JPS6277460A - 放電電極 - Google Patents
放電電極Info
- Publication number
- JPS6277460A JPS6277460A JP21475885A JP21475885A JPS6277460A JP S6277460 A JPS6277460 A JP S6277460A JP 21475885 A JP21475885 A JP 21475885A JP 21475885 A JP21475885 A JP 21475885A JP S6277460 A JPS6277460 A JP S6277460A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- discharge
- targets
- processed
- Prior art date
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- Granted
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は放電電極に係り、特にマグネトロン放電を生じ
させるための陰極ターゲット構造を改良した放電電極に
関する。
させるための陰極ターゲット構造を改良した放電電極に
関する。
第３図は従来のスパッタリング等に用いられる放電電極
を示したもので、真空容器１の内部には、電極部材とし
てターゲット等の陰極材２が配設され、この陰極材２の
下面側には、マグネット３が配設されている。また、上
記陰極材２の上面側には、例えば５０〜１００ａ＋ｍ以
上の間隔を持って被処理物４が配置されており、上記陰
極材２と被処理物４との間には、放電電源５が接続され
ている。
を示したもので、真空容器１の内部には、電極部材とし
てターゲット等の陰極材２が配設され、この陰極材２の
下面側には、マグネット３が配設されている。また、上
記陰極材２の上面側には、例えば５０〜１００ａ＋ｍ以
上の間隔を持って被処理物４が配置されており、上記陰
極材２と被処理物４との間には、放電電源５が接続され
ている。
さらに、上記真空容Ｚ１の下面には、真空ポンプ等の真
空排気系統６および処理ガスを導入するガス系統７がそ
れぞれ接続されている。
空排気系統６および処理ガスを導入するガス系統７がそ
れぞれ接続されている。
上記装置においては、陰Ｖ＃Ｕ２と被処理物４との間に
放電電源５により高電圧を印加してプラズマ放電を発生
させ、この放電により陰極材２の月利を飛散させて敞処
理物４０表面に薄膜を形成り−るようになされる。
放電電源５により高電圧を印加してプラズマ放電を発生
させ、この放電により陰極材２の月利を飛散させて敞処
理物４０表面に薄膜を形成り−るようになされる。
しかし、上記装置の場合、放電空間を得るためにｌ１２
極材２と被処理物４との間隔を大きく確保しているので
、プラズマ放電にＪ：り飛散する陰４４）月２材料が、
被処理物４の表面以外の部分例えば真空容器１の内−Ｖ
等に１４着してしまい、真空容器１の汚染、ゴミの発生
あるいは兵学排気の遅延等を招いていた。
極材２と被処理物４との間隔を大きく確保しているので
、プラズマ放電にＪ：り飛散する陰４４）月２材料が、
被処理物４の表面以外の部分例えば真空容器１の内−Ｖ
等に１４着してしまい、真空容器１の汚染、ゴミの発生
あるいは兵学排気の遅延等を招いていた。
（発明の目的）
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、不必要な
部分への陰極材材料の飛散を防１することのできる放電
電極を提供覆ることを目的とするものである。
部分への陰極材材料の飛散を防１することのできる放電
電極を提供覆ることを目的とするものである。
一ヒ記目的を達成するための本発明に係る放電電極は、
陰極としての電極部材と陽極としての被処理物との間に
高電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させる
放電電極において、上記電極部材と上記被処理物とをわ
ずかな間隙を有するように配置するとともに、上記電極
部材と上記被処理物との間に上記電極部材および被処理
物で囲まれた放電空間を形成してなり、上記放電空間内
に放電プラズマを閉じ込めるようになされている。
陰極としての電極部材と陽極としての被処理物との間に
高電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させる
放電電極において、上記電極部材と上記被処理物とをわ
ずかな間隙を有するように配置するとともに、上記電極
部材と上記被処理物との間に上記電極部材および被処理
物で囲まれた放電空間を形成してなり、上記放電空間内
に放電プラズマを閉じ込めるようになされている。
以下、本発明の実施例を第１図および第２図を参照して
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る放電電極の一実施例を示したもの
で、陰極材２の外周上方側に、同一材料からなる他の筒
状の陰極材８を設け、これら陰極材２．８に囲まれた内
側部分に放電空間９を形成するようになされている。上
記筒状の陰極材８の上端は、被処理物４に近接して配置
され、該上端と被処理物４との間隔は放電プラズマが陰
極材２゜８の外側に放出されないよう例えば２〜５ｍ程
度に形成されている。また、上記筒状の陰極材８の外周
側には、この陰極材８の内側部分に磁界を発生させるた
めのマグネット１０が配設されている。
で、陰極材２の外周上方側に、同一材料からなる他の筒
状の陰極材８を設け、これら陰極材２．８に囲まれた内
側部分に放電空間９を形成するようになされている。上
記筒状の陰極材８の上端は、被処理物４に近接して配置
され、該上端と被処理物４との間隔は放電プラズマが陰
極材２゜８の外側に放出されないよう例えば２〜５ｍ程
度に形成されている。また、上記筒状の陰極材８の外周
側には、この陰極材８の内側部分に磁界を発生させるた
めのマグネット１０が配設されている。
なお、上関各陰極月２，８は、一体に形成するようにし
てもよいし、放電プラズマが放電空間９内に閉じ込めら
れるのであれば、各陰極材２．８の間に間隙を設けるよ
うにしてもよい。
てもよいし、放電プラズマが放電空間９内に閉じ込めら
れるのであれば、各陰極材２．８の間に間隙を設けるよ
うにしてもよい。
本実施例においては、放電電源５により各陰極材２．８
と被処理物４との間に高電圧を印加して、各陰極材２．
８の内側すなわち放電空間９内にプラズマ放電を発生さ
せ、陰極材２．８の材料を飛散させる。このとき、放電
プラズマは放電空間９内に閉じ込められ、陰極材２．８
の材料は放電空間９の外側には飛散しない。
と被処理物４との間に高電圧を印加して、各陰極材２．
８の内側すなわち放電空間９内にプラズマ放電を発生さ
せ、陰極材２．８の材料を飛散させる。このとき、放電
プラズマは放電空間９内に閉じ込められ、陰極材２．８
の材料は放電空間９の外側には飛散しない。
したがって、被処理物４の表面のみに陰極材２゜８材料
を付着させることができ、真空容器内壁等不要な部分を
汚染することがない。さらに、上記のように不要部分へ
陰極材材料が飛散しないので、第２図に示すように、従
来のものと比較して、被処理物４の外周部における膜厚
分布を大幅に改善することができる。
を付着させることができ、真空容器内壁等不要な部分を
汚染することがない。さらに、上記のように不要部分へ
陰極材材料が飛散しないので、第２図に示すように、従
来のものと比較して、被処理物４の外周部における膜厚
分布を大幅に改善することができる。
以上述べたように本発明に係る放電電極は、電極部材と
被処理物とをわずかな間隙を有するように配置するとと
もに、上記電極部材と被処理物とに囲まれた放電空間を
形成してなり、上記ｔＩｉ電空間内にｆｌｉ雷プラズマ
を閉じ込めるようにしたので、電極部材の材料が不要な
部分に飛散することを防ぐことができ、被処理物表面の
みに上記材ｒ１を付着させることができる。したがって
、真空容器内の汚染やゴミの発生等を有効に防止するこ
とができ、膜厚分布を向上さゼることができる等の効果
を奏する。
被処理物とをわずかな間隙を有するように配置するとと
もに、上記電極部材と被処理物とに囲まれた放電空間を
形成してなり、上記ｔＩｉ電空間内にｆｌｉ雷プラズマ
を閉じ込めるようにしたので、電極部材の材料が不要な
部分に飛散することを防ぐことができ、被処理物表面の
みに上記材ｒ１を付着させることができる。したがって
、真空容器内の汚染やゴミの発生等を有効に防止するこ
とができ、膜厚分布を向上さゼることができる等の効果
を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本発
明と従来のものとの膜厚分布を示す説明図、第３図は従
来の放電電極を示す構成図である。 １・・・真空容器、２，８・・・陰極材、３，１０・・
・マグネット、４・・・被処理物、５・・・放電電源、
６・・・真空排気系統、７・・・ガス系統、９・・・放
電空間。
明と従来のものとの膜厚分布を示す説明図、第３図は従
来の放電電極を示す構成図である。 １・・・真空容器、２，８・・・陰極材、３，１０・・
・マグネット、４・・・被処理物、５・・・放電電源、
６・・・真空排気系統、７・・・ガス系統、９・・・放
電空間。
Claims (1)
- 陰極としての電極部材と陽極としての被処理物との間に
高電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させる
放電電極において、上記電極部材と上記被処理物とをわ
ずかな間隙を有するように配置するとともに、上記電極
部材と上記被処理物との間に上記電極部材および被処理
物で囲まれた放電空間を形成したことを特徴とする放電
電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21475885A JPS6277460A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 放電電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21475885A JPS6277460A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 放電電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277460A true JPS6277460A (ja) | 1987-04-09 |
| JPH0317907B2 JPH0317907B2 (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16661067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21475885A Granted JPS6277460A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 放電電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277460A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455379A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-02 | Canon Kk | Deposited film forming device by bias sputtering |
| US4933057A (en) * | 1987-11-27 | 1990-06-12 | Societa Italiano Vetro - SIV - S.p.A. | Apparatus and process for the deposition of a thin layer on a transparent substrate |
| JPH03247761A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Yoshihisa Nakamura | スパッタターゲット装置 |
| US5496455A (en) * | 1993-09-16 | 1996-03-05 | Applied Material | Sputtering using a plasma-shaping magnet ring |
| US5556519A (en) * | 1990-03-17 | 1996-09-17 | Teer; Dennis G. | Magnetron sputter ion plating |
| WO2010070845A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234970A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-21 | バルツエルス・アクチエンゲゼルシヤフト | カソードスパツタによる基板被覆装置 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21475885A patent/JPS6277460A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234970A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-21 | バルツエルス・アクチエンゲゼルシヤフト | カソードスパツタによる基板被覆装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455379A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-02 | Canon Kk | Deposited film forming device by bias sputtering |
| US4933057A (en) * | 1987-11-27 | 1990-06-12 | Societa Italiano Vetro - SIV - S.p.A. | Apparatus and process for the deposition of a thin layer on a transparent substrate |
| JPH03247761A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Yoshihisa Nakamura | スパッタターゲット装置 |
| US5556519A (en) * | 1990-03-17 | 1996-09-17 | Teer; Dennis G. | Magnetron sputter ion plating |
| US5496455A (en) * | 1993-09-16 | 1996-03-05 | Applied Material | Sputtering using a plasma-shaping magnet ring |
| WO2010070845A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| US8834685B2 (en) | 2008-12-15 | 2014-09-16 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and sputtering method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317907B2 (ja) | 1991-03-11 |
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