JPS62246222A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
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- JPS62246222A JPS62246222A JP61088719A JP8871986A JPS62246222A JP S62246222 A JPS62246222 A JP S62246222A JP 61088719 A JP61088719 A JP 61088719A JP 8871986 A JP8871986 A JP 8871986A JP S62246222 A JPS62246222 A JP S62246222A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＴＶ用ブラウン管などに用いられる臂子笛用
陰極に関し、特１ζ電子放射性物質層の改良Ｃζ関する
ものである。
陰極に関し、特１ζ電子放射性物質層の改良Ｃζ関する
ものである。
第２図は従来のＴＶ用ブラウン管や撮偲彦に用いられて
いる陰極を示すものであり、図において（１）はシリコ
ン（Ｓｉ） 、マグネシウム００などの還元性元素を′
ＩＩｉ瓜含む主成分がニッケルからなる有底Ｓ汁の帰休
−（２１はこの基体の底部ト面に被着され、少なくとも
バリウム（Ｂａ）を含み、他１ζストロンチウム（Ｓ
ｒ）あるいは／及びカルシウム（Ｃａ）を含むアルカリ
土類金属酸化物からなる電子放射物質ｊ１、（３＋は上
記基体（１）内夏ζ配設されたヒータ（３）で、加熱に
より上記電子放射物質層（２）から熱電子を放出させる
ためのものである。
いる陰極を示すものであり、図において（１）はシリコ
ン（Ｓｉ） 、マグネシウム００などの還元性元素を′
ＩＩｉ瓜含む主成分がニッケルからなる有底Ｓ汁の帰休
−（２１はこの基体の底部ト面に被着され、少なくとも
バリウム（Ｂａ）を含み、他１ζストロンチウム（Ｓ
ｒ）あるいは／及びカルシウム（Ｃａ）を含むアルカリ
土類金属酸化物からなる電子放射物質ｊ１、（３＋は上
記基体（１）内夏ζ配設されたヒータ（３）で、加熱に
より上記電子放射物質層（２）から熱電子を放出させる
ためのものである。
この様１ζ構成された電子管用陰極１ζおいて、基体（
１）への電子放射物質層（２）の被着は次の様にして行
なわれるものである。まずアルカリ土類金属（Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａ）の炭酸塩からなる懸濁液を基体（１）Ｉζ塗
布し、真空排気工程中にヒータ（３０ζよって加熱する
。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金
属の酸化物憂ζ変わる。その後、アルカリ土類金属の酸
化物の一部を還元して半導体的性質を有するようｌζ活
性化を行なうこと（ζより、基体（１）上曝ζアルカリ
土類金属の酸化物からなる電子放射物質層（２）を被着
せしめているものである。
１）への電子放射物質層（２）の被着は次の様にして行
なわれるものである。まずアルカリ土類金属（Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａ）の炭酸塩からなる懸濁液を基体（１）Ｉζ塗
布し、真空排気工程中にヒータ（３０ζよって加熱する
。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金
属の酸化物憂ζ変わる。その後、アルカリ土類金属の酸
化物の一部を還元して半導体的性質を有するようｌζ活
性化を行なうこと（ζより、基体（１）上曝ζアルカリ
土類金属の酸化物からなる電子放射物質層（２）を被着
せしめているものである。
この活性化工程１ζおいて、アルカリ土類金１４の酸化
物の一部は次の様１ζ反応しているものである。
物の一部は次の様１ζ反応しているものである。
つまり基体（１）中に含有されたシリコン、マグネシラ
ム等の還元性元素は拡散基ζよりアルカリ土類金属の酸
化物と基体（１）の界面１ζ移勘し、アルカリ土類金属
酸化物と反応する。例えばアルカリ土類酸化物として酸
化バリウム（Ｂａｄ）であれば次式（１） （２＋の様
１ζ反応するものである。
ム等の還元性元素は拡散基ζよりアルカリ土類金属の酸
化物と基体（１）の界面１ζ移勘し、アルカリ土類金属
酸化物と反応する。例えばアルカリ土類酸化物として酸
化バリウム（Ｂａｄ）であれば次式（１） （２＋の様
１ζ反応するものである。
ＢａＯ＋１／２Ｓｉ ＝ Ｂａ＋ １／２ＳｉＯ２・（
１）ＢａＯ＋Ｍｇ ＝ Ｂａ＋ ＭｇＯ−（２＋こ
の反応の結果、基体（１）上に被着形成されたアルカリ
土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型の半導体
となり、陰極温度７００〜ｓｏｏ’ｃ の動作温度で０
．５〜０．８Ａ／ｄ の電子放射が得られることにな
る。しかるに、この様ｌζして形成された電子管用陰極
ｌζあ−ノては電子放射が０．６〜０．８Ａ／ｄ よ
り高い電流密度は取り出せないものである。その理由と
しては次の様なものである。つまり、アルカリ土類金ｊ
＾酸化物の一部を還元反応させた場合、上記（１１（２
１式からも明らかな如く基体（１）とアルカリ土類金属
酸化物層との界面にＳｉＯ２，ＭｇＯあるいはＢａＯ，
ＳｉＯ２なる複合酸化物層（中間層）が形成され、この
中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げること、ま
た上記中間ノーが基体（１）中の還元元素が電子放射物
質層（２）の表面側へ拡散するのを妨げ十分なバリウム
（Ｂａ）が生成されないことが考えられている。
１）ＢａＯ＋Ｍｇ ＝ Ｂａ＋ ＭｇＯ−（２＋こ
の反応の結果、基体（１）上に被着形成されたアルカリ
土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型の半導体
となり、陰極温度７００〜ｓｏｏ’ｃ の動作温度で０
．５〜０．８Ａ／ｄ の電子放射が得られることにな
る。しかるに、この様ｌζして形成された電子管用陰極
ｌζあ−ノては電子放射が０．６〜０．８Ａ／ｄ よ
り高い電流密度は取り出せないものである。その理由と
しては次の様なものである。つまり、アルカリ土類金ｊ
＾酸化物の一部を還元反応させた場合、上記（１１（２
１式からも明らかな如く基体（１）とアルカリ土類金属
酸化物層との界面にＳｉＯ２，ＭｇＯあるいはＢａＯ，
ＳｉＯ２なる複合酸化物層（中間層）が形成され、この
中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げること、ま
た上記中間ノーが基体（１）中の還元元素が電子放射物
質層（２）の表面側へ拡散するのを妨げ十分なバリウム
（Ｂａ）が生成されないことが考えられている。
また、従来の電子管用陰極としては特開昭６９−２０９
４１号公報ｆζ、上記した第２図のものと同喋の構成を
しており、陰極の速動性を得るためｔζ基体（１）の板
厚を薄くシ、寿命中の還元剤のＮＡ陶を防止しかつ基体
（１）の強度低下を防止する目的で、基体（１）Ｉζラ
ンタンがＬａＮｉ５及びＬａｇ’ｓの形で分散含有させ
たものが示されている。
４１号公報ｆζ、上記した第２図のものと同喋の構成を
しており、陰極の速動性を得るためｔζ基体（１）の板
厚を薄くシ、寿命中の還元剤のＮＡ陶を防止しかつ基体
（１）の強度低下を防止する目的で、基体（１）Ｉζラ
ンタンがＬａＮｉ５及びＬａｇ’ｓの形で分散含有させ
たものが示されている。
この様１ζ欄成された電子管用陰極においては、動作中
ｌζ基体（１）と電子放射物質、す（２１の界面近傍、
特に基体（１）表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面
より１０μｍ程度電子放射物質層（２）内側の位置ｆζ
前述の中間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射
物質層（２１表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、
高電流密度下 られないという問題があ−］た。
ｌζ基体（１）と電子放射物質、す（２１の界面近傍、
特に基体（１）表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面
より１０μｍ程度電子放射物質層（２）内側の位置ｆζ
前述の中間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射
物質層（２１表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、
高電流密度下 られないという問題があ−］た。
また、後者に示したものにおいては、ニッケルを主成分
とする基体（１）の製作時１ζＬａＮ１ａ及びＬａ ｇ
ｏｓを含有サセルを二メ、基体（１）内（ｙ）Ｌ、ａＮ
ｉ５及びＬａｇ’ｓの含有状態のばらつきなどが生じ易
かった。
とする基体（１）の製作時１ζＬａＮ１ａ及びＬａ ｇ
ｏｓを含有サセルを二メ、基体（１）内（ｙ）Ｌ、ａＮ
ｉ５及びＬａｇ’ｓの含有状態のばらつきなどが生じ易
かった。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高
電流密度下において基体と電子放射物質層との界面近傍
に複合酸化物からなる中間層が集中して形成されること
を防止し、長時間にわたって安定したエミッション特性
を有し、かつ電子放射物質の剥離を生じない信頼性の高
い電子管用陰極を得ることを目的とする。
電流密度下において基体と電子放射物質層との界面近傍
に複合酸化物からなる中間層が集中して形成されること
を防止し、長時間にわたって安定したエミッション特性
を有し、かつ電子放射物質の剥離を生じない信頼性の高
い電子管用陰極を得ることを目的とする。
この発明に係る電子管用陰極は、少なくともバリウムを
含むアルカリ土類金属酸化物とを主成分とし、０．１〜
２０１ｉ ｇ％で平均粒径４．５μ以下の希土類金属酸
化物を含んだ電子放射物質１−をニッケルを主成分とす
る基体上に１＆墳形成させたものである。
含むアルカリ土類金属酸化物とを主成分とし、０．１〜
２０１ｉ ｇ％で平均粒径４．５μ以下の希土類金属酸
化物を含んだ電子放射物質１−をニッケルを主成分とす
る基体上に１＆墳形成させたものである。
この発明においては、電子放射物質層中に含有された０
、１〜２０重爪％で平均粒径４．５μ以下の希土類金属
酸化物が、電子放射物質層を基体に被着形成する際の活
性化時１ζ、アルカリ土類金属の炭酸塩が分解する際、
あるいは陰極としての動作中に酸化バリウムが解離反応
を起こすＩｌｌ’Ｘｔζ基体が酸化する反応を防止する
とともに、上記希土類金属酸化物が解離してＮｉと希土
類金属の固溶層を基体表面全体に亘って形成するので、
還元性元素ｆζよる複合酸化物からなる中間層が基体と
電子放射物質層との界面近傍磨ζ集中的ｌζ形成される
ことが防止され、中間１ｍ ８ ｍ子拡射物質層内に分
散させるものである。さら１ζ、高電流密度１蒼ζおけ
る基体金属からの電子放射物質ｊ１の剥離現象の防止効
果が一段と向上するものである。
、１〜２０重爪％で平均粒径４．５μ以下の希土類金属
酸化物が、電子放射物質層を基体に被着形成する際の活
性化時１ζ、アルカリ土類金属の炭酸塩が分解する際、
あるいは陰極としての動作中に酸化バリウムが解離反応
を起こすＩｌｌ’Ｘｔζ基体が酸化する反応を防止する
とともに、上記希土類金属酸化物が解離してＮｉと希土
類金属の固溶層を基体表面全体に亘って形成するので、
還元性元素ｆζよる複合酸化物からなる中間層が基体と
電子放射物質層との界面近傍磨ζ集中的ｌζ形成される
ことが防止され、中間１ｍ ８ ｍ子拡射物質層内に分
散させるものである。さら１ζ、高電流密度１蒼ζおけ
る基体金属からの電子放射物質ｊ１の剥離現象の防止効
果が一段と向上するものである。
以下ｌζこの発明の一実施例を第１図１ζ基づいて説明
する。図１ζおいて、（２）は基体（１）の底部上面１
ζ被着され、少なくともバリウムを含み、他にストロン
チウムあるいは／及びカルシウムを含むアルカリ土類金
属酸化物υＶを主成分とし、０．１〜２０重量％で平均
粒径４．６μ以下の酸化スカンジウム、酸化イツトリウ
ム等の希土類金属酸化物（１りを含んだ電子放射物質層
である。
する。図１ζおいて、（２）は基体（１）の底部上面１
ζ被着され、少なくともバリウムを含み、他にストロン
チウムあるいは／及びカルシウムを含むアルカリ土類金
属酸化物υＶを主成分とし、０．１〜２０重量％で平均
粒径４．６μ以下の酸化スカンジウム、酸化イツトリウ
ム等の希土類金属酸化物（１りを含んだ電子放射物質層
である。
次ｆζ、この様Ｅζ構成された電子管用陰極において、
基体（１）への電子放射物質層（２）の被着方法１ζつ
いて説明すると、まず、バリウム、ストロンチウム、カ
ルシウムの三元炭酸塩１ζ酸化スカンジウム粉末を所望
の重量９６（上記三元炭酸塩が全て酸化物１ζなるとし
°゛ての重量％）添加混合し、懸濁液を作成する。この
感１１１２をニッケルを主成分とする基体（１）上１ζ
スプレィＩζより約８０ミクロンの厚みで塗布し、その
後従来のものと同様１ζ、炭酸塩から酸化物への分解過
程及び酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子
放射物質層（２１を基体（１）に被着せしめるものであ
る。
基体（１）への電子放射物質層（２）の被着方法１ζつ
いて説明すると、まず、バリウム、ストロンチウム、カ
ルシウムの三元炭酸塩１ζ酸化スカンジウム粉末を所望
の重量９６（上記三元炭酸塩が全て酸化物１ζなるとし
°゛ての重量％）添加混合し、懸濁液を作成する。この
感１１１２をニッケルを主成分とする基体（１）上１ζ
スプレィＩζより約８０ミクロンの厚みで塗布し、その
後従来のものと同様１ζ、炭酸塩から酸化物への分解過
程及び酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子
放射物質層（２１を基体（１）に被着せしめるものであ
る。
ここで、酸化スカンジウム粉末の粒径の効果を調べるた
め１ζ、まずＳｃ ２Ｕａ粉末購入品（Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈＣｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｐ−純度９９．９％）の粒
径を調整せず、上記の如（５Ｃ２０Ｂ混合懸濁液（ＳＣ
２σ１０重量％）を作成し電子管用陰極を完成した。こ
の電子管用陰極を種々の電流密度で寿命試験を行い、動
作６０００時間後の電子放射物質のＮｉ基体からの剥離
を調べた。その結果を第８図に示す。ここで、横軸は従
来のカラーテレビの動作電流密度０．６６ Ａ／ｒ−４
を１とした時の相対電流密度として表わしている。
め１ζ、まずＳｃ ２Ｕａ粉末購入品（Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈＣｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｐ−純度９９．９％）の粒
径を調整せず、上記の如（５Ｃ２０Ｂ混合懸濁液（ＳＣ
２σ１０重量％）を作成し電子管用陰極を完成した。こ
の電子管用陰極を種々の電流密度で寿命試験を行い、動
作６０００時間後の電子放射物質のＮｉ基体からの剥離
を調べた。その結果を第８図に示す。ここで、横軸は従
来のカラーテレビの動作電流密度０．６６ Ａ／ｒ−４
を１とした時の相対電流密度として表わしている。
なお、この時の５Ｃ２０８粉末の平均粒径（粒度分布が
６０％になる時の粒径）は８．０μであった。相対電流
密度８．１ を越えると、前述の剥離現象の頻度が高く
なる傾向が認めちれる。
６０％になる時の粒径）は８．０μであった。相対電流
密度８．１ を越えると、前述の剥離現象の頻度が高く
なる傾向が認めちれる。
次１ζ、上述の５Ｃ２０Ｂ粉末購入品をファインミクロ
ミル粉砕機などの超微粉 砕器により、５Ｃ２０Ｂ粉末
の平均粒径を調整し同様１ζＳｃｇＯａＩＯ重量％混合
の懸濁液を作成し、相対電流密度４．５で６０００時間
動作後の電子放射物質の剥離現象の発生頻度及びエミッ
ション電流の相対値（動作０時間の値を１００％とした
）を調べた結果を第４図）ζ示す。
ミル粉砕機などの超微粉 砕器により、５Ｃ２０Ｂ粉末
の平均粒径を調整し同様１ζＳｃｇＯａＩＯ重量％混合
の懸濁液を作成し、相対電流密度４．５で６０００時間
動作後の電子放射物質の剥離現象の発生頻度及びエミッ
ション電流の相対値（動作０時間の値を１００％とした
）を調べた結果を第４図）ζ示す。
Ｓｃ ｇｏｓ粉末の平均粒径が４．５μ以下で剥離が発
生せず、エミッション電流の維持特性が大巾Ｉζ向上す
る。特１ζ平均粒径８．θμ以下では極めて良好な特性
を示す。
生せず、エミッション電流の維持特性が大巾Ｉζ向上す
る。特１ζ平均粒径８．θμ以下では極めて良好な特性
を示す。
このよう■ζ優れた特性の原因は以下の様に考えられる
。電子放射物質中のＳｃ ２０１１は動作中に解離して
、Ｎｉ基体金属表面にＮｉ−５ｃ＠溶体もしくは金属間
化合物１１を形成し、このＮ ｉ −８ｃ層がＮｉ基体
金属と電子放射物質界面近傍でのＢａＳ ｉｏ＋＋ΔＭ
ｇＯ５ｉｎ２なる中間層の形成を抑制し、十分なエミッ
ション電流の維持と電子放射物質とＮｉ基体金属との被
着性を向上する。ところが、Ｎｉ基体金属のＮｉ粒径は
大きいものでｌＯ数μあるが、多くのＮｉ結晶粒は数μ
であるため、５Ｃ２０１粉末の平均粒径が４、δμ以下
ｉζなるとＮ ｉ −８ｃｍが大部分のＮｉ結晶粒の表
面で形成され、上記効果が顕著１ζなる。
。電子放射物質中のＳｃ ２０１１は動作中に解離して
、Ｎｉ基体金属表面にＮｉ−５ｃ＠溶体もしくは金属間
化合物１１を形成し、このＮ ｉ −８ｃ層がＮｉ基体
金属と電子放射物質界面近傍でのＢａＳ ｉｏ＋＋ΔＭ
ｇＯ５ｉｎ２なる中間層の形成を抑制し、十分なエミッ
ション電流の維持と電子放射物質とＮｉ基体金属との被
着性を向上する。ところが、Ｎｉ基体金属のＮｉ粒径は
大きいものでｌＯ数μあるが、多くのＮｉ結晶粒は数μ
であるため、５Ｃ２０１粉末の平均粒径が４、δμ以下
ｉζなるとＮ ｉ −８ｃｍが大部分のＮｉ結晶粒の表
面で形成され、上記効果が顕著１ζなる。
なお、上記実施例）ζおいては、希土類金属酸化物とし
てＳｃ ｇｏｓを用いたものを説明したが他の希土類金
属酸化物でも同様の効果は得られたものの、特ｔζＳＣ
ｇＯｓ 、ＹｇＯｓ 、Ｃｅ２０ｓ＋ｃおいてその効果
が顕著であった。
てＳｃ ｇｏｓを用いたものを説明したが他の希土類金
属酸化物でも同様の効果は得られたものの、特ｔζＳＣ
ｇＯｓ 、ＹｇＯｓ 、Ｃｅ２０ｓ＋ｃおいてその効果
が顕著であった。
この発明は以上のように述べたようｉζ基体に被着され
る少なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化Ｐ！
Ａを主成分とする電子放射物質層に０．１〜２０重瀘％
で平均粒径が４．５μ以下の希土類金属酸化物を含有さ
せたものとしたので、希土類金属酸化物が電子放射物質
ａｔζ含まれていない従来のもの１ζ対して２〜６倍の
高電流密Ｉｉ動作下での長寿命を実現し、安価で製造の
制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られるとい
う効果を有するものである。
る少なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化Ｐ！
Ａを主成分とする電子放射物質層に０．１〜２０重瀘％
で平均粒径が４．５μ以下の希土類金属酸化物を含有さ
せたものとしたので、希土類金属酸化物が電子放射物質
ａｔζ含まれていない従来のもの１ζ対して２〜６倍の
高電流密Ｉｉ動作下での長寿命を実現し、安価で製造の
制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られるとい
う効果を有するものである。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の電子管用陰極を示す断面図、第８図は相対ｗｔｔｆ
ｒｔ密度と電子放射物質剥離頻度との関係を示す図、第
４図はＳａｇｏｓ平均粒径と電子放射物質剥離頻度及び
エミッション電流比との関係を示す図である。 図１ζおいて、（１）は基体、ｔ２１は電子放射物質層
である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
来の電子管用陰極を示す断面図、第８図は相対ｗｔｔｆ
ｒｔ密度と電子放射物質剥離頻度との関係を示す図、第
４図はＳａｇｏｓ平均粒径と電子放射物質剥離頻度及び
エミッション電流比との関係を示す図である。 図１ζおいて、（１）は基体、ｔ２１は電子放射物質層
である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 主成分がニッケルからなる基体に、少なくともバリウム
を含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、平均粒径
４．５μ以下の希土類金属酸化物を０．１〜２０重量％
含んだ電子放射物質層を被着形成したことを特徴とする
電子管用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8871986A JPH0750586B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8871986A JPH0750586B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子管用陰極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246222A true JPS62246222A (ja) | 1987-10-27 |
| JPH0750586B2 JPH0750586B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13950710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8871986A Expired - Lifetime JPH0750586B2 (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510292A (ja) * | 2000-09-19 | 2004-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複合材料のカソードを具えた陰極線管 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833677A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-11 | ||
| JPS4912758A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-02-04 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8871986A patent/JPH0750586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833677A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-11 | ||
| JPS4912758A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-02-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510292A (ja) * | 2000-09-19 | 2004-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複合材料のカソードを具えた陰極線管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750586B2 (ja) | 1995-05-31 |
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