JPS62283715A - 負荷制御回路装置 - Google Patents
負荷制御回路装置Info
- Publication number
- JPS62283715A JPS62283715A JP61238178A JP23817886A JPS62283715A JP S62283715 A JPS62283715 A JP S62283715A JP 61238178 A JP61238178 A JP 61238178A JP 23817886 A JP23817886 A JP 23817886A JP S62283715 A JPS62283715 A JP S62283715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- control circuit
- load
- load control
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/64—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は特許請求の範囲第1項の上位概念に記載の誘導
リアクタンス成分をもつ負荷を電気的に制御する回路装
置に関する。
リアクタンス成分をもつ負荷を電気的に制御する回路装
置に関する。
従来の公知技術とその問題点
この種の回路装置はたとえば西独特許出願公告第201
3012号公報から公知である。
3012号公報から公知である。
誘導成分をもつ前記の負荷はたとえば電磁石とかに電磁
石弁である。この種の電磁弁の制御のさいにはその吸引
時間にとって決定的なのは電磁弁に印加されている電圧
である。たとえば自動車に電磁弁を使用するばあいには
搭載電源電圧が強い変動を伴う。
石弁である。この種の電磁弁の制御のさいにはその吸引
時間にとって決定的なのは電磁弁に印加されている電圧
である。たとえば自動車に電磁弁を使用するばあいには
搭載電源電圧が強い変動を伴う。
それゆえこのような用途では回路を改良して、電圧が制
限されるにもかかわらず電磁弁がより迅速に動作するか
、ないしは切換時間が同じ場合電磁弁の設計が変更でき
るようにすることが重要である。これは同様に他の負荷
にも適用される。
限されるにもかかわらず電磁弁がより迅速に動作するか
、ないしは切換時間が同じ場合電磁弁の設計が変更でき
るようにすることが重要である。これは同様に他の負荷
にも適用される。
、発明の構成
このような改良は特許請求の範囲第1項の特徴部分の記
載の構成によって達成される。本発明の他の構成および
その有利な使用は特許請求の範囲第2項以下に記載され
ている。その他の利点は以下の図に基づく説明から明ら
かである。
載の構成によって達成される。本発明の他の構成および
その有利な使用は特許請求の範囲第2項以下に記載され
ている。その他の利点は以下の図に基づく説明から明ら
かである。
実施例
第1図において1で使用電源(たとえば搭載電源)の一
方の電源端子が、2で電磁弁が示されている。電磁弁2
に直列に電力トランジスタT2のエミッタ・コレクタ区
間および接電した測定抵抗が接続されている。
方の電源端子が、2で電磁弁が示されている。電磁弁2
に直列に電力トランジスタT2のエミッタ・コレクタ区
間および接電した測定抵抗が接続されている。
電力トランジスタT2はPライ・々トランジスタT1と
共にいわゆるダーリントン回路を形成する。トラン・ジ
スタT1がそのベースに印加される切換信号で制御され
ることによって電磁弁2が作動される。本実施例では端
子6に印加される信号Eによって制御が行なわれ、それ
によって制御コンパレータ生が能動化され、それが次に
制御増幅器5およびトランジスタT1を介して電力トラ
ンジスタT2を電導過制御する0電磁弁2を流れる電流
の立上りはたとえば第2図aの曲線20に対応して行な
われる。測定抵抗3、制御:I ンパレータ4および制
御増幅器5は、電磁弁2を流れる所定の動作電流に到達
するとその都度制御2oが電磁弁2が吸引状態に保持さ
れる程度に短時間中断される。
共にいわゆるダーリントン回路を形成する。トラン・ジ
スタT1がそのベースに印加される切換信号で制御され
ることによって電磁弁2が作動される。本実施例では端
子6に印加される信号Eによって制御が行なわれ、それ
によって制御コンパレータ生が能動化され、それが次に
制御増幅器5およびトランジスタT1を介して電力トラ
ンジスタT2を電導過制御する0電磁弁2を流れる電流
の立上りはたとえば第2図aの曲線20に対応して行な
われる。測定抵抗3、制御:I ンパレータ4および制
御増幅器5は、電磁弁2を流れる所定の動作電流に到達
するとその都度制御2oが電磁弁2が吸引状態に保持さ
れる程度に短時間中断される。
本発明に己たがって電源端子1と電力トランジスタT2
のベース(ないしはT1のエミッタ)との間にさらに別
のトランジスタT3のエミツJ −−+ +/力JマF
−!! L翻IR巨堆桔7レハ右万IITFi牧h−挿
入されている。このトランジスタを制御するため反転素
子8および9、双安定素子1oおよび論理積ゲート11
が設けられている。
のベース(ないしはT1のエミッタ)との間にさらに別
のトランジスタT3のエミツJ −−+ +/力JマF
−!! L翻IR巨堆桔7レハ右万IITFi牧h−挿
入されている。このトランジスタを制御するため反転素
子8および9、双安定素子1oおよび論理積ゲート11
が設けられている。
端子6への制御信号Eの印加によって反転素子8を介し
て双安定素子10の切換が生じ、その結果Q出力側に信
号が送出される(第2図すおよびCの信号変化参照)。
て双安定素子10の切換が生じ、その結果Q出力側に信
号が送出される(第2図すおよびCの信号変化参照)。
反転素子9によって信号はまた論理積ゲート11の第2
の入力側にも印加され、トランジスタT3が制御される
。
の入力側にも印加され、トランジスタT3が制御される
。
それによってトランジスタ下20ベースに通常のダーリ
ントン回路のばあいよりも相当大きな電流が流れる。こ
の電流は抵抗7によって制限される。そこでトランジス
タT2のコレクタのに 電圧は次のよ5曳なる。
ントン回路のばあいよりも相当大きな電流が流れる。こ
の電流は抵抗7によって制限される。そこでトランジス
タT2のコレクタのに 電圧は次のよ5曳なる。
U↑2= Ucg 5atl −1−Ig2°RMその
結果トランジスタT2は飽和に達する。しかしベース電
流およびコレクタ電流の関数としての飽和電圧は標準ダ
ーリントンのばあいよりも相当低い。第2図aに電磁弁
2を流れる電流IMVの変化は曲線21で示されている
。電流立上りが通常よりも大きく、到達可能な最終値も
(PLで)より高いことがわかる。それによって電磁弁
はまたより早期に切換わる。
結果トランジスタT2は飽和に達する。しかしベース電
流およびコレクタ電流の関数としての飽和電圧は標準ダ
ーリントンのばあいよりも相当低い。第2図aに電磁弁
2を流れる電流IMVの変化は曲線21で示されている
。電流立上りが通常よりも大きく、到達可能な最終値も
(PLで)より高いことがわかる。それによって電磁弁
はまたより早期に切換わる。
電流値E #”−P 3に到達すると(これはコン・ぞ
レータ4によって検出される)、まず制御増幅器5から
のトランジスタT1の制御が所定の時間中断されるが、
しかし制御コン・ξレータ牛の出力信号によって双安定
素子10もリセットされ、それによってトランジスタT
3は作動しないようにされる。それと共に電磁弁2はも
はや制御されず、電磁弁の電圧は徐々に降下する(P3
以後の曲線を参照)。しかし電磁弁2の復旧が起こる前
に、制御回路を介して新たな制御が行なわれる。双安定
素子10は新たに到来するE信号によってはじめて再セ
ツト可能なので、トランジスタT3はしゃ断されたまま
である。
レータ4によって検出される)、まず制御増幅器5から
のトランジスタT1の制御が所定の時間中断されるが、
しかし制御コン・ξレータ牛の出力信号によって双安定
素子10もリセットされ、それによってトランジスタT
3は作動しないようにされる。それと共に電磁弁2はも
はや制御されず、電磁弁の電圧は徐々に降下する(P3
以後の曲線を参照)。しかし電磁弁2の復旧が起こる前
に、制御回路を介して新たな制御が行なわれる。双安定
素子10は新たに到来するE信号によってはじめて再セ
ツト可能なので、トランジスタT3はしゃ断されたまま
である。
つまりトランジスタT3は常に電磁弁2の制御が開始し
たばあいにのみ作動するようになる。
たばあいにのみ作動するようになる。
第3図の実施例では部分1′から11’およびTI’か
ら73’までは第1図の相応する部分1から11および
T1からT3までに対応するが、ただし制御コン、5レ
ータギはここでは2つの比較閾値に切換え可能であり、
5′は制御クリップ・フロップであり、電磁弁2は3つ
の切換位置を有する。
ら73’までは第1図の相応する部分1から11および
T1からT3までに対応するが、ただし制御コン、5レ
ータギはここでは2つの比較閾値に切換え可能であり、
5′は制御クリップ・フロップであり、電磁弁2は3つ
の切換位置を有する。
しかしこのばあいにはさらに端子6“から11′までに
よって構成されるトランジスタT 3’の第2の制御回
路が設けられている。両制御回路は論理和ゲート30を
介してトランジスタT 3’に作用する。端子σおよび
げに印加される信号Eな゛ およびAは電磁弁2′をれ作用位置にもたらす。
よって構成されるトランジスタT 3’の第2の制御回
路が設けられている。両制御回路は論理和ゲート30を
介してトランジスタT 3’に作用する。端子σおよび
げに印加される信号Eな゛ およびAは電磁弁2′をれ作用位置にもたらす。
これは、制御器3’ 、 5’によって電流の立上りが
ミー電流値で中断されることによって実現される。これ
は第4図に示されており、同図にはE信号によって電磁
弁電流が増加し、次に制御器3′から5′までによって
平均しである値に保持され(0〜6m5ec)、A信号
が発生すると電流がさらに増加し、次に(約14m5e
c以降)ふたたび制御によって平均して一定に保たれる
ということが示されている。またこの図で0信号(論理
和ゲート30)のためT3が立上り期にのみ作動するこ
とがわかる。破線で記入された変化はT3の作用のない
立上りを示す。クロック制御は次のように動作する。抵
抗3′を流れる電流が入力側6′またはげにあらかじめ
与えられた値に達すると、コン・ぞレータlによって・
ぞルスが制御フリップ・フロップ5′ならびにクリップ
・フロップ1σおよび1σに与えられる。制御フリップ
・フロップ5′はクロック入力側を介してリセット・ξ
ルスが与えられ、その結果電流がふたたび測定抵抗3′
を流れるまで、トランジスタT1およびT2をしゃ断す
る。
ミー電流値で中断されることによって実現される。これ
は第4図に示されており、同図にはE信号によって電磁
弁電流が増加し、次に制御器3′から5′までによって
平均しである値に保持され(0〜6m5ec)、A信号
が発生すると電流がさらに増加し、次に(約14m5e
c以降)ふたたび制御によって平均して一定に保たれる
ということが示されている。またこの図で0信号(論理
和ゲート30)のためT3が立上り期にのみ作動するこ
とがわかる。破線で記入された変化はT3の作用のない
立上りを示す。クロック制御は次のように動作する。抵
抗3′を流れる電流が入力側6′またはげにあらかじめ
与えられた値に達すると、コン・ぞレータlによって・
ぞルスが制御フリップ・フロップ5′ならびにクリップ
・フロップ1σおよび1σに与えられる。制御フリップ
・フロップ5′はクロック入力側を介してリセット・ξ
ルスが与えられ、その結果電流がふたたび測定抵抗3′
を流れるまで、トランジスタT1およびT2をしゃ断す
る。
所望の電流に到達することによってT3がその都度しゃ
断されるようにすることはトランプが スタの機能が使用されるばあいのみ電力損能じるという
利点を有する。同じ理由から、搭載電源電圧は瞬間的に
低くなりすぎることがあるためより迅速な電流の立上り
がとくに必要なばあいのみトラン・ノスタT3が作動す
るようにすることも考えられる。
断されるようにすることはトランプが スタの機能が使用されるばあいのみ電力損能じるという
利点を有する。同じ理由から、搭載電源電圧は瞬間的に
低くなりすぎることがあるためより迅速な電流の立上り
がとくに必要なばあいのみトラン・ノスタT3が作動す
るようにすることも考えられる。
発明の効果
本発明によれば第3のトラン・ジスタT3を用いること
により電流立上り特性を改善できると共に、負荷にかか
る電圧を迅速に制御でき、電力損失も少ないと云う利点
がある。
により電流立上り特性を改善できると共に、負荷にかか
る電圧を迅速に制御でき、電力損失も少ないと云う利点
がある。
第1図は本発明の第1実施例の回路図、第2図は第1図
の説明に供する線図、第3図は本発明の第2実施例の回
路図、第4図は第3図の説明に供する線図である。 l、1′・・・電源端子、2,2′・・・電磁弁、3,
3′・・・測定抵抗、4,4°・・・制御コン・ξレー
タ、5・・・制御増幅器、6 、6’ 、σ・・・端子
、7,7′・・・制限抵抗、8 、8’、 8′、 9
、9’、 (7・・・反転素子、10゜1σ、1σ・
・・双安定素子、11 、11’ 、 11”・・・論
理積ゲート、5・・・制御フリップ・フロップ、3o・
・・論理和ゲート 2、発明の名称 負荷制御回路装置 3、補正針する者 事件との関係特許出願人 4、代理人 昭和62年 2月24日 (発送日)別紙の通り
の説明に供する線図、第3図は本発明の第2実施例の回
路図、第4図は第3図の説明に供する線図である。 l、1′・・・電源端子、2,2′・・・電磁弁、3,
3′・・・測定抵抗、4,4°・・・制御コン・ξレー
タ、5・・・制御増幅器、6 、6’ 、σ・・・端子
、7,7′・・・制限抵抗、8 、8’、 8′、 9
、9’、 (7・・・反転素子、10゜1σ、1σ・
・・双安定素子、11 、11’ 、 11”・・・論
理積ゲート、5・・・制御フリップ・フロップ、3o・
・・論理和ゲート 2、発明の名称 負荷制御回路装置 3、補正針する者 事件との関係特許出願人 4、代理人 昭和62年 2月24日 (発送日)別紙の通り
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ドライバトランジスタT1および後置の電力トラン
ジスタT2を具備するダーリントン回路を有し、両トラ
ンジスタのコレクタと使用電圧の一方の極との間に負荷
が接続されている、誘導リアクタンス成分をもつ負荷を
電気的に制御する回路装置において、使用電源の同じ極
(1)と後置の電力トランジスタ(T2)のベースとの
間にさらに第3のトランジスタ(T3)のエミッタ・コ
レクタ区間が挿入されており、このトランジスタ(T3
)が、そのベースを介して負荷(2)の投入接続と同時
に開始し少なくともある時間、後置のトランジスタ(T
2)のベースに大きな電流を供給するため通電に切換え
られることを特徴とする負荷制御回路装置。 2、第3のトランジスタ(T3)が制限抵抗(7)に直
列に挿入されている特許請求の範囲第1項記載の負荷制
御回路装置。 3、負荷抵抗を表わす電磁石(2)を流れる電流が所定
の動作電流量に到達すると、電力トランジスタ(T2)
の通電が制御器(3、4、5)によって瞬間的に中断さ
れる制御回路に使用される特許請求の範囲第1項または
第2項に記載の負荷制御回路装置。 4、動作電流に最初に到達すると同時に第3トランジス
タ(T3)が、電磁石(2)の新たな断路まで作動しな
いようにされる、特許請求の範囲第3項記載の負荷制御
回路装置。 5、負荷抵抗を表わし、2つの動作位置に制御可能な電
磁石(2)を流れる電流が所定の2つの異なる動作電流
値に到達すると、2つの異なる制御信号(E、A)に基
づき、電力トランジスタ(T2)の制御がその都度に制
御器(3′、4′、5′)によって瞬間的に中断される
制御回路に使用され、前記の異なる動作電流に到達する
とその都度第3のトランジスタ(T3)が作動しないよ
うにされ、新たな制御信号(E、A)が発生するとはじ
めてふたたび作動するようにされる、特許請求の範囲第
1項または第2項記載の負荷制御回路装置。 6、第3のトランジスタが作動するようにされるのが所
定の値以下に作動電圧が低下したばあいのみである、特
許請求の範囲第3項から第5項までのいずれか1項に記
載の負荷制御回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853535844 DE3535844C2 (de) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Schaltungsanordnung zur elektrischen Ansteuerung eines Verbrauchers |
DE3535844.0 | 1985-10-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62283715A true JPS62283715A (ja) | 1987-12-09 |
JP2545372B2 JP2545372B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=6283026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61238178A Expired - Lifetime JP2545372B2 (ja) | 1985-10-08 | 1986-10-08 | 負荷制御回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2545372B2 (ja) |
DE (1) | DE3535844C2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1450167A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-08-25 | ELMOS Semiconductor AG | Verfahren und Vorrichtung zum Messen des Widerstandswertes eines elektronischen Bauelements |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2013012C3 (de) * | 1970-03-19 | 1974-05-22 | Teldix Gmbh, 6900 Heidelberg | Schaltung zum An- und schnellen Abschalten eines Verbrauchers mit induktiver Komponente |
DE3120695A1 (de) * | 1981-05-23 | 1982-12-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | "schaltungsanordnung mit einem endtransistor zum ein- und ausschalten eines verbrauchers, insbesondere der primaerwicklung einer zu der zuendanlage einer brennkraftmaschine gehoerenden zuendspule" |
DE3334833A1 (de) * | 1983-09-27 | 1985-04-04 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Ansteuerschaltung fuer einen leistungstransistor |
-
1985
- 1985-10-08 DE DE19853535844 patent/DE3535844C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61238178A patent/JP2545372B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3535844C2 (de) | 1994-07-21 |
DE3535844A1 (de) | 1987-04-09 |
JP2545372B2 (ja) | 1996-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4845420A (en) | Drive circuit device for inductive load | |
EP0189564B1 (en) | High to low transition speed up circuit for TTL-type gates | |
CA1179732A (en) | Driver circuit for use with inductive loads or the like | |
US4720762A (en) | Current drive circuit | |
JPS62283715A (ja) | 負荷制御回路装置 | |
US4749876A (en) | Universal power transistor base drive control unit | |
US4481452A (en) | Control circuit for electromagnetic devices | |
JPS61169020A (ja) | Ttl型ゲート用可変スピードアツプ回路 | |
JPS6327598B2 (ja) | ||
JPH0538138A (ja) | 車載用電子制御装置の電源装置 | |
JPS5926965B2 (ja) | 電圧調整器 | |
JPH0192817A (ja) | 駆動回路 | |
JPH0445303Y2 (ja) | ||
JPH04157813A (ja) | ハイサイド・スイッチ駆動回路 | |
JPS63121429A (ja) | 過電流保護回路 | |
JPH02189021A (ja) | 制御回路 | |
KR920000352B1 (ko) | 초절전형 릴레이 | |
JPH0517712U (ja) | 電源回路 | |
JPS60127504A (ja) | 抵抗変化検出回路 | |
JPH01202022A (ja) | パワースイッチング素子のゲート回路 | |
JPH0364120A (ja) | 出力制御回路 | |
JPH059035U (ja) | 駆動回路 | |
JPH02159703A (ja) | 電磁石コイル駆動回路 | |
JPS62247403A (ja) | 電子制御装置 | |
JPS60131072A (ja) | 電力制御回路 |