
209,309回路基取第12図
8チッフ梧戦部品 113,213/’f坤恨9回
路基板 113b脚部材第13図
5半導体チップ 8.チノフ塔a邪品 91回路基板第
13図
(ホ)
5、半導体チップサ、チップ塔載部品 97回路基
板712.712:高熱伝導板 713.冷却板
714、熱伝導グリース
(ハ)
(二]1チノフキャリア 5半導体チップ 81.
82.83.B4チップ塔載部品第15図
(ロ)(:)1 to 3 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a side view showing an example of a mounting structure of a semiconductor chip using a chip carrier according to the present invention, and FIG. 1 is an enlarged view of the main parts of FIG. 1, FIG. 3 is a detailed explanatory diagram of the main parts of the chip carrier (i.e., the carrier substrate) shown in FIGS. FIG. 5 is an explanatory diagram of the third embodiment of the carrier board, FIG. 6 is an explanatory diagram of the fourth embodiment of the carrier board, and FIG. 7(A) is an explanatory diagram of the fourth embodiment of the carrier board. FIG. 7(B) is an explanatory diagram of the method for manufacturing the carrier substrate of the fifth embodiment. FIG. 8 is a second embodiment of the portion corresponding to the configuration shown in FIG. 2. 9 is an explanatory diagram of the third embodiment of the part corresponding to the configuration shown in FIG. 2, and FIG. 10 is an explanatory diagram of the fourth embodiment of the part corresponding to the configuration shown in FIG. 2. FIG. 11 is an explanatory diagram of a second embodiment of the part corresponding to the mounting structure of a chip mounting component using the chip carrier according to the present invention shown in FIG. 1, and FIG. 12 is an explanatory diagram of the second embodiment. FIG. 13 is an explanatory diagram of a third embodiment of a portion corresponding to the mounting structure of a chip-mounted component using the chip carrier according to the present invention shown in FIG. 1, and FIG. Figures 13 (A) to (E) are explanatory diagrams of examples of changes in parts corresponding to the mounting structure and cooling structure for chip-mounted components using carriers.
14 is an explanatory diagram of a modified example of a chip mounting component configured by mounting a semiconductor chip on a chip carrier according to the present invention, and FIGS. ) are explanatory diagrams of different examples of modification, Fig. 15 is an explanatory diagram of a conventional chip carrier and its usage state, Fig. 15 (a) is a plan view of the conventional chip carrier, and (b) is the same side. A sectional view, (c) is an enlarged view of circle C in (a), and (d) is an explanatory diagram of the state in which the chip carrier is used. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Chip carrier, 1a...Circuit board connection terminal, 1b...Circuit board connection surface, 1c...Chip connection terminal, ld...Chip connection surface, 2...Carrier board,
2C... Through hole for accommodating conductor, 2d... Through hole for accommodating resistor, 3.4... Thin film wiring layer, 5... Semiconductor chip, 8... Chip mounting component, 9... Circuit board , 12... High thermal conductivity plate, 13... Cooling plate, 21.
...Solder sealing part (sealing member) 1 Chip carrier
5 Semiconductor chip 7 Sealing resin 8 Chip mounting parts
9 Circuit board 12 High thermal conductor 13 Cooling plate Fig. 2 Chip carrier 1c Circuit board connection terminal 1b Circuit board connection surface 9 Circuit board Fig. 3 Fig. 5 2b, 102b, 202b Lower surface of carrier board 2c,
202C conductor housing through hole JL/2d, 202d resistor housing through hole 302 Carrier board 30
2a Carrier board top surface 302C Conductor accommodating through hole 302d Resistor accommodating through hole 402c Conductor accommodating through hole 402d Resistor accommodating through hole No. 9
Figure 10 2 Carrier board 2c Conductor accommodating through hole 2d Low resistance accommodating through hole 208, 308 Chip mounting parts
209,309 Circuit board 12 Figure 8 Chip Gosen parts 113,213/'f 9 Circuit board 113b Leg member 13 Figure 5 Semiconductor chip 8. Chinov tower a defective product 91 Circuit board Figure 13 (e) 5. Semiconductor chip sensor, chip tower mounting parts 97 Circuit board 712.712: High thermal conductive plate 713. Cooling plate 714, thermal conductive grease (c)
(2) 1 Chinov carrier 5 semiconductor chip 81.
82.83. B4 chip mounting parts Figure 15 (b) (:)
Claims (1)
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備えたチップ
キャリアにおいて、 前記チップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に
導体が収容された複数の導体収容スルーホールおよび内
部に抵抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホール
を有するキャリア基板が配設されるとともに、前記複数
のチップ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導
体収容スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介
して接続されたことを特徴とするチップキャリア。 2、前記キャリア基板が多層厚膜で形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のチップキャリ
ア。 3、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、 前記チップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に
導体が収容された複数の導体収容スルーホールおよび内
部に抵抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホール
を有するキャリア基板が配設されるとともに、前記複数
のチップ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導
体収容スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介
して接続されたチップキャリアにおいて、 前記チップ接続面および回路基板接続面の少なくともい
ずれか一方の接続面は薄膜配線層によって形成されたこ
とを特徴とするチップキャリア。 4、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記チ
ップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体が
収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に抵
抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有す
るキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチッ
プ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収容
スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して接
続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成されるチップ搭載部品。 5、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記チ
ップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体が
収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に抵
抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有す
るキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチッ
プ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収容
スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して接
続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成されるチップ搭載部品において、 前記チップ接続面とこのチップ接続面にフェイスダウン
ボンディングされた半導体チップ表面との間の隙間に封
止部材を配設したことを特徴とするチップ搭載部品。 6、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記チ
ップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体が
収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に抵
抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有す
るキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチッ
プ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収容
スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して接
続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の回路
基板にワイヤレスボンディングされたことを特徴とする
半導体チップ実装構造。 7、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記チ
ップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体が
収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に抵
抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有す
るキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチッ
プ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収容
スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して接
続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の回路
基板にワイヤレスボンディングされた半導体チップ実装
構造において、 前記チップキャリアの回路基板接続面の周縁部とこの周
縁部に対向する回路基板との間の隙間に封止部材を配設
したことを特徴とする半導体チップ実装構造。 8、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子を
有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の面
に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回路
基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記チ
ップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体が
収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に抵
抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有す
るキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチッ
プ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収容
スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して接
続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の回路
基板にワイヤレスボンディングされた半導体チップ実装
構造において、 前記半導体チップの裏面上方に冷却板が配設されるとと
もに、前記半導体チップの裏面と冷却板との間に半導体
チップの熱を冷却板に伝達する熱伝導部材が介設されて
おり、前記熱伝導部材は、熱伝導グリースを有すること
を特徴とする半導体チップ実装構造。 9、前記熱伝導部材は、前記半導体チップの裏面に接触
して配設されるとともに半導体チップの裏面の面積より
も大きな面積の高熱伝導板と、熱伝導グリースとを有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の半導体
チップ実装構造。 10、前記冷却板の下面に、くし歯受容凹部が形成され
るとともに、前記熱伝導部材は、前記くし歯受容凹部に
挿入されるくし歯状突出部材が形成された高熱伝導板と
熱伝導グリースとを有することを特徴とする特許請求の
範囲第8項記載の半導体チップ実装構造。 11、半導体チップと接続される複数のチップ接続端子
を有するチップ接続面と、このチップ接続面の反対側の
面に形成されるとともに回路基板に接続される複数の回
路基板接続端子を有する回路基板接続面とを備え、前記
チップ接続面と回路基板接続面との間には、内部に導体
が収容された複数の導体収容スルーホールおよび内部に
抵抗体が収容された複数の抵抗体収容スルーホールを有
するキャリア基板が配設されるとともに、前記複数のチ
ップ接続端子と複数の回路基板接続端子とは前記導体収
容スルーホールまたは抵抗体収容スルーホールを介して
接続されたチップキャリアと、 このチップキャリアの前記チップ接続面にフェイスダウ
ンボンディングされた半導体チップと、 から構成される複数個のチップ搭載部品が、一枚の回路
基板にワイヤレスボンディングされ、さらに、前記半導
体チップの裏面上方に冷却板が配設されるとともに、前
記半導体チップの裏面と冷却板との間に半導体チップの
熱を冷却板に伝達する熱伝導部材が介設されていること
を特徴とする半導体チップ実装構造において、前記回路
基板の周縁部と前記冷却板の周縁部との間に、これらの
間を気密に封止する脚部材を配設することにより、前記
回路基板上にワイヤレスボンディングされた複数個のチ
ップ搭載部品が全て封止されていることを特徴とする半
導体チップ実装構造。[Claims] 1. A chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to a semiconductor chip, and a plurality of circuit boards formed on the opposite surface of the chip connection surface and connected to a circuit board. A chip carrier having a circuit board connection surface having connection terminals, between the chip connection surface and the circuit board connection surface, there are a plurality of conductor accommodation through holes in which conductors are housed and a resistor therein. A carrier board having a plurality of resistor-accommodating through-holes is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to each other through the conductor-accommodation through-hole or the resistor-accommodation through-hole. A chip carrier characterized by being connected. 2. The chip carrier according to claim 1, wherein the carrier substrate is formed of a multilayer thick film. 3. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to the semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. a carrier board is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected via the conductor-accommodating through-hole or the resistor-accommodating through-hole. 1. A chip carrier, wherein at least one of the connection surface and the circuit board connection surface is formed of a thin film wiring layer. 4. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to the semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. A chip mounting component comprising: a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip; 5. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to the semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the chip mounting component, and a chip mounting component comprising: a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface; and a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface; A chip-mounted component characterized by having members arranged therein. 6. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to a semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. A semiconductor chip mounting structure characterized in that a semiconductor chip is face-down bonded to the chip connection surface of the semiconductor chip, and a plurality of chip mounting components comprising: are wirelessly bonded to a single circuit board. 7. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to the semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. a semiconductor chip face-down bonded to the chip connection surface of the semiconductor chip carrier; and a semiconductor chip mounting structure in which a plurality of chip-mounted components made up of the following are wirelessly bonded to one circuit board, the circuit board connection of the chip carrier. A semiconductor chip mounting structure characterized in that a sealing member is disposed in a gap between a peripheral edge of a surface and a circuit board facing the peripheral edge. 8. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to the semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite surface of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. In a semiconductor chip mounting structure in which a semiconductor chip is face-down bonded to the chip connection surface of the semiconductor chip, and a plurality of chip mounting components are wirelessly bonded to a single circuit board, A cooling plate is provided, and a thermally conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate for transmitting heat of the semiconductor chip to the cooling plate, and the thermally conductive member is made of thermally conductive grease. A semiconductor chip mounting structure characterized by having. 9. A patent characterized in that the thermally conductive member includes a highly thermally conductive plate that is disposed in contact with the back surface of the semiconductor chip and has a larger area than the back surface of the semiconductor chip, and thermally conductive grease. A semiconductor chip mounting structure according to claim 8. 10. A comb tooth-receiving recess is formed on the lower surface of the cooling plate, and the heat conductive member includes a high heat conductive plate having a comb tooth-like protruding member that is inserted into the comb tooth receiving recess, and thermally conductive grease. A semiconductor chip mounting structure according to claim 8, characterized in that it has the following. 11. A circuit board having a chip connection surface having a plurality of chip connection terminals connected to a semiconductor chip, and a plurality of circuit board connection terminals formed on the opposite side of the chip connection surface and connected to the circuit board. and a plurality of conductor-accommodating through-holes in which conductors are housed, and a plurality of resistor-accommodating through-holes in which resistors are housed, between the chip connection surface and the circuit board connection surface. A carrier board having a chip carrier is disposed, and the plurality of chip connection terminals and the plurality of circuit board connection terminals are connected to a chip carrier via the conductor accommodation through hole or the resistor accommodation through hole, and this chip carrier. A semiconductor chip is face-down bonded to the chip connection surface of the semiconductor chip, and a plurality of chip mounting components comprising: are wirelessly bonded to a single circuit board, and a cooling plate is further disposed above the back surface of the semiconductor chip. In the semiconductor chip mounting structure, a heat conductive member is interposed between the back surface of the semiconductor chip and the cooling plate for transmitting heat of the semiconductor chip to the cooling plate. By disposing leg members that airtightly seal the space between the peripheral edge of the cooling plate and the peripheral edge of the cooling plate, all of the plurality of chip-mounted components wirelessly bonded on the circuit board are disposed. A semiconductor chip mounting structure characterized by being sealed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27195986A JPH0760870B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Chip carrier, chip mounting parts and semiconductor chip mounting structure using this chip carrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27195986A JPH0760870B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Chip carrier, chip mounting parts and semiconductor chip mounting structure using this chip carrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63127557A true JPS63127557A (en) | 1988-05-31 |
JPH0760870B2 JPH0760870B2 (en) | 1995-06-28 |
Family
ID=17507194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27195986A Expired - Lifetime JPH0760870B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Chip carrier, chip mounting parts and semiconductor chip mounting structure using this chip carrier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0760870B2 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067007A (en) * | 1988-06-13 | 1991-11-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having leads for mounting to a surface of a printed circuit board |
US5175613A (en) * | 1991-01-18 | 1992-12-29 | Digital Equipment Corporation | Package for EMI, ESD, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips |
WO1997008748A1 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Hitachi, Ltd. | Chip-size package, method of manufacturing same, and second level packaging |
US5705850A (en) * | 1993-09-20 | 1998-01-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module |
US6124632A (en) * | 1999-07-23 | 2000-09-26 | Industrial Technology Research Institute | Monolithic silicon mass flow control structure |
JP2012251873A (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hioki Ee Corp | Probe unit, circuit board inspection device and probe unit manufacturing method |
JP2013002976A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Hioki Ee Corp | Probe unit, circuit board inspection device and probe unit manufacturing method |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27195986A patent/JPH0760870B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067007A (en) * | 1988-06-13 | 1991-11-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having leads for mounting to a surface of a printed circuit board |
US5175613A (en) * | 1991-01-18 | 1992-12-29 | Digital Equipment Corporation | Package for EMI, ESD, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips |
US5705850A (en) * | 1993-09-20 | 1998-01-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module |
WO1997008748A1 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Hitachi, Ltd. | Chip-size package, method of manufacturing same, and second level packaging |
US6124632A (en) * | 1999-07-23 | 2000-09-26 | Industrial Technology Research Institute | Monolithic silicon mass flow control structure |
JP2012251873A (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hioki Ee Corp | Probe unit, circuit board inspection device and probe unit manufacturing method |
JP2013002976A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Hioki Ee Corp | Probe unit, circuit board inspection device and probe unit manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0760870B2 (en) | 1995-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100343386B1 (en) | Thermoelectric module with improved heat-transfer efficiency and method of manufacturing the same | |
US4612601A (en) | Heat dissipative integrated circuit chip package | |
US6320257B1 (en) | Chip packaging technique | |
US10896897B2 (en) | LED display module and method of making thereof | |
US7095053B2 (en) | Light emitting diodes packaged for high temperature operation | |
US6313396B1 (en) | Lightweight solar module and method of fabrication | |
US7125810B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US6300673B1 (en) | Edge connectable metal package | |
JP2999992B2 (en) | Multilayer solder seal band for semiconductor substrate and method thereof | |
EP0488641A1 (en) | Package for a semiconductor element or semiconductor elements | |
US20030062185A1 (en) | Ceramic multilayer circuit boards mounted on a patterned metal support substrate and method of making | |
WO2005020338A1 (en) | Semiconductor light-emitting device mounting member, light-emitting diode constituting member using same, and light-emitting diode using same | |
WO2001043167A2 (en) | Low temperature co-fired ceramic-metal packaging technology | |
US7557502B2 (en) | Electroluminescent display with gas-tight enclosure | |
JPS63127557A (en) | Chip carrier, chip mounted components and semiconductor chip mounting structure using this chip carrier | |
KR20220015220A (en) | Power module and manufacturing method thereof | |
US4731699A (en) | Mounting structure for a chip | |
EP1610381B1 (en) | Electronic package employing segmented connector and solder joint | |
US6008535A (en) | Method of making a semiconductor diode from laminated ceramic tape | |
EP3848981A1 (en) | Led module, mold and method for manufacturing the same | |
CN111883513A (en) | Chip packaging structure and electronic equipment | |
JPH0922960A (en) | Multichip module device and its manufacture | |
JP2021093489A (en) | Power module | |
WO2024260566A1 (en) | Panel level packaging structure with fully parallel interconnects | |
KR20210141373A (en) | Power module |