JPS6276039A - Manufacture of optical information recording medium - Google Patents
Manufacture of optical information recording mediumInfo
- Publication number
- JPS6276039A JPS6276039A JP21692885A JP21692885A JPS6276039A JP S6276039 A JPS6276039 A JP S6276039A JP 21692885 A JP21692885 A JP 21692885A JP 21692885 A JP21692885 A JP 21692885A JP S6276039 A JPS6276039 A JP S6276039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- resist
- common
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報の記録、再生、また消去を行な
う再生専用、追加記録用または書き換え可能な光情報記
録媒体の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a reproduction-only, additional recording, or rewritable optical information recording medium that optically records, reproduces, and erases information.
近年、光情報記録媒体(以下、「媒体」という。 In recent years, optical information recording media (hereinafter referred to as "medium") have become popular.
)を有する光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置
として注目されている。この光情報記録媒体が高密度及
び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビットが
、光の波長及び記録層へ光を集光させるレンズの開口数
によって決まυ、その大きさを1μm程度にすることが
できるからである。なお、再生もこのビットの有無を光
学的に読み出すことにニジなされる。しかし、情報の記
録、再生を正確にするためには、電子制御システムを有
する精密な機械機構を必要とし、そのため、光メモリ装
置を大型にせざるを得ないことから、その対策として、
第4図に示すような構造がとられるようになった。同図
において、媒体用基板1はガラスからなり、中央に円柱
状の貫通孔1aを有する円板状で、主表面2に記録層が
形成されるが、この主表面2は、エツチングにより形成
された情報の記録再生を行う光のトラッキングを容易に
する同心状の案内溝3(以下、「プレグルーブ」という
)や、トランク番号、セクターおよびセクタ一番号等を
示すだめの小陥部4(以下、「プレピット」という)を
有している。なお、プレグルーブたはプレピットの総称
として、以下、ガイド部という。) is attracting attention as a high-density, large-capacity memory device. The reason why this optical information recording medium has high density and large capacity is that the bit, which is the unit of recording information, is determined by the wavelength of light and the numerical aperture of the lens that focuses the light on the recording layer, and its size is 1 μm. This is because it can be made to a certain degree. Note that reproduction is also performed by optically reading out the presence or absence of this bit. However, in order to accurately record and reproduce information, a precise mechanical mechanism with an electronic control system is required, which necessitates making the optical memory device larger.
The structure shown in Figure 4 has come to be adopted. In the figure, a medium substrate 1 is made of glass, has a disk shape with a cylindrical through hole 1a in the center, and has a recording layer formed on its main surface 2, which is formed by etching. Concentric guide grooves 3 (hereinafter referred to as ``pre-grooves'') that facilitate the tracking of light for recording and reproducing information, and small recesses 4 (hereinafter referred to as , "prepit"). Note that the pregroove or prepit will be collectively referred to as a guide section hereinafter.
このようなガイド部を有する媒体用基板を製造する場合
、従来は、ガラス基板の主表面上に被着したパターン形
成用薄膜にホトリングラフィおよびエツチングを施し、
ガイド部を形成するだめのパターンを有する円板状また
は角板状のマスクを形成し、次に、媒体用基板となる円
板状のガラス基板の主表面上に塗布したレジスト膜を上
記マスクを介して露光後現像することによシレジスト膜
に上記パターンを転写し、最後にこの′4ターン化した
レジスト膜をマスクとしてガラス基板の表面をエツチン
グすることによ)行なっていた。When manufacturing a media substrate having such a guide portion, conventionally, a pattern forming thin film deposited on the main surface of a glass substrate is subjected to photolithography and etching.
A disk-shaped or square plate-shaped mask having a pattern for forming a guide portion is formed, and then a resist film coated on the main surface of a disk-shaped glass substrate that will become a media substrate is applied to the mask. The pattern was transferred to the resist film by exposure and development through a resist film, and finally the surface of the glass substrate was etched using the 4-turn resist film as a mask.
しかし、ガイド部の種類もしくはその位置および形状は
常に一定のものではなく、それらのノくターンがわずか
でも変わるたびに新たにマスクを製造し、そのパターン
を転写して媒体用基板を形成しなければならなかった。However, the type, position, and shape of the guide portions are not always constant, and each time there is even a slight change in the number of turns, a new mask must be manufactured and the pattern must be transferred to form the media substrate. I had to.
このような問題点を解決するために、本発明は、まず複
数種の媒体用基板に共通なパターンのみを有する第1の
マスクを形成し、次にその共通パターンを転写するとと
もに固有部分のパターンを付加した第2のマスクを形成
し、これを用いて媒体用基板を形成するようにしたもの
である。In order to solve these problems, the present invention first forms a first mask having only a pattern common to a plurality of types of media substrates, and then transfers the common pattern and also transfers the pattern of the unique portion. A second mask is formed to which a second mask is added, and this is used to form a medium substrate.
共通パターンを有する複数種の媒体用基板を製造する場
合、第1のマスクは各種基板において共用され、第2の
マスクの形成段階からのみ個別に実行される。When manufacturing a plurality of types of media substrates having a common pattern, the first mask is shared by the various substrates and is individually executed only from the stage of forming the second mask.
次に第1図および第2図を用いて本発明の一実施例を説
明する。なお、第1図は媒体用基板の製造工程を示す工
程断面図、第2図は完成時の平面図である。Next, one embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 and 2. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the medium substrate, and FIG. 2 is a plan view of the completed medium substrate.
はじめに外径130 mm、内径6[rIo11厚さ2
.3 rrtmの石英ガラスからなる第1透光性基板1
1を用意し、主表面に精密研摩を施した後、スパッタ法
によシ約7001のクロム(Cr)からなる第4パター
ン形成用薄膜12を被着させ、さらにその上にポジ形の
電子線レジスト13を塗布した。電子線レジスト13と
してはチッソ社製のPBSを用いた。次に、電子線14
による直接描画によ如、レジスト13に共通ガイド部(
本実施例ではプレグルーブ)のパターンの露光を行なう
(第1図(ム))。Introduction Outer diameter 130 mm, inner diameter 6 [rIo11 thickness 2
.. 3 rrtm first transparent substrate 1 made of quartz glass
1 is prepared, and after precision polishing the main surface, a fourth pattern forming thin film 12 made of approximately 7001 chromium (Cr) is deposited by sputtering, and a positive electron beam is applied on top of it. Resist 13 was applied. As the electron beam resist 13, PBS manufactured by Chisso Corporation was used. Next, the electron beam 14
The common guide part (
In this embodiment, a pregroove pattern is exposed (FIG. 1(m)).
次に、露光したレジスト13を5−メチル2ヘキサノン
と2ペンタンとの混合液に水を加えた現像液で現像し、
レジストパターンを形成する。次いでこのレジストパタ
ーンをマスクとし、硝酸第2セリウムアンモンと過塩素
酸との混合液を用いて第1パターン形成用薄膜12をエ
ツチングする。Next, the exposed resist 13 is developed with a developer prepared by adding water to a mixture of 5-methyl 2-hexanone and 2-pentane.
Form a resist pattern. Next, using this resist pattern as a mask, the first pattern forming thin film 12 is etched using a mixed solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid.
その後、レジスト13を硫酸で除去することにより、共
通ガイド部を形成するだめの共通パターン15を有する
第1のマスク16を形成する(第1図(b))。なお、
図では省略して示しであるが、共通パターンは半径40
mmから60[IT[l+の範囲内に幅1.0μmの溝
が2.0μmピッチで同心状に形成されたものとする。Thereafter, by removing the resist 13 with sulfuric acid, a first mask 16 having a common pattern 15 for forming a common guide portion is formed (FIG. 1(b)). In addition,
Although omitted in the figure, the common pattern has a radius of 40
It is assumed that grooves with a width of 1.0 μm are formed concentrically at a pitch of 2.0 μm within the range from mm to 60 [IT[l+].
前述した第1透光性基板11と同様の石英ガラス基板か
らなる第2透光性基板1Tの主表面を精密研摩し、クロ
ムからなる第2パターン形成用薄膜18(膜厚700A
)を被着させ、さらにその上にポジ形のホトレジスト(
本実施例ではヘキスト社製のAZ−1350)19を被
覆した。レジスト19の膜厚は1000Aとした。次に
、第1のマスク16をマスクとし、紫外線20を全面に
照射してレジスト19を露光した(第1図(C))。The main surface of a second transparent substrate 1T made of a quartz glass substrate similar to the first transparent substrate 11 described above is precisely polished, and a second pattern forming thin film 18 made of chrome (thickness: 700 Å) is formed.
), and then a positive photoresist (
In this example, AZ-1350) 19 manufactured by Hoechst was coated. The film thickness of the resist 19 was set to 1000A. Next, using the first mask 16 as a mask, the entire surface was irradiated with ultraviolet rays 20 to expose the resist 19 (FIG. 1(C)).
次に、ヘキスト社製のAZデベロッパーによシ現像を行
ない、エツチングを行なって第2パターン形成用薄膜1
8に共通パターン15と同様の共通パターン21を形成
した(第1図(d))。Next, development is performed using an AZ developer manufactured by Hoechst, and etching is performed to form the second pattern forming thin film 1.
A common pattern 21 similar to the common pattern 15 was formed on the substrate 8 (FIG. 1(d)).
次に共通パターン21が形成された主表面上にさらに前
述したレジスト13と同様の電子線レジスト22を全面
に塗布し、電子線23による直接描画によりレジスト2
2に共通カイト部以外の固有のガイド部のパターンの露
光を行なう(第1図(e) ) 。Next, on the main surface on which the common pattern 21 is formed, an electron beam resist 22 similar to the resist 13 described above is applied to the entire surface, and the resist 2 is formed by direct drawing with an electron beam 23.
2, the pattern of the unique guide portion other than the common kite portion is exposed (FIG. 1(e)).
次いで前述したレジスト13と同様にレジスト22の現
像および第2パターン形成用薄膜18のエツチングを行
ない(第1図(f))、前述したと同様の方法でレジス
ト22を除去することによシ、共通パターン21に固有
パターン24を付加した第2のマスク25が形成される
(第1図(7))。なお、固有パターン24は、半径3
5皿から40+runの範囲内に幅1μmの溝が2μm
ピッチで同心円状に形成されたものとする。Next, the resist 22 is developed and the second pattern forming thin film 18 is etched in the same manner as the resist 13 described above (FIG. 1(f)), and the resist 22 is removed in the same manner as described above. A second mask 25 is formed in which a unique pattern 24 is added to the common pattern 21 (FIG. 1(7)). Note that the unique pattern 24 has a radius of 3
A groove of 1 μm width is 2 μm within the range of 40+ runs from 5 plates.
It is assumed that they are formed concentrically at a pitch.
次に、外径130 mm、内径15m1厚さ1.2 r
rrn。Next, the outer diameter is 130 mm, the inner diameter is 15 m, and the thickness is 1.2 r.
rrn.
偏心量10μm以下の円板状に加工されたソーダライム
ガラスからなる第3の透光性基板26を用意した。そし
て精密研摩を行ない低温形イオン交換処理を施したこの
基板26の一方の主表面に、カイト部形成用に酸化シリ
コン(sio2)からなるパターン形成用薄膜27を蒸
着法により1500Xの膜厚に被矯した。その上にヘキ
サメチルジシラザンからなる中間層28を介し前述した
レジスト19と同様のホトレジスト29を被覆した。中
間JΔ28は、パターン形成用薄膜2Tとレジスト29
との付着力を高めるためのものである。レジスト29の
膜厚は100OAとした。次に、第2のマスク25をマ
スクとし、紫外線30による密着露光によってレジスト
29を露光した(第1図(h))。A third transparent substrate 26 made of soda lime glass and processed into a disk shape with an eccentricity of 10 μm or less was prepared. Then, on one main surface of this substrate 26, which has been subjected to precision polishing and low-temperature ion exchange treatment, a pattern forming thin film 27 made of silicon oxide (SIO2) is coated to a thickness of 1500× by vapor deposition to form a kite portion. I corrected it. A photoresist 29 similar to the resist 19 described above was coated thereon with an intermediate layer 28 made of hexamethyldisilazane interposed therebetween. Intermediate JΔ28 is the pattern forming thin film 2T and resist 29
This is to increase the adhesion with the The film thickness of the resist 29 was 100 OA. Next, using the second mask 25 as a mask, the resist 29 was exposed by contact exposure with ultraviolet rays 30 (FIG. 1(h)).
露光したレジスト29を前述したレジスト19と同様に
現像し、さらにそのレジストをマスクとしてパターン形
成用薄膜21にドライエツチングを施した。エツチング
に先立ち、レジスト29のボストベークを100℃で3
0分間行なった。エツチングガスはCF4を用い、流量
308CCM。The exposed resist 29 was developed in the same manner as the resist 19 described above, and the pattern forming thin film 21 was dry etched using the resist as a mask. Prior to etching, post-bake resist 29 at 100℃ for 3 times.
This was done for 0 minutes. CF4 is used as the etching gas, and the flow rate is 308 CCM.
全圧0.2 Torr 、高周波7に力密度0.2 W
/ crAの条件で行なった。エツチング後、残留す
るレジストを酸素ガスを用いた灰化処理によυ取除き、
共通ガイド部31および固有ガイド部32を有する媒体
用基板33を形成した(第1図(1)および第2図)。Total pressure 0.2 Torr, high frequency 7 and force density 0.2 W
/ crA conditions. After etching, the remaining resist is removed by ashing using oxygen gas.
A medium substrate 33 having a common guide section 31 and a unique guide section 32 was formed (FIG. 1(1) and FIG. 2).
媒体用基板33の作成方法は以上説明した通9であるが
、共通ガイド部31を有する他の媒体用基板を作成する
場合には、上述した第1のマスク16が共用できるため
、その場合には第1のマスク16の作成工程は改めて行
なう必要がなく、その共通パターン15を第2のパター
ン形成用薄膜18に転写するだめの第1図(clの工程
から初めればよく、媒体用基板の作成時間Fi30分程
度短縮できる。The method for creating the medium substrate 33 is the same as described above, but when creating another medium substrate having the common guide portion 31, the first mask 16 described above can be shared. There is no need to perform the step of creating the first mask 16 again, and it is sufficient to start from the step of FIG. The creation time can be reduced by about 30 minutes.
次に、このようなガイド部を設けた媒体用基板を2枚用
意し、それぞれのカイに部上に追加記録が可能な材料と
してテルル(Te)からなる記録層を30OAの厚さに
被覆した後この記録層を対向させ、基板の外周および貫
通孔:l!f傍にそれぞれスベーザをおいて固定し、内
部に空隙を有したサンドインチ状の媒体全作成した。Next, two media substrates provided with such guide sections were prepared, and a recording layer made of tellurium (Te) was coated to a thickness of 30 OA on each section to allow additional recording. After that, the recording layer is placed facing each other, and the outer periphery of the substrate and the through hole: l! A smoother was placed and fixed near each f, and a sand inch-shaped medium having a void inside was entirely prepared.
なお、上述した媒体用基板の製造工程ではレジストはす
べてポジ形のものを用いたか、ネカルを用いてもよく、
両者を併用してもよい。例えば、第1図(e)の工程に
おいてレジスト22の代シにネガ形のレジスト(レリえ
ばミードケミカル社製のC0P)を用い、固有パターン
形成領域の溝とならない部位にのみ電子線を照射する。In addition, in the manufacturing process of the media substrate mentioned above, all the resists used were of positive type, or Necal may also be used.
Both may be used together. For example, in the process shown in FIG. 1(e), a negative resist (C0P manufactured by Mead Chemical Co., Ltd.) is used as a substitute for the resist 22, and the electron beam is irradiated only on the portions of the specific pattern forming area that will not become grooves. .
また、前述した第1図(a)および(6)の工程では電
子線レジストを用いて直接描画したが、ホトレジストを
塗布し、所望するマスクを介して露光してもよい。Further, in the steps shown in FIGS. 1(a) and 1(6) described above, direct drawing was performed using an electron beam resist, but a photoresist may be applied and exposed through a desired mask.
また、上述した実施例では最終的にパターン形成用薄膜
27のない溝の部分をガイド部とするためにすべてポジ
形のレジストを用いたが、例えば第1図(h)の工程に
おいてレジスト29の代りにネガ形のレジストを用い、
共通パターン21および固有パターン24の第2パター
ン形成用薄膜18が存在する部分に対応した部分のパタ
ーン形成用薄膜27をエツチングによシ除去し、そこを
ガイド部としてもよい。In addition, in the above-mentioned embodiments, all positive resists were used in order to finally use the groove portions without the pattern forming thin film 27 as guide portions, but for example, in the step of FIG. 1(h), the resist 29 was Instead, a negative resist is used,
The portions of the pattern forming thin film 27 corresponding to the portions of the common pattern 21 and the unique pattern 24 where the second pattern forming thin film 18 is present may be removed by etching, and these portions may be used as guide portions.
さらに、パターン形成用薄膜27が存在する部分(凸部
)をガイド部としてもよい。Furthermore, the portion (convex portion) where the pattern forming thin film 27 is present may be used as the guide portion.
以上ガイド部としてブタグループを設けた例について説
明したが、プレピットまたそれらの双方を設けた場合も
同様である。また、その場合共通ガイド部はプレグルー
ブのみでも、逆にプレビソトのみでも、その双方でもよ
い。Although an example in which a pig group is provided as a guide portion has been described above, the same applies to a case in which a pre-pit or both of them are provided. Further, in that case, the common guide portion may be only a pregroove, conversely, only a plevis groove, or both.
なお、上述した実施例において、透光性基板26として
イオン交換処理を施して強化したガラス板を用いている
ため、毎分2万回の回転をさせても破壊されることがな
い。また表面硬度が同処理を行なわないものに比較して
50〜100に5/−向上することによυ、表面に傷が
つきにくくなる。In the above-described embodiment, since a glass plate strengthened by ion exchange treatment is used as the light-transmitting substrate 26, it will not be broken even if it is rotated 20,000 times per minute. In addition, the surface hardness is improved by 5/- to 50 to 100 compared to that without the same treatment, making the surface less likely to be scratched.
さらにNaイオンの析出による劣化を防止でき、光の透
過率の低下を防ぐことができる。−例として温度60℃
、相対湿度90%RHで測定した基板の光透過率の経時
変化を第2図に示す。図中(イ)が上記実施例による場
合、(ロ)がイオン交換処理を施さなかった場合で、イ
オン交換処理によシ特性が大幅に改善されていることが
わかる。Furthermore, deterioration due to precipitation of Na ions can be prevented, and a decrease in light transmittance can be prevented. - Temperature 60°C as an example
FIG. 2 shows the change over time in the light transmittance of the substrate measured at a relative humidity of 90% RH. In the figure, (a) is the case according to the above example, and (b) is the case where ion exchange treatment was not performed, and it can be seen that the characteristics were significantly improved by ion exchange treatment.
なお、上記実施例では低温形イオン交換法を用いたが、
高温形イオン交換法や風冷強化法によっても、少なくと
も前述した破壊防止や傷の防止については同様の効果が
得られる。また、ソーダーライムガラスに限らず、他の
ガラス、例えばボロシリケート系ガラスやアルミノシリ
ケート系カラスを用いた場合でも同様の効果が得られる
。In addition, although a low temperature ion exchange method was used in the above example,
A similar effect can be obtained by high-temperature ion exchange method or air-cooling strengthening method, at least in terms of preventing destruction and scratches as described above. Furthermore, the same effect can be obtained not only when using soda lime glass but also when using other glasses such as borosilicate glass or aluminosilicate glass.
共通ガイド部31および固有ガイド部32は透光性基板
26の表面に被着したパターン形成用薄膜27に形成し
たが、必ずしもそうする必要はなく、これらパターン形
成用薄膜2Tおよび透光性基板26の両者にわたって形
成してもよい。さらには、直接透光性基板に形成するよ
うにしてもよいが、組成変動によるエツチングむら、傷
、泡の存在等を考慮すると、この上うなガイド部形成層
、つマシパターン形成用層として、透光性基板自体の表
層部を用いるよシは、上記実施例のように専用の薄膜を
別に設ける方が望ましい。Although the common guide portion 31 and the unique guide portion 32 are formed on the pattern forming thin film 27 adhered to the surface of the transparent substrate 26, it is not necessary to do so. It may be formed over both. Furthermore, it may be formed directly on a light-transmitting substrate, but considering the presence of etching unevenness, scratches, bubbles, etc. due to compositional fluctuations, it is necessary to When using the surface layer of the transparent substrate itself, it is preferable to separately provide a dedicated thin film as in the above embodiment.
なお、パターン形成用薄膜27の形成に先立ち透光性基
板26の表面を酸化アルミニウム等で被覆し、その上に
パターン形成用薄膜27を形成するようにしてその付着
力を高めてもよい。Note that prior to forming the pattern-forming thin film 27, the surface of the transparent substrate 26 may be coated with aluminum oxide or the like, and the pattern-forming thin film 27 may be formed thereon to increase its adhesion.
また、このようなパターン形成用薄膜2Tはシリコン酸
化膜に限定されるものではなく、例えば周期律表の1族
、■族、■族の元素またはその化合物、さらにはそれら
の酸化物や窒化膜、あるいはカルコゲン元素もしくはそ
の化合物またはそれらの酸化物や窒化膜等の透光性の材
質を適宜選択すればよい。このパターン形成用層は、エ
ツチングによって凹凸が形成できればよく、必ずしも化
学量論的組成でなくてもかまわない。Furthermore, such a pattern forming thin film 2T is not limited to a silicon oxide film, but may include, for example, elements of Groups 1, 2, and 2 of the periodic table, or compounds thereof, or oxides or nitride films of these elements. Alternatively, a light-transmitting material such as a chalcogen element, a compound thereof, or an oxide or nitride film thereof may be appropriately selected. This pattern-forming layer does not necessarily have to have a stoichiometric composition as long as it can be formed with unevenness by etching.
また、材質との関係で、パターン形成用層のエツチング
方法は任意であシ、乾式に限らず湿式であってもよい。Further, depending on the material, the etching method for the pattern forming layer is arbitrary, and is not limited to the dry method, but may also be a wet method.
さらに、透光性基板26の一主表面にのみパターンを形
成したが、両生表面に形成してもよい。Further, although the pattern is formed only on one main surface of the light-transmitting substrate 26, it may be formed on both surfaces.
前記実施例におイテ・追記形の記録層の材質としてT@
を示したがSsなどのTe以外のカルコケン元素、Gs
Toなどのカルコゲン化合物、Te0Xなどのカルコゲ
ン酸化物、周期律表の■族、■族、■族の元素およびそ
の化合物ならびにその酸化物、窒化物、さらには光吸収
剤を添加した有機物等であってもよく、その材質は特に
限定されない。追記形以外の、例えば書換形の記録層の
材質としては、上記のもの以外にさらにMn旧などの遷
移金属と周期律表のV族の元素を主成分とする合金、G
dFeCoなどの遷移金属と希土類元素を主成分とする
合金等を用いることもできる。さらに、再生専用の場合
には、AuXAs’、Pt、A4 Cu等の、用いる光
に対して高い反射率を有するものを用いることも可能で
ある。In the above embodiments, T@ is used as the material of the write-once recording layer.
However, chalcokene elements other than Te such as Ss, Gs
Chalcogen compounds such as To, chalcogen oxides such as Te0X, elements of Groups ■, ■, and ■ of the periodic table, their compounds, their oxides, nitrides, and organic substances added with light absorbers. The material is not particularly limited. In addition to the above-mentioned materials, materials for recording layers other than write-once types, such as rewritable types, include alloys whose main components are transition metals such as Mn and elements of Group V of the periodic table, G
An alloy containing a transition metal such as dFeCo and a rare earth element as main components can also be used. Furthermore, in the case of reproduction only, it is also possible to use materials that have a high reflectance for the light used, such as AuXAs', Pt, and A4 Cu.
また、前記実施例ではエアーサンドインチ形の媒体を示
したが、この他にエアーインシデント形、密着サンドイ
ッチ形等の構造であってもよく、また記録層を被着した
基板を2枚貼シ合せる代シに、記録層を被着した基板は
1枚とし、これに記録層を設けない単なる透光性基板を
保護用として貼シ合せてもよい。また、必ずしも貼シ合
せ構造とする必要もなく、その場合に記録層側から光を
照射するものとすれば、基板は必ずしも透光性である必
要はない。In addition, although an air sandwich type medium is shown in the above embodiments, other structures such as an air incident type or a close sandwich type may also be used.Also, two substrates each having a recording layer are pasted together. Alternatively, the number of substrates covered with the recording layer may be one, and a simple light-transmitting substrate without the recording layer may be laminated to this for protection. Further, it is not necessarily necessary to have a laminated structure, and in that case, if light is irradiated from the recording layer side, the substrate does not necessarily have to be translucent.
なお、透光性基板11.17または26として石英ガラ
スまたはソーダライムガラスを用いた例について説明し
たが、その他アルミノシリケートガラス、ボロシリケー
トガラスなどであってもよく、さらにはポリメチルメタ
アクリレ−) (PMMA )等のプラスチックやセラ
ミックなどであってもよい。Although an example has been described in which quartz glass or soda lime glass is used as the transparent substrate 11.17 or 26, other materials such as aluminosilicate glass, borosilicate glass, etc. may be used, and polymethyl methacrylate glass may also be used. ) (PMMA) or other plastics or ceramics.
また、上述したように光情報記録媒体が記録層を設けた
1枚の基板からなり、かつ記録層の上方から情報の記録
もしくは読出しを行なうものであるときは、媒体用基板
としては例えばAt合金などの金属を用いてもよい。Further, as mentioned above, when the optical information recording medium is composed of one substrate provided with a recording layer and information is recorded or read from above the recording layer, the substrate for the medium may be made of, for example, an At alloy. Metals such as may also be used.
また、第1および第2のパターン形成用薄膜12および
18としてクロムを用いたが、クロム以外に周期律表の
I、 IV、V族元素、カルコゲン元素、さらにはそれ
らの化合物、その酸化膜もしくは窒化膜などであっても
よい。Further, although chromium is used as the first and second pattern forming thin films 12 and 18, other than chromium, chromium may also be used, such as elements in groups I, IV, and V of the periodic table, chalcogen elements, their compounds, their oxide films, or It may also be a nitride film or the like.
以上説明したように、本発明によれは、共通パターンを
有する第1のマスクを予め用意しておき、必要に応じて
その共通パターンを転写し、固有パターンのみを新たに
付加することで第2のマスクを形成することにより、第
2マスクの作成時間の短11dをはかることができ、高
品質なカイト部付き媒体用基板が安価に得られる。As explained above, according to the present invention, a first mask having a common pattern is prepared in advance, the common pattern is transferred as necessary, and only a unique pattern is newly added to the second mask. By forming the mask, it is possible to shorten the time 11d for creating the second mask, and a high-quality medium substrate with a kite portion can be obtained at low cost.
第1図および第2図は本発明の一実施例を示す図で、第
1図は工程断面図、第2図は平面図、第3図はガラス基
板の光透過率の経時変化を示す図、第4図は媒体用基板
の構成例を示す斜視図でちる。
11・・・・第1の透光性基板、12・・・・第1パタ
ーン形成用薄り、15,21・φ時・共通パターン、1
6・・・・第1のマスク、17・・・・第2の透光性基
板、18・・・・第2パターン形成用薄膜、24・・・
・固有パターン、25・・・・第2のマスク、26・・
・・第3の透光性基板、27・・・・パターン形成用薄
膜(パターン形成用層)、31・・・・共通カイト部、
32・・・・固有ガイド部、33・・・・媒体用基板。
%行田願人 ホーヤ株式会社Figures 1 and 2 are diagrams showing one embodiment of the present invention, where Figure 1 is a cross-sectional view of the process, Figure 2 is a plan view, and Figure 3 is a diagram showing changes in light transmittance of a glass substrate over time. , FIG. 4 is a perspective view showing an example of the structure of the medium substrate. 11...First light-transmitting substrate, 12...Thin for first pattern formation, 15, 21・φ common pattern, 1
6...First mask, 17...Second light-transmitting substrate, 18...Second pattern forming thin film, 24...
- Unique pattern, 25...Second mask, 26...
...Third transparent substrate, 27... Thin film for pattern formation (layer for pattern formation), 31... Common kite portion,
32... Unique guide portion, 33... Medium substrate. % Ganto Gyoda Hoya Co., Ltd.
Claims (1)
録媒体の製造方法において、透光性の第1の基板の主表
面に形成したパターン形成用薄膜に共通パターンを形成
して第1のマスクを形成する工程と、透光性の第2の基
板の主表面に形成したパターン形成用薄膜に第1のマス
クの共通パターンを転写した後固有パターンを付加形成
して第2のマスクを形成する工程と、第3の基板の主表
面に位置するパターン形成用層に第2のマスクの共通パ
ターンおよび固有パターンを転写して媒体用基板を形成
する工程とを含む光情報記録媒体の製造方法。In a method for manufacturing an optical information recording medium in which a recording layer is formed on the main surface of a medium substrate, a common pattern is formed on a pattern-forming thin film formed on the main surface of a transparent first substrate. forming a first mask; transferring the common pattern of the first mask to a pattern-forming thin film formed on the main surface of a light-transmitting second substrate; and then additionally forming a unique pattern to form a second mask; and a step of transferring a common pattern and a unique pattern of a second mask to a pattern forming layer located on the main surface of a third substrate to form a medium substrate. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21692885A JPS6276039A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21692885A JPS6276039A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of optical information recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6276039A true JPS6276039A (en) | 1987-04-08 |
JPH0348581B2 JPH0348581B2 (en) | 1991-07-24 |
Family
ID=16696125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21692885A Granted JPS6276039A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of optical information recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6276039A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01122046A (en) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Sharp Corp | Manufacture of optical memory element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5938947A (en) * | 1982-08-28 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | Master disk for information storing medium |
JPS6055534A (en) * | 1983-09-05 | 1985-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of optical recording medium |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21692885A patent/JPS6276039A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5938947A (en) * | 1982-08-28 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | Master disk for information storing medium |
JPS6055534A (en) * | 1983-09-05 | 1985-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of optical recording medium |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01122046A (en) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Sharp Corp | Manufacture of optical memory element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0348581B2 (en) | 1991-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4778747A (en) | Method of manufacturing optical memory element | |
JPS60170045A (en) | Production of optical disk with address and guide groove | |
JP3852408B2 (en) | Optical recording medium | |
JPH0453015B2 (en) | ||
CN100390886C (en) | Method for manufacturing master disc for optical information recording medium, disc of the master disc | |
JPS6276039A (en) | Manufacture of optical information recording medium | |
JP2665281B2 (en) | Method for manufacturing optical memory device | |
JPS60195751A (en) | Manufacture of optical memory element | |
JP2001023243A (en) | Information recording carrier and information recording carrier reproducing device | |
JPS59210547A (en) | Manufacture of optical memory element | |
JPS57172548A (en) | Original disk for medium for reproducing stored information | |
JPS61188757A (en) | Manufacture of optical recording body | |
JP2737664B2 (en) | Information recording medium | |
JPS62154344A (en) | Production of substrate for optical information recording medium | |
JPH0411932B2 (en) | ||
JPH0585972B2 (en) | ||
JPH0359492B2 (en) | ||
JPS63230889A (en) | Production of substrate | |
JPH01144247A (en) | disk | |
JPS6266445A (en) | Production of optical memory element | |
JPH02177030A (en) | Optical memory element | |
JPH11238256A (en) | Optical recording medium, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing optical recording medium used therein | |
JPS6383285A (en) | Production of substrate | |
JPS59203251A (en) | optical recording medium | |
JPH07141694A (en) | Optical recording medium |