JPS6289228A

JPS6289228A - 磁気記憶体

Info

Publication number: JPS6289228A
Application number: JP23165785A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yanagisawa; 雅広柳沢
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1985-10-16
Filing date: 1985-10-16
Publication date: 1987-04-23
Also published as: JPH0548529B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体に関する。

（従来の技術）一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面の間に空気層分の空間を作シ、この状態で記録再生を
する方法である（コンタクト・スタート・ストップ方式
。

以下Ｃ８Ｓと呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁気記
憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操
作開始時と同様に接触摩擦状態にある。

これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。

また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の
変化がヘッドにかかる荷重を不均一くさせヘッドおよび
磁気記憶体表面に蕩を作ることもある。

さらにヘッドと磁気記憶体の長時間の接触により、両者
は互いに吸着し離れにくくなる。

このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶体の破壊
および吸着を防止するために、従来特開昭５２−４９８
０５号公報に見られるように、磁気記憶体表面にパーフ
ロロアルキルポリエーテルなどの潤滑剤を被覆していた
。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながらこのような潤滑剤は耐荷重性が悪くヘッド
との摺動または多数回のＣ８Ｓの繰り返しにおいて磁気
記憶体の傷の発生を防ぐことが出来なかった。また除去
された潤滑剤が磁気記憶体とヘッドの接触摺動面に厚く
局在して吸着し離れなくなるという欠点もあった。

本発明の目的は、この問題点を解決した磁気記憶体を提
供することにある。

（問題を解決するための手段）本発明の磁気記憶体は、その部分断面図（第１図）に示
すように下地体１の上に磁性媒体２が被覆され、さらに
該媒体上にラダー型ポリシロキサンからなる潤滑剤４が
被覆された構造を有する。

下地体１はアルミ合金、チタン合金、またはステンレス
などの金属、またはポリエステル、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、尿４１旨、メラ
ミン樹脂、ポリカーボネート、ジアリルフタレート樹脂
、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール樹
脂、ポリブチレンテレフタレート、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂、ポリオキシペンジレン樹脂。

ポリアミノビスマレイミド樹脂、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリフェニレンサルファイドなどのグラスチック
、またはガラス、シリコン、ゲルマニウム、アルミナ、
シリカ、ダイアモンドなどのセラミックス、または陽極
酸化アルマイト被覆アルミ合金あるいは、Ｎ　ｉ−Ｐメ
ッキ膜、Ｃｒ、ＦｅＮｔ＊ステンレス、ＭｏまたはＷな
どの金属または前記プラスチック、前記セラミックスを
被覆したアルミ合金、チタン合金、ステンレスなどの積
層合金基板、あるいは前記金属あるいは前記セラミック
スが被覆された前記プラスチック基板、あるいは前記金
属または前記プラスチックが被覆されたセラミックス基
板である。

次にこの下地体１の上に被覆されるに磁性媒体２として
Ｆｅ、Ｏ，＋　ｒ−ＦｅｔＯｘ　＊　Ｆｅ、Ｎ４＋バリ
ウムフエライトなどの鉄酸化物または鉄窒化物などのセ
ラミックスまたはＣｏ　、Ｃｏ−Ｎｉ　、Ｃｏ−Ｎｉ　
−Ｐ　。

Ｃｏ　−Ｍｎ　−Ｐ　、Ｃｏ−Ｍｎ−−Ｎｉ　−Ｐ　、
Ｃｏ−Ｒｅ　、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ　、Ｃｏ　−Ｍｎ　−
Ｒｅ　−Ｐ　、Ｃｏ−Ｃｒ　、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ　。

Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｒｕ　、Ｃｏ−０ｓ　、Ｃｏ−Ｐｔ　
、Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐｔ。

Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ　、Ｃｏ−ＰＣ−Ｖ、Ｃｏ−Ｒｈ　、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ。

Ｃｏ−Ｎｌ　−Ｍｏ　、Ｃｏ−Ｎｉ　　Ｃｒ　、Ｃｏ−
Ｎ１−Ｗ、Ｃｏ−８ｍ。

などのコバルトを含む金ノ、１またはＦｅ−Ｍｇ、Ｆｅ
−Ｎｄ、Ｆｅ−Ａｇ、Ｆｅ−Ｐｄ、Ｆｅ　　Ｔｂ　　な
どの鉄を含む金７もまたはＭｎ−Ａｌ、Ｍｎ　Ｃｕ　Ａ
１などのマンガンを含む金属が用いられる。

Ｉｌ′Ａ滑剤４としては次の基本構造を含んでいる。

Ｒ′ Ｒ−（Ｓ　Ｉ　Ｏ）　ｒＩＲ″′ Ｒ”−（Ｓ　＋０　）　ｎＲ’″１Ｒ” ここでＲ，Ｒ’　、ｉじ、Ｒ”’　、　ＲＩＩ　１＋　
、　ＲＩＩ　ＩＩ　ｌ　　は−Ｃｍｕ、ｍ＋１１　Ｃｒ
ｎＦｔｍ＋１　（ｍは１以上の整数）またはＣ６Ｈａ　
−Ｃａ　Ｈ４ＣＨｔ　Ｃ１、Ｃａ　ｆ（ｓ　ＣＨｇ　０
ＯＣＨ＊　、　ＣＨＨ，Ｃ，Ｈａ、Ｃ，Ｈ，ＣＨ，、Ｃ
，Ｈ，Ｓｔ　（ＣＨ，）、、−Ｘ（Ｘは−Ｈ＝　　ＣＯ
ＯＨ、−ＮＣＯ、−Ｍ　（ＯＲ）　ｓ　−ｎ　Ｒｎ（ｎ
は０．１または２．ＭはＳｉ、Ｔｌ、Ｚｒ、Ｇｏ。

Ｓｎなどの金属または半金属）、−ＣＮ、−ＮＨ，。

−ＮＲＨ，−ＮＨ−、−ＣＨ−ＣＭ、、−８ｏ、Ｉ（、
−Ｎｏ。

−０Ｉ（、−ＣＯＯＲ，−Ｎ）（ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣ
Ｏ−、−ＮＣ３゜−８Ｒ，−ＣＯＮＨ，、−ＰＯ（ＯＨ
）、、＝ＰＯ（ＯＨ）。

＝ＰＯ−、＝Ｐ−、−０−、−３−（Ｒは−ＣｒｎＨ＊
ｒｎ＋　１　＊　ｍは１以上の整数）、−ＣＨ，−０−
０−ＣＨ，−、−ＣＨ＝ＣＨ，。

−ＣミＣＭなどの官能基）などのいずれかである。

第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である
。第２図において、下地体１および磁性媒体２、潤滑剤
４は第１図と同じであるが磁性媒体２と潤滑剤４の間に
保護膜３が被覆されている。

該保護膜３はＳ　１０．　、　Ｓｔ、Ｎ４．　Ｓ　ｉｃ
または珪酸重合物などの珪素化合物またはＡｔ、ｏ、　
、ＣｏＯ、Ｃｏ。

０４、Ｃｏ、Ｏ，、ａ−Ｆｅ、Ｏ，、Ｃｒ５Ｏ，、Ｃｒ
Ｏ，、Ｔｉｅ、　。

ＺｒＯ，、ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＮｌＯ，ＭｏＯ，またはＳ
　ｎＯ，などの金属酸化物またはＴＩＮ、ＺｒＮ、Ｃｒ
Ｎ、ＴａＮ。

ＢＮなどの金属窒化物またはＭ　ｏ　Ｓ　２　、　ＷＳ
　＊　、Ｔ　ａ　Ｓ　１などの金属硫化物あるいはＴｉ
ｃ、ＺｒＣ，ＣｒＣ。

ＴａＣなどの金属炭化物またはぶつ化黒鉛などの金属ぶ
つ化物またはＷ、Ｃｒ、工ｒ、ＮｉＢ、ＮｉＰ。

ＦｅＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、ＴＩ、Ａｕ、
Ａｇ１Ｃｕ＃Ｇａ　、Ｒｕ　、Ｒｈ　、Ｍｎ　、Ｍｏ　
、ＯｓまたはＴａまたはそれらの合金などの金属または
合金またはＳ　ｉ　、Ｇｏ　。

Ｂ、Ｃ（非晶質あるいはダイアモンド状あるいはその混
合物）などの半導体あるいはポリテトラフルオロエチレ
ン、フェノール樹脂、ポリイミドなどのプラスチックが
用いられる。該保護膜３の上に被覆される表面改質層４
は用いられる保護膜により最適な物質が決められる。表
面改質層４は第１図のところで説明したような官能基を
含む化合物であり、保＠膜３が上記金属の場合は上記官
能基の中で−ＣＯＯＨ，−ＣＨ−ＣＨ，，−ＮＨ，、−
ＣＮ　が最適である。また保護膜３が上記珪素化合物、
金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化物、半
導体などのセラミックスの場合は、上記官能基の中でも
一８ｉ（ＯＲ）３−ｎＲｎが最も適している。また保護
膜３がプラスチックの場合は、−ＣＨ−ＣＩ（、。

−Ｎｆ（、、−ＣＮ、−ＣＨ−ＣＦ（−、−ＣミＣ−、
−ＣＩＩ、−０−０−ＣＨ，−がｉｇＪ：適である。

（作用）前記詞滑ｆｌｌ　４はその分子中に含まれる梯状（ラダ
ー型）のＳ五〇　結合のため潤滑剤の耐荷重能が高く耐
摩耗性に優れておシまた耐熱性も高い。また極性がＲ，
Ｒ’　、Ｒ”、Ｒ”ＺＲ”−、Ｒ・”°によって遮閉さ
れているため表面張力が低くヘッドと磁気記憶体との吸
着を起こしにくいなどの優れた特性を有している。

（実施例）以下、実施例により本発明を説明する。ここでは以下に
示す試料と比較試料を作製しその特性を測定した。

試料ｌアルミ合金基板の上にニッケルー燐めっき膜が被覆され
表面粗さ０．０２ｕｍＫ鏡面仕上げされた下地体１の上
に、磁性媒体２としてコバルト−ニッケルー燐合金を０
．０５ｕｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の
上に保護膜３として特開昭゛５２−２０８０４号公報に
示されたようなポリ珪酸（珪酸重合物）を回転塗布法に
より５００Ａの厚さに被覆し２５０℃で焼成した。次に
この保護膜３の上に潤滑剤４として下記の構造を有する
ラダー−型ポリシロキサンを２０オングストロームの厚
さに被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨｓＣ（Ｓ　ｉ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎ　ＣＨ。

Ｈ，Ｃ（Ｓ　ｌ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎＣＨ。

（ｎは１Ｏ−２０）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験によシ
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

またヘッドと磁気ディスクを７０時間放置してその間に
働く吸着力を測定したところ放置しないときに比べ、１
．２倍の増加にとどまった。

試料２試料ｌと同様にして但し潤滑剤４として下記の構造を有
するラダー型ポリシロキサンを被覆して、磁気ディスク
を作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ，（Ｓ　ｌ　（Ｃ，Ｈａ）　０　）ｎ　Ｃ８Ｈ６
ＨａＣｓ　（Ｓ　ｉ　（ＣａＨｓ）　Ｏ）ｎ　ＣａＨａ
（ｎは５）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験によシ
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

試料３試料ｌと同様にして但し磁性媒体２の上に保護膜３とし
て無電解めっき法によシニッケルー燐を１００Ａ被覆し
その上に潤滑剤４として下記の構造を有するラダー型ポ
リシロキサンを２０オングストロームの厚さに被覆して
、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨｌＣ（Ｓ　ｉ（Ｃ，Ｈ４Ｃａ”　ｔｓ　）　Ｏ）ｎ　
ＣＨ＊　ＣＯＯＨＨｓＣ（Ｓ　ｉ　（Ｃ＊Ｈ４Ｃ６ＦＴ
１）　０　）ｎＣＨ，Ｃ００Ｈ（ｎは５）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験によシ
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

またヘッドと磁気ディスクを７０時間放置してその間に
働く吸着力を測定したところ放置しないときに比べ、■
、２倍の増加にとどまった。

試料４試料１と同様にして但し磁性媒体２の上に保藤膜として
、スパッタ法によりカーボンを２００オングストローム
被覆した後、潤滑剤４として下記の構造を有するラダー
型ポリシロキサンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンｕ、ｃ　（Ｓ　ｉ　（Ｃ＊ＨｎＣａＦｔｓ）　０　）ｎ
　ＣＨ。

Ｈ，Ｃ（Ｓｉ　（（ｌＨ４ｃ、Ｆ、、）０）ｎＣＨ。

（ｎは１０）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

またヘッドと磁気ディスクを７０時間放置してその間に
働く吸着力を測定したところ放置しないときに比べ、１
２倍の増加にとどまった。

試料５試料１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑剤４として
下記の構造を有するラダー型ポリシロキサンを被覆して
、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　ｉ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎ　ＨＨ，Ｃ（Ｓ　
ｉ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎＨ（ｎは２０）この磁気ディスクを１ｏｏｏｏｏ回のＣＳＳ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には鵠は全く認められなかった。

試料６試料１と同様にして但し下地体１としてＣｒをＮＩＰめ
っき層の上にスパッタ法によりｌｕｍの厚さに被覆しそ
の上に磁性媒体２としてＣｏＮｉ合金をスパッタ法によ
り０．０５ｕｍの厚さに被覆しその上に保護膜として、
スパッタ法によりＣｒを２００オングストローム被覆し
た後、潤滑剤４として下記の構造を有するラダー型ポリ
シロキサンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　ｔ　（ＣＭ、）　Ｏ）ｎＣＨ，ＮＨ。

Ｈ，Ｃ（Ｓ　ｉ　（ＣＨ，）　０　）ｎＣＨ，ＮＨ。

（ｎは２０）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験によシ
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかっ念。

試料７試料１と同様にして但し磁性媒体２の上に保護膜３とし
て、ＮＩＰを無電解めっきにより５００オングストロー
ム被覆した後、３００℃で２時間焼成して表面に１００
オングストロームのＮ　ｉ　Ｏを形成させその上に潤滑
剤４として下記の構造を有するラダー型ポリシロキサン
を被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　＋　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎＣＨ，Ｓ　ｔ　（
ＯＣＲ，）　。

■ ＨｌｌＣ（Ｓ　１（ＣＨ，）　０　）ｎＣＨ，Ｓ　ｌ　
（ＯＣＲ，）　。

（ｎは２０）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験によハ
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

試料８試料１と同様にして但し磁性媒体２としてγＦｅ＊Ｏ，
をスパッタ法により０．１ｕｍの厚さで被覆し該磁性媒
体の上に、潤滑剤４として下記の構造ヲ有スるラダー型
ポリシロキサンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　ｉ　（ＯＣＲ，）　Ｏ）ｎＣＨ。

Ｈ，Ｃ（Ｓ　ｉ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎＣＨ。

（ｎは２０）試料９試料１と同様にして但し磁性媒体２としてＣｏＣｒ合金
をスパッタ法によ５０．１ｕｍの厚さで被覆し該磁性媒
体の上に、潤滑剤４として下記の構造を有するラダー型
ポリシロキサンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　ｌ　（ＣＨ，Ｃ００Ｈ）　０　）。ＣＨ。

Ｈ，Ｃ（Ｓ　ｔ　（ＣＨ，）　Ｏ）ｎＣＨ。

（ｎは２０　）この磁気ディスクを１ｏｏｏｏｏ回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

試料１０試料１と同様にして但し磁性媒体２の上に保護膜３とし
てＳｎを無電解めっき法によ、９０．０５ｕｍの厚さで
被覆し２５０℃で焼成してＳ　ｎｏｗを形成した後、該
保護膜３の上に、潤滑剤４として下記の構造を有スるシ
ラノール変成ポリシラスチレンを被覆して、磁気ディス
クを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓｔ　（Ｃ，Ｈ，ＣＦ、）Ｏ）ｎＣＨ，Ｓｔ　
（ＯｃＨ，）ｘＨ，Ｃ（Ｓｔ　（Ｃ，Ｈ４ＣＦ、）０）
ｎＣＨ，Ｓｉ　（ＯＣＲ，）。

（ｎは２０　）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全ぐ認められなかった。

試料１１試料１と同様にして但し保護膜３としてＢＮをスパッタ
法により０．１ｕｍの厚さで被覆し該保護膜の上に、潤
滑剤４として下記の構造を有するラダー型ポリシロキサ
ンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓｌ　（Ｃ１Ｈ，ＣＦ、）Ｏ）ｎＣＨ，０ＯＣ
ＣＨ，（ＣＦ、）−Ｈ，Ｃ（Ｓｉ　（Ｃ，Ｈ４ＣＦ、）
０）ｎＣＨ，０ＯＣＣＨ，（ＣＦ、）　−一（ＣＦ’、
）　ＣＦ、　Ｏ）ｍＣＦ。

−（ＣＦ、）ＣＦ、０）、Ｔ、ＣＦ。

（ｎは２０２ｍは１０）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

試料１５試料１と同様にして但し保護膜３としてＴｉｃをスパッ
タ法により０．１ｕｍの厚さで被覆し該保護ｌｌＱの上
に、潤滑剤４として下記の構造を有するラグー型ポリシ
ロキサンを被覆して、磁気ディスクを作った。

ラダー型ポリシロキサンＨ，Ｃ（Ｓ　ｉ　（Ｃ，Ｈ，ＣＦ、）　Ｏ）ｎ　ＣＨ，
０ＯＣＣＨ，−Ｈ，Ｃ（Ｓ　ｔ　（Ｃ，Ｈ４ＣＦ、）　
Ｏ）ｎＣＨ，０ＯＣＣＨ，−−（Ｃ２１”４０）（ＣＦ
、０）９ＣＯＯＨｐ −（Ｃ２Ｆ４０）（ＣＦ、０）ｑＣＯＯＨ（ｎは２０．
ｐは１０．ｑは８）この磁気ディスクを１０００００回のＣ８Ｓ試験により
耐摩耗性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面には傷は全く認められなかった。

比較試料１試料】と同様にして但し潤滑剤４として下記の構造を有
スるパーフロロアルキルポリエーテルを被覆して、磁気
ディスクを作った。

パーフロロアルキルポリエーテルＦ（Ｃ，Ｆ’４０）（ＣＦ、０）ｑＣＦ。

この磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により；
＠摩耗性を評価したところヘッド訃よび磁気ディスクの
表面に磁性媒体に達する傷が発生した。

壕だヘッドと（−気ディスクを７０時間数１なしてその
間に働く吸着力を測定したところ放置しないときに比べ
、１０倍の増加が見られた。

比較試料２試料３と同様にして但し保護膜３の上に、潤滑剤４とし
て下記の構造を有するジメチルシリコーンオイルを被ω
して、磁気ディスクを作った。

ジメチルシリコーンオイルＨ，Ｃ（Ｓｉ　（ＣＨ，）ｔｏ）ｎＳｔ（ＣＨｓ）＊こ
の磁気ディスクを２００００回のＣ８Ｓ試験により耐１
１１粍性を評価したところヘッドおよび磁気ディスクの
表面に磁性媒体に達する傷が発生した。

またヘッドと磁気ディスクを７０時間放置してその間に
働く吸着力を測定したところ放置しないときに比べ、１
５倍の増加が見られた。

（発明の効果）以上のように本発明の磁気記憶体は耐摩耗性に浸れ、か
つヘッドとディスクの吸着を生じにくく磁気ディスクの
信頼性を飛曜的に向上できることが分かった。

なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明を示す部分断面図である。 ■・・・・・下地体、　２・・・・・磁性媒体、　３・
・・・保護ＩＦＡ！、　　４・−・・４寥〕滑庁］であ
る。

Claims

【特許請求の範囲】

下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該媒体上に直
接または保護膜を介してラダー型ポリシロキサンからな
る濡滑剤が被覆されてなる構造を有することを特徴とす
る磁気記憶体。