JPS63109191A - 置換防止剤 - Google Patents
置換防止剤Info
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- JPS63109191A JPS63109191A JP25450486A JP25450486A JPS63109191A JP S63109191 A JPS63109191 A JP S63109191A JP 25450486 A JP25450486 A JP 25450486A JP 25450486 A JP25450486 A JP 25450486A JP S63109191 A JPS63109191 A JP S63109191A
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- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 title abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 42
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-thiol Chemical compound SC1=CC=CC=N1 WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 43
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 5
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910000396 dipotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000019797 dipotassium phosphate Nutrition 0.000 description 5
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N potassium argentocyanide Chemical compound [K+].[Ag+].N#[C-].N#[C-] HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100342337 Caenorhabditis elegans klf-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017526 Cu-Cr-Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017810 Cu—Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEKPFOXEZRZPGW-UHFFFAOYSA-N copper;dicyanide Chemical compound [Cu+2].N#[C-].N#[C-] LEKPFOXEZRZPGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体集積回路(以下ICと称す)用銅および
銅合金系リードフレームへの部分銀めっき工程に用いら
れる処理液に関する。
銅合金系リードフレームへの部分銀めっき工程に用いら
れる処理液に関する。
〈従来の技術〉
汎用のICリードフレームは主に42合金(Ni42重
量%、Fe残)に代表される鉄系合金、あるいはリン青
銅、スズ含有銅などの銅系合金が用いられプレス打抜き
、または、エツチングにて所定のリードフレームのパタ
ーンが形成される。この後、脱脂などの前処理を行ない
、銅ストライクめっき(素材が銅合金の場合は必要に応
じて施す)を施し、ICチップを搭載するアイランド部
とワイヤーボンディングするインナーリード先端部にI
Cチップ及びリードワイヤーとの接着性の向上、素材の
防食性財力、ICチップへの拡散防止などの目的で銀を
部分的にめっきしているのが一般的である。
量%、Fe残)に代表される鉄系合金、あるいはリン青
銅、スズ含有銅などの銅系合金が用いられプレス打抜き
、または、エツチングにて所定のリードフレームのパタ
ーンが形成される。この後、脱脂などの前処理を行ない
、銅ストライクめっき(素材が銅合金の場合は必要に応
じて施す)を施し、ICチップを搭載するアイランド部
とワイヤーボンディングするインナーリード先端部にI
Cチップ及びリードワイヤーとの接着性の向上、素材の
防食性財力、ICチップへの拡散防止などの目的で銀を
部分的にめっきしているのが一般的である。
〈発明が解体しようとする問題点〉
前記のような銅または銅合金素材へ部分的に銀めっきを
施す場合、従来の製造工程はおよそ次のとおりであった
。すなわち、脱脂、酸洗1表面調整などの前処理を終え
、42合金などには銅ストライクめっきを施した後、銀
を部分的にめっきする。これは主に噴射めっきと呼ばれ
る方法で行なっている。銀めっき液はシアン化銀系ある
いはシアン化銀カリウム系が一般的に用いられているも
のである。部分銀めっきは均一にめっきするためにめっ
き液がリードフレーム基体に当ってから通電するのが通
常の方法であるため、数秒間、銀めっき液が銅素材に通
電されずに接触し、このため銅と銀のイオン化傾向の関
係から、銀が銅素材上に置換析出される事があった。こ
の置換析出された銀は接着力の弱いものであり、この上
に通常の電気めっきを行なうとめっき直後かあるいはシ
リコンICチップをダイボンディングする際、またはワ
イヤーボンディングを行なう際に剥離が生じてしまうと
いう欠点があった。このため、銀めっきを行なうときに
銀の置換析出を防ぐ目的でリードフレーム素材に通電し
てからめっき液を噴射させるという方法をとった場合、
ポンプがスタートした直後に送られてきためっき液の流
れは不規則であり、この結果、めっき厚がバラついたり
、またリードフレーム素材近傍の液温が所定の温度に達
しないうちに析出が始まってしまうという関係で析出し
ためっき皮膜の結晶が不均一になり特にシリコンICチ
ップをダイボンディングする際、接着不良などのトラブ
ルにつながる危険があった。
施す場合、従来の製造工程はおよそ次のとおりであった
。すなわち、脱脂、酸洗1表面調整などの前処理を終え
、42合金などには銅ストライクめっきを施した後、銀
を部分的にめっきする。これは主に噴射めっきと呼ばれ
る方法で行なっている。銀めっき液はシアン化銀系ある
いはシアン化銀カリウム系が一般的に用いられているも
のである。部分銀めっきは均一にめっきするためにめっ
き液がリードフレーム基体に当ってから通電するのが通
常の方法であるため、数秒間、銀めっき液が銅素材に通
電されずに接触し、このため銅と銀のイオン化傾向の関
係から、銀が銅素材上に置換析出される事があった。こ
の置換析出された銀は接着力の弱いものであり、この上
に通常の電気めっきを行なうとめっき直後かあるいはシ
リコンICチップをダイボンディングする際、またはワ
イヤーボンディングを行なう際に剥離が生じてしまうと
いう欠点があった。このため、銀めっきを行なうときに
銀の置換析出を防ぐ目的でリードフレーム素材に通電し
てからめっき液を噴射させるという方法をとった場合、
ポンプがスタートした直後に送られてきためっき液の流
れは不規則であり、この結果、めっき厚がバラついたり
、またリードフレーム素材近傍の液温が所定の温度に達
しないうちに析出が始まってしまうという関係で析出し
ためっき皮膜の結晶が不均一になり特にシリコンICチ
ップをダイボンディングする際、接着不良などのトラブ
ルにつながる危険があった。
く問題を解決するための手段〉
本発明の目的はめっき厚みや結晶状態の均一化を図るた
め銅及び銅系合金あるいは銅めっきされた素材にめっき
液を噴射してから通電する部分銀めっき方法をとる場合
、素材上に置換銀が発生しない手段を提供するものであ
る。具体的にいえば部分銀めっき直前に置換防止処理を
施す事であり本発明の真の目的はこの置換防止剤を提供
する事にある。
め銅及び銅系合金あるいは銅めっきされた素材にめっき
液を噴射してから通電する部分銀めっき方法をとる場合
、素材上に置換銀が発生しない手段を提供するものであ
る。具体的にいえば部分銀めっき直前に置換防止処理を
施す事であり本発明の真の目的はこの置換防止剤を提供
する事にある。
らはある種のイオウ化合物が銅表面の活性を抑える事に
着目し種々の試薬を用い試行錯誤の結果メルカプトピリ
ジンがある濃度範囲で銀の置換析出を防止する事を発見
した。
着目し種々の試薬を用い試行錯誤の結果メルカプトピリ
ジンがある濃度範囲で銀の置換析出を防止する事を発見
した。
メルカプトピリジンの濃度範囲は0.1〜1.0g/l
であり、後述するようにリン酸カリウムとの混合溶液で
安定して用いる事ができる。ここで用いる銅素材は、各
種めっき斑から得られためつき皮膜、圧延鋼、リードフ
レーム用鋼合金である。
であり、後述するようにリン酸カリウムとの混合溶液で
安定して用いる事ができる。ここで用いる銅素材は、各
種めっき斑から得られためつき皮膜、圧延鋼、リードフ
レーム用鋼合金である。
特に銅合金において代表的なものをあげろとM P”−
202(Cu−8n−Ni系、三菱電機)KLF−1(
Cu−Ni−8n−Zn系、神戸製鋼所)、EFTEC
−5(Cu−Fe−Zn−8n系、古河電気工業)。
202(Cu−8n−Ni系、三菱電機)KLF−1(
Cu−Ni−8n−Zn系、神戸製鋼所)、EFTEC
−5(Cu−Fe−Zn−8n系、古河電気工業)。
CCZ (Cu−Cr−Zr、東芝)などである。
これらの銅系素材をアルカリ脱脂、酸洗などの前処理を
施した後、シアン化銅浴な用い銅ストライクめっきを施
す。この後1本発明の置換防止処理を行なう。置換防止
剤の組成はメルカプトピリジンが0.1〜1.Of!/
1. リン酸カリウムが1〜50j;l/lの濃度範
囲である。リン酸カリウムとしてリン酸二カリウム、リ
ン酸−カリウム、リン酸二カリウムを用いる事ができる
。処理方法としてディッピング及びスプレ一方式のいず
れも採用でき、好ましい温度範囲は10〜40℃である
。
施した後、シアン化銅浴な用い銅ストライクめっきを施
す。この後1本発明の置換防止処理を行なう。置換防止
剤の組成はメルカプトピリジンが0.1〜1.Of!/
1. リン酸カリウムが1〜50j;l/lの濃度範
囲である。リン酸カリウムとしてリン酸二カリウム、リ
ン酸−カリウム、リン酸二カリウムを用いる事ができる
。処理方法としてディッピング及びスプレ一方式のいず
れも採用でき、好ましい温度範囲は10〜40℃である
。
処理時間は数秒〜数分である。
置換防止処理のあと水洗を施して次の部分銀めっき工程
に入る。部分銀めっきは、シアン化銅浴もしくはシアン
化銀カリウム浴を用いる。このように従来の銅ストライ
ク浴と部分銀めっきの中間に置換防止処理を入れるだけ
で大幅なライン変更なしに銀の置換を抑える事ができる
。
に入る。部分銀めっきは、シアン化銅浴もしくはシアン
化銀カリウム浴を用いる。このように従来の銅ストライ
ク浴と部分銀めっきの中間に置換防止処理を入れるだけ
で大幅なライン変更なしに銀の置換を抑える事ができる
。
く作用〉
本発明の置換防止剤はメルカプトピリジンとリン酸カリ
ウムからなっている。
ウムからなっている。
メルカプトピリジンは、銅の誘導体をつ(り易いため、
銅表面にこの誘導体が吸着し、銅の活性な面を抑えその
結果、イオン化傾向の差による銀の置換析出を防いでい
るものと思われる。
銅表面にこの誘導体が吸着し、銅の活性な面を抑えその
結果、イオン化傾向の差による銀の置換析出を防いでい
るものと思われる。
一方、リン酸カリウムは、置換防止剤にPH緩衝性をも
たせる事と1部分銀めっき液がリン酸カリウム系で出来
ている場合が多いため、銀めっき液が持ち込まれても不
都合を生じない事を考慮しての役割である。
たせる事と1部分銀めっき液がリン酸カリウム系で出来
ている場合が多いため、銀めっき液が持ち込まれても不
都合を生じない事を考慮しての役割である。
P H緩衝性については、前工程に銅ストライクめっき
、あるいは酸洗があるため、中性付近が望ましく、また
部分銀めっき液が弱アルカリである。
、あるいは酸洗があるため、中性付近が望ましく、また
部分銀めっき液が弱アルカリである。
〈実施例1〉
リードフレーム素材としてエツチングによりバターニン
グが終ったMF202(三菱電機製)を用い1部分銀め
っきの前処理としてアルカリ脱脂。
グが終ったMF202(三菱電機製)を用い1部分銀め
っきの前処理としてアルカリ脱脂。
酸洗を終え、接着性をあげるためシアン化銅浴で銅スト
ライクめっき(0,2μ厚)を施した。この後、置換防
止剤として調合したメルカプトピリジン0.59 /
l 、 リン酸二カリウム6.4 g/ lからなる
混合水溶液中(温度25℃)に30 sec f!潰さ
せた。水洗後1部分銀めっき工程に移した。
ライクめっき(0,2μ厚)を施した。この後、置換防
止剤として調合したメルカプトピリジン0.59 /
l 、 リン酸二カリウム6.4 g/ lからなる
混合水溶液中(温度25℃)に30 sec f!潰さ
せた。水洗後1部分銀めっき工程に移した。
銀めっきの条件はめっき液としてシアン化銀カリウム6
”4/Ic銀イオン濃度)、リン酸二カリウム509/
1.クエン酸カリウム50.!9/1浴温65°C1液
流速5 m / see、電流密度504/c14とし
、約5μの厚みになるまで銀めっきを施した。このとき
、めっき液が鋼合金系材にあたってから5秒後に通電を
開始したが置換銀の析出は全く認められなかった。
”4/Ic銀イオン濃度)、リン酸二カリウム509/
1.クエン酸カリウム50.!9/1浴温65°C1液
流速5 m / see、電流密度504/c14とし
、約5μの厚みになるまで銀めっきを施した。このとき
、めっき液が鋼合金系材にあたってから5秒後に通電を
開始したが置換銀の析出は全く認められなかった。
〈実施例2〉
リードフレーム素材としてプレスで打抜かれたKLF−
1(神戸製鋼所)を用い部分銀めっきを行なった。前処
理としてアルカリ脱脂、酸洗を行なった後、銅ストライ
クめっきを行なわずに置換防止処理に移った。組成はメ
ルカプトピリジン0.8fi/1. リン酸二カリウ
ム10g/lの水溶液(温度30°C)でシャワ一方式
で15 secの処理を行なった。水洗後、部分銀めっ
き工程に入った。銀めっき液は市販のものでS−900
(日本エンゲルハルト−シアン化銀カリウム6C#/l
)を用い浴温70°C1液流速4m/sec、電流密度
40 A/cl−とし、約7μの厚みになるまで銀めっ
きを行なった。このとき、めっき液が銅合金素材にあた
ってから、7秒後に通電を開始したが置換銀の析出は全
く認められず、また部分銀めっきも乳白色の均一な表面
を程していた。
1(神戸製鋼所)を用い部分銀めっきを行なった。前処
理としてアルカリ脱脂、酸洗を行なった後、銅ストライ
クめっきを行なわずに置換防止処理に移った。組成はメ
ルカプトピリジン0.8fi/1. リン酸二カリウ
ム10g/lの水溶液(温度30°C)でシャワ一方式
で15 secの処理を行なった。水洗後、部分銀めっ
き工程に入った。銀めっき液は市販のものでS−900
(日本エンゲルハルト−シアン化銀カリウム6C#/l
)を用い浴温70°C1液流速4m/sec、電流密度
40 A/cl−とし、約7μの厚みになるまで銀めっ
きを行なった。このとき、めっき液が銅合金素材にあた
ってから、7秒後に通電を開始したが置換銀の析出は全
く認められず、また部分銀めっきも乳白色の均一な表面
を程していた。
〈発明の効果〉
本発明の置換防止剤を用いる事で、銅及び銅合金素材へ
部分銀めっきを行なう際、密着の悪い置換銀の析出を抑
えられ、この結果、リードフレームの場合、これを用い
たICパッケージにおける信頓性を著しく向上させる事
ができた。
部分銀めっきを行なう際、密着の悪い置換銀の析出を抑
えられ、この結果、リードフレームの場合、これを用い
たICパッケージにおける信頓性を著しく向上させる事
ができた。
Claims (1)
- (1)銅及び銅合金素材あるいは銅めっきされた素材へ
銀を電着させる際、置換銀の析出を防ぐために用いるリ
ン酸カリウム及びメルカプトピリジンの混合水溶液から
なる置換防止剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25450486A JPS63109191A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | 置換防止剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25450486A JPS63109191A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | 置換防止剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63109191A true JPS63109191A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17265973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25450486A Pending JPS63109191A (ja) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | 置換防止剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63109191A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0459975A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Electroplating Eng Of Japan Co | 電子部品の銀メッキ方法 |
GB2253634A (en) * | 1989-09-20 | 1992-09-16 | Nippon Mining Co | Pretreating solution for silver plating to prevent silver displacement |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5743995A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Silver plating liquid and silver plating method |
-
1986
- 1986-10-25 JP JP25450486A patent/JPS63109191A/ja active Pending
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