JPS62296102A - 導波路グレ−テイング結合器 - Google Patents
導波路グレ−テイング結合器Info
- Publication number
- JPS62296102A JPS62296102A JP14172286A JP14172286A JPS62296102A JP S62296102 A JPS62296102 A JP S62296102A JP 14172286 A JP14172286 A JP 14172286A JP 14172286 A JP14172286 A JP 14172286A JP S62296102 A JPS62296102 A JP S62296102A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- grating
- grating coupler
- constituting
- coupling efficiency
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は導波路グレーティング結合器に関し、特に導波
光を薄膜導波路から外へ導く導波thグレーティング結
合器に関する。
光を薄膜導波路から外へ導く導波thグレーティング結
合器に関する。
(従来の技術)
薄膜導波路を用いた元デバイスは、元スペクトラムアナ
ライザ、元ディスク用元ピックアップ等への適用の検討
が進められておジ、従来の光学レンズやプリズムを用い
友党デバイスに比べて大幅な小型化が可能である。
ライザ、元ディスク用元ピックアップ等への適用の検討
が進められておジ、従来の光学レンズやプリズムを用い
友党デバイスに比べて大幅な小型化が可能である。
この薄膜導波路上に形成される元デバイスとして重要な
ものの一つに、導波光を導波路外へ導く導波路グレーテ
ィング結合器が上げられる。
ものの一つに、導波光を導波路外へ導く導波路グレーテ
ィング結合器が上げられる。
第2図は導波路グレーティング結合器の利用形態の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
半導体レーザ6の端面結合にエフ、基板1とバッファ層
2との上に形成した導波路3中に導かれた元ビームがグ
レーティング4によって再ひ導波路外へ巣元ビーム5と
して出射される。込明な基板を用いて基板側に出射させ
るものもある。
2との上に形成した導波路3中に導かれた元ビームがグ
レーティング4によって再ひ導波路外へ巣元ビーム5と
して出射される。込明な基板を用いて基板側に出射させ
るものもある。
(発明が解決しょうとする問題点)
上記の工うな来光性を有する導波路グレーティング結合
器でに、集光スポット径がどの程度になるかがその特性
の優劣を決めることになる。
器でに、集光スポット径がどの程度になるかがその特性
の優劣を決めることになる。
従来の導波路グレーティング結合器においては、グレー
ティングの導波光との結合効率が第3図(a)に実線で
図示する工うに導波光の導波方向に均一であり、導波光
は進行するにつれて強度が減少するので、出射ビーム強
度も第3図[b)に実線で図示するようにしだいに減少
する分布となる。微小スポットを形成するためには出射
ビーム強度分布が均一に近い方がよいので、第3図(a
)に破線で図示する工うに結合効率を落として、第3図
(b)に破線で図示するような出射ビーム強度分布を得
ることになる。しかし、グレーティング長は有限である
ため、グレーティングの結合効率を落とすと導波光全体
としての外部への結合効率が低下するという欠点がある
。来光性を持たせないような場合でも、出射ビーム強度
分布が均一である方が一般に利用価値は高い。
ティングの導波光との結合効率が第3図(a)に実線で
図示する工うに導波光の導波方向に均一であり、導波光
は進行するにつれて強度が減少するので、出射ビーム強
度も第3図[b)に実線で図示するようにしだいに減少
する分布となる。微小スポットを形成するためには出射
ビーム強度分布が均一に近い方がよいので、第3図(a
)に破線で図示する工うに結合効率を落として、第3図
(b)に破線で図示するような出射ビーム強度分布を得
ることになる。しかし、グレーティング長は有限である
ため、グレーティングの結合効率を落とすと導波光全体
としての外部への結合効率が低下するという欠点がある
。来光性を持たせないような場合でも、出射ビーム強度
分布が均一である方が一般に利用価値は高い。
本発明の目的は、上記のように4波元全体としての外部
への結合効率の低下をまねくことなく、均一に近い出射
ビーム強度分布を得ることができる導波路グレーティン
グ結合器を提供することにある。
への結合効率の低下をまねくことなく、均一に近い出射
ビーム強度分布を得ることができる導波路グレーティン
グ結合器を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の導波路グレーティング結合器は、薄膜の光導波
路に形成されたグレーティングにエフ前紀元導波路中の
導波光を前記光導波路の外へ導く導波路グレーティング
結合器において、前記グレーティングを構成するそれぞ
れの素子の高さ、幅または深さのうち少なくとも一つが
前記導波光の導波方向に単調に変化する工うに形成され
たことを特徴とする。
路に形成されたグレーティングにエフ前紀元導波路中の
導波光を前記光導波路の外へ導く導波路グレーティング
結合器において、前記グレーティングを構成するそれぞ
れの素子の高さ、幅または深さのうち少なくとも一つが
前記導波光の導波方向に単調に変化する工うに形成され
たことを特徴とする。
(作用)
第4図(alに示すようにグレーティングの導波光との
結合効率を導波光の導波方向に対し増加させると、出射
ビーム強度分布は第4図(b)に示すように均一に近い
分布になる。まt1導V元全体としての外部への結合効
率も、導波光との結合効率が均一なグレーティングを用
いる従来の導波路グレーティング結合器と比べて犬さく
することが可能である。第4図(σ)に示す工つな粘合
効率の分布にグレーティングを構成する各素子の高さや
幅、深さなどを導波方向に単調に変化感せて得ることが
できる。
結合効率を導波光の導波方向に対し増加させると、出射
ビーム強度分布は第4図(b)に示すように均一に近い
分布になる。まt1導V元全体としての外部への結合効
率も、導波光との結合効率が均一なグレーティングを用
いる従来の導波路グレーティング結合器と比べて犬さく
することが可能である。第4図(σ)に示す工つな粘合
効率の分布にグレーティングを構成する各素子の高さや
幅、深さなどを導波方向に単調に変化感せて得ることが
できる。
(実施例)
第1図(a)、(b)お工び(C)はそれぞれ本発明の
第一、第二お工び第三の実施例を示す縦断面図である。
第一、第二お工び第三の実施例を示す縦断面図である。
第1図(a)に示す実施例においてはグレーティング4
1を構成するそれぞれの素子71の幅を導波方向8に対
して単調に増大させることにより、第1図(b)に示す
実施例においてはグレーティング42を構成するそれぞ
れの素子72の高さを単調に増大させることにエフ、ま
た、第1図(C)に示す実施例においては導波路3に直
接形成したグレーティング43を構成するそれぞれの素
子73の深さ全単調に増大させることにエフ、それぞれ
第4図(a)に示すような結合効率の分布を得ている。
1を構成するそれぞれの素子71の幅を導波方向8に対
して単調に増大させることにより、第1図(b)に示す
実施例においてはグレーティング42を構成するそれぞ
れの素子72の高さを単調に増大させることにエフ、ま
た、第1図(C)に示す実施例においては導波路3に直
接形成したグレーティング43を構成するそれぞれの素
子73の深さ全単調に増大させることにエフ、それぞれ
第4図(a)に示すような結合効率の分布を得ている。
第1図(a)またに(blに示す実施例の製作手段とし
ては、例えば、Slの基板1上に熱酸化等にエフ5i0
2のバッファ層2を約2μm、その上にCVLI法等に
ニジガラスの導波路3を約1μm形成する。さらにグレ
ーティング用の8iN層を約0.05μm形成する。そ
の上にレジスl−i塗布し、電子ビーム描画等によりレ
ジストパターン全形成する。そのパターンをイオンビー
ムエツチング等でSiN層に転写する。第1図(bJの
ように高さの差を形成するには、レジストの露光iを変
えてレジスト厚がエツチング後に場所にエフ変化するよ
うにし、イオンビームエツチングに際して、レジストの
薄い所ではオーバーエツチングに工ってパターンとなる
SiN層も一部エッチングで薄くなる工うにすれば工い
。第1図(C)に示す実施例においては、導波路3上に
直接レジストのパターンを形成し、イオンビームエツチ
ングに際して場所に工ってエツチング時間全変えればよ
い。第1図(C)に示す実施例で溝の深さでなく幅を変
えても工い。
ては、例えば、Slの基板1上に熱酸化等にエフ5i0
2のバッファ層2を約2μm、その上にCVLI法等に
ニジガラスの導波路3を約1μm形成する。さらにグレ
ーティング用の8iN層を約0.05μm形成する。そ
の上にレジスl−i塗布し、電子ビーム描画等によりレ
ジストパターン全形成する。そのパターンをイオンビー
ムエツチング等でSiN層に転写する。第1図(bJの
ように高さの差を形成するには、レジストの露光iを変
えてレジスト厚がエツチング後に場所にエフ変化するよ
うにし、イオンビームエツチングに際して、レジストの
薄い所ではオーバーエツチングに工ってパターンとなる
SiN層も一部エッチングで薄くなる工うにすれば工い
。第1図(C)に示す実施例においては、導波路3上に
直接レジストのパターンを形成し、イオンビームエツチ
ングに際して場所に工ってエツチング時間全変えればよ
い。第1図(C)に示す実施例で溝の深さでなく幅を変
えても工い。
(発明の幼果)
本発明にj!ll、導波光全体としての外部への結合効
率が高く、〃1つ、均一に近い出射ビーム強度分布を得
ることができる導波路グレーティング結合器を得ること
ができる。
率が高く、〃1つ、均一に近い出射ビーム強度分布を得
ることができる導波路グレーティング結合器を得ること
ができる。
第1図(a)、(b)および(C)はそれぞれ本発明の
第一、第二お工び第三の実施例を示す縦断面図、第2図
は導波路グレーティング結合器の利用形態の一例を示す
説明図、第3図(a)および(b)に従来の導波路グレ
ーティング結合器におけるグレーティングの結合効率の
分布お工び出射ビーム強度の分布ヲ示すグラフ、第4図
(alお工び(b)は本発明の導波路グレーティング結
合器におけるグレーティングの結合効率の分布および出
射ビーム強度の分布を示すグラフである。 l・・・基板、2・・・バッファ層、3・・・導波路、
4・′−+ +、。 (じ・ (C) I:某、t 2:t’;777層 3;導処r!
、(i〜43=ダレティジグ 7/−73:棄1 Z
:導鍛舌幻茅 I 図 $ 2 図 ((L−) 茅 3 回 (a−) C迭) 井 4 閏
第一、第二お工び第三の実施例を示す縦断面図、第2図
は導波路グレーティング結合器の利用形態の一例を示す
説明図、第3図(a)および(b)に従来の導波路グレ
ーティング結合器におけるグレーティングの結合効率の
分布お工び出射ビーム強度の分布ヲ示すグラフ、第4図
(alお工び(b)は本発明の導波路グレーティング結
合器におけるグレーティングの結合効率の分布および出
射ビーム強度の分布を示すグラフである。 l・・・基板、2・・・バッファ層、3・・・導波路、
4・′−+ +、。 (じ・ (C) I:某、t 2:t’;777層 3;導処r!
、(i〜43=ダレティジグ 7/−73:棄1 Z
:導鍛舌幻茅 I 図 $ 2 図 ((L−) 茅 3 回 (a−) C迭) 井 4 閏
Claims (1)
- 薄膜の光導波路に形成されたグレーティングにより前記
光導波路中の導波光を前記光導波路の外へ導く導波路グ
レーティング結合器において、前記グレーティングを構
成するそれぞれの素子の高さ、幅または深さのうち少な
くとも一つが前記導波光の導波方向に単調に変化するこ
とを特徴とする導波路グレーティング結合器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14172286A JPS62296102A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 導波路グレ−テイング結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14172286A JPS62296102A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 導波路グレ−テイング結合器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62296102A true JPS62296102A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15298681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14172286A Pending JPS62296102A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 導波路グレ−テイング結合器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62296102A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0649037A2 (en) * | 1993-10-18 | 1995-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical device |
US5657407A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Biota Corp. | Optical waveguide coupling device having a parallelogramic grating profile |
US20130136396A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Grating coupler |
EP1564568B2 (en) † | 1998-12-30 | 2014-10-01 | Nokia Corporation | A light pipe for providing backlighting of a flat-panel display |
JP2015161829A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日本電信電話株式会社 | グレーティングカプラ |
WO2016006037A1 (ja) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | 富士通株式会社 | グレーティングカプラ及び光導波路装置 |
WO2018091862A1 (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Wave Optics Ltd | Optical device |
US20200142120A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-07 | Applied Materials, Inc. | Depth-modulated slanted gratings using gray-tone lithography and slant etch |
JP2020194011A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | グレーティングカプラ、グレーティングカプラアレイ、受光アンテナおよび測距センサ |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14172286A patent/JPS62296102A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0649037A2 (en) * | 1993-10-18 | 1995-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical device |
EP0649037A3 (en) * | 1993-10-18 | 1995-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical diffraction device. |
US5561558A (en) * | 1993-10-18 | 1996-10-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical device |
US5742433A (en) * | 1993-10-18 | 1998-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diffractive optical device including grating elements with different grating periods and duty ratios |
US5657407A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Biota Corp. | Optical waveguide coupling device having a parallelogramic grating profile |
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WO2016006037A1 (ja) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | 富士通株式会社 | グレーティングカプラ及び光導波路装置 |
JPWO2016006037A1 (ja) * | 2014-07-08 | 2017-04-27 | 富士通株式会社 | グレーティングカプラ及び光導波路装置 |
US9874700B2 (en) | 2014-07-08 | 2018-01-23 | Fujitsu Limited | Grating coupler and optical waveguide device |
WO2018091862A1 (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Wave Optics Ltd | Optical device |
US20200142120A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-07 | Applied Materials, Inc. | Depth-modulated slanted gratings using gray-tone lithography and slant etch |
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JP2020194011A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | グレーティングカプラ、グレーティングカプラアレイ、受光アンテナおよび測距センサ |
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