JPS63103453A - 光学式情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学的手段を用いて高速かつ高密度に情報を記
録、再生、消去するための光学式情報記録部材に関する
ものである。

従来の技術 消去可能で繰り返し記録再生可能な非破壊型の光学式情
報記録部材、たとえば光デイスクメモリーにおいて、基
材として用いられるプラスチックス）、 ・ス、゛ρ“レーザー加熱時に損傷を受けないように・
酸化物等の耐熱保護膜を基材と光学活性層の間、もしく
は光学活性層の直上に設けることが提案されている。耐
熱保護層として用いられる材料としては酸化物（Ｓｉ０
２．　ＧｅＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＢｅＯ２）　、窒化物（
ＢＮ。

Ｓｉ３Ｎ４．ＡＩＮ　）、炭化物（ＳｉＣ）、カルコゲ
ン化物（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ　）などが提案されている。

耐熱保護層に要求される特性の主なものは、 （１）使用波長領域で透明であること、（２）融点が動
作する温度より高いこと、（３）機械的強度が大きいこ
と、 （４）化学的に安定なこと、 （５）適当な熱定数（熱伝導率、比熱）を持っているこ
と、 等である。

これらを説明すると、（１）は言うまでもなくレーザー
のエネルギーを効率よく光学活性層へ吸収させるために
必要であるし、（２）は光学活性層が熱変態する温度よ
り先に耐熱層が変化してしまっては不都合であるからで
あり、（３）は特に加熱、冷却の過程で割れたりしては
困るからであり、また（４）は水分により加水分解した
り潮解いしたりしては困るからであり、最後に（５）は
、光学式情報記録法のうちでも、相変化型の場合には加
熱と、急冷または徐冷を組み合わせて２つの相の間を可
逆的に往復させることにより記録、消去を実現している
ので、熱定数が適当でないと、レーザーのエネルギーが
効率的に利用されない。

そこで記録消去時の照射レーザーパワーに対する感度が
十分でなくなる。すなわち、記録消去にレーザーパワー
が多く必要になる。

発明が解決しようとする問題点 前記の諸物質はこれらの条件をほぼみたしているが、ま
だ完全に光学式情報記録用途とての要求を満足している
とはいえない。特に書き換え可能な光メモリーの場合、
レーザー照射加熱、冷却の繰り返しによって耐熱保護層
が変質すると、十分な記録、消去の繰り返し信頼性が得
られないことになる。

本発明は、光学式情報記録部材の記録、消去の繰り返し
寿命を決定する要因のひとつである、Ｍ熱保護層の劣化
と、記録および消去感度の改善を目的とするる。

問題点を解決するための手段 耐熱保護層として、複数の化合物の混合物よりなるとと
もに、前期混合物の構成化合物のうち、少なくとも２槽
は互いに固溶しないものを用いる。

作用 耐熱保護層として相互に固溶し合わない少なくとも２種
の物質を用いることにより、あたかも強制的に分散固溶
させたような状態が得られ、耐熱層の熱的性質を変化さ
せて、光学式情報記録の記録感度の向上および、記録、
消去の繰り返しに関する信頼性を向上させることができ
る。

実施例 以下本発明の実施例について添付図面に基づき説明する
。第１図は、本発明において基本となる光学式情報記録
部材の断面の概略であり、１が基材、２と４が耐熱保護
層、３が光学活性層であって、６の保護基材を５の接着
材で貼り合わせている。本発明では、２と４の耐熱保護
層の材質を特定のものにすることが特徴である。すなわ
ち従来の材料、たとえば２酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２
）、２酸化ケイ素（５ｉ０２　）、硫化アエン（ｚｎｓ
）ナト、を用いた場合とくに機械的強度と熱的性質が十
分でなっかった。

レーザーで照射した場合に高温での機械的強度が弱いと
耐熱保護層が熱変形して割れたり、あるいは構造的な欠
陥が多いと保護音自体が加熱により収縮して永久変形し
たりする。また、熱的性質はレーザーの熱エネルギーを
効率よく利用するために、適当な熱伝導率と比熱を持っ
ていることが必要である。熱伝導率が大き過ぎると、余
分なエネルギーを必要とするので不都合であるし、また
小さ過ぎると今度は急冷条件が得られなくなってしまう
、急冷条件は、光学式情報記録法のうちでも、相変化型
の場合には加熱と、急冷または徐冷を組み合わせて２つ
の層の間を可逆的に往復させることにより記録、消去を
実現しているので、重要である。

本発明の特徴は、前記の高温での機械特性、とくに顕著
な熱変形を最小限に抑えたままで、熱定数を制御して記
録、消去特性を改善し、更には記録消去の繰り返しの信
頼性を向上させたことである。実際の保護層の設計条件
としては、光学的にまずレーザーのエネルギーの吸収効
率がよいのが望ましい。そのためには入射レーザー光が
無反射条件を満たすことが必要である。Ｔｅを主成分と
した光学活性層では屈折率が概ね４前後であるので、無
反射条件を得るためには、耐熱保護層の屈折率が４以下
、計算によると２以上３以下でもっとも効率がよいこと
がわかっている。無反射条件は保護層の屈折率をＮ、レ
ーザーの波長をり、保護層の膜厚をｄとしたときに、お
およそ次のように示される。

ｄ＝Ｌ／４Ｎ この条件を満たす材料のうちで代表的なものが、硫化ア
エン（ＺｎＳ　　：　Ｎ　＝２．３　）である。

しかし前記のごとく、ＺｎＳは初期的な特性は優れてい
るのであるが、記録、消去の繰り返し特性は必ずしも満
足すべきものではないことが実験の結果判明したので、
本発明者らは改良を試みた。

その結果得られた材料が、硫化アエンと２酸化ケイ素の
混合物であった。さらに実験を続けたところ、基本的に
相互に固溶し合わない２種の材料を蒸着のような気相か
らの急冷によって薄膜を構成する粒子を均一に微粒化し
、混合して、強制的にあたかも固溶体が形成されたよう
にすることにより新規な特性を示す材料群を見出した。

この材料群の成分の特徴は前記の相互に固溶し合わない
ことであるが、その材料の組み合わせが、結晶質のもの
とガラス質の組み合わせであることである。

結晶質の材料としては前記のＺｎＳ、ＺｎＳｅのカルコ
ゲン化アエン、あるいは硫化ナマリのようなカルコゲン
化ナマリ等のカルコゲン化物でありであり、またガラス
質材料またはガラス化を促進する材料としては２酸化ケ
イ素、２酸化ゲルマニウムなどの酸化物ガラス、あるい
は窒化ケイ素や、炭化ケイ素などの非酸化物系ガラスで
ある。

なぜガラス質と、カルコゲン化物とを混ぜると特性が良
くなるかは、わがっていない。恐らく、ガラス質のもの
が、混合されることにより結晶質のものも結晶粒の成長
が抑えられて微細化するか、あるいはアモルファス化し
熱伝導が、小さくなることにより、投入されるレーザー
エネルギーが効率良く光学活性層の温度上昇に寄与する
ためであると考えられる。レーザーパワーが効率よく光
学活性層に吸収されると、照射パワーが少なくて済み、
ひいては記録消去のときに光学活性層の周囲の温度も上
昇しないので、それだけ活性層および耐熱保護層の熱損
傷も少ないことになる。結果として記録、消去の回数も
多くなり信頼性が向上することになる。従って、記録お
よび消去に要するレーザーパワーが少なくなることが記
録消去の繰り返し回数を多くすることに対して必須であ
る。

以下の各実施例では特に断わらないが記録および消去感
度が改善された耐熱保護層を用いた場合静的な記録消去
の繰り返しの回数が少なくとも１０の６乗回以上である
ことは確認されている。

カルコゲン化合物は、一般的に屈折率が大きく（Ｎ＞２
）の条件を満たすことが可能であるが、酸化物ガラスは
大きくても２であることが多い、そこで、カルコゲン化
物に無闇にガラス質材料を強制混合することは特性的に
も良くないことがわかるが、適当量混合することにより
飛躍的に、特性が向上する。以下に、本発明者らによる
具体的な実施例を示す。

実施例１ ポリメチルメタクリレート（Ｐ〜ｆＭＡ）よりなる基材
上に２元蒸着法で硫化アエンと２酸化ケイ素の、混合物
よりなる耐熱保護層を作成した。蒸着装置の概略を第２
図に示す。到達真空度は１０のマイナス６乗のオーダー
である。７が真空容器で１２の排気孔より真空へ排気す
る。８が基材、９が基材を回転させるための回転軸で、
蒸着物質は１０と１１の蒸発源より蒸発させる。硫化ア
エン（ＺｎＳ　）と２酸化ケイ素の混合比はそれぞれの
材料の蒸発量を制御することによって決定し、また定量
化学分析も行なった。　光学活性層の成分は可逆的に結
晶状態とアモルファス状態との間を往復させることによ
り、記録消去が可能な相変化型の材料の一種であるＴｅ
Ｇｅ５ｎＯ系のものを用い、膜厚は１００　ｎｍである
。耐熱保護層は光学活性層の基材側および上側に、それ
ぞれおよそ１００　ｎｍ。

２００　ｎｍ作成した。この膜厚構成はレーザーの吸収
効率の観点からと、光学定数の変化か大きくなるような
観点からとから決めたものである。

第３図にまず得られた耐熱保護膜自体の屈折率の５ｉＯ
２混合量Ｘ依存性を示す。　ＺｎＳに５ｉ０２を添加す
るに連れて、屈折率がほぼ直線的に減少することが示さ
れている。これはＺｎＳと５ｉ０２が結合して混ざって
いるのではなくて、単純に混合していることを間接的に
しめしている。このことは以下の実施例で示すこれ以外
の物質の組合せの屈折率の変化についても同じことが言
える。

次に第１表に、５ｉＯ８の添加量に対する結晶化（消去
）およびアモルファス化（記録）に要する最低のレーザ
ーエネルギーを示す、この測定はディスク駄に形成した
ものを回転しながら動的に測定したものでディスクの周
速度はおよそ５　ｍ／ｓである。レーザーの波長は８３
０　ｎｍでビームはディスク上で回折限界まで絞ってい
る。レーザーのパワーはできるだけ小さい方が負担がす
くなくて済むので好ましい。ＺｎＳに５ｉＯ７を添加す
るにことにより結晶化およびアモルファス化に要するの
最低エネルギーは減少し、さらに添加量が増えると再び
増加し始める。この結果から明らかなように、５ｉ０２
の添加量には最適値があることがわかる。

本実施例においては、５ｉ０２の量が１０モル％以上３
０モル％以下のときに、結晶化に要するレーザーパワー
が５ｍＷないし７．５　ｍＷと、５ｉ０２がないときの
９ｍＷより低下していることが分かる。また、この混合
比では、屈折率がほぼ２以上で、光学的にも前記の条件
を満足している。

以上に示すようにＺｎＳにＳｉＯ□を添加したときに結
晶化に要するレーザーパワーの低下が見られることで示
される効果がある。

（以下余白） 第１表　ＺｎＳへの５１０２の添加効果第４図に静的に
レーザーを用いて記録消去を繰り返し行なった場合の反
射率の変化を示す。第４図中それぞれの曲線のうち、上
側が結晶状態、すなわち消去収態の反射率に対応し、下
側が非晶質状態すなわち記録状態に対応している。反射
率の差が記録信号の強度に比例する訳である。　５ｉ０
２の添加量によって繰り返しの回数に変化が生じるのが
わかる。また、レーザーパワーはディスクにおける熱負
荷をシミュレートするように決めたものである。

記録に用いるレーザーのパワー分布のディスク上への投
影は、はぼ円対称になるように、また消去用の分布は楕
円状になるように調整されている。

この場合も、５ｉ０２が２０モル％添加されたときにも
っとも良い結果が得られており１０の６乗回以」二の繰
り返しが可能である。

なお、本実施例では５ｉ０２とＺｎＳを蒸着などの気相
から急冷する手段を用いて強制的に分散混合して特性を
得たが、同じ気相からでも徐冷となる条件、例えば、堆
積速度が極端に遅い場合などでは、分散が妨げられて相
分離が進行して、感度の向上のみならず記録消去の繰り
返しの回数も多くならなかった。このことは、いかに述
べる実施例での材料の組合せでも同じことがいえる。

実施例２ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に２元蒸着法
でセレン化アエンと２酸化ケイ素の、混合物よりなる耐
熱保護層を作成した。到達真空度は１０−６のオーダー
である。セレン化アエン（ＺｎＳｅ　）と２酸化ケイ素
の混合比は実施例１と同様にそれぞれの材料の蒸発量を
制御することによって決定し、また定量化学分析もおこ
なった。光学活性層の成分も実施例１と同じＴｅＧｅ５
ｎＯ系のものを用い、膜厚は１００　ｎｍである。耐熱
保護層は光学活性層の基材側および上側に、それぞれお
よそ１００　ｎｍ。

２００　ｎｍ作成した。

第５図に得られた耐熱保護膜自体の屈折率の５ｉ０２混
合ｆｆ１ｘ依存性を示す、　ＺｎＳｅに５ｉ０２を添加
するに連れて、屈折率がほぼ直線的に減少することが示
されている。

次に第２表に、ＳｉＯ□の添加量に対する結晶化および
アモルファス化に要する最低のレーザーエネルギーを示
す、測定法は実施例１と同じである。

（以下余白） 第２表　ＺｎＳｅへの５１０２の添加効果実施例１と同
様に、ＺｎＳｅに５ｉ０２を添加するにことにより結晶
化およびアモルファス化に要するレーザエネルギーは減
少し、さらに添加量が増えると再び増加し始める。この
結果から明らかなように、ＳｉＯ□の添加量には最適値
があることが分かる。

本実施例においては、５ｉ０２の量が１５モル％以上３
５モル％以下のときに、結晶化に要するレーザーパワー
が６ｍＷないし７．５　ｍＷと、５ｉ０２がないときの
９ｍＷより低下していることが分かる。

以上に示すようにＺｎＳｅにＳ＋０２を添加したときに
、結晶化およびアモルファス化に要するレーザーパワー
の低下が見られることで示される効果がある。

また、同じ組成のとき記録消去の静的な繰り返しにおい
ても実施例１と同様に１０６回以上の繰り返しに耐えら
れる。

実施例３ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に２元蒸着法
でカルコゲン化アエンすなわち硫化アエン（ＺｎＳ　　
）またはセレン化アエン（ＺｎＳｅ　）またはテルル化
アエン（ＺｎＴｅ　）と、ガラス化した２酸化ゲルマニ
ウム（ＧｅＯ２）　ｓ酸化スズ（５ｎ０２　）、酸化イ
ンジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、２酸化テルル（ＴｅＯ２）の
いずれかとの、混合物よりなる耐熱保護層を作成した。

カルコゲン化アエン（ＺｎＸ：　　Ｘｉカルコゲン）と
ガラス化した酸化物の混合比は実施例１と同様にそれぞ
れの材料の蒸発量を制御することによって決定し、また
定量化学分析もおこなった。光学活性層の成分も実施例
１と同じＴｅＧｅ５ｎＯ系のものを用い、膜厚は１００
　ｎｍである。耐熱保護層は光学活性層の基材側および
上側に、それぞれおよそ１００　ｎｍ、　２００　ｎｍ
作成した。

次に第３表に、酸化物の添加量に対する結晶化およびア
モルファス化に要する最低のレーザーエネルギーを示す
、測定法は実施例１と同じである。

カルコゲン化アエンにガラス質酸化物を添加するにこと
により結晶化に要するの最低エネルギーは減少し、さら
に添加量が増えると再び増加し始める。この結果から明
らかなように、ガラス化酸化物の添加量には最適値があ
ることがわかる。

本実施例においては、ＳｎＯ３においては添加量が１５
モル％以上３５モル％以下のときに、結晶化に要するレ
ーザーパワーが６１１ＩＷないし７ｍＷと、酸化物ガラ
スがないときの９ｍＷより低下していることがわかる。

また、アモルファス化に要するレーザーパワーも低下し
ていることがわかる。

他の２種ののカルコゲン化アエンおよび酸化物の場合も
ほぼ同様の結果が得られている。

第３表　ＺｎＳへのＧｅＯ２の添加効果実施例４ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に２元蒸着法
で硫化アエンと、ガラス試の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）
との、混合物よりなる耐熱保護層を作成した。硫化アエ
ンとガラス化した窒化物の混合比は実施例１と同様にそ
れぞれの材料の蒸発量を制御することによって決定し、
また定量化学分析もおこなった。光学活性層の成分も実
施例１と同じＴｅＧｅ５ｎＯ系のものを用い、ｇ！厚は
１００　ｎｍである。　耐熱保護層は光学活性層の基材
側および上側に、それぞれおよそ１００　ｎｍ、　２０
０　ｎｍ作成した。

次に第４表に、Ｓｉ３Ｎ４の添加量に対する結晶化およ
びアモルファス化に要する最低のレーザーエネルギーを
示す、測定法は実施例１と同じである。

第６図に得られた耐熱保護膜自体の屈折率の混合比依存
性を示す。　ＺｎＳｅにＳｉ３Ｎ４を添加するに連れて
、屈折率がほぼ直線的に減少することが示されている。

本実施例においても硫化アエンに窒化物ガラスを添加す
るにことにより結晶化およびアモルファス化に要するの
最低エネルギーは減少する効果が確認された。この結果
から明らかなように、ガラス化酸化物の添加量には最適
値があることがわかる。

本実施例においてもＳｉ３Ｎ４の硫化アエンに対する添
加量で効果があるのはおおよそ２０モル％前後であるこ
とが確認された。

実施例５ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に２元蒸着法
でセレン化アエンと、ガラス試の炭化ケイ素（ＳｉＣ）
との、混合物よりなる耐熱保護層をスパッタ法で作成し
た。第７図にスパッタ装置の概略と第８図に陰極ターゲ
ットの構成を示す、スパッタ装置は通常の市販のもので
あるが陰極ターゲットは複合式のものを用いた。すなわ
ちＺｎＳｅの焼結体の上にＳｉＣの焼結ベレットを添加
量に見合った量おいてスパッタを行なった。また定量化
学分析もおこなった。　光学活性層の成分も実施例１と
同じＴｅＧｅ５ｎＯ系のものを用い、膜厚は１００　ｎ
ｍである。耐熱保護層は光学活性層の基材側および上側
に、それぞれおよそ１００　ｎｍ、　２００　ｎｍ作成
した。

本実施例においても硫化アエンに窒化物ガラスを添加す
るにことにより結晶化およびアモルファス化に要するレ
ーザーエネルギーは低下する効果が確認された。

本実施例においても炭化ケイ素の硫化アエンに対する添
加量で効果があるのはおおよそ２０モル％前後であるこ
とが確認された。

実施例６ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に３元蒸着法
で硫化アエンと２酸化ケイ素および２酸化ゲルマニウム
の、混合物よりなる耐熱保護層を作成した。　硫化アエ
ンの量を一定（１５，２０，５０モル％）として、２酸
化ケイ素と２酸化ゲルマニウムの比を変化させて、効果
を測定した。混合比は実施例１と同様にそれぞれの材料
の蒸発量を制御することによって決定し、また定量化学
分析もおこなった。　光学活性層の成分も実施例１と同
じＴｅＧｅ５ｎＯ系のものを用い、膜厚は１００　ｎｍ
　　である、耐熱保護層は光学活性層の基材側および上
側に、それぞれおよそ１００　ｎｍ、　２００　ｎｍ作
成した。

第９図に得られた耐熱保護膜自体の屈折率の混合比依存
制を示す。　ＺｎＳに５ｉ０２とＧｅＯ□の混合物を添
加するに連れて、屈折率がほぼ直線的に減少することが
示されている。酸化物ガラス全添加量に対する結晶化に
要する最低のレーザーエネルギーは、前記実施例と同様
に約２０モル％のとき最も低下し、ｆ３ｍＷとなり、ま
たアモルファス化パワーも２ｍＷ低下し効果があること
がわかった。測定法は実施例１と同じである。

実施例７ ポリメチルメタクリレートよりなる基材上に２元蒸着法
でカルコゲン化ナマリと２酸化ケイ素の、混合物よりな
る耐熱保護層を作成した。　到達真空度は１０のマイナ
ス６乗のオーダーである。カルコゲン化ナマリ（ＰｂＳ
　、　Ｐｂ５ｅ、　ＰｂＴｅ　）と２酸化ケイ素の混合
比は実施例１と同様にそれぞれの材料の蒸発量を制御す
ることによって決定し、また定量化学分析もおこなった
。光学活性層の成分も実施例１と同じＴｅＧｅ５ｎＯ系
のものを用い、膜厚は１００　ｎｍである。耐熱保護層
は光学活性層の基材側および上側に、それぞれおよそ１
００　ｎｍ、　２００　ｎｍ作成した。

第１０図に得られた耐熱保護膜自体の屈折率の混合比依
存制を示す、カルコゲン化ナマリに５ｉ０２を添加する
に連れて、屈折率がほぼ単調に減少することが示されて
いる。

次に第２表に、おのおののカルコゲン化ナマリに対して
、結晶化に要する最低のレーザーエネルギーの５ｉ０２
添加量依存性を示す。測定法は実施例１と同じで九る。

実施例１と同様に、カルコゲン化ナマリＳ＋０２を添加
するにことにより結晶化およびアモルファス化に要する
の最低エネルギーは減少するものの、カルコゲン化アエ
ンはどの効果の大きさはない。この結果から、５ｉ０２
の添加量には最適値があることがわかるが、効果はカル
コゲン化アエンと比べて、小さいといえる。これはカル
コゲン化ナマリは半導体レーザーの波長でわずかながら
吸収があるためであると考えられる。

実施例８ ポリカーボネイトよりなる基材上に２元蒸着法でセレン
化アエンと２酸化ケイ素の、混合物よりなる耐熱保護層
を作成した。　到達真空度は１０のマイナス６乗のオー
ダーである。硫化アエン（ＺｎＳ）と２酸化ケイ素（Ｓ
ｉ２０）の混合比は実施例１と同様にそれぞれの材料の
蒸発量を制御することによって決定し、また定量化学分
析もおこなった。光学活性層の成分は本実施例では異な
りＴｂＦｅＣｏの光磁気効果を示す材料とした。膜厚は
５０　ｎｍである。

耐熱保護層は光磁気活性層の基材側および上側に、それ
ぞれおよそ１００　ｎｍ、２００　ｎｍ作成した。得ら
れた耐熱保護膜は実施例２で用いたものと同様のもので
ある。次に第５表に、５ｉ０２の添加量に対する耐酸化
性特性を示す、　ＺｎＳ単独では８０”　Ｃ８０％ＲＨ
環境下では、数日間で、反射率の低下が見られるが、５
ｉ０２ｔ”添加することにより、３０日では光学的な変
化が見られなかった。

第５表　５１０２添加量と酸化性 以上の実施例で示した様に本発明は、光学式情報記録部
材の特性向上に効果があるといえる。特に、入射レーザ
ーパワーな効率よく利用する点、記録消去の回数を増加
させる点、光学活性層を酸化などから守る信頼性改善の
点に大きな効果がある。前記実施例では硫化アエン等の
結晶質のものと、２酸化ケイ素等のガラス質のものとを
気相などから急冷することにより薄膜を構成する粒子を
微細化してあたかも強制的に固溶させた様な構造にする
例を示したが、この考え方は従来にないものである。

なお、以上に述べたように本発明は、材料の構造に特徴
があるので、実施例の適用光を光ディスクに限ったが、
光デイスク以外にも熱特性やパッシベーション膜として
の効果を発揮できる、ｍ　ＢＨ磁気ヘッド、感熱プリン
ター用ヘッドなどの耐熱絶縁膜への適用も考えられる。

発明の効果 本発明によれば、基材上に光学活性層を設けてなる光学
式情報記録部材において、前記光学活性層と基材の間、
もしくは光学活性層の上に、複数の化合物よりなる耐熱
保護層を設け、かつそれらの混合物の構成化合物のうち
少なくとも２槽は互いに固溶し合わないものより選らぶ
ことにより、記録時の入射光パワーに対する感度を上昇
させ、あるいは記録消去の繰り返しの回数を増やすこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例における光学式情報記録媒
体の断面図、第２図は２元蒸着装置の断面図、第３図は
ＺｎＳ＋５ＩＯ２系の屈折率を示すグラフ、第４図はＺ
ｎＳ＋５Ｉ０２系の繰り返し特性を示すグラフ、第５図
はＺｎＳｅ＋５ＩＯ２系の屈折率を示すグラフ、第６図
はＺｎＳ＋５Ｉ０２系系の屈折率を示すグラフ、第７図
はスパッタ装置の断面図、第８図は陰極ターゲット構成
を示す平面図、第９図はＺｎＳ＋（Ｓ　１０２＋Ｇｅ０
２）系の屈折率を示すグラフである。 １・・・基材、　２．４・・・耐熱保護層、３・・・光
学活性層、　５・・・接着剤層、６・・・保護基材。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名第　１　図 第２図 ／Ｚ 押気乳 第３図 ０２θ　４０６０　　％　ｌθ０ χ：　　５ＬＯ２ラネカＯｊヒ　（モルｈ）第４図 ｚｔｓｔｓｉ、Ｏｚ　爪 盲乙銖うＩ可弓独ミｒ来ニレ：回４≦覧ミ第５図 ａ　　　　　　２０　　　　４Ｊ　　　　　　６０　　
　　　　θ０　　　　１００２　：　５ｉＯｚ　　”ｔ
Ｑ　力Ｏｉヒ　（％ｒし％　）第６図 ｏ　　２０　４０　６０　８０　１００ｘ−：　Ｓｉ３
Ｎ４　２式Ｑｉ　　Ｃモル”）第７図 回転軸

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基材と、その基材上に設けた光学活性層と、前期
   光学活性層と前記基材の間もしくは前記光学活性層の上
   に設けた耐熱保護層とを備え、前記耐熱保護層は、複数
   の化合物の混合物よりなるとともに、前期混合物の構成
   化合物のうち、少なくとも２槽は互いに固溶しないこと
   を特徴とする光学式情報記録部材。 （２）耐熱保護層を構成する化合物のうち、少なくとも
   一種はガラス、またはガラス化を促進するものであるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学式情報
   記録部材。（３）耐熱保護層を構成する化合物のうち、
   少なくとも一種は金属のカルコゲン化物であり、少なく
   とも一種は酸化物であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の光学式情報記録部材。 （４）金属のカルコゲン化物のうち少なくとも一種はカ
   ルコゲン化アエンであり、酸化物のうち少なくとも一種
   はガラス化した酸化物であることを特徴とする特許請求
   の範囲第３項記載の光学式情報記録部材。 （５）カルコゲン化アエンがＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＺ
   ｎＴｅから選択された少なくとも一種であり、ガラス化
   した酸化物がＳｉＯ＿２、ＧｅＯ＿２、ＳｎＯ＿２、Ｉ
   ｎ＿２Ｏ＿３及びＴｅＯ＿２から選択された少なくとも
   一種であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
   の光学式情報記録部材。 （６）金属のカルコゲン化物のうち少なくとも一種は金
   属のカルコゲン化ナマリであり、少なくとも一種はガラ
   ス化した酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲
   第３項記載の光学式情報記録部材。 （７）金属のカルコゲン化ナマリがＰｂＳ、ＰｂＳおよ
   びＰｂＴｅから選択された少なくとも一種であり、ガラ
   ス化した酸化物がＳｉＯ＿２、ＧｅＯ＿２、ＳｎＯ＿２
   、Ｉｎ＿２Ｏ＿３およびＴｅＯ＿２から選択された少な
   くとも一種であることを特徴とする特許請求の範囲第６
   項記載の光学式情報記録部材。 （８）耐熱保護層を構成する化合物のうち、少なくとも
   一種は金属のカルコゲン化物であり、少なくとも一種は
   窒化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光学式情報記録部材。 （９）金属のカルコゲン化物のうち少なくとも一種がカ
   ルコゲン化アエンであり、窒化物のうち少なくとも一種
   がガラス化した窒化物であることを特徴とする特許請求
   の範囲第８項記載の光学式情報記録部材。 （１０）カルコゲン化アエンがＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＺ
   ｎＴｅから選択された少なくとも一種であり、ガラス化
   した窒化物がＳｉ＿３Ｎ＿４であることを特徴とする特
   許請求の範囲第９項記載の光学式情報記録部材。 （１１）耐熱保護層を構成する化合物のうち、少なくと
   も一種は金属のカルコゲン化物であり、少なくとも一種
   は炭化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光学式情報記録部材。 （１２）金属のカルコゲン化物のうち少なくとも一種が
   カルコゲン化アエンであり、少なくとも一種はガラス化
   した炭化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   １項記載の光学式情報記録部材。 （１３）カルコゲン化アエンがＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＺ
   ｎＴｅから選択された少なくとも一種であり、ガラス化
   した炭化物がＳｉＣであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１２項記載の光学式情報記録部材。 （１４）耐熱保護層を構成する化合物のうち、少なくと
   も一種は金属のカルコゲン化物であり、少なくとも一種
   は窒化酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光学式情報記録部材。