[go: up one dir, main page]

JPS62262445A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPS62262445A
JPS62262445A JP61104982A JP10498286A JPS62262445A JP S62262445 A JPS62262445 A JP S62262445A JP 61104982 A JP61104982 A JP 61104982A JP 10498286 A JP10498286 A JP 10498286A JP S62262445 A JPS62262445 A JP S62262445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
filter structure
holding frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61104982A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Okubo
大久保　祥雄
Masao Hiramoto
政夫 平本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP61104982A priority Critical patent/JPS62262445A/ja
Publication of JPS62262445A publication Critical patent/JPS62262445A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ビデオカメラ等に使用される固体撮像装置に
関するものである。
（従来の技術） 従来の固体撮像装置について第３図により説明する。同
図において、固体撮像装置は、固体撮像素子１が導電性
接着剤２によりセラミック等で形成された外囲器３の底
面に固定され、さらに、上記の外囲器３の開口部に光学
的フィルタ、光学的導波体等からなるフィルタ構体４が
保持枠５を介し順に接着剤６および熱硬化性接着剤７に
より上記の外囲器３の上縁段部に固着され、気密性封止
が施されている。
なお、フィルタ構体４と保持枠５の固着に、溶接法が用
いられることもあり、保持枠５と外囲器３の固着に、溶
接法あるいはろう付は法等が採用されることもある。
また、撮像動作中に、斜めに入射する光線等によって偽
似信号を発生する誤動作を抑制するために、遮光枠８が
固体撮像素子１の周辺の非撮像部に接触又は接着されて
いる。
なお、外囲器３の外側に複数の端子９が設けられており
、これらと上記の固体撮像素子１とがワイヤボンドリー
ド１０で接続されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の構成では、フィルタ構体４の保持
枠５と遮光枠８とを、それぞれ別個に外囲器３の上縁段
部と外囲器３の底面に固定した固体撮像素子１とに固定
することが必要であり、相対的位置精度を維持するため
、外囲器３の精度。
外囲器３の底面に固体撮像素子１を固着する際の総合精
度を維持する必要があり、それぞれの工作精度を出すた
めコスト高となるという問題があった。
本発明は上記の問題点を解決するもので、構成部品点数
が少く、組立てが容易でしかも総合精度が維持できる安
価な固体撮像装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するために１本発明は、フィルタ構
体の保持枠と遮光枠を一体に構成するか遮光枠を必要と
しないフィルタ構体を保持枠に保持し、保持枠を外囲器
に固着すると同時に、これに一体に構成された遮光枠を
固体撮像素子の周辺部の非撮像部に接触させるか、フィ
ルタ構体を固体撮像素子に接着するものである。
さらに、フィルタ構体の保持枠を外囲器に固着する際に
、エポキシ系樹脂等のように半硬化状態の熱硬化性樹脂
の中に強化心材を有し、あらかじめ裁断成形された弾力
性を有する接着シートを接着部に挾み、上記の保持枠と
外囲器の間に適当な圧力を加えながら加熱硬化させるも
のである。
なお、強化心材としては、ガラス繊維、金属メツシュ、
一般の高分子繊維、カーボンファイバあるいは高分子フ
ィルム等の不織布と称される多孔可撓性シート材が使用
できる。
（作　用） フィルタ構体の保持枠と遮光枠が一体として構成されて
いるか、それを必要としないフィルタ構体を直接固体撮
素子上に置くため、保持枠と遮光枠とを別個に固着する
必要がなく、さらに、フィルタ構体の保持枠と外囲器の
接着面に挾む接着シートは弾力性を有するので、両者が
高精度に形成されてなくまた比較的大きな隙間を有する
場合には複数枚の接着シートを使用することによって、
加熱硬化反応後は遮光枠と固体撮像素子が最適接触条件
で固着される。
また、フィルタ構体の保持枠と外囲器の隙間が大きくて
も、強化心材の作用によって接着シートの接着剤は流出
することなく保持される。この調整は、接着シートの強
化心材量と半硬化樹脂量の比率、および接着シートの使
用枚数によって、最適条件を選択することができる。
（実施例） 本発明の実施例を第１図および第２図により説明する。
第１図は本発明による固体撮像装置の第１の実施例の断
面図で、固体撮像装置は、第３図に示した従来例との相
異点は、フィルタ構体４の保持枠５に一体に構成した遮
光枠５ａと、保持枠５と外囲器３の接着に用いられた強
化心材１１ａと熱硬化性樹脂１１ｂからなる接着シート
１１とにあるので。
その他の従来例と同じ構成部品には同一記号を付してそ
の説明を省略する。
第１図に示す第１の実施例では、フィルタ構体４の保持
枠５と外囲器３の上縁段部との隙間を５００μｍとし、
厚さ１００μｍの強化心材１１ａを有する厚さ２００μ
ｍないし２５０ｐｍの接着シート１１３枚を上記の隙間
に挾み、加圧加熱硬化させたものである。
なお、フィルタ構体４が単なる平行ガラス板である場合
も、第１図と同じ構造となる。また、固体撮像素子１の
上面に色分離フィルタ（図示せず）を固着した場合にも
適用できる。
第２図は本発明による第２の実施例を示す断面図で、第
１図に示した第１の実施例との相異点は、フィルタ構体
４が光導波用ファイバ束で、これは光学的に黒であって
これを支える保持枠５に遮光枠がないことである。
同図において、フィルタ構体４は、その下端面が透光性
接着剤１２で固体撮像素子１の上に固定されると同時に
、フィルタ構体４の保持枠５が接着シート１１を用いて
外囲器３に固定される。
なお、フィルタ構体４と固体搬像素子ｌとの接着は、光
硬化性樹脂１２で仮止めし、保持枠５と外囲器３を接着
シート１１を用いて固定した後に光硬化させることも容
易に実施できる。
（発明の効果） 以上説明したように１本発明によれば、フィルタ構体又
はその保持枠の一部をなす遮光枠の下端面と、固体撮像
素子の表面との接着又は接触は、保持枠と外囲器の接着
部の寸法精度が高くなくても最適条件が得られ、組立て
の容易なコストの安い固体撮像装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ本発明による固体撮像装
置の第１および第２の実施例を示す断面図、第３図は従
来の固体撮像装置の断面図である。 １・・・固体撮像素子、　２・・・導電性接着剤、３・
・・外囲器、　４・・・フィルタ構体、　５・・・保持
枠、５ａ、８・・・遮光枠、　６・・・接着剤、　７・
・・熱硬化性接着剤、　９・・・端子、１０・・・ワイ
ヤボンドリード、　１１・・・接着シート、　ｌｌａ・
・・強化心材、　ｌｌｂ・・・熱硬化性樹脂、１２・・
・透光性接着剤（光硬化性樹脂）。 特許出願人　松下電子工業株式会社 第１図 １・・１本須傳禾３ ４・・　フ４・レフ騰φ ５・・・Ａネ倚椅 ５０・・・遊花坪 ６・・緋看制 ９・・・　嬌３ １０・・　η　４マボ゛ンド゛ソード １１　　・・　）寄噛シート １１ａ−ｊ機上１（Ｖｆｉ １１ｂ　・　熱警【４ヒヤＬ舖守Ｉ旨 第２図 １２・遷１．也躊毛か〕 第３図 ７−・　然　ｆｉ４ヒヤｌｉ遮管１ ８１キ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）光ろ波あるいは光導波を目的とする光学的フィル
    タ構体又はその保持枠が固体撮像素子を収容する外囲器
    に接着固定され、上記のフィルタ構体又はその保持枠が
    上記の固体撮像素子の撮像面又は非撮像部に接着又は接
    触していることを特徴とする固体撮像装置。（２）光学
    的フィルタ構体又は支持枠と外囲器とが、可撓性心材を
    有する樹脂で接着固定されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第（１）項記載の固体撮像装置。 （３）光学的フィルタ構体と固体撮像素子の撮像面とが
    、透光性接着剤で接着されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第（１）項および第（２）項記載の固体撮像
    装置。 （４）光学的フィルタ構体あるいは固体撮像素子に色分
    離フィルタが設けられていることを特徴とする特許請求
    の範囲第（１）項、第（２）項または第（３）項記載の
    固体撮像装置。 （５）光学的フィルタ構体が光学的に黒であることを特
    徴とする特許請求の範囲第（１）項ないし第（４）項の
    いずれかに記載の固体撮像装置。
JP61104982A 1986-05-09 1986-05-09 固体撮像装置 Pending JPS62262445A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61104982A JPS62262445A (ja) 1986-05-09 1986-05-09 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61104982A JPS62262445A (ja) 1986-05-09 1986-05-09 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62262445A true JPS62262445A (ja) 1987-11-14

Family

ID=14395295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61104982A Pending JPS62262445A (ja) 1986-05-09 1986-05-09 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62262445A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63211670A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 Nec Corp 固体撮像装置
KR100407407B1 (ko) * 2001-11-20 2003-11-28 한국 고덴시 주식회사 칼라센서
JP2004363511A (ja) * 2003-06-09 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2006064519A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Hochiki Corp 光検出器
US20110024610A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Kingpak Technology Inc. Image sensor package structure
JP2011151412A (ja) * 2011-04-04 2011-08-04 Panasonic Corp 半導体装置
KR20120112070A (ko) * 2011-03-31 2012-10-11 소니 주식회사 고체 촬상 유닛, 고체 촬상 유닛을 제조하는 방법, 및 전자 기기
US8829632B2 (en) 2011-06-10 2014-09-09 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor package
CN112054064A (zh) * 2020-09-07 2020-12-08 深圳市灵明光子科技有限公司 芯片级封装结构、光电装置及芯片级封装方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63211670A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 Nec Corp 固体撮像装置
KR100407407B1 (ko) * 2001-11-20 2003-11-28 한국 고덴시 주식회사 칼라센서
JP2004363511A (ja) * 2003-06-09 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2006064519A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Hochiki Corp 光検出器
JP4566659B2 (ja) * 2004-08-26 2010-10-20 ホーチキ株式会社 光検出器
US20110024610A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Kingpak Technology Inc. Image sensor package structure
US8847146B2 (en) * 2009-07-29 2014-09-30 Kingpak Technology Inc. Image sensor package structure with casing including a vent without sealing and in communication with package material
KR20120112070A (ko) * 2011-03-31 2012-10-11 소니 주식회사 고체 촬상 유닛, 고체 촬상 유닛을 제조하는 방법, 및 전자 기기
JP2012217021A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2011151412A (ja) * 2011-04-04 2011-08-04 Panasonic Corp 半導体装置
US8829632B2 (en) 2011-06-10 2014-09-09 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor package
CN112054064A (zh) * 2020-09-07 2020-12-08 深圳市灵明光子科技有限公司 芯片级封装结构、光电装置及芯片级封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05175280A (ja) 半導体装置の実装構造および実装方法
US7829833B2 (en) Arranging and/or supporting an image pickup device in an image pickup apparatus
JPS62262445A (ja) 固体撮像装置
EP1525745A1 (en) Camera module, holder for use in a camera module, camera system and method of manufacturing a camera module
JP2608048B2 (ja) 一体化撮像器―プリズム構体
JP4641578B2 (ja) 光学モジュール、撮像装置及びカメラシステム
TW406440B (en) Mounting apparatus for photoelectric converting device and fabrication method thereof
JP2578774B2 (ja) レンズ付きモジュ−ルの製造方法
JP2006080597A (ja) 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法
US5126859A (en) Contact type image sensor
JPS59122087A (ja) 固体撮像装置
JPH11164209A (ja) 固体撮像素子の取付装置
JPH06105791B2 (ja) 光電変換装置
JPH0744261B2 (ja) 半導体装置用透明被覆体
JP4246803B2 (ja) 半導体装置用スペ−サ−の形成方法および半導体装置を含む装置の形成方法ならびに表面実装型フォトカプラ−の形成方法
JPS6267863A (ja) 固体撮像装置
JPS62261158A (ja) 固体撮像装置
JP2697571B2 (ja) 固体撮像装置
JPH01228178A (ja) 固体撮像装置
JPH01194467A (ja) 固体撮像部品
JP5062692B2 (ja) ソケット付カメラモジュール及びその実装構造
JPH05335534A (ja) 光半導体デバイス
JPS59122086A (ja) 固体撮像装置
JPH05303058A (ja) 光ファイバアレイ基板および光ファイバアレイ基板を用いた完全密着型イメージセンサ
JPH02207570A (ja) 固体撮像装置