JPS6245231B2 - - Google Patents
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- JPS6245231B2 JPS6245231B2 JP59115421A JP11542184A JPS6245231B2 JP S6245231 B2 JPS6245231 B2 JP S6245231B2 JP 59115421 A JP59115421 A JP 59115421A JP 11542184 A JP11542184 A JP 11542184A JP S6245231 B2 JPS6245231 B2 JP S6245231B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は2・2−ジメチル−5−ヒドロキシチ
アゾリジン誘導体の合成方法に関し、特に、β−
ラクタム系抗生物質であるセフアロスポリン合成
における重要な中間体として有用な上記5−ヒド
ロキシチアゾリジンの改良された製造方法に関す
る。
アゾリジン誘導体の合成方法に関し、特に、β−
ラクタム系抗生物質であるセフアロスポリン合成
における重要な中間体として有用な上記5−ヒド
ロキシチアゾリジンの改良された製造方法に関す
る。
セフアロスポリンはペニシリンと共に現在広範
に用いられている有用な薬剤である。セフアロス
ポリンの合成に関しては、例えばJ.Am.Chem.
Soc、88、852頁に記載の、Woodward氏等のセフ
アロスポリンCの全合成方法が参照される。この
セフアロスポリンCあるいはペニシリン合成にお
いては、基本構造要素として、次式で示される重
要な中間体化合物であるβ−ラクタム化合物(H)を
経由する。
に用いられている有用な薬剤である。セフアロス
ポリンの合成に関しては、例えばJ.Am.Chem.
Soc、88、852頁に記載の、Woodward氏等のセフ
アロスポリンCの全合成方法が参照される。この
セフアロスポリンCあるいはペニシリン合成にお
いては、基本構造要素として、次式で示される重
要な中間体化合物であるβ−ラクタム化合物(H)を
経由する。
このβ−ラクタム化合物(H)の製造工程を上記文
献の記載から要約すると、次表の通りである。
献の記載から要約すると、次表の通りである。
本発明者等は、上記のβ−ラクタム製造工程に
おいて、特に上記の化合物(C)から(D)を経由して(E)
の2・2−ジメチル−5−ヒドロキシチアゾリジ
ン化合物に至る工程について検討し、その必須要
件とするジメチルアゾジカルボキシレートを用い
るヒドラゾジエステル化および毒性の高い四酢酸
鉛を用いるヒドロキシ化が工業的に実用性に乏し
い点に着目し、従来技術の二工程に対して一工程
で容易に5−ヒドロキシ誘導体を得る方法を見出
し、特願昭58−48769号として提案した。
おいて、特に上記の化合物(C)から(D)を経由して(E)
の2・2−ジメチル−5−ヒドロキシチアゾリジ
ン化合物に至る工程について検討し、その必須要
件とするジメチルアゾジカルボキシレートを用い
るヒドラゾジエステル化および毒性の高い四酢酸
鉛を用いるヒドロキシ化が工業的に実用性に乏し
い点に着目し、従来技術の二工程に対して一工程
で容易に5−ヒドロキシ誘導体を得る方法を見出
し、特願昭58−48769号として提案した。
上記先願発明によれば、前記化合物(C)を光増感
剤の存在で酸素酸化することによつて、一工程で
化合物(E)の5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体を
製造することができる。この発明は化合物(C)の
2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体をメタノー
ル、エタノール、アセトニトリルのような極性溶
媒に溶解し、更に原料化合物に対し10倍モル程度
のジメチルスルホアミド(DMSO)を添加すると
光増感酸素酸化が円滑に進行し、5−ヒドロキシ
チアゾリジン誘導体を60〜70%の収率で得ること
ができる。
剤の存在で酸素酸化することによつて、一工程で
化合物(E)の5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体を
製造することができる。この発明は化合物(C)の
2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体をメタノー
ル、エタノール、アセトニトリルのような極性溶
媒に溶解し、更に原料化合物に対し10倍モル程度
のジメチルスルホアミド(DMSO)を添加すると
光増感酸素酸化が円滑に進行し、5−ヒドロキシ
チアゾリジン誘導体を60〜70%の収率で得ること
ができる。
本発明者等は更に、この光増感酸素酸化方法を
発展させるべく種々検討の結果、上記の反応を非
プロトン性溶媒中で低温で反応を行なうことによ
つて、中間体として、 一般式 (式中のR1は低級アルキル基であり、R2はアミノ
保護基である)で表わされる2・2−ジメチル−
5−ヒドロペルオキシチアゾリジン誘導体がほぼ
定量的に生成することを見出した。
発展させるべく種々検討の結果、上記の反応を非
プロトン性溶媒中で低温で反応を行なうことによ
つて、中間体として、 一般式 (式中のR1は低級アルキル基であり、R2はアミノ
保護基である)で表わされる2・2−ジメチル−
5−ヒドロペルオキシチアゾリジン誘導体がほぼ
定量的に生成することを見出した。
この5−ヒドロペルオキシド体()は、ジメ
チルスルフイド、トリフエニルホスフイン等の適
当な還元剤の作用で下記式に従つて定量的に5−
ヒドロキシ体()に誘導することができる。
チルスルフイド、トリフエニルホスフイン等の適
当な還元剤の作用で下記式に従つて定量的に5−
ヒドロキシ体()に誘導することができる。
したがつて、本発明は、()式で表わされる
2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体を非プロト
ン性溶媒に溶解し、低温で光増感酸素酸化反応を
行ない、次いで生成する()式化合物を還元す
ることを特徴とする。上記反応式に基づく前段お
よび後段の転化率は何れもほぼ定量的であるの
で、結局、5−ヒドロキシ化反応収率は90〜95%
あるいはそれ以上の好成績で達成される。これは
先願発明における60〜70%収率に対して極めて改
善された方法であるといえる。
2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体を非プロト
ン性溶媒に溶解し、低温で光増感酸素酸化反応を
行ない、次いで生成する()式化合物を還元す
ることを特徴とする。上記反応式に基づく前段お
よび後段の転化率は何れもほぼ定量的であるの
で、結局、5−ヒドロキシ化反応収率は90〜95%
あるいはそれ以上の好成績で達成される。これは
先願発明における60〜70%収率に対して極めて改
善された方法であるといえる。
光増感剤は従来公知のものが使用され、通常、
メチレンブルー、チオニン、クロロフイル、テト
ラフエニルポルフイン、場合により高分子に保持
されたローズベンガル等が使用できる。
メチレンブルー、チオニン、クロロフイル、テト
ラフエニルポルフイン、場合により高分子に保持
されたローズベンガル等が使用できる。
反応媒体としては必ず非プロトン性有機溶媒が
使用されなければならない。一般に、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエス
テル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類などの非プロトン性有機溶媒が使用され
る。本発明の方法において、メタノール、エタノ
ールの如きプロトン性溶媒を使用するときは
()式の5−ヒドロキシペルオキシド体は数%
しか生成されない。
使用されなければならない。一般に、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエス
テル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類などの非プロトン性有機溶媒が使用され
る。本発明の方法において、メタノール、エタノ
ールの如きプロトン性溶媒を使用するときは
()式の5−ヒドロキシペルオキシド体は数%
しか生成されない。
本発明の前段の反応で生成される()式の5
−ヒドロペルオキシド体はそれ自体文献未載の新
規化合物である。この化合物は単離することもで
きるが、分解を防ぐために反応は低温で行なう必
要がある。一般に−20℃〜0℃の温度で行なうの
が好ましい。後段で行なわれる還元反応にも前段
の反応と同じ溶媒を使用できるので、中間体の単
離を行なわずにそのまま還元処理を行なうことが
でき、それによつて全体の収率の向上を図ること
が便利である。
−ヒドロペルオキシド体はそれ自体文献未載の新
規化合物である。この化合物は単離することもで
きるが、分解を防ぐために反応は低温で行なう必
要がある。一般に−20℃〜0℃の温度で行なうの
が好ましい。後段で行なわれる還元反応にも前段
の反応と同じ溶媒を使用できるので、中間体の単
離を行なわずにそのまま還元処理を行なうことが
でき、それによつて全体の収率の向上を図ること
が便利である。
本発明は一般に次の要領で実施することができ
る。先ず、2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体
を20〜30倍容量の上記した非プロトン性有機溶媒
に溶解させ、溶液中の2・2−ジメチルチアゾリ
ジン誘導体の重量基準で0.5〜5重量%の光増感
剤を添加した後、細管より酸素を吹き込みなが
ら、成る可く低温で、好ましくは−20゜〜0℃で
光照射を行なう。反応は上記した一般用光照射ラ
ンプを用いて、1.5〜3時間で終了する。反応の
終了は採取した試料の薄層クロマトグラフイ分析
による原料化合物の消失によつて確認できる。生
成する5−ヒドロペルオキシ−2・2−ジメチル
チアゾリジン誘導体は不安定であり、室温で徐々
に分解するので、本発明の目的を達成するには前
記反応混合物中にほぼ当量の還元剤を加えて直接
還元処理を行なうのがよい。この還元反応は室温
で容易に進行し、通常1時間程度の撹拌で終了す
る。精製をカラムクロマトグラフイで行なうと、
高純度の5−ヒドロキシ体が得られる。
る。先ず、2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体
を20〜30倍容量の上記した非プロトン性有機溶媒
に溶解させ、溶液中の2・2−ジメチルチアゾリ
ジン誘導体の重量基準で0.5〜5重量%の光増感
剤を添加した後、細管より酸素を吹き込みなが
ら、成る可く低温で、好ましくは−20゜〜0℃で
光照射を行なう。反応は上記した一般用光照射ラ
ンプを用いて、1.5〜3時間で終了する。反応の
終了は採取した試料の薄層クロマトグラフイ分析
による原料化合物の消失によつて確認できる。生
成する5−ヒドロペルオキシ−2・2−ジメチル
チアゾリジン誘導体は不安定であり、室温で徐々
に分解するので、本発明の目的を達成するには前
記反応混合物中にほぼ当量の還元剤を加えて直接
還元処理を行なうのがよい。この還元反応は室温
で容易に進行し、通常1時間程度の撹拌で終了す
る。精製をカラムクロマトグラフイで行なうと、
高純度の5−ヒドロキシ体が得られる。
光照射ランプは高圧水銀ランプ、ハロゲンラン
プ、タングステンランプ、ナトリウムランプなど
一般用のランプが使用される。
プ、タングステンランプ、ナトリウムランプなど
一般用のランプが使用される。
以下に実施例で本発明を説明する。
実施例 1
5−ヒドロペルオキシ−5−メトキシカルボニ
ル−2・2−ジメチルチアゾリジンの製造 3−ベンゾイル−4−メトキシカルボニル−
2・2−ジメチルチアゾリジン0.279gをテトラ
ヒドロフラン5mlに溶解し、これに光増感剤とし
てテトラフエニルポルフイリン15mlを加えた。反
応液を0℃に保ちながら細管から反応液中に酸素
を吹き込みつつ、500Wハロゲンランプを用いて
3時間光照射を行なつた。採取試料の薄層クロマ
トグラフイ(シリカゲル、ベンゼン:酢酸エチ
ル:メタノール=10:4:1)分析によつてRf
=0.68の原料化合物が消失し、Rf=0.58の生成物
の存在を確認した。溶媒のテトラヒドロフランを
減圧下に低温で留去し、低温カラムクロマトグラ
フイ(0℃シリカゲル、ベンゼン:酢酸エチル=
3:2)によりRf=0.58生成物を分離すると、無
色油状の3−ベンゾイル−5−ヒドロペルオキシ
−4−メトキシカルボニル−2・2−ジメチルチ
アゾリジン0.296gが得られた。収率95%(室温
で徐々に分解)。
ル−2・2−ジメチルチアゾリジンの製造 3−ベンゾイル−4−メトキシカルボニル−
2・2−ジメチルチアゾリジン0.279gをテトラ
ヒドロフラン5mlに溶解し、これに光増感剤とし
てテトラフエニルポルフイリン15mlを加えた。反
応液を0℃に保ちながら細管から反応液中に酸素
を吹き込みつつ、500Wハロゲンランプを用いて
3時間光照射を行なつた。採取試料の薄層クロマ
トグラフイ(シリカゲル、ベンゼン:酢酸エチ
ル:メタノール=10:4:1)分析によつてRf
=0.68の原料化合物が消失し、Rf=0.58の生成物
の存在を確認した。溶媒のテトラヒドロフランを
減圧下に低温で留去し、低温カラムクロマトグラ
フイ(0℃シリカゲル、ベンゼン:酢酸エチル=
3:2)によりRf=0.58生成物を分離すると、無
色油状の3−ベンゾイル−5−ヒドロペルオキシ
−4−メトキシカルボニル−2・2−ジメチルチ
アゾリジン0.296gが得られた。収率95%(室温
で徐々に分解)。
NMR(ベンゼン−d6):δ2.10(S、3H)
2.20(S、3H)
3.15(S、3H)
5.60(S、1H)
5.75(S、1H)
7.20〜7.80(m、5H)
IR:3230、1740、1620cm-1
実施例 2
5−ヒドロペルオキシド体(C)から5−ヒドロキ
シ体(E)の製造 実施例1で得られた3−ベンゾイル−5−ヒド
ロペルオキシ−4−メトキシカルボニル−2・2
−ジメチルチアゾリジン0.296gをテトラヒドロ
フランに溶解し、還元剤としてトリフエニルホス
フイン0.262gを加え、室温で1時間撹拌後カラ
ムクロマトグラフイ(シリカゲル、ベンゼン:酢
酸エチル=3:2)により、3−ベンゾイル−5
−ヒドロキシ−4−メトキシカルボニル−2・2
−ジメチルチアゾリジン0.253gを得た。収率90
%。
シ体(E)の製造 実施例1で得られた3−ベンゾイル−5−ヒド
ロペルオキシ−4−メトキシカルボニル−2・2
−ジメチルチアゾリジン0.296gをテトラヒドロ
フランに溶解し、還元剤としてトリフエニルホス
フイン0.262gを加え、室温で1時間撹拌後カラ
ムクロマトグラフイ(シリカゲル、ベンゼン:酢
酸エチル=3:2)により、3−ベンゾイル−5
−ヒドロキシ−4−メトキシカルボニル−2・2
−ジメチルチアゾリジン0.253gを得た。収率90
%。
融点:170〜171℃(分解)
NMR(CDCl3):δ2.00(S、3H)2.15(S、
3H) 3.20(d、1H)3.70(S、3H) 5.00(S、1H)5.60(d、1H) 7.50(S、5H) IR:3230、1740、1620cm-1 実施例 3 3−アセチル−4−メトキシカルボニル−2・
2−ジメチルチアゾリジン0.217gをトルエン5
mlに溶解し、光増感剤としてメチレンブルー10mg
を加え、反応液を0℃に保ちながら細管より酸素
を吹き込みつつ高圧水銀ランプで90分間照射し
た。薄層クロマトグラフイ(シリカゲル、ベンゼ
ン:酢酸エチル:メタノール=10:4:1)で原
料化合物が消失し、5−ヒドロペルオキシ体が確
認された。次いで反応混合物中にトリフエニルホ
スフイン0.262gを加え、室温で1時間撹拌した
後、カラムクロマトグラフイ(シリカゲル、ベン
ゼン:酢酸エチル=3:2)により3−アセチル
−5−ヒドロキシ−4−メトキシカルボニル−
2・2−ジメチルチアゾリジン0.222gを得た。
収率95%。
3H) 3.20(d、1H)3.70(S、3H) 5.00(S、1H)5.60(d、1H) 7.50(S、5H) IR:3230、1740、1620cm-1 実施例 3 3−アセチル−4−メトキシカルボニル−2・
2−ジメチルチアゾリジン0.217gをトルエン5
mlに溶解し、光増感剤としてメチレンブルー10mg
を加え、反応液を0℃に保ちながら細管より酸素
を吹き込みつつ高圧水銀ランプで90分間照射し
た。薄層クロマトグラフイ(シリカゲル、ベンゼ
ン:酢酸エチル:メタノール=10:4:1)で原
料化合物が消失し、5−ヒドロペルオキシ体が確
認された。次いで反応混合物中にトリフエニルホ
スフイン0.262gを加え、室温で1時間撹拌した
後、カラムクロマトグラフイ(シリカゲル、ベン
ゼン:酢酸エチル=3:2)により3−アセチル
−5−ヒドロキシ−4−メトキシカルボニル−
2・2−ジメチルチアゾリジン0.222gを得た。
収率95%。
NMR(CDCl3):δ1.90(S、3H)2.06(S、
3H) 2.10(S、3H)3.20(broad 1H) 3.85(S、3H)4.99(S、1H) 5.76(S、1H) IR:3200、1740、1615cm-1 比較例 この比較例はプロトン溶媒として極性溶媒であ
るメタノールを用いた場合を説明する。3−ベン
ゾイル−4−メトキシカルボニル−2・2−ジメ
チルチアゾリジン0.279gをメタノール5mlに溶
解したほか、実施例1に記載の方法と全く同じ条
件下に10時間光照射を行なつた。しかし、カラム
クロマトグラフイによる3−ベンゾイル−5−ヒ
ドロペルオキシ−4−メトキシカルボニル−2・
2−ジメチルチアゾリジンの収量は僅か0.022
g、収率7%にすぎなかつた。
3H) 2.10(S、3H)3.20(broad 1H) 3.85(S、3H)4.99(S、1H) 5.76(S、1H) IR:3200、1740、1615cm-1 比較例 この比較例はプロトン溶媒として極性溶媒であ
るメタノールを用いた場合を説明する。3−ベン
ゾイル−4−メトキシカルボニル−2・2−ジメ
チルチアゾリジン0.279gをメタノール5mlに溶
解したほか、実施例1に記載の方法と全く同じ条
件下に10時間光照射を行なつた。しかし、カラム
クロマトグラフイによる3−ベンゾイル−5−ヒ
ドロペルオキシ−4−メトキシカルボニル−2・
2−ジメチルチアゾリジンの収量は僅か0.022
g、収率7%にすぎなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (但し、式中のR1は水素または低級アルキル基で
あり、R2はアミノ保護基である)で表わされる
2・2−ジメチルチアゾリジン誘導体を非プロト
ン性溶媒に溶解し、低温で光増感反応を行ない、
次いで生成する 一般式 (但し、式中のR1およびR2は前記の意味を有す
る)で表わされる2・2−ジメチル−5−ヒドロ
ペルオキシチアゾリジン誘導体の5−ヒドロペル
オキシ基を還元することを特徴とする2・2−ジ
メチル−5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59115421A JPS60260567A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 2,2−ジメチル−5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59115421A JPS60260567A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 2,2−ジメチル−5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60260567A JPS60260567A (ja) | 1985-12-23 |
JPS6245231B2 true JPS6245231B2 (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=14662152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59115421A Granted JPS60260567A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 2,2−ジメチル−5−ヒドロキシチアゾリジン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60260567A (ja) |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP59115421A patent/JPS60260567A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60260567A (ja) | 1985-12-23 |
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