JPS627782B2 - - Google Patents
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- JPS627782B2 JPS627782B2 JP53133073A JP13307378A JPS627782B2 JP S627782 B2 JPS627782 B2 JP S627782B2 JP 53133073 A JP53133073 A JP 53133073A JP 13307378 A JP13307378 A JP 13307378A JP S627782 B2 JPS627782 B2 JP S627782B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power transistor
- base
- power
- transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プツシユプル接続した一対のパワー
トランジスタが同時に導通する期間を排除して高
効率に成した他励式インバータ回路に関するもの
である。
トランジスタが同時に導通する期間を排除して高
効率に成した他励式インバータ回路に関するもの
である。
第1図は従来の他励式インバータ回路であり、
1は発振器で、デユーテイ50%で5KHzの矩形波
出力を発生するものである。11はインバートゲ
ート、12,13はベース抵抗、14,15はプ
ツシユプル接続された一対のパワートランジスタ
で、エミツタが共通接続されてバツテリー等の直
流電源2の負極に接続されている。30はトラン
スで、一次巻線34と二次巻線35からなり、一
次巻線34の両端子32,33は各パワートラン
ジスタ14,15のコレクタに接続され、中間端
子31は直流電源2の正極に接続されている。ま
た二次巻線35は負荷40に接続されている。
1は発振器で、デユーテイ50%で5KHzの矩形波
出力を発生するものである。11はインバートゲ
ート、12,13はベース抵抗、14,15はプ
ツシユプル接続された一対のパワートランジスタ
で、エミツタが共通接続されてバツテリー等の直
流電源2の負極に接続されている。30はトラン
スで、一次巻線34と二次巻線35からなり、一
次巻線34の両端子32,33は各パワートラン
ジスタ14,15のコレクタに接続され、中間端
子31は直流電源2の正極に接続されている。ま
た二次巻線35は負荷40に接続されている。
以上の構成によるその作動を第2図と共に説明
する。まず第2図Aは発振器1の出力波形、第2
図Bはパワートランジスタ14のベース電圧波
形、第2図Cはパワートランジスタ14のコレク
タ電流波形、第2図Dはパワートランジスタ15
のベース電圧波形、第2図Eはパワートランジス
タ15のコレクタ電流波形である。ここで第2図
C,Eを見ると、各出力波形中の斜線を引いた部
分では、両パワートランジスタ14,15がとも
に導通してコレクタ電流が流れていることが分か
る。この原因としては、各パワートランジスタ1
4,15のベース側に供給される電流が遮断して
も、各パワートランジスタ14,15のベース・
エミツタ間の接合部分に接合容量として蓄積され
た電荷の放電によつて直ちに遮断し得ず、わずか
の期間だけ両パワートランジスタ14,15が同
時導通してしまうためである。
する。まず第2図Aは発振器1の出力波形、第2
図Bはパワートランジスタ14のベース電圧波
形、第2図Cはパワートランジスタ14のコレク
タ電流波形、第2図Dはパワートランジスタ15
のベース電圧波形、第2図Eはパワートランジス
タ15のコレクタ電流波形である。ここで第2図
C,Eを見ると、各出力波形中の斜線を引いた部
分では、両パワートランジスタ14,15がとも
に導通してコレクタ電流が流れていることが分か
る。この原因としては、各パワートランジスタ1
4,15のベース側に供給される電流が遮断して
も、各パワートランジスタ14,15のベース・
エミツタ間の接合部分に接合容量として蓄積され
た電荷の放電によつて直ちに遮断し得ず、わずか
の期間だけ両パワートランジスタ14,15が同
時導通してしまうためである。
そのため、インバータ回路の変換効率が悪くな
るばかりでなく、パワートランジスタの発熱によ
り、放熱板が小さい場合にはパワートランジスタ
が破損してしまう可能性があるという欠点があ
る。
るばかりでなく、パワートランジスタの発熱によ
り、放熱板が小さい場合にはパワートランジスタ
が破損してしまう可能性があるという欠点があ
る。
また、上述の欠点を除くため、この同時に導通
する時間だけパワートランジスタのベースに印加
する入力パルス幅をそれぞれ短かくして入力する
方法があるが、そのパルス幅を発生する回路が複
雑になり、また電荷の蓄積量はパワートランジス
タのバラツキ、種類、あるいはパワートランジス
タを流れる電流値等により異なるのであまり得策
ではない。
する時間だけパワートランジスタのベースに印加
する入力パルス幅をそれぞれ短かくして入力する
方法があるが、そのパルス幅を発生する回路が複
雑になり、また電荷の蓄積量はパワートランジス
タのバラツキ、種類、あるいはパワートランジス
タを流れる電流値等により異なるのであまり得策
ではない。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、一
方のパワートランジスタのベース・エミツタ間の
接合部に蓄積された電荷が放電を完了するまでの
間、他方のパワートランジスタの遮断状態を確実
に保持することを目的とする。
方のパワートランジスタのベース・エミツタ間の
接合部に蓄積された電荷が放電を完了するまでの
間、他方のパワートランジスタの遮断状態を確実
に保持することを目的とする。
このため、本発明では、プツシユプル接続した
第1、第2のパワートランジスタを有する他励式
インバータ回路において、第1のパワートランジ
スタのベース側に作動指令信号が入つても、第2
のパワートランジスタのベース・エミツタ間の接
合部に蓄積された電荷が放電を完了するまでの
間、第1のパワートランジスタの遮断状態を保持
する第1の禁止回路と、第1のパワートランジス
タのベース・エミツタ間の接合部に蓄積された電
荷が放電を完了するまでの間、第2のパワートラ
ンジスタの遮断状態を保持する第2の禁止回路を
設けるという技術手段を採用する。
第1、第2のパワートランジスタを有する他励式
インバータ回路において、第1のパワートランジ
スタのベース側に作動指令信号が入つても、第2
のパワートランジスタのベース・エミツタ間の接
合部に蓄積された電荷が放電を完了するまでの
間、第1のパワートランジスタの遮断状態を保持
する第1の禁止回路と、第1のパワートランジス
タのベース・エミツタ間の接合部に蓄積された電
荷が放電を完了するまでの間、第2のパワートラ
ンジスタの遮断状態を保持する第2の禁止回路を
設けるという技術手段を採用する。
以下本発明を図に示す一実施例により説明す
る。第3図は本発明になるインバータ回路を示す
もので、例えば車載内燃機関の点火時期制御回路
のコンバータ用に使用されるものである。まず発
振器1、直流電源2、インバートゲート11、ベ
ース抵抗12,13、プツシユプル接続されたパ
ワートランジスタ14,15、トランス30、及
び負荷40は第1図に示す同一符号のものと同等
のものである。本発明の特徴となる構成として
は、プツシユプル接続された両パワートランジス
タ14,15間に第1の禁止回路50及び第2の
禁止回路60を設け、両パワートランジスタ1
4,15のうちの一方のパワートランジスタのベ
ース・エミツタ間の接合部分に蓄積された電荷が
放電を完了するまでの間、禁止回路を用いて他方
のパワートランジスタが導通しないように制御
し、両パワートランジスタ14,15が同時に導
通することがないようにしたことである。
る。第3図は本発明になるインバータ回路を示す
もので、例えば車載内燃機関の点火時期制御回路
のコンバータ用に使用されるものである。まず発
振器1、直流電源2、インバートゲート11、ベ
ース抵抗12,13、プツシユプル接続されたパ
ワートランジスタ14,15、トランス30、及
び負荷40は第1図に示す同一符号のものと同等
のものである。本発明の特徴となる構成として
は、プツシユプル接続された両パワートランジス
タ14,15間に第1の禁止回路50及び第2の
禁止回路60を設け、両パワートランジスタ1
4,15のうちの一方のパワートランジスタのベ
ース・エミツタ間の接合部分に蓄積された電荷が
放電を完了するまでの間、禁止回路を用いて他方
のパワートランジスタが導通しないように制御
し、両パワートランジスタ14,15が同時に導
通することがないようにしたことである。
第1の禁止回路50はトランジスタ51とベー
ス抵抗52からなり、このベース抵抗52の入力
側は第2のパワートランジスタ15のベースに接
続され、トランジスタ51のコレクタ・エミツタ
は第1のパワートランジスタ14のベース及びエ
ミツタにそれぞれ接続されている。つまり、この
第1の禁止回路50は第2のパワートランジスタ
15のベース側が高電位にある場合に導通して、
第1のパワートランジスタ14を強制的に遮断す
るように構成されている。また、第2の禁止回路
60はトランジスタ61とベース抵抗62からな
り、このベース抵抗62は第1のパワートランジ
スタ14のベースに接続され、トランジスタ61
のコレクタ・エミツタは第2のパワートランジス
タのベース及びエミツタにそれぞれ接続されてい
る。つまり、この第2の禁止回路60は第1のパ
ワートランジスタ14のベース側が高電位にある
場合に導通して、第2のパワートランジスタ15
を強制的に遮断するように構成されている。ま
た、本例ではトランス30の一次巻線の端子31
と32、または端子31と33間の各巻線数n1,
n2はともに20ターン、二次巻線の巻線数n3は2000
ターンであり、直流電源は12Vである。
ス抵抗52からなり、このベース抵抗52の入力
側は第2のパワートランジスタ15のベースに接
続され、トランジスタ51のコレクタ・エミツタ
は第1のパワートランジスタ14のベース及びエ
ミツタにそれぞれ接続されている。つまり、この
第1の禁止回路50は第2のパワートランジスタ
15のベース側が高電位にある場合に導通して、
第1のパワートランジスタ14を強制的に遮断す
るように構成されている。また、第2の禁止回路
60はトランジスタ61とベース抵抗62からな
り、このベース抵抗62は第1のパワートランジ
スタ14のベースに接続され、トランジスタ61
のコレクタ・エミツタは第2のパワートランジス
タのベース及びエミツタにそれぞれ接続されてい
る。つまり、この第2の禁止回路60は第1のパ
ワートランジスタ14のベース側が高電位にある
場合に導通して、第2のパワートランジスタ15
を強制的に遮断するように構成されている。ま
た、本例ではトランス30の一次巻線の端子31
と32、または端子31と33間の各巻線数n1,
n2はともに20ターン、二次巻線の巻線数n3は2000
ターンであり、直流電源は12Vである。
次に、上記構成による作動を第4図の信号波形
図を用いて説明する。まず時刻t0の直前において
は、発振器1の出力は第4図Fの如く低レベルに
あり、インバートゲート11の出力は第4図Gの
如く高レベルにあると仮定する。このときパワー
トランジスタ15は遮断し、他方のパワートラン
ジスタは導通している。また第1の禁止回路50
のトランジスタ51は遮断し、第2の禁止回路6
0のトランジスタ61は導通している。そのた
め、一次巻線34なるインダクタンス負荷の影響
を受けて第4図Kに示す如く漸次上昇するコレク
タ電流i1が流れ、二次巻線35より負荷40には
一方に上昇する二次電圧が印加されている。
図を用いて説明する。まず時刻t0の直前において
は、発振器1の出力は第4図Fの如く低レベルに
あり、インバートゲート11の出力は第4図Gの
如く高レベルにあると仮定する。このときパワー
トランジスタ15は遮断し、他方のパワートラン
ジスタは導通している。また第1の禁止回路50
のトランジスタ51は遮断し、第2の禁止回路6
0のトランジスタ61は導通している。そのた
め、一次巻線34なるインダクタンス負荷の影響
を受けて第4図Kに示す如く漸次上昇するコレク
タ電流i1が流れ、二次巻線35より負荷40には
一方に上昇する二次電圧が印加されている。
そして時刻t0になると、発振器1の出力は第4
図Fの如く低レベルから高レベルに変化し、イン
バートゲート11の出力も第4図Gの如く高レベ
ルから低レベルに変化する。しかしながら、その
瞬間においては、パワートランジスタ14のベー
ス・エミツタ間の接合部分には接合容量として電
荷が蓄積されており、この電荷が第2の禁止回路
60のベース抵抗62及びトランジスタ61のベ
ース・エミツタ間の経路、及び抵抗12の経路の
両経路より放電を完了するまでの第4図Hに示す
短時間τだけはパワートランジスタ14及びトラ
ンジスタ61が導通状態を保持し、一次巻線34
にはコレクタ電流i1を流し続ける。またこの際、
パワートランジスタ15のベース側は発振器1の
高レベル出力により高電位になろうとするが、ト
ランジスタ61が導通しているためこのパワート
ランジスタ15のベース側へ流れ込む電流を吸収
し、このパワートランジスタ15を強制的に遮断
させている。
図Fの如く低レベルから高レベルに変化し、イン
バートゲート11の出力も第4図Gの如く高レベ
ルから低レベルに変化する。しかしながら、その
瞬間においては、パワートランジスタ14のベー
ス・エミツタ間の接合部分には接合容量として電
荷が蓄積されており、この電荷が第2の禁止回路
60のベース抵抗62及びトランジスタ61のベ
ース・エミツタ間の経路、及び抵抗12の経路の
両経路より放電を完了するまでの第4図Hに示す
短時間τだけはパワートランジスタ14及びトラ
ンジスタ61が導通状態を保持し、一次巻線34
にはコレクタ電流i1を流し続ける。またこの際、
パワートランジスタ15のベース側は発振器1の
高レベル出力により高電位になろうとするが、ト
ランジスタ61が導通しているためこのパワート
ランジスタ15のベース側へ流れ込む電流を吸収
し、このパワートランジスタ15を強制的に遮断
させている。
そして、時間τ後パワートランジスタ14のベ
ース・エミツタ間に蓄積された電荷が放電を完了
すると、時刻t1でパワートランジスタ14及びト
ランジスタ61が遮断状態となり、それと同時に
他方のパワートランジスタ15が導通し第4図I
に示す如くコレクタ電流i2が漸次流れ始める。こ
の際、パワートランジスタ15のベース側は第4
図Jの如く高電位にあるため第1の禁止回路50
のトランジスタ51が導通し、一方のパワートラ
ンジスタ14を強制的に遮断されている。
ース・エミツタ間に蓄積された電荷が放電を完了
すると、時刻t1でパワートランジスタ14及びト
ランジスタ61が遮断状態となり、それと同時に
他方のパワートランジスタ15が導通し第4図I
に示す如くコレクタ電流i2が漸次流れ始める。こ
の際、パワートランジスタ15のベース側は第4
図Jの如く高電位にあるため第1の禁止回路50
のトランジスタ51が導通し、一方のパワートラ
ンジスタ14を強制的に遮断されている。
その後、時刻t2において発振器1の出力が高レ
ベルより低レベルに変化し、一方のパワートラン
ジスタ14のベース側が高電位になろうとする
が、その瞬間においては、他方のパワートランジ
スタ15のベース・エミツタ間に蓄積された電荷
によつて、パワートランジスタ15及び第1の禁
止回路50のトランジスタ51が導通しているた
め、パワートランジスタ14は遮断状態を保持す
る。そして時間τ後の時刻t3において、パワート
ランジスタ15のベース・エミツタ間に蓄積され
た電荷が放電を完了すると、両トランジスタ1
5,51が遮断状態となり、もう一方のパワート
ランジスタ14及び第2の禁止回路60のトラン
ジスタ61が導通し、以下上述と同様にその作動
を繰り返すことになる。
ベルより低レベルに変化し、一方のパワートラン
ジスタ14のベース側が高電位になろうとする
が、その瞬間においては、他方のパワートランジ
スタ15のベース・エミツタ間に蓄積された電荷
によつて、パワートランジスタ15及び第1の禁
止回路50のトランジスタ51が導通しているた
め、パワートランジスタ14は遮断状態を保持す
る。そして時間τ後の時刻t3において、パワート
ランジスタ15のベース・エミツタ間に蓄積され
た電荷が放電を完了すると、両トランジスタ1
5,51が遮断状態となり、もう一方のパワート
ランジスタ14及び第2の禁止回路60のトラン
ジスタ61が導通し、以下上述と同様にその作動
を繰り返すことになる。
このようにして、本実施例ではプツシユプル接
続された1対のパワートランジスタによりトラン
ス30の一次巻線34の通電状態を制御するイン
バータ回路において、一方のパワートランジスタ
のベース・エミツタ間に蓄積された電荷を利用し
て一方の禁止回路を作動させ、この禁止回路によ
つて他方のパワートランジスタの作動状態を切替
え制御するように構成することにより、1対のパ
ワートランジスタが同時に導通状態になるのを確
実に防ぐことができる。また、各禁止回路50,
60中のトランジスタ51,61は各パワートラ
ンジスタ14,15のベース電流を吸収するだけ
でよく、電力容量の小さなものを用いれば充分で
ある。
続された1対のパワートランジスタによりトラン
ス30の一次巻線34の通電状態を制御するイン
バータ回路において、一方のパワートランジスタ
のベース・エミツタ間に蓄積された電荷を利用し
て一方の禁止回路を作動させ、この禁止回路によ
つて他方のパワートランジスタの作動状態を切替
え制御するように構成することにより、1対のパ
ワートランジスタが同時に導通状態になるのを確
実に防ぐことができる。また、各禁止回路50,
60中のトランジスタ51,61は各パワートラ
ンジスタ14,15のベース電流を吸収するだけ
でよく、電力容量の小さなものを用いれば充分で
ある。
なお、本実施例においては、パワートランジス
タ14,15としてNPN型のトランジスタを使
用したが、これに代えてPNP型のトランジスタを
使用しても良く、その場合には禁止回路50,6
0中のトランジスタ51,61をNPN型から
PNP型に代えて使用すれば良い。また、禁止回路
50,60の具体的構成は本実施例のものに限定
されるものではなく、トランジスタを2個以上組
合せた回路構成でも良く、要するに一方のパワー
トランジスタのベース電位を検出して他方のパワ
ートランジスタのベース電位(または電流)を制
御するように構成するものならば何でも良い。
タ14,15としてNPN型のトランジスタを使
用したが、これに代えてPNP型のトランジスタを
使用しても良く、その場合には禁止回路50,6
0中のトランジスタ51,61をNPN型から
PNP型に代えて使用すれば良い。また、禁止回路
50,60の具体的構成は本実施例のものに限定
されるものではなく、トランジスタを2個以上組
合せた回路構成でも良く、要するに一方のパワー
トランジスタのベース電位を検出して他方のパワ
ートランジスタのベース電位(または電流)を制
御するように構成するものならば何でも良い。
以上述べたように本発明においては、プツシユ
プル接続した第1、第2のパワートランジスタを
有する他励式インバータ回路において、入力部を
一方のパワートランジスタのベースに接続し、出
力部を他方のパワートランジスタのベース及びエ
ミツタに接続する構成であるため、禁止回路の構
成が非常に簡単となり、装置が小型化するという
効果がある。
プル接続した第1、第2のパワートランジスタを
有する他励式インバータ回路において、入力部を
一方のパワートランジスタのベースに接続し、出
力部を他方のパワートランジスタのベース及びエ
ミツタに接続する構成であるため、禁止回路の構
成が非常に簡単となり、装置が小型化するという
効果がある。
また、本発明によれば、一方のパワートランジ
スタがオンしている間は、他方のパワートランジ
スタのベースとエミツタにはこのパワートランジ
スタを遮断する出力信号が発生しているため、他
方のパワートランジスタは確実に遮断状態に維持
されるという効果がある。特に、本発明は、一方
のパワートランジスタのベースに蓄積された電荷
を増幅して用い、この電荷が放電されるまで他方
のパワートランジスタを遮断しているので、パワ
ートランジスタの遮断、導通切換り時付近で両パ
ワートランジスタの同時導通が確実に防止でき、
効率の良い動作が可能となる。しかも、一方のパ
ワートランジスタのベース電位が所定値より下が
り、オン状態から遮断状態になつた瞬間に禁止回
路の出力信号は他方のパワートランジスタの遮断
状態を即座に解除するため、他方のパワートラン
ジスタは即座に遮断状態からオン状態に移行する
ことができるという効果がある。
スタがオンしている間は、他方のパワートランジ
スタのベースとエミツタにはこのパワートランジ
スタを遮断する出力信号が発生しているため、他
方のパワートランジスタは確実に遮断状態に維持
されるという効果がある。特に、本発明は、一方
のパワートランジスタのベースに蓄積された電荷
を増幅して用い、この電荷が放電されるまで他方
のパワートランジスタを遮断しているので、パワ
ートランジスタの遮断、導通切換り時付近で両パ
ワートランジスタの同時導通が確実に防止でき、
効率の良い動作が可能となる。しかも、一方のパ
ワートランジスタのベース電位が所定値より下が
り、オン状態から遮断状態になつた瞬間に禁止回
路の出力信号は他方のパワートランジスタの遮断
状態を即座に解除するため、他方のパワートラン
ジスタは即座に遮断状態からオン状態に移行する
ことができるという効果がある。
第1図は従来の他励式インバータ回路の電気回
路図、第2図は第1図の回路の作動説明に供する
信号波形図、第3図は本発明回路の一実施例を示
す電気回路図、第4図は本発明回路の作動説明に
供する信号波形図である。 1……発振器、2……直流電源、14,15…
…パワートランジスタ、30……トランス、50
……第1の禁止回路、60……第2禁止回路。
路図、第2図は第1図の回路の作動説明に供する
信号波形図、第3図は本発明回路の一実施例を示
す電気回路図、第4図は本発明回路の作動説明に
供する信号波形図である。 1……発振器、2……直流電源、14,15…
…パワートランジスタ、30……トランス、50
……第1の禁止回路、60……第2禁止回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 プツシユプル接続した第1、第2のパワート
ランジスタと、直流電源と、トランスとを有し、
前記第1、第2のパワートランジスタの各第1端
子を共通接続した共通接続端子を前記直流電源の
一方の電源端子に接続し、前記直流電源の他方の
電源端子を前記トランスの一次巻線の共通端子に
接続し、前記第1、第2のパワートランジスタの
各第2端子を前記一次巻線の両端子のうちの一方
または他方に別個に接続し、かつ前記第1、第2
のパワートランジスタのベース部位が外部信号に
よつて制御される他励式インバータ回路におい
て、 前記第2のパワートランジスタのベースに第1
の入力部を接続し、前記第1のパワートランジス
タのベースとエミツタに第1の出力部を接続し、
前記第1の入力部から入力された前記第2のパワ
ートランジスタのベース電位が所定値以上のとき
前記第1の出力部から前記第1のパワートランジ
スタを遮断する出力信号を発生すると共に、前記
第2のパワートランジスタのベースに蓄積された
電荷を前記第1の入力部から入力して増幅し、前
記電荷が放電されるまで前記第1のパワートラン
ジスタを遮断する第1の禁止回路と、 前記第1のパワートランジスタのベースに第2
の入力部を接続し、前記第2のパワートランジス
タのベースとエミツタに第2の出力部を接続し、
前記第2の入力部から入力された前記第1のパワ
ートランジスタのベース電位が所定値以上のとき
前記第2の出力部から前記第2のパワートランジ
スタを遮断する出力信号を発生すると共に、前記
第1のパワートランジスタのベースに蓄積された
電荷を前記第2の入力部から入力して増幅し、前
記電荷が放電されるまで前記第2のパワートラン
ジスタを遮断する第2の禁止回路とを備えたこと
を特徴とする他励式インバータ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13307378A JPS5561282A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Separate excitation type inverter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13307378A JPS5561282A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Separate excitation type inverter circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5561282A JPS5561282A (en) | 1980-05-08 |
JPS627782B2 true JPS627782B2 (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=15096205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13307378A Granted JPS5561282A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Separate excitation type inverter circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5561282A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0297274A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 自励発振型コンバータ |
US20220229642A1 (en) * | 2019-05-31 | 2022-07-21 | Connectfree Corporation | Software development device and software development program |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS57189291U (ja) * | 1981-05-25 | 1982-12-01 | ||
JPS58170379A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | スイツチング素子駆動回路 |
JPS602389U (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-09 | 神鋼電機株式会社 | ブリツジ形インバ−タのア−ム短絡防止回路 |
JPS6237072A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-18 | Fujitsu Denso Ltd | インバ−タの保護回路 |
JPS6383992U (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | ||
JPH0425499U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-28 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5123622A (en) * | 1974-08-21 | 1976-02-25 | Nippon Telegraph & Telephone | Dccac henkanyotoranjisutano taan ofu taimuhoshokairo |
JPS5270317A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-11 | Sanken Electric Co Ltd | Transistor circuit |
-
1978
- 1978-10-27 JP JP13307378A patent/JPS5561282A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5561282A (en) | 1980-05-08 |
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