JPS6238290Y2 - - Google Patents
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- JPS6238290Y2 JPS6238290Y2 JP5252883U JP5252883U JPS6238290Y2 JP S6238290 Y2 JPS6238290 Y2 JP S6238290Y2 JP 5252883 U JP5252883 U JP 5252883U JP 5252883 U JP5252883 U JP 5252883U JP S6238290 Y2 JPS6238290 Y2 JP S6238290Y2
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- layer
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- fusible alloy
- electrodes
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- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。
のである。
従来の基板型温度ヒユーズは、第１図に示すよ
うに耐熱性基板１′の上面に互に離隔せる電極
２′，２′を設け、これら電極２′，２′間を可溶合
金３′により架橋し、可溶合金３′上にフラツクス
層４′を介して密封保護層５′を設けた構成であ
り、耐熱性基板１′には通常セラミツクスが、密
封保護層５′には通常エポキシ樹脂がそれぞれ使
用されている。上記フラツクス層４′の機能は、
密封保護層５′で可溶合金３′を被覆するまでの間
に可溶合金３′が酸化するのを防止すること、並
びに可溶合金３′が溶断したときにその溶断ギヤ
ツプにに侵入して溶断を促進すること等にあり、
可溶合金３′よりも融点の低い松やに、樹脂、ロ
ジン等が用いられている。
うに耐熱性基板１′の上面に互に離隔せる電極
２′，２′を設け、これら電極２′，２′間を可溶合
金３′により架橋し、可溶合金３′上にフラツクス
層４′を介して密封保護層５′を設けた構成であ
り、耐熱性基板１′には通常セラミツクスが、密
封保護層５′には通常エポキシ樹脂がそれぞれ使
用されている。上記フラツクス層４′の機能は、
密封保護層５′で可溶合金３′を被覆するまでの間
に可溶合金３′が酸化するのを防止すること、並
びに可溶合金３′が溶断したときにその溶断ギヤ
ツプにに侵入して溶断を促進すること等にあり、
可溶合金３′よりも融点の低い松やに、樹脂、ロ
ジン等が用いられている。
ところで、温度ヒユーズにおいては、当該温度
ヒユーズをセツトする電気機器のヒートサイクル
に応じて、常時加熱、冷却が繰り返えされる。こ
の場合、加熱によるフラツクスの液状化があり、
耐熱性基板の熱膨脹係数（セラミツクスの場合で
0.08×10-4）と密封保護層（エポキシ樹脂の場合
で0.6×10-4）との熱膨脹係数が著しく相違するた
め、上記液状化したフラツクスに作用する圧力が
垂直方向と水平方向とで大きく相違し、フラツク
スの流動が顕著となり、フラツクス層の分布の不
均一化が避けられない。従つて、フラツクス層に
おける上記可溶合金の溶断促進機能の低下が懸念
される。
ヒユーズをセツトする電気機器のヒートサイクル
に応じて、常時加熱、冷却が繰り返えされる。こ
の場合、加熱によるフラツクスの液状化があり、
耐熱性基板の熱膨脹係数（セラミツクスの場合で
0.08×10-4）と密封保護層（エポキシ樹脂の場合
で0.6×10-4）との熱膨脹係数が著しく相違するた
め、上記液状化したフラツクスに作用する圧力が
垂直方向と水平方向とで大きく相違し、フラツク
スの流動が顕著となり、フラツクス層の分布の不
均一化が避けられない。従つて、フラツクス層に
おける上記可溶合金の溶断促進機能の低下が懸念
される。
本考案に係る基板型温度ヒユーズは上記の不利
を軽減し得る構成であり、耐熱性基板の上面に互
に離隔せる電極を設け、これらの電極間を可溶合
金により架橋し、可溶合金上にフラツクス層を介
して密封保護層を設けた温度ヒユーズにおいて、
上記耐熱性基板の上面に上記密封保護層と熱膨脹
係数のほゞ等しい材質の被覆層を設けたことを特
徴とする構成である。
を軽減し得る構成であり、耐熱性基板の上面に互
に離隔せる電極を設け、これらの電極間を可溶合
金により架橋し、可溶合金上にフラツクス層を介
して密封保護層を設けた温度ヒユーズにおいて、
上記耐熱性基板の上面に上記密封保護層と熱膨脹
係数のほゞ等しい材質の被覆層を設けたことを特
徴とする構成である。
以下、図面により本考案を説明する。
第２図において、１は耐熱性並びに熱良伝導性
の絶縁基板であり、例えばセラミツクス板であ
る。２は耐熱性基板１の上面に被覆したプラスチ
ツク層であり、その材質には、熱膨脹係数が後述
する密封保護層のそれとほゞ等しいものが使用さ
れている。３，３は箔状電極であり、例えば印刷
法により設けることができる。４は電極３，３間
を架橋せる可溶合金であり、例えばSn，Pb，
Bi，Cd，In系の合金を使用できる。５は可溶合
金４上にほゞ一様厚さでコーテングしたフラツク
ス層であり、その融点は可溶合金４の融点よりも
低く、例えば松やに、ロジン等を使用できる。６
は密封保護層であり、例えば常温硬化型エポキシ
樹脂のコーテング層である。
の絶縁基板であり、例えばセラミツクス板であ
る。２は耐熱性基板１の上面に被覆したプラスチ
ツク層であり、その材質には、熱膨脹係数が後述
する密封保護層のそれとほゞ等しいものが使用さ
れている。３，３は箔状電極であり、例えば印刷
法により設けることができる。４は電極３，３間
を架橋せる可溶合金であり、例えばSn，Pb，
Bi，Cd，In系の合金を使用できる。５は可溶合
金４上にほゞ一様厚さでコーテングしたフラツク
ス層であり、その融点は可溶合金４の融点よりも
低く、例えば松やに、ロジン等を使用できる。６
は密封保護層であり、例えば常温硬化型エポキシ
樹脂のコーテング層である。
上記実施例においては、耐熱性基板１の上面全
体に被覆層２（熱膨脹係数が密封保護層のそれに
ほゞ等しい）を設け、この被覆層２上に電極３，
３を設けているが、第３図に示すように、耐熱性
基板１に電極３，３を直接設け、電極３，３で覆
われていない基板上面のみに被覆層２を設けるよ
うにしてもよい。この場合、電極３，３は導電性
塗料の焼付けにより設けることもできる。第３図
において、第２図と同一符号の部分は第２図と同
一の構成要素を示している。
体に被覆層２（熱膨脹係数が密封保護層のそれに
ほゞ等しい）を設け、この被覆層２上に電極３，
３を設けているが、第３図に示すように、耐熱性
基板１に電極３，３を直接設け、電極３，３で覆
われていない基板上面のみに被覆層２を設けるよ
うにしてもよい。この場合、電極３，３は導電性
塗料の焼付けにより設けることもできる。第３図
において、第２図と同一符号の部分は第２図と同
一の構成要素を示している。
第４図Ａは本考案の別実施例を示す断面説明
図、第４図Ｂは第４図Ａにおけるｂ−ｂ断面説明
図である。
図、第４図Ｂは第４図Ａにおけるｂ−ｂ断面説明
図である。
この別実施例においては、可溶合金４に直列の
抵抗体４０（カーボン皮膜、酸化金属膜、高抵坑
金属膜）を設け、可溶合金４上にのみフラツクス
層５を設けてある。第４図Ａ並びに第４図Ｂにお
いて、１は耐熱基板、２は密封保護層６と熱膨脹
係数がほゞ同一の被覆層、３，…は電極、６は密
封保護層である。
抵抗体４０（カーボン皮膜、酸化金属膜、高抵坑
金属膜）を設け、可溶合金４上にのみフラツクス
層５を設けてある。第４図Ａ並びに第４図Ｂにお
いて、１は耐熱基板、２は密封保護層６と熱膨脹
係数がほゞ同一の被覆層、３，…は電極、６は密
封保護層である。
上述した通り、本考案に係る温度ヒユーズにお
いては、耐熱性基板上に、熱膨脹係数が密封保護
層のそれにほゞ等しい被覆層を設けてあるから、
この被覆層と密封保護層との間での熱応力の発生
を充分に小さくでき、而して、フラツクス層に作
用する圧力（熱応力に起因する圧力）をよく軽減
できるから、既述したヒートサイクルによるフラ
ツクス層の不均一化、この不均一化のために生じ
る可溶合金の溶断特性の低下等を効果的に排除で
きる。
いては、耐熱性基板上に、熱膨脹係数が密封保護
層のそれにほゞ等しい被覆層を設けてあるから、
この被覆層と密封保護層との間での熱応力の発生
を充分に小さくでき、而して、フラツクス層に作
用する圧力（熱応力に起因する圧力）をよく軽減
できるから、既述したヒートサイクルによるフラ
ツクス層の不均一化、この不均一化のために生じ
る可溶合金の溶断特性の低下等を効果的に排除で
きる。
第１図は従来の基板型温度ヒユーズを示す縦断
面説明図。第２図並びに第３図はそれぞれ本考案
の実施例を示す縦断面説明図、第４図Ａは本考案
の別実施例を示す縦断面説明図、第４図Ｂは第４
図Ａにおけるｂ−ｂ断面説明図である。 図において、１は耐熱性基材、２は被覆層、
３，３は電極、４は可溶合金、５はフラツクス
層、６は密封保護層である。
面説明図。第２図並びに第３図はそれぞれ本考案
の実施例を示す縦断面説明図、第４図Ａは本考案
の別実施例を示す縦断面説明図、第４図Ｂは第４
図Ａにおけるｂ−ｂ断面説明図である。 図において、１は耐熱性基材、２は被覆層、
３，３は電極、４は可溶合金、５はフラツクス
層、６は密封保護層である。
Claims (1)
- 耐熱性基板の上面に互に離隔せる電極を設け、
これらの電極間を可溶合金により架橋し、可溶合
金上にフラツクス層を介して密封保護層を設けて
なる温度ヒユーズにおいて、上記耐熱性基板の上
面に上記密封保護層と熱膨脹係数のほゞ等しい材
質の被覆層を設けたことを特徴とする基板型温度
ヒユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252883U JPS59158251U (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 基板型温度ヒユ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252883U JPS59158251U (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 基板型温度ヒユ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158251U JPS59158251U (ja) | 1984-10-24 |
| JPS6238290Y2 true JPS6238290Y2 (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=30182872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5252883U Granted JPS59158251U (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 基板型温度ヒユ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158251U (ja) |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP5252883U patent/JPS59158251U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59158251U (ja) | 1984-10-24 |
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