JPS62299031A - 平行平板型エツチング装置の電極構造 - Google Patents
平行平板型エツチング装置の電極構造Info
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- JPS62299031A JPS62299031A JP14340386A JP14340386A JPS62299031A JP S62299031 A JPS62299031 A JP S62299031A JP 14340386 A JP14340386 A JP 14340386A JP 14340386 A JP14340386 A JP 14340386A JP S62299031 A JPS62299031 A JP S62299031A
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- Japan
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- electrode
- gas
- upper electrode
- lower electrode
- parallel plate
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平行平板型エツチング装置の電極構造に関す
るものである。
るものである。
従来の平行平板型エツチング装置の電極は、円形の平板
を２枚対向するように組合せたダイオード構造のもので
ある。
を２枚対向するように組合せたダイオード構造のもので
ある。
従来、半導体素子製造に使用されている装置はパッチ処
理であるが、ウェハーの大口径化に伴い、装置の床占有
面積が増加し、パッチ式装置から枚葉式装置への転換が
行れようとしている。この移行において、基本的に問題
となるのはエツチング速度である。しかしながら、現在
の反応性イオンエツチング装置を単純にパッチ式装置か
ら枚葉式装置へと改造しただけでは適当なエツチングレ
ートは得られないという問題が残る。エツチング特性を
保持したままで、エツチング速度を増大させるためには
使用しているパラメーターを変化させずに、活性種密度
を増加させることやイオンシースの電圧を増大させるこ
とが重要である。
理であるが、ウェハーの大口径化に伴い、装置の床占有
面積が増加し、パッチ式装置から枚葉式装置への転換が
行れようとしている。この移行において、基本的に問題
となるのはエツチング速度である。しかしながら、現在
の反応性イオンエツチング装置を単純にパッチ式装置か
ら枚葉式装置へと改造しただけでは適当なエツチングレ
ートは得られないという問題が残る。エツチング特性を
保持したままで、エツチング速度を増大させるためには
使用しているパラメーターを変化させずに、活性種密度
を増加させることやイオンシースの電圧を増大させるこ
とが重要である。
本発明の目的は、平行平版型のエツチング装置において
活性種の密度を増加させ、かつ、イオンシースの電圧を
増大させるための電極構造を提供することにある。
活性種の密度を増加させ、かつ、イオンシースの電圧を
増大させるための電極構造を提供することにある。
本発明の平行平板型エツチング装置の電極構造は、上部
電極もしくは下部電極に柱状もしくは円すい状の空洞部
を設けるか、または上部電極と下部電極との間に柱状も
しくは円すい状の空洞部を施した電極を挿入することに
よシ上部電極と下部電極との間に反応ガスのガス溜め領
域を設けていることを特徴とする。
電極もしくは下部電極に柱状もしくは円すい状の空洞部
を設けるか、または上部電極と下部電極との間に柱状も
しくは円すい状の空洞部を施した電極を挿入することに
よシ上部電極と下部電極との間に反応ガスのガス溜め領
域を設けていることを特徴とする。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図に、平行平板型エツチング装置に本発明を適用し
た場合の第１の実施例の説明図を示す。
た場合の第１の実施例の説明図を示す。
本実施例は、通常の平行平板型エツチング装置の上部電
極構造を改良したものであり、基本的構成は通常の平行
平板型エツチング装置と同一である。
極構造を改良したものであり、基本的構成は通常の平行
平板型エツチング装置と同一である。
同装置のチャンバーは第１図ｆａｌに示すように上部電
極１０１、下部電極１０２とそれらの電気的絶縁を取り
かつ真空シールの役目をする絶縁体１０４から構成され
、さらにチャンバーには排気口１０６およびガス給入口
１０５が接続されている。下部電極１０２上にはウェハ
ー１０３が置かれエツチングが行なわれる。図中の上部
電極１０１に第１図（ｂ）に示すように円筒もしくは角
柱状の複数個の孔をあけることによりガス溜め１０７を
作る。このガス溜めには、上部もしくは側面部にガス供
給口１０５よりガスが供給され、プラズマの生成領域を
構成する。
極１０１、下部電極１０２とそれらの電気的絶縁を取り
かつ真空シールの役目をする絶縁体１０４から構成され
、さらにチャンバーには排気口１０６およびガス給入口
１０５が接続されている。下部電極１０２上にはウェハ
ー１０３が置かれエツチングが行なわれる。図中の上部
電極１０１に第１図（ｂ）に示すように円筒もしくは角
柱状の複数個の孔をあけることによりガス溜め１０７を
作る。このガス溜めには、上部もしくは側面部にガス供
給口１０５よりガスが供給され、プラズマの生成領域を
構成する。
この構造の電極を用いることにより、高いプラズマ密度
が実現され、同時に１下部電極に対する上部電極の大き
な電極比が得られる。
が実現され、同時に１下部電極に対する上部電極の大き
な電極比が得られる。
第２図にトライオード方式のエツチング装置に本発明を
適用した場合の第２の実施例の説明図を示す。同装置の
チャンバーは第２図ｆａｔに示すように上部電極２０１
、下部電極２０２および第３電極２０３と絶縁および真
空シールを同時に実現できる絶縁体２０４．２０５より
構成される。チャンバーには排気口２０６とガス給入口
２０７が接続され、下部電極２０２にはウェハー２０８
が置かれエツチングが行われる。この第３電極２０３は
、第２図（ｂ）に示すように円または多角形の孔をはち
の巣状に有した厚さをもった板である。この電極構造を
用いることにより、グリッド型のトライオードや側壁を
電極に使用したトライオード装置よりも、高密度のプラ
ズマが得られる。
適用した場合の第２の実施例の説明図を示す。同装置の
チャンバーは第２図ｆａｔに示すように上部電極２０１
、下部電極２０２および第３電極２０３と絶縁および真
空シールを同時に実現できる絶縁体２０４．２０５より
構成される。チャンバーには排気口２０６とガス給入口
２０７が接続され、下部電極２０２にはウェハー２０８
が置かれエツチングが行われる。この第３電極２０３は
、第２図（ｂ）に示すように円または多角形の孔をはち
の巣状に有した厚さをもった板である。この電極構造を
用いることにより、グリッド型のトライオードや側壁を
電極に使用したトライオード装置よりも、高密度のプラ
ズマが得られる。
本発明によれば、次の三つの効果が得られる。
第１に、実施例からもわかるように、上部電極にガス溜
りを形成することにより、大きな電極面積比が得られる
。これにより、大きなシース電圧が実現され、エッチレ
ートが増加し、また、高い異方性が実現される。
りを形成することにより、大きな電極面積比が得られる
。これにより、大きなシース電圧が実現され、エッチレ
ートが増加し、また、高い異方性が実現される。
第２に、このようなガス溜りを有することにより、プラ
ズマの密度が増大し、より高めエッチレートが実現され
る。
ズマの密度が増大し、より高めエッチレートが実現され
る。
第３に、ガス溜りの大きさ、位置や数さらには形状を変
化させることにより、エツチングパラメータ（ガス圧力
、入力電力ガス流量、排気速度）を変えること無しにエ
ツチングのパッチ内均−性もしくはウェハー面内均一性
の制御を行なうことができる。
化させることにより、エツチングパラメータ（ガス圧力
、入力電力ガス流量、排気速度）を変えること無しにエ
ツチングのパッチ内均−性もしくはウェハー面内均一性
の制御を行なうことができる。
第１図（ａｌ 、 （ｂ）は本発明を平行平板型エツチ
ング装置に適用した第１の実施例の説明図、第２図（ａ
）。 （ｂ）は本発明トライオードエツチング装置に適用した
第２の実施例の説明図である。 １０１・・・・・・上部電極、１０２・・・・・・下部
電極、１０３・・・・・・ウェハー、１０４・・・・・
・絶縁体、１０５・・・・・・ガス導入口、１０６・・
・・・・排気口、１０７・・・・・・ガス溜め、２０１
・・・・・・上部電極、２０２・・・・・・下部電極、
２０３・・・・・・第３電極、２０４・・・・・・絶縁
体、２０５・・・・・・絶縁体、２０６・・・・・・排
気口、２０７・・・・・・ガス導入０．２０８・・・・
・・ウェハー。
ング装置に適用した第１の実施例の説明図、第２図（ａ
）。 （ｂ）は本発明トライオードエツチング装置に適用した
第２の実施例の説明図である。 １０１・・・・・・上部電極、１０２・・・・・・下部
電極、１０３・・・・・・ウェハー、１０４・・・・・
・絶縁体、１０５・・・・・・ガス導入口、１０６・・
・・・・排気口、１０７・・・・・・ガス溜め、２０１
・・・・・・上部電極、２０２・・・・・・下部電極、
２０３・・・・・・第３電極、２０４・・・・・・絶縁
体、２０５・・・・・・絶縁体、２０６・・・・・・排
気口、２０７・・・・・・ガス導入０．２０８・・・・
・・ウェハー。
Claims (1)
- 上部電極もしくは下部電極に柱状もしくは円すい状の空
洞部を設けるか、または上部電極と下部電極との間に柱
状もしくは円すい状の空洞部を施した電極を挿入するこ
とにより上部電極と下部電極との間に反応ガスのガス溜
め領域を設けていることを特徴とした平行平板型エッチ
ング装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14340386A JPS62299031A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 平行平板型エツチング装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14340386A JPS62299031A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 平行平板型エツチング装置の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299031A true JPS62299031A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15337957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14340386A Pending JPS62299031A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 平行平板型エツチング装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299031A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244326U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-27 | ||
| JPH0245628U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| JPH0245629U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| JP2002518842A (ja) * | 1998-06-19 | 2002-06-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理室用電極及びその製造方法 |
| EP1617457A2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-18 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| US7909961B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14340386A patent/JPS62299031A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244326U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-27 | ||
| JPH0245628U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| JPH0245629U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| JP2002518842A (ja) * | 1998-06-19 | 2002-06-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理室用電極及びその製造方法 |
| US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
| EP1617457A2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-18 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| EP1617457A3 (en) * | 2004-07-13 | 2006-10-18 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| US7845309B2 (en) | 2004-07-13 | 2010-12-07 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| US7909961B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US8568553B2 (en) | 2006-10-30 | 2013-10-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
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