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JPS6224169A - Semiconductor ic apparatus - Google Patents

Semiconductor ic apparatus

Info

Publication number
JPS6224169A
JPS6224169A JP60161858A JP16185885A JPS6224169A JP S6224169 A JPS6224169 A JP S6224169A JP 60161858 A JP60161858 A JP 60161858A JP 16185885 A JP16185885 A JP 16185885A JP S6224169 A JPS6224169 A JP S6224169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
test pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60161858A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Sato
哲雄 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60161858A priority Critical patent/JPS6224169A/en
Publication of JPS6224169A publication Critical patent/JPS6224169A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体集積回路装置技術さらにはLSI(
大規模半導体集積回路装置)に適用して特に有効な技術
に関するもので、例えばテスト用の回路を内蔵した半導
体集積回路装置に利用して有効な技術に関するものであ
る。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuit device technology and LSI (
The present invention relates to a technique that is particularly effective when applied to large-scale semiconductor integrated circuit devices (large-scale semiconductor integrated circuit devices), and relates to a technique that is particularly effective when applied to, for example, a semiconductor integrated circuit device that includes a built-in test circuit.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体集積回路装置内の回路が複雑になってくると、こ
れに伴ってその半導体集積回路装置のテストが困難にな
ってくる。
As the circuits within a semiconductor integrated circuit device become more complex, it becomes difficult to test the semiconductor integrated circuit device.

そこで、例えば日経マグロウヒル社刊行「日経エレクト
ロニクス 1985年6月3日号」171頁(スキャン
・バス法)に記載のように、最初からテストしやすい回
路を半導体集積回路装置内に形成することが行われるよ
うになってきた。
Therefore, as described in "Nikkei Electronics June 3, 1985 issue" published by Nikkei McGraw-Hill, p. 171 (scan bus method), it is possible to form a circuit that is easy to test from the beginning in a semiconductor integrated circuit device. It's starting to get worse.

例えば、第3図に示すように、半導体集積回路装置IC
内に、本来の機能をなす回路1とともに、この回路1の
テスト条件を設定する複数のテスト用切換回路Sl、S
2.・・・を内蔵させる。そして、各切換回路81.8
2・・・の切換状態の組合せを外部からのテスト・パタ
ーン書データによって設定することにより、多種のテス
ト条件を作り出す。
For example, as shown in FIG.
In addition to the circuit 1 that performs the original function, there are a plurality of test switching circuits Sl and S that set test conditions for this circuit 1.
2. ... to be built-in. And each switching circuit 81.8
Various test conditions are created by setting combinations of the switching states of 2... using external test pattern written data.

これにより、半導体集積回路装置IC内に形成された回
路1を回路ブロック11.12ごとにテストすることが
できるようになる。
Thereby, the circuit 1 formed in the semiconductor integrated circuit device IC can be tested for each circuit block 11, 12.

この場合、テスト自ハターン・データCinはテスト用
端子Ptl、Pt2から入力される。入力されたテスト
・パターンφデータCinはデコーダ2によって個別の
制御信号C3にデコードされる。
In this case, the test original data Cin is input from the test terminals Ptl and Pt2. The input test pattern φ data Cin is decoded by the decoder 2 into an individual control signal C3.

そし℃、このデコードされた制御信号Csによつ℃各切
換回路Sl 、S2・・・の切換状態が個々に設定され
る。21°はデコーダ2の一部をなすインバータを示す
Then, the switching states of the respective temperature switching circuits Sl, S2, . . . are individually set by the decoded control signal Cs. 21° indicates an inverter forming part of the decoder 2.

しかしながら、上述した半導体集積回路装置では、本来
の機能端子Pfl、Pf2.・・・のほかに複数のテス
ト用端子Ptl、Pt2が必要である。
However, in the semiconductor integrated circuit device described above, the original functional terminals Pfl, Pf2. In addition to . . . , a plurality of test terminals Ptl and Pt2 are required.

しかも、そのテスト用端子Ptl、Pt2の数は、テス
ト条件の組合せの数が多くなるに従って増加する。この
ため、精密なテストを行えるようにするためには、本来
の機能端子Pfl、Pf2.・・・に加えて、多数のテ
スト用端子P t 1* Pt 2 +・・・を設けな
ければならない、という問題が生じることが本発明者に
よって明らかとされた。
Furthermore, the number of test terminals Ptl and Pt2 increases as the number of test condition combinations increases. Therefore, in order to perform precise tests, the original functional terminals Pfl, Pf2. The inventor has found that a problem arises in that a large number of test terminals P t 1 * Pt 2 + . . . must be provided in addition to .

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、テスト用端子の数を少なくしつつ、
設定できるテスト条件の組合せの数を多くとっ℃精密な
テストの実行を可能にする半導体集積回路装置技術を提
供することにある。
The purpose of this invention is to reduce the number of test terminals while
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device technology that allows a large number of test condition combinations to be set and allows precise test execution.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
つい℃は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものな簡単
に説明すれば、下記のとおりである。
A brief description of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、例えば疑似ランダム信号発生回路などによる
テスト・パターン・データ発生手段を半導体集積回路装
置内に内蔵させることにより、少ない数のテスト用端子
でもって、設定できるテスト条件の組合せの数を多くと
ることを可能にし、これにより半導体集積回路装置の実
装コストを高めずに精密なテストの実行を可能にする、
という目的を達成するものである。
That is, by incorporating test pattern data generation means such as a pseudo-random signal generation circuit into a semiconductor integrated circuit device, it is possible to increase the number of combinations of test conditions that can be set with a small number of test terminals. This makes it possible to perform precise tests without increasing the mounting cost of semiconductor integrated circuit devices.
This goal is achieved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。
Hereinafter, typical embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、図面におい℃同一符号は同一あるいは相当部分を
示す。
In addition, in the drawings, the same reference numerals in degrees Celsius indicate the same or corresponding parts.

第1図はこの発明による半導体集積回路装置の要部にお
ける一実施例を示す。
FIG. 1 shows an embodiment of a main part of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

第1図に示す半導体集積回路装置ICには、本来の機能
をなす回路1とともに、この回路1のテスト条件を設定
する複数のテスト用切換回路Sl。
The semiconductor integrated circuit device IC shown in FIG. 1 includes a circuit 1 that performs the original function and a plurality of test switching circuits Sl that set test conditions for the circuit 1.

S2.・・・が内蔵させられている。さらK、その切換
回路Sl、S2.・・・とともに、デコーダ2、テスト
・パターン・データ発生手段3、および電源投入リセッ
ト信号発生回路4などが一緒に内蔵されている。21は
デコーダ2に付属するインバータを示す。
S2. ...is built-in. Furthermore, K, its switching circuit Sl, S2. ..., a decoder 2, a test pattern data generating means 3, a power-on reset signal generating circuit 4, etc. are also built in. 21 indicates an inverter attached to the decoder 2.

テスト・パターン自データ発生手段3は一種の歩進回路
を用いて構成され、外部からテスト用端子Ptlを介し
℃与えられるクロックCPによって歩進動作する。この
歩進動作によって更新される歩進内容は並列に取り出さ
れる。この並列に取り出される歩進内容は、テス)−パ
ター/・データCin  としてデコーダ2 IIC入
力される。デコーダ2は、入力されたテスト−パターン
・データCinをデコードして、各切換回路S1.S2
.・・・を個別に制御する信号Csを作成する。これに
より、各切換回路Sl、S2.・・・の切換状態の組合
わせが順次可変設定されて、各組合わせごとに異なるテ
スト条件が設定される。そし℃、これによって回路10
機能テストナ回路ブロック11゜12、・・・ごとに行
うことができるようになる。
The test pattern own data generating means 3 is constructed using a kind of stepping circuit, and performs stepping operation by a clock CP which is externally applied via the test terminal Ptl. The step contents updated by this step operation are taken out in parallel. The step contents taken out in parallel are inputted to the decoder 2 IIC as test)-putter/data Cin. The decoder 2 decodes the input test pattern data Cin and decodes each switching circuit S1. S2
.. . . . A signal Cs is created to individually control the following. As a result, each switching circuit Sl, S2 . . . . are sequentially variably set, and different test conditions are set for each combination. Then ℃, this makes circuit 10
Function tester circuit blocks 11, 12, . . . can be tested.

なお、テスト・パターン争データ発生手段3は、電源投
入リセット信号発生回路4により、半導体集積回路装置
ICの動作用電源投入直後に初期状態に自動的にリセッ
トされる。
The test pattern conflict data generating means 3 is automatically reset to the initial state by the power-on reset signal generating circuit 4 immediately after the power for operation of the semiconductor integrated circuit device IC is turned on.

第2図は上記テスト・パターン−データ発生手段2の具
体例を示す。
FIG. 2 shows a specific example of the test pattern-data generating means 2. As shown in FIG.

上記テスト・パターン・データ発生手段3は、第2図に
示すように、疑似ランダム信号発生回路(PN符号発生
回路)を用いて構成することができる。同図に示す疑似
ランダム信号発生回路は、複数のフリップ70ツブSR
I〜SR4を直列に多段接続した一種の歩進回路であっ
て、各シフト段からそれぞれに取り出される歩進出力+
Q。
The test pattern data generating means 3 can be constructed using a pseudo-random signal generating circuit (PN code generating circuit), as shown in FIG. The pseudo-random signal generation circuit shown in the figure includes a plurality of flip 70 tubes SR.
It is a type of step circuit in which I to SR4 are connected in series in multiple stages, and the step output + is taken out from each shift stage.
Q.

−Qが上記テスト・パターン・データCin  として
使用される。この場合、例えば4段目のシフト段(SR
4)の歩進出力と1段目のシフト段(SR1)の歩進出
力が論理加算回路31によって和(排他的論理和)をと
られ、この和がシフトレジスタの直列シフト入力Sin
に戻されるよう罠なっている。これにより、各シフト段
(SRI〜5R4)の歩進出力からは、疑似ランダム信
号(PN符号)が並列に得られる。このようにして得ら
れる疑似ランダム信号は、その符号の組合せがランダム
であるとともに、その中の符号が1ビツトずつ連続的に
変化するといったような性質を有し℃いるので、各回路
ブロック11,12.・・・の機能をもれなくテストす
るのに非常に適している。
-Q is used as the test pattern data Cin. In this case, for example, the fourth shift stage (SR
4) and the step output of the first shift stage (SR1) are summed (exclusive OR) by the logic adder circuit 31, and this sum is applied to the serial shift input Sin of the shift register.
It's a trap to get you back. As a result, pseudo-random signals (PN codes) are obtained in parallel from the step outputs of each shift stage (SRI to 5R4). The pseudo-random signal obtained in this way has a property that the combination of codes is random and the codes therein continuously change bit by bit. Therefore, each circuit block 11, 12. It is very suitable for testing all the functions of...

以上のようK、上述した半導体集積回路装置ICでは、
様々なテスト条件を可変設定するためのテスト・パター
ン・データCinが半導体集積回路装置C4n内部で生
成されるので、そのテスト・パターン・データCinを
与えるためのテスト端子は不要である。テスト用端子と
し℃は、上記テスト・    ゛パターン・データ発生
手段2を歩道動作させるためのクロックCPt導入する
ための端子Pt1だけでよい。これにより、少ない数の
テスト用端子でもっ℃、段設定きるテスト条件の組合せ
の数を多くとることができ、半導体集積回路装置の実装
コスI・を高めずに精密なテストを実行することができ
るようになる。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device IC described above,
Since the test pattern data Cin for variably setting various test conditions is generated inside the semiconductor integrated circuit device C4n, a test terminal for supplying the test pattern data Cin is not necessary. As the test terminal, only the terminal Pt1 for introducing the clock CPt for operating the test pattern data generating means 2 is sufficient. As a result, it is possible to increase the number of combinations of test conditions that can be set in stages with a small number of test terminals, and it is possible to perform precise tests without increasing the mounting cost of semiconductor integrated circuit devices. become able to.

〔効 果〕〔effect〕

[13例えば疑似ランダム信号発生回路などによるテス
ト−パターン・データ発生手段を半導体集積回路装置内
に内蔵させることにより、少ない数のテスト用端子でも
って、設定できるテスト条件の組合せの数を多くとるこ
とが可能になり、これにより半導体集積回路装置の実装
コス°トを高めずに精密なテストの実行が可能になる、
という効果が得られる。
[13 For example, by incorporating test-pattern data generation means such as a pseudo-random signal generation circuit into a semiconductor integrated circuit device, it is possible to increase the number of combinations of test conditions that can be set with a small number of test terminals. This makes it possible to perform precise tests without increasing the mounting cost of semiconductor integrated circuit devices.
This effect can be obtained.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記テスト・
パターン・データ発生手段2は通常の多桁の2進カウン
タあるいはシフトレジスタであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, the above test
The pattern data generating means 2 may be a conventional multi-digit binary counter or a shift register.

〔利用分野〕[Application field]

以上、本発明者によってなされた発明をその背景となっ
た利用分野である半導体集積回路装置に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、例
えばハイブリッド鯖の集積回路装置などにも適用できる
Although the invention made by the present inventor is applied to a semiconductor integrated circuit device, which is the background field of application, it is not limited to this, and can also be applied to, for example, a hybrid mackerel integrated circuit device. Applicable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明が適用された半導体集積回路装置内の
回路の一部を示す図、 第2図はテスト・パターン・データ発生手段の構成例を
示す図、 第3図はこの発明に先立って検討された半導体集積回路
装置内の回路の一部を示す図である。 IC・・・半導体集積回路装置、l・・・半導体集積回
路装置の本来の機能ななす回路、11.12・・・回路
ブロック、2・・・デコーダ、3・・・テスト・パター
ン−7’−夕発生手段、cIn・・・テスト・パターン
拳データ。 代理人 弁理士  小 川  勝 男  ゛・−′ 第  1  図 第   2  図 C1訊
FIG. 1 is a diagram showing a part of a circuit in a semiconductor integrated circuit device to which this invention is applied, FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of a test pattern data generation means, and FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a test pattern data generation means. 1 is a diagram showing a part of a circuit in a semiconductor integrated circuit device that has been studied; FIG. IC...Semiconductor integrated circuit device, l...Circuit that performs the original function of the semiconductor integrated circuit device, 11.12...Circuit block, 2...Decoder, 3...Test pattern-7' -Event generation means, cIn...Test pattern fist data. Agent Patent Attorney Katsutoshi Ogawa ゛・-' Figure 1 Figure 2 Figure C1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、テスト条件を設定する複数のテスト用の切換回路が
内蔵された半導体集積回路装置であって、各テスト用切
換回路の設定状態を個々に制御するテストパターン・デ
ータ発生手段を内蔵したことを特徴とする半導体集積回
路装置。 2、上記テスト・パターン・データ発生手段が歩進回路
によって構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体集積回路装置。 3、上記テスト・パターン・データ発生手段が疑似ラン
ダム信号発生回路によって構成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。
[Claims] 1. A semiconductor integrated circuit device incorporating a plurality of test switching circuits for setting test conditions, the test pattern data generation for individually controlling the setting state of each test switching circuit. A semiconductor integrated circuit device characterized by having a built-in means. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the test pattern data generating means is constituted by a stepping circuit. 3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the test pattern data generating means is constituted by a pseudo-random signal generating circuit.
JP60161858A 1985-07-24 1985-07-24 Semiconductor ic apparatus Pending JPS6224169A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260376A (en) * 1988-04-11 1989-10-17 Nec Corp Test mode selection circuit
JPH03243235A (en) * 1990-02-21 1991-10-30 P S Concrete Co Ltd Device for erecting reinforcement by welding robot
JP2011258637A (en) * 2010-06-07 2011-12-22 Fujitsu Semiconductor Ltd Integrated circuit device with voltage regulator

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260376A (en) * 1988-04-11 1989-10-17 Nec Corp Test mode selection circuit
JPH07122661B2 (en) * 1988-04-11 1995-12-25 日本電気株式会社 Test mode selection circuit
JPH03243235A (en) * 1990-02-21 1991-10-30 P S Concrete Co Ltd Device for erecting reinforcement by welding robot
JP2011258637A (en) * 2010-06-07 2011-12-22 Fujitsu Semiconductor Ltd Integrated circuit device with voltage regulator

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