[go: up one dir, main page]

JPS62231960A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents

フオトマスクの製造方法

Info

Publication number
JPS62231960A
JPS62231960A JP61076338A JP7633886A JPS62231960A JP S62231960 A JPS62231960 A JP S62231960A JP 61076338 A JP61076338 A JP 61076338A JP 7633886 A JP7633886 A JP 7633886A JP S62231960 A JPS62231960 A JP S62231960A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
pattern
resist film
photomask
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61076338A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH042939B2 (ja
Inventor
Junji Hirokane
順司 広兼
Tomoyuki Miyake
知之 三宅
Kazuo Ban
和夫 伴
Junichi Wadokoro
和所　純一
Tetsuya Inui
哲也 乾
Kenji Oota
賢司 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP61076338A priority Critical patent/JPS62231960A/ja
Priority to CA000530396A priority patent/CA1313792C/en
Priority to DE3789881T priority patent/DE3789881T2/de
Priority to EP87102561A priority patent/EP0234547B1/en
Priority to EP92120246A priority patent/EP0533217B1/en
Priority to DE3752197T priority patent/DE3752197T2/de
Priority to US07/019,704 priority patent/US5087535A/en
Publication of JPS62231960A publication Critical patent/JPS62231960A/ja
Priority to US07/684,680 priority patent/US5457006A/en
Publication of JPH042939B2 publication Critical patent/JPH042939B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光露光方式におけるフォトマスクの製造方法に
関する。
く従来技術〉 従来、光ディスクにパターンを光露光方式にて形成する
ためにフォトマスクを用いていた。このフォトマスクの
製造工程は第２図に示す工程を有している。即ち、マス
ク基板ＩＫＣｒなどの光を通過させない薄膜２を蒸着、
スパッタリング等で付着しく第２図（ａ）　）　、上記
薄膜２上にレジスト膜３を塗布する（第２図（ｂ））。
次に上記レジスト膜３を露光・現像してレジストパター
ン４を形成する（第２図（Ｃ））。次に上記薄膜２をエ
ツチングしく第２図（ｄ）Ｌ最後にレジスト膜３を除去
して、マスクパターン５を有するフォトマスクを形成す
る（第２図（ｅ））。
しかし、以上の従来の方法により製造されたフォトマス
クでは、洗浄工程などでマスクパターンのはく離が生ず
る為に欠陥が発生し易いという欠点を有する。一方、近
年高記録密度化よりマスクパターンの微細化が要求され
ている為、上記従来の欠点を解決する必要が生じた。
く目　的〉 本発明は、マスクパターンのはく離などの欠陥が発生し
難い信頼性の高い長寿命なフォトマスクを提供するにあ
る。
〈実施例〉 以下、本発明に係るフォトマスクの製造方法の実施例を
図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係るフォトマスクの製造方法を工程順
に示す説明図である。
工程（１）・・・石英またはガラスなどからなる透光性
のマスク基板１の上にレジスト膜３を塗布する（第１図
（ａ））。
工程（１１）・・・上記レジスト膜８に電子線またはレ
ーザー光などを用いて露光を行ない、現像工程を通して
レジストパターン４を形成する（第１図（司）。
工程（１１υ・・・上記レジストパターン４の被覆状態
においてドライエツチングでレジストが被覆されていな
い部分のマスク基板１の異方性エツチングを行なう（第
１図（Ｃ））。
工程ＯＶ）・・・上記ドライエツチング終了後、ウェッ
トエツチングを行ない、マスク基板１の等方性エツチン
グを行なう（第１図（ｄ））。
工程（Ｖｌ・・・上記、ドライエツチング及びウェット
エツチングが終了し、レジストパターン４の被覆状態で
、その上に紫外線などの光を通過させないｃｒ、Ｔａ等
の遮光性薄膜２を蒸着またはスパッタリングなどにより
付着する（第１図（ｅ））。
工程（Ｖ−・・・最後にレジストパターン４上に付着し
た遮光性薄膜２をレジストパターン４とともにはく離し
て、マスクパターン５を有するフォトマスクを形成する
（第１図（ｆ））。
次に第３図に各種エツチング方法でフォトマスク基板に
溝を形成した後、ｃｒ、Ｔａ等の遮光性薄膜２を付着し
た状態での一部断面図を示す。
同図（ａ）のフォトマスクはドライエツチングのみで溝
を形成した場合の状態を示す。ドライエツチングは異方
性エツチングでるるため、マスクパターン５の寸法は精
度良く形成される。しかし、溝。
側壁が略垂直となる為遮光性薄膜２がパターン側壁部６
を覆ってしまい、レジスト部分３に付着した遮光性薄膜
２をはく離することが困難となる。
同図（ｂ）のフォトマスクはウェットエツチングのみで
溝を形成した場合の状態を示す。ウェットエツチングは
等方性エツチングであるため、サイドエツチング部分７
が形成される。この場合、サイドエツチング部分７で薄
膜２が不連続となり、レジスト部分に付着した薄膜２は
簡単にはく離できる。しかし、サイドエツチングにより
、マスクパターン５の寸法の精度が悪くなるという問題
がある。
同図（Ｃ）のフォトマスクは本発明に係るものであり、
ドライエツチングを行ない、次にウェットエツチングを
行なって溝を形成した場合の状態で、最初にドライエツ
チングを行なうことでマスクパターン５の寸法精度が確
保され、後にウェットエツチングを行なって、多少のサ
イドエツチング部分７を形成することにより、レジスト
部分に付着した遮光性薄膜２のはく離を簡単にすること
ができるものである。
次に第４図に従来方式により製造されたフォトマスクと
本発明による方式で製造されたフォトマスクの一部断面
図を示す。
同図（ａ）は、従来方式で製造されたフォトマスクの一
部断面図である。この場合、外部との接触面８は、マス
クパターン５０表面にある。その為洗浄などによる外力
は、直接マスクパターン５に影響し一部でマスクパター
ン５がはく離してしまう虞れがあった。
同図（ｂ）は本発明による方式で製造されたフォトマス
クの一部断面図である。この場合、外部との接触面８が
マスク基板ｌの表面にあり、洗浄などによる外力は、マ
スク基板表面に吸収されて、マスクパターン５は非常に
はく離し難くなる。
く効　果〉 以上の本発明によれば、マスクパターンのはく離が発生
し難く、信頼性の高い長寿命なフォトマスクを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の一実施
例の説明図、第２図は従来の７ォトマスりの製造工程を
示す説明図、第３図は、フォトマスクの製造工程途中の
溝形状を示す一部断面図、第４図は、従来方式と本発明
による方式で製造されたフォトマスク形状を比較する一
部断面図である。 図中、 １：マスク基板 ２：光を通過させない薄膜 ３ニレジスト膜 ４ニレジストパターン ５：マスクパターン ６：パターン側壁部分 ７：サイドエツチング部分 ８：外部との接触面 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他Ｉ名）第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、石英、ガラスなどのマスク基板上にレジスト膜を被
    覆し、該レジスト膜に微細パターンを露光・現像によっ
    て形成し、このレジスト膜パターンの被覆状態で、マス
    ク基板を異方性エッチングした後等方性エッチングし、
    レジスト膜パターンの被覆されていない部分に溝を形成
    し、Ｃｒ、Ｔａ等の遮光性薄膜を蒸着、スパッタリング
    等により付着し、次にレジスト膜パターン上の上記遮光
    性薄膜をレジスト膜と共に除去する工程を有することを
    特徴とするフォトマスクの製造方法。
JP61076338A 1986-02-28 1986-04-01 フオトマスクの製造方法 Granted JPS62231960A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61076338A JPS62231960A (ja) 1986-04-01 1986-04-01 フオトマスクの製造方法
CA000530396A CA1313792C (en) 1986-02-28 1987-02-23 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
DE3789881T DE3789881T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske.
EP87102561A EP0234547B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby
EP92120246A EP0533217B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Photo-mask and method of production thereof
DE3752197T DE3752197T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Photomaske und Herstellungsverfahren dafür
US07/019,704 US5087535A (en) 1986-02-28 1987-02-27 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
US07/684,680 US5457006A (en) 1986-02-28 1991-03-29 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61076338A JPS62231960A (ja) 1986-04-01 1986-04-01 フオトマスクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62231960A true JPS62231960A (ja) 1987-10-12
JPH042939B2 JPH042939B2 (ja) 1992-01-21

Family

ID=13602574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61076338A Granted JPS62231960A (ja) 1986-02-28 1986-04-01 フオトマスクの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62231960A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009145539A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクおよび露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009145539A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクおよび露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH042939B2 (ja) 1992-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0533217B1 (en) Photo-mask and method of production thereof
US4174219A (en) Method of making a negative exposure mask
JP3335092B2 (ja) フォトマスクの製造方法
JPS62201444A (ja) フオトマスクおよびその製造方法
JP2991444B2 (ja) フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JPS62231960A (ja) フオトマスクの製造方法
JPS62231959A (ja) フオトマスクの製造方法
JPH0468352A (ja) 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法
JPH0549213B2 (ja)
JPH04324445A (ja) 露光用マスクおよびその製造方法
JPS6156349A (ja) フオト・マスクの製造方法
KR100310942B1 (ko) 초전도 소자의 포토리소그라피 방법
JPS6333746A (ja) フオトマスクの製造方法
KR0127660B1 (ko) 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법
KR100310943B1 (ko) 초전도 소자의 포토리소그라피 방법
JPH0743885A (ja) 位相シフトフォトマスクの製造方法
JPH11194222A (ja) 光導波路の製造方法
JP2001066762A (ja) 近接場光露光用マスクおよびその作製方法
KR100310978B1 (ko) 초전도 소자의 포토리소그라피 방법
JPS60123842A (ja) ホトマスクの製造方法
JPH06118618A (ja) フォトマスクおよびその製造方法
JPH02244142A (ja) 高精度マスクパターン形成方法
JPH0643626A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
JPS646448B2 (ja)
JPS63173052A (ja) ホトマスク

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term