JPS62211503A - 段差計測装置 - Google Patents
段差計測装置Info
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- JPS62211503A JPS62211503A JP61053755A JP5375586A JPS62211503A JP S62211503 A JPS62211503 A JP S62211503A JP 61053755 A JP61053755 A JP 61053755A JP 5375586 A JP5375586 A JP 5375586A JP S62211503 A JPS62211503 A JP S62211503A
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- polarization
- sample
- optical fiber
- pulse
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は物体表面の段差計測装置に係り、特に、微少段
差量の非接触計測に好適な光ファイバを用いた段差計測
装置に関するもので、例えば、半導体デバイス製造時の
基板上に形成されたパターン部の段差測定などに用いら
れる。
差量の非接触計測に好適な光ファイバを用いた段差計測
装置に関するもので、例えば、半導体デバイス製造時の
基板上に形成されたパターン部の段差測定などに用いら
れる。
従来の微少段差非接触計測の一方法が、アプライl’・
オプティクX (Appled 0ptics )、第
20巻(1981年)t 610〜618頁に論じられ
ている。そこで論じられている方法では、異なった周波
数で発振しているレーザ光のビート信号を利用する。
オプティクX (Appled 0ptics )、第
20巻(1981年)t 610〜618頁に論じられ
ている。そこで論じられている方法では、異なった周波
数で発振しているレーザ光のビート信号を利用する。
ゼーマン効果を利用するとヘリウム−ネオン(He−N
e)レーザにわずかに波長の異なったレーザ光を同時に
発振させることができる。そして、この波長の異なった
レーザ光は、偏光面が互いに直交している。
e)レーザにわずかに波長の異なったレーザ光を同時に
発振させることができる。そして、この波長の異なった
レーザ光は、偏光面が互いに直交している。
このようなレーザ光を第4図に断面構成を示す光学系に
よって物体表面へ集光する。第4図の光学系で要素素子
として用いるウォラストンプリズム41は偏光面が互い
に直交する入射光をそれぞれ異なった方向へ屈折させる
。この屈折作用のため、対物レンズ42による試料43
表面へのレーザ光集光位置は2個所となり、レーザ光の
偏光面によってその集光位置が分離される。試料43表
面で反射された光は再び集光用の対物レンズ42を透過
し、ウォラストンプリズム41の作用によって、分離し
ていた光路が再び一致する。ウォラストンプリズム41
への入射光には周波数の異なるレーザ光が含まれている
ため、偏光素子によって、ある偏光面成分の光を取り出
すと、その偏光面成分のレーザ光はレーザ光の周波数差
に等しい周波数のうなりを。
よって物体表面へ集光する。第4図の光学系で要素素子
として用いるウォラストンプリズム41は偏光面が互い
に直交する入射光をそれぞれ異なった方向へ屈折させる
。この屈折作用のため、対物レンズ42による試料43
表面へのレーザ光集光位置は2個所となり、レーザ光の
偏光面によってその集光位置が分離される。試料43表
面で反射された光は再び集光用の対物レンズ42を透過
し、ウォラストンプリズム41の作用によって、分離し
ていた光路が再び一致する。ウォラストンプリズム41
への入射光には周波数の異なるレーザ光が含まれている
ため、偏光素子によって、ある偏光面成分の光を取り出
すと、その偏光面成分のレーザ光はレーザ光の周波数差
に等しい周波数のうなりを。
生ずる。
ウォラストンプリズム41によって光路を分離し、再び
ウォラストンプリズム41によって光路を一致させるま
での間、互いに直交する偏光面成分の光は別々の光路を
進む。この2つの光路の長さが等しい時には、反射光に
よるうなりの位相はウォラストンプリズム41へ入射す
るレーザ光のうなりと等しい。しかし、光路分離後、再
び光路が一致するまでの光路長が異なる場合には、うな
りの位相に変化が生じる。このうなりの位相変化の原因
である光路長の差は、試料表面の凹凸によって生じるの
で、この位相変化を測定し、その値から試料表面の凹凸
を算出する。
ウォラストンプリズム41によって光路を一致させるま
での間、互いに直交する偏光面成分の光は別々の光路を
進む。この2つの光路の長さが等しい時には、反射光に
よるうなりの位相はウォラストンプリズム41へ入射す
るレーザ光のうなりと等しい。しかし、光路分離後、再
び光路が一致するまでの光路長が異なる場合には、うな
りの位相に変化が生じる。このうなりの位相変化の原因
である光路長の差は、試料表面の凹凸によって生じるの
で、この位相変化を測定し、その値から試料表面の凹凸
を算出する。
一方、光ファイバを用いた微少変位計測法の一例がアプ
ライド・フィジクス・レター(AppliedPhys
ics Letter)、第41巻(1982年)、
231〜233頁に示されている。この方法は光ファ
イバの分岐回路によって2分したレーザ光を、時間差を
設けて試料表面に照射し、反射光を再び方向性結合器に
よって結合し干渉させる。この干渉によって生ずるレー
ザ光の強度変化から、試料への光の照射時間差内に生じ
た試料表面の変位を計測するものである。
ライド・フィジクス・レター(AppliedPhys
ics Letter)、第41巻(1982年)、
231〜233頁に示されている。この方法は光ファ
イバの分岐回路によって2分したレーザ光を、時間差を
設けて試料表面に照射し、反射光を再び方向性結合器に
よって結合し干渉させる。この干渉によって生ずるレー
ザ光の強度変化から、試料への光の照射時間差内に生じ
た試料表面の変位を計測するものである。
上記従来技術のうち、前者は、光学系を構成する要素素
子を光学定盤上に固定し、相互の間隔が振動によって変
化するのを防止する必要があり、そのため、装置の寸法
が太き(なり、また、重量も重(なり、装置の使用上、
問題があった。また、ゼーマン効果を利用する方法であ
ることから、2つの周波数で発振させた、いわゆる、ゼ
ーマンレーザを必要とするなど、装置が高価になるとい
う問題があった。
子を光学定盤上に固定し、相互の間隔が振動によって変
化するのを防止する必要があり、そのため、装置の寸法
が太き(なり、また、重量も重(なり、装置の使用上、
問題があった。また、ゼーマン効果を利用する方法であ
ることから、2つの周波数で発振させた、いわゆる、ゼ
ーマンレーザを必要とするなど、装置が高価になるとい
う問題があった。
後者は、光フアイバ利用により小型軽量化されているが
、測定できる量が時間的に変動する量であり、試料表面
の段差の計測には適用できない。
、測定できる量が時間的に変動する量であり、試料表面
の段差の計測には適用できない。
本発明の目的は、試料表面の微少な段差を測定すること
ができる、小型軽量の、段差計測装置を提供することに
ある。
ができる、小型軽量の、段差計測装置を提供することに
ある。
本発明では、レーザ光源からの直線偏光レーザ光を、偏
光面を保存した状態で伝搬する光ファイバを通して試料
側に導びき、光ファイバから出た光を偏光面が互いに直
交する成分光に2分する光学系を介して試料表面上の互
いに接近した場所に照射し、試料表面からの反射光を上
記光学系を逆行させることで2光路を重ね合わせて上記
光ファイバを逆向きに通して光源側へ導びき、光ファイ
バを出た反射光のうちの入射光の偏光面と平行な成分の
光量と直交する成分の光量とをそれぞれ光検出器で検出
し、これらの光量の比から試料の段差を求める構成とす
ることで、上記問題点を解決する。
光面を保存した状態で伝搬する光ファイバを通して試料
側に導びき、光ファイバから出た光を偏光面が互いに直
交する成分光に2分する光学系を介して試料表面上の互
いに接近した場所に照射し、試料表面からの反射光を上
記光学系を逆行させることで2光路を重ね合わせて上記
光ファイバを逆向きに通して光源側へ導びき、光ファイ
バを出た反射光のうちの入射光の偏光面と平行な成分の
光量と直交する成分の光量とをそれぞれ光検出器で検出
し、これらの光量の比から試料の段差を求める構成とす
ることで、上記問題点を解決する。
光の偏光面を保存した状態で伝搬する光ファイバ(以下
、偏波面保存光ファイバと呼ぶ)を用いてレーザ光源か
らのレーザ光を試料側に導びき、ウォラストンプリズム
およびレンズを通して試料表面に集光する。
、偏波面保存光ファイバと呼ぶ)を用いてレーザ光源か
らのレーザ光を試料側に導びき、ウォラストンプリズム
およびレンズを通して試料表面に集光する。
レーザ光を偏波面保存ファイバにより試料側に導びく時
、試料側の偏波面保存光ファイバ端部から直線偏光が射
出されるように、レーザ光源と偏波面保存ファイバとを
結合する。そして、導びかれた直線偏光レーザ光を、ウ
ォラストンプリズムの作用を利用し、互いに直交する偏
光面成分に2分し、レンズにより、試料表面上の異なっ
た場所に集光させる。
、試料側の偏波面保存光ファイバ端部から直線偏光が射
出されるように、レーザ光源と偏波面保存ファイバとを
結合する。そして、導びかれた直線偏光レーザ光を、ウ
ォラストンプリズムの作用を利用し、互いに直交する偏
光面成分に2分し、レンズにより、試料表面上の異なっ
た場所に集光させる。
試料表面で反射されたレーザ光は入射光路を逆行し、分
離した光路が再び、ウォラストンプリズムによって、一
致する。このように、ウォラストンプリズムによって2
分されたレーザ光は、その偏光面成分に応じてそれぞれ
異なった光路を通り、再びウォラストンプリズムによっ
て重ね合わされる。この2つの光路の長さが等しい場合
には、ウォラストンプリズムで重ね合わされた光は、ウ
ォラストンプリズムへの入射レーザ光と同じ偏光面の直
線偏光になる。もし、2つの光路の長さが試料表面の凹
凸により異なる場合には、重ね合わされたレーザ光は楕
円偏光となり、入射レーザ光の偏光面に直交する偏光面
成分が生じる。
離した光路が再び、ウォラストンプリズムによって、一
致する。このように、ウォラストンプリズムによって2
分されたレーザ光は、その偏光面成分に応じてそれぞれ
異なった光路を通り、再びウォラストンプリズムによっ
て重ね合わされる。この2つの光路の長さが等しい場合
には、ウォラストンプリズムで重ね合わされた光は、ウ
ォラストンプリズムへの入射レーザ光と同じ偏光面の直
線偏光になる。もし、2つの光路の長さが試料表面の凹
凸により異なる場合には、重ね合わされたレーザ光は楕
円偏光となり、入射レーザ光の偏光面に直交する偏光面
成分が生じる。
光路長の差を2dとすると光の位相差Δは。
Δ= −(2d) ・・・・・・・
・・(1)λ となる。ただし、λは光の波長である。
・・(1)λ となる。ただし、λは光の波長である。
重ね合わせによって生じた楕円偏光を偏光面が入射光の
偏光面と平行な成分Aと直角な成分Bとに分けると各偏
光面成分の光量は次のようになる。
偏光面と平行な成分Aと直角な成分Bとに分けると各偏
光面成分の光量は次のようになる。
成分Aの光量”C092Δ ・・・・・・・・
・(2)成分Bの光量oc 5in2Δ ・・
・・・・・・・(3)この2つの偏光面成分の光は、そ
れぞれ、偏波面保存光ファイバによってレーザ光源側に
伝えられる。そして、各偏光面成分光を分離し、その光
量を測定する。光量の比R(=B/A)は次のようにな
る。
・(2)成分Bの光量oc 5in2Δ ・・
・・・・・・・(3)この2つの偏光面成分の光は、そ
れぞれ、偏波面保存光ファイバによってレーザ光源側に
伝えられる。そして、各偏光面成分光を分離し、その光
量を測定する。光量の比R(=B/A)は次のようにな
る。
R= 5in2Δ/C082Δ=tan2Δ ・
・・・・・・・・(4)Δの値が小さな場合、式(4)
は R=Δ2=(−・2d)2 ・・・・・
・・・・(5)λ と近似できる。
・・・・・・・・(4)Δの値が小さな場合、式(4)
は R=Δ2=(−・2d)2 ・・・・・
・・・・(5)λ と近似できる。
したがって、光量比Rから式(5)を用いて光路差2d
を算出できる。光路2dの1/2が、試料表面上に光を
集光した2点の高さの差dとなる。
を算出できる。光路2dの1/2が、試料表面上に光を
集光した2点の高さの差dとなる。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
実施例1
第1図に本実施例の光学系統図を示す。第1図において
、11は直線偏光レーザ光12−aを射出するレーザ光
源(例えば気体レーザ)である。13−aはハーフ・ミ
ラー機能を持つビームスプリッタで、入射直線偏光レー
ザ光の偏光面を保持した、またその一部分を透過し、残
りの部分を反射するもの、13−bは偏光ビームスプリ
ッタで、入射直線偏光レーザ光の偏光面に平行な成分は
透過し、直角な成分は反射する機能を持つ。14−aは
レンズで、レーザ光12−aを偏波面保存光ファイバ1
5の光源側端面に集光する。14−bは、偏波面保存光
ファイバ15の試料側端面から射出されるレーザ光を平
行光束に変換するレンズである。13−Cはウォラスト
ンプリズムで、レンズ14−bで平行光束に変換された
直線偏光のレーザ光を、偏光面が互いに直交する2成分
に分離し、異なった方向に光の進行方向を曲げるように
、プリズム結晶軸の方向を定めて設置する。レンズ14
−Cは、ウォラストンプリズム13−Cを透過したレー
ザ光を試料16の表面上に集光する。
、11は直線偏光レーザ光12−aを射出するレーザ光
源(例えば気体レーザ)である。13−aはハーフ・ミ
ラー機能を持つビームスプリッタで、入射直線偏光レー
ザ光の偏光面を保持した、またその一部分を透過し、残
りの部分を反射するもの、13−bは偏光ビームスプリ
ッタで、入射直線偏光レーザ光の偏光面に平行な成分は
透過し、直角な成分は反射する機能を持つ。14−aは
レンズで、レーザ光12−aを偏波面保存光ファイバ1
5の光源側端面に集光する。14−bは、偏波面保存光
ファイバ15の試料側端面から射出されるレーザ光を平
行光束に変換するレンズである。13−Cはウォラスト
ンプリズムで、レンズ14−bで平行光束に変換された
直線偏光のレーザ光を、偏光面が互いに直交する2成分
に分離し、異なった方向に光の進行方向を曲げるように
、プリズム結晶軸の方向を定めて設置する。レンズ14
−Cは、ウォラストンプリズム13−Cを透過したレー
ザ光を試料16の表面上に集光する。
レーザ光源11から射出された直線偏光レーザ光12−
aは、ビームスプリッタ13−al偏光ビームスプリッ
タ13−bを透過後、レンズ14−aによって偏波面保
存光ファイバ15の光源側端面に集光される。
aは、ビームスプリッタ13−al偏光ビームスプリッ
タ13−bを透過後、レンズ14−aによって偏波面保
存光ファイバ15の光源側端面に集光される。
第2図は偏波面保存光ファイバ15の端面構造の一例を
示す。21はコア、22はクラッド、23は楕円クラッ
ド、24はジャケットである。25は楕円クラッドの長
軸、26は短軸を表わす。第2図に示した偏波面保存光
ファイバでは、楕円クラッドの長軸方向や短軸方向と偏
光面が平行な光が偏光面を保存された状態で光を伝搬す
る。
示す。21はコア、22はクラッド、23は楕円クラッ
ド、24はジャケットである。25は楕円クラッドの長
軸、26は短軸を表わす。第2図に示した偏波面保存光
ファイバでは、楕円クラッドの長軸方向や短軸方向と偏
光面が平行な光が偏光面を保存された状態で光を伝搬す
る。
第1図実施例においては、偏波面保存光ファイバ15は
、例えば楕円クラッドの長軸方向が、レンズ14−aに
よって集光される直線偏光レーザ光12−aの偏光面に
平行になるように調整する。そのようなレーザ光は、偏
波面保存光ファイバ15の試料側端面から直線偏光のレ
ーザ光として射出される。
、例えば楕円クラッドの長軸方向が、レンズ14−aに
よって集光される直線偏光レーザ光12−aの偏光面に
平行になるように調整する。そのようなレーザ光は、偏
波面保存光ファイバ15の試料側端面から直線偏光のレ
ーザ光として射出される。
直線偏光は、偏光面が±π/4だけ異なった互いに直交
する2つの波光面成分に分解することができる。第3図
は、直線偏光と、分解した互いに直交する偏光面成分と
の関係を示したもので、31は直線偏光、32と33は
互いに直交しており、そして直線偏光31に対し±π/
4だけ偏光面方向が異なっている成分光を示している。
する2つの波光面成分に分解することができる。第3図
は、直線偏光と、分解した互いに直交する偏光面成分と
の関係を示したもので、31は直線偏光、32と33は
互いに直交しており、そして直線偏光31に対し±π/
4だけ偏光面方向が異なっている成分光を示している。
偏波面保存光ファイバ15の試料側端面から射出された
直線偏光レーザ光は、ウォラストンプリズム13−Cに
よって、互いに直交する偏光面成分に分離され、偏光面
成分に応じてそれぞれ異なった方向に進むようにその進
行方向を曲げられる。12−b。
直線偏光レーザ光は、ウォラストンプリズム13−Cに
よって、互いに直交する偏光面成分に分離され、偏光面
成分に応じてそれぞれ異なった方向に進むようにその進
行方向を曲げられる。12−b。
12−Cはそれぞれの方向に進んだ直線偏光レーザ光を
示す。
示す。
レンズ14−Cは、ウォラストンプリズム13−Cによ
って進行方向を曲げられた光を試料16の表面に集光す
る。集光位置はレーザ光の進行方向に対応して異なった
位置となる。
って進行方向を曲げられた光を試料16の表面に集光す
る。集光位置はレーザ光の進行方向に対応して異なった
位置となる。
試料表面で反射された光は入射光路を逆行し、ウォラス
トンプリズム13−Cを通ることで2光路が一致し、さ
らに偏波面保存光ファイバ15内を逆向きに進んでレー
ザ光源側へ進む。レーザ光源側へ進んだレーザ光のうち
、偏光面が入射光の偏光面に直交するレーザ光は、偏光
ビームスプリッタ13−bで分離されて直線偏光レーザ
光12−dとなる。
トンプリズム13−Cを通ることで2光路が一致し、さ
らに偏波面保存光ファイバ15内を逆向きに進んでレー
ザ光源側へ進む。レーザ光源側へ進んだレーザ光のうち
、偏光面が入射光の偏光面に直交するレーザ光は、偏光
ビームスプリッタ13−bで分離されて直線偏光レーザ
光12−dとなる。
一方、偏光面が入射光に平行な反射レーザ光は偏光ビー
ムスプリッタ13−bを透過し、ビームスプリッタ13
−aに入射し、そして、その一部分が分離され、直線偏
光レーザ光12−eとなる。
ムスプリッタ13−bを透過し、ビームスプリッタ13
−aに入射し、そして、その一部分が分離され、直線偏
光レーザ光12−eとなる。
反射光のうちの、入射光偏光面と直角なレーザ光12−
dと平行なレーザ光12−eの光量をそれぞれ光電変換
器1.7−a、 17−bでB、Aとして測定する。
dと平行なレーザ光12−eの光量をそれぞれ光電変換
器1.7−a、 17−bでB、Aとして測定する。
そして、測定した光量比R’=B/Aを割算器18で求
め、このR′とビームスプーリツタ13−a、13−b
の透過率で定まる定数との積の値から、偏向面が互いに
直交する反射光の光量比Rを算出する。この光量比Rの
値から前述のように式(5)を用いて試料表面の段差d
を求める。
め、このR′とビームスプーリツタ13−a、13−b
の透過率で定まる定数との積の値から、偏向面が互いに
直交する反射光の光量比Rを算出する。この光量比Rの
値から前述のように式(5)を用いて試料表面の段差d
を求める。
実施例2
本実施例では、第1図に示す構成において、レーザ光源
11として半導体レーザを用いる。ただし、半導体レー
ザから放射されるレーザ光は広がり角が大きいため、こ
れを平行光束に変換するためのレンズを半導体レーザに
組み合わせる。この組み合わせたものを第1図のレーザ
光源11として用いる。その他の装置構成及び動作の機
構は実施例1と同じである。
11として半導体レーザを用いる。ただし、半導体レー
ザから放射されるレーザ光は広がり角が大きいため、こ
れを平行光束に変換するためのレンズを半導体レーザに
組み合わせる。この組み合わせたものを第1図のレーザ
光源11として用いる。その他の装置構成及び動作の機
構は実施例1と同じである。
実施例3
本実施例では、試料上の多くの場所について段差を計測
し、その段差の大きさを測定場所に対応させて表示し、
試料形状を画像化する装置を示す。
し、その段差の大きさを測定場所に対応させて表示し、
試料形状を画像化する装置を示す。
本実施例の装置構成を第5図に示す。第5図において、
符号11から18−aの部分は実施例1に述べた装置と
同じものであるJ一本実施例は第1図の装置に構成要素
19−a〜19−eから成る試料走査機構部と、構成要
素18−b〜工8−1から成る制御系、18−j〜18
−o及びl−a〜l−dから成る信号処理及び表示部を
加えたものである。
符号11から18−aの部分は実施例1に述べた装置と
同じものであるJ一本実施例は第1図の装置に構成要素
19−a〜19−eから成る試料走査機構部と、構成要
素18−b〜工8−1から成る制御系、18−j〜18
−o及びl−a〜l−dから成る信号処理及び表示部を
加えたものである。
まず、試料走査機構部と制御系について説明する。19
−aはX軸方向に移動するスライド台で、Y軸方向にス
ライドするスライド台19−bの上に乗っている。スラ
イド台19−bはさらに固定台19−Cに乗っている。
−aはX軸方向に移動するスライド台で、Y軸方向にス
ライドするスライド台19−bの上に乗っている。スラ
イド台19−bはさらに固定台19−Cに乗っている。
スライド台19−a、 19−bはそれぞれパルスモー
タ19−d、19−eによって駆動される。スライド台
19−aと19−bがそれぞれ最大移動位置に達すると
、X軸方向の近接センサ19−f、Y軸方向の近接セン
サ19−gがそれぞれ作動して信号を発生する。
タ19−d、19−eによって駆動される。スライド台
19−aと19−bがそれぞれ最大移動位置に達すると
、X軸方向の近接センサ19−f、Y軸方向の近接セン
サ19−gがそれぞれ作動して信号を発生する。
パルスモータ19−dと19−eは制御系のクロックパ
ルス発生器18−bから送られるパルス信号を基準とし
て駆動される。18−Cはm個のクロックパルスが入力
するごとに1個のパルスを発生する分周器として機能す
るパルス発生回路で、この出力パルスによってX軸方向
駆動用のパルスモータ19−dを駆動する。1個のパル
スによるスライド台19−aの移動量は、試料16上へ
の直線偏光レーザ光12−b、12−Cの集光点の間隔
と同じになるように設定する。
ルス発生器18−bから送られるパルス信号を基準とし
て駆動される。18−Cはm個のクロックパルスが入力
するごとに1個のパルスを発生する分周器として機能す
るパルス発生回路で、この出力パルスによってX軸方向
駆動用のパルスモータ19−dを駆動する。1個のパル
スによるスライド台19−aの移動量は、試料16上へ
の直線偏光レーザ光12−b、12−Cの集光点の間隔
と同じになるように設定する。
18−dはY軸方向駆動用のパルスモータ19−eを動
作させるためのパルス発生回路で、クロックパルスの分
周器となっている。18−eはパルスモータ19−dの
励磁コイルに流れる電流の方向を反転させるためのスイ
ッチ回路である。このスイッチ回路18−eを作動させ
、励磁用磁界の方向を逆転させることによりパルスモー
タ19−dの回転方向を逆転させる。
作させるためのパルス発生回路で、クロックパルスの分
周器となっている。18−eはパルスモータ19−dの
励磁コイルに流れる電流の方向を反転させるためのスイ
ッチ回路である。このスイッチ回路18−eを作動させ
、励磁用磁界の方向を逆転させることによりパルスモー
タ19−dの回転方向を逆転させる。
18−fはスイッチ回路18−eを作動させるパルスを
発生させるためのパルス発生回路で、X軸方向近接セン
サ19−fから出力する0N−OFF信号と、パルス発
生回路18−dの出力信号とを入力とするOR回路であ
る。
発生させるためのパルス発生回路で、X軸方向近接セン
サ19−fから出力する0N−OFF信号と、パルス発
生回路18−dの出力信号とを入力とするOR回路であ
る。
18−gはY軸方向駆動用のパルスモータ19−eの励
磁電流の方向を切替えるスイッチ回路である。
磁電流の方向を切替えるスイッチ回路である。
18−hはスイッチ回路18−gを作動させるパルスを
発生するパルス発生回路で、Y軸方向近接センサ19−
gから出力する0N−OFF信号と、パルス発生回路1
8−1の出力信号とを入力信号とするOR回路である。
発生するパルス発生回路で、Y軸方向近接センサ19−
gから出力する0N−OFF信号と、パルス発生回路1
8−1の出力信号とを入力信号とするOR回路である。
パルス発生回路18−1はクロックパルスの分周器とな
っている。段差の画像化に用いる測定点がX軸方向にy
個、Y軸方向にy個で、二次元平面上で合計x−y個で
あるとすると、パルス発生回路18−1ではm−x−y
個のクロックパルスごとに1個のパルスを発生させる。
っている。段差の画像化に用いる測定点がX軸方向にy
個、Y軸方向にy個で、二次元平面上で合計x−y個で
あるとすると、パルス発生回路18−1ではm−x−y
個のクロックパルスごとに1個のパルスを発生させる。
パルス発生回路18−c、 18−d、 18−iはい
ずれもクロックパルスの分周器となっており、クロック
パルスを計数してそれぞれ設定された数になった時に出
力パルスを発生する。これらの分周器はスライド台19
−a、19−bの移動と同期をとるため、同一のクロッ
クパルスを基準として計数を開始させることか必要であ
る。そこで、各分周器には計数開始用のパルスとして、
パルス発生回路18−jの出力パルスを送る。パルス発
生回路18−」はX軸方向近接センサ19−fとY−軸
方向近接センサ19−gから出力されるON −OFF
信号を入力とするAND回路である。
ずれもクロックパルスの分周器となっており、クロック
パルスを計数してそれぞれ設定された数になった時に出
力パルスを発生する。これらの分周器はスライド台19
−a、19−bの移動と同期をとるため、同一のクロッ
クパルスを基準として計数を開始させることか必要であ
る。そこで、各分周器には計数開始用のパルスとして、
パルス発生回路18−jの出力パルスを送る。パルス発
生回路18−」はX軸方向近接センサ19−fとY−軸
方向近接センサ19−gから出力されるON −OFF
信号を入力とするAND回路である。
次に表示部について説明する。18−には割算器18−
aの出力をディジタル信号に変換するAD変換器である
。18−1!はAD変換器18−にの出力を積分する積
分回路である。この積分回路には初期化用信号としてパ
ルス発生回路18−jの出力パルスが送られ、また、X
軸方向スライド台19−aの1ステツプごとに積分動作
を行わせるためのパルスとしてパルス発生回路18−〇
の出力パルスが送られてくる。
aの出力をディジタル信号に変換するAD変換器である
。18−1!はAD変換器18−にの出力を積分する積
分回路である。この積分回路には初期化用信号としてパ
ルス発生回路18−jの出力パルスが送られ、また、X
軸方向スライド台19−aの1ステツプごとに積分動作
を行わせるためのパルスとしてパルス発生回路18−〇
の出力パルスが送られてくる。
18−mはメモリ回路で、段差信号である積分回路18
−lの出力信号と、測定場所の番地信号としてパルス発
生回路18−Cの出力信号および18−dの出力信号が
入力信号として入力される。このメモリ回路18−mに
も初期化用信号としてパルス発生回路18−jの出力パ
ルスが送られ、さらに、X軸方向へのスライド台19−
aの1ステツプごとに読み込みを行わせるための信号と
してパルス発生回路18−Cの出力パルスが送ら−れる
。
−lの出力信号と、測定場所の番地信号としてパルス発
生回路18−Cの出力信号および18−dの出力信号が
入力信号として入力される。このメモリ回路18−mに
も初期化用信号としてパルス発生回路18−jの出力パ
ルスが送られ、さらに、X軸方向へのスライド台19−
aの1ステツプごとに読み込みを行わせるための信号と
してパルス発生回路18−Cの出力パルスが送ら−れる
。
18−nはDA変換器で、メモリ回路18−mから読み
出した段差信号をアナログ電圧信号とし、その出力を陰
極線管1−dの輝度変調用端子1−aに送り、陰極線管
の輝度変調を行う。18−oと18−pはDA変換器で
、メモリ回路18−mから読み出した段差測定位置の番
地信号をアナログ電流信号とし、その出力を陰極線管1
−dのX軸用とY軸用の偏向コイル1−b、1−Cにそ
れぞれ送り、電子線を偏向させ、陰極線管上のビームス
ポット位置を段差測定場所に対応させる。
出した段差信号をアナログ電圧信号とし、その出力を陰
極線管1−dの輝度変調用端子1−aに送り、陰極線管
の輝度変調を行う。18−oと18−pはDA変換器で
、メモリ回路18−mから読み出した段差測定位置の番
地信号をアナログ電流信号とし、その出力を陰極線管1
−dのX軸用とY軸用の偏向コイル1−b、1−Cにそ
れぞれ送り、電子線を偏向させ、陰極線管上のビームス
ポット位置を段差測定場所に対応させる。
次に本実施例装置の動作について説明する。まず、クロ
ックパルス発生器18−bにょるクロックパルスの発生
にともなって、パルス発生回路18−c、 18−dが
作動し、それぞれパルスモータ19−d。
ックパルス発生器18−bにょるクロックパルスの発生
にともなって、パルス発生回路18−c、 18−dが
作動し、それぞれパルスモータ19−d。
19−eの駆動用パルスが発生する。パルスモータの回
転によってスライド台19−a、19−bが移動し、X
軸方向近接センサ19−fとY軸方向近接センサ19−
gを作動させる。この2つの近接センサからの信号パル
スによってパルス発生回路18−jが1個のパルスを発
生する。このパルスはパルス発生回路18−C,18−
d、 ts−1および積分回路18−J、メモリ回路1
8−mに送られており、各回路がこのパルスが送られる
ことによって各回路の初期化を行う。
転によってスライド台19−a、19−bが移動し、X
軸方向近接センサ19−fとY軸方向近接センサ19−
gを作動させる。この2つの近接センサからの信号パル
スによってパルス発生回路18−jが1個のパルスを発
生する。このパルスはパルス発生回路18−C,18−
d、 ts−1および積分回路18−J、メモリ回路1
8−mに送られており、各回路がこのパルスが送られる
ことによって各回路の初期化を行う。
そして、同時に、パルス発生回路18−fとスイッチ回
路18−eおよびパルス発生回路18−hとスイッチ回
路18−gが作動し、パルスモータ19−dと19−e
の回転方向が逆転し、スライド台19−a、19−bが
それまでとは逆方向に移動する。
路18−eおよびパルス発生回路18−hとスイッチ回
路18−gが作動し、パルスモータ19−dと19−e
の回転方向が逆転し、スライド台19−a、19−bが
それまでとは逆方向に移動する。
クロックパルスのm個ごとにX軸方向にスライド台が1
ステツプ移動し、各ステップごとに段差が計測される。
ステツプ移動し、各ステップごとに段差が計測される。
割算器18−aの出力である段差信号はAD変換器18
−にでディジタル変換され、積分回路18−lにより積
分される。段差信号は隣り合った場所との高さの差を示
しているため、各測定点での段差を積分回路で加算する
と、各ステップにおける積分回路18−1!の出力は、
初期化パルスが発生した時の測定場所を基準とした各測
定点の高さを表わすことになる。
−にでディジタル変換され、積分回路18−lにより積
分される。段差信号は隣り合った場所との高さの差を示
しているため、各測定点での段差を積分回路で加算する
と、各ステップにおける積分回路18−1!の出力は、
初期化パルスが発生した時の測定場所を基準とした各測
定点の高さを表わすことになる。
そのため、スライド台19−aの移動lステップごとに
、その測定点における高さがメモリ回路18−mに書き
込まれ、同時に測定場所の信号も書き込まれる。クロッ
クパルスがm−x個発生するとスライド台19−aはX
ステップ移動する。その時、パルス発生回路18−dは
1個のパルスを発生する。
、その測定点における高さがメモリ回路18−mに書き
込まれ、同時に測定場所の信号も書き込まれる。クロッ
クパルスがm−x個発生するとスライド台19−aはX
ステップ移動する。その時、パルス発生回路18−dは
1個のパルスを発生する。
このパルスによりて、パルス発生回路18−fとスイッ
チ回路1B−eが作動し、パルスモータ19−dの回転
方向を逆転させる。そのため、次のm個のクロックパル
スごとにスライド台19−aは今までとは逆方向に向っ
て動(。
チ回路1B−eが作動し、パルスモータ19−dの回転
方向を逆転させる。そのため、次のm個のクロックパル
スごとにスライド台19−aは今までとは逆方向に向っ
て動(。
一方、パルス発生回路18−dの出力は同時にパルスモ
ータ19−eを1ステップ動作させ、スライド台19−
bをY軸方向に移動させる。そして、それに続(X軸方
向のスライド台の移動によって次の測定点の段差測定を
行っていく。各ステップの段差測定動作は前述のステッ
プの場合と同じである。
ータ19−eを1ステップ動作させ、スライド台19−
bをY軸方向に移動させる。そして、それに続(X軸方
向のスライド台の移動によって次の測定点の段差測定を
行っていく。各ステップの段差測定動作は前述のステッ
プの場合と同じである。
クロックパルスが初期化パルス発生時から計数して、m
−x・y個になった時にパルス発生回路18−1が作
動し、1個のパルスを発生する。このパルスによって、
パルス発生回路18−hとスイッチ回路18−gを作動
させ、パルスモータ19−eの回転方向を逆転させる。
−x・y個になった時にパルス発生回路18−1が作
動し、1個のパルスを発生する。このパルスによって、
パルス発生回路18−hとスイッチ回路18−gを作動
させ、パルスモータ19−eの回転方向を逆転させる。
そして、次々と各点の段差計測を続ける。
メモリ回路18−mに記憶された各点の高さ信号と番地
信号は、DA変換器18−n、 18−0.18−p
T:アナログ化され、さらに、その信号によって、陰極
線管1−d上に、各点の高さに比例した輝度で表示され
、これにより、試料の段差構造が二次元的に表示される
。
信号は、DA変換器18−n、 18−0.18−p
T:アナログ化され、さらに、その信号によって、陰極
線管1−d上に、各点の高さに比例した輝度で表示され
、これにより、試料の段差構造が二次元的に表示される
。
本発明によれば、光ファイバを用いる構成であることか
ら装置に柔軟性が備わり、従来装置で必要とした光学定
盤が不要となり、小型軽量化され、操作性が向上する。
ら装置に柔軟性が備わり、従来装置で必要とした光学定
盤が不要となり、小型軽量化され、操作性が向上する。
測定結果は、偏光面が入射光偏光面に平行な反射光と直
交する反射光の比として得られるため、レーザ光源の出
力に変動が存在・しても測定結果への影響はなく、した
がって、安価なレーザ光源の使用が可能になり、経済的
にも優れている。
交する反射光の比として得られるため、レーザ光源の出
力に変動が存在・しても測定結果への影響はなく、した
がって、安価なレーザ光源の使用が可能になり、経済的
にも優れている。
また、本発明によれば、多重干渉を利用した段差計測と
異なり、試料表面反射率が小さな試料でも微少な段差を
計測できる利点がある。
異なり、試料表面反射率が小さな試料でも微少な段差を
計測できる利点がある。
第1図は本発明の一実施例の装置構成図、第2図は本発
明で用いる偏波面保存光ファイバの断面構造図、第3図
は直線偏光の偏光面と分解した成分光の偏光面との関係
の説明図、第4図はウォラストンプリズムによる光の分
離と重ね合わせの説明図、第5図は本発明の他の実施例
の装置構成図である。 く符号の説明〉 11・・・レーザ光源 13−a・・・ビームスプ
リッタ13−b・・・偏光ビームスプリッタ 13−C,41・・・ウォラストンプリズム14−a
〜14−c ・−L/ ンズ15・・・偏波面保存光フ
ァイバ 17−a、 17−b−光電検出器 18−a・・・割算器 18−b・・・クロック
パルス発生器18−/・・・積分回路 18−m・・
・メモリ回路19−a、 19−b−ス5 イl’台−
。 19−d、 19−e・・・パルスモータ19−f、
19−g・・・近接センサ21・・・コア
22・・・クラッド23・・・楕円クラッド 16.
43・・・試料代理人弁理士 中 村 純忠 助 才2図 才3図 矛4図
明で用いる偏波面保存光ファイバの断面構造図、第3図
は直線偏光の偏光面と分解した成分光の偏光面との関係
の説明図、第4図はウォラストンプリズムによる光の分
離と重ね合わせの説明図、第5図は本発明の他の実施例
の装置構成図である。 く符号の説明〉 11・・・レーザ光源 13−a・・・ビームスプ
リッタ13−b・・・偏光ビームスプリッタ 13−C,41・・・ウォラストンプリズム14−a
〜14−c ・−L/ ンズ15・・・偏波面保存光フ
ァイバ 17−a、 17−b−光電検出器 18−a・・・割算器 18−b・・・クロック
パルス発生器18−/・・・積分回路 18−m・・
・メモリ回路19−a、 19−b−ス5 イl’台−
。 19−d、 19−e・・・パルスモータ19−f、
19−g・・・近接センサ21・・・コア
22・・・クラッド23・・・楕円クラッド 16.
43・・・試料代理人弁理士 中 村 純忠 助 才2図 才3図 矛4図
Claims (1)
- 1、レーザ光源からの直線偏光レーザ光を、偏光面を保
存した状態で伝搬する光ファイバを通して試料側に導び
き、光ファイバから出た光を偏光面が互いに直交する成
分光に2分する光学系を介して試料表面上の互いに接近
した場所に照射し、試料表面からの反射光を上記光学系
を逆行させることで2光路を重ね合わせて上記光ファイ
バを逆向きに通して光源側へ導びき、光ファイバを出た
反射光のうちの入射光の偏光面と平行な成分の光量と直
交する成分の光量とをそれぞれ光検出器で検出し、これ
らの光量の比から試料の段差を求めることを特徴とする
段差計測装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61053755A JPS62211503A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 段差計測装置 |
US07/017,610 US4770532A (en) | 1986-03-13 | 1987-02-24 | Equipment for optically measuring the height of step |
KR1019870001860A KR900003116B1 (ko) | 1986-03-13 | 1987-03-03 | 단차계측장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61053755A JPS62211503A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 段差計測装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62211503A true JPS62211503A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=12951627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61053755A Pending JPS62211503A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 段差計測装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4770532A (ja) |
JP (1) | JPS62211503A (ja) |
KR (1) | KR900003116B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02171712A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 走査型光学顕微鏡 |
JPH02188711A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-24 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ光学装置 |
JPH10300422A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-11-13 | Instruments Sa | 薄膜スタック上に堆積された表面層の本来の場所における三次元測定および観察のための装置および方法 |
JP2009511889A (ja) * | 2005-10-14 | 2009-03-19 | ナノテック ソルーション | パターンの高さを測定する方法及び装置 |
JP2012060131A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Asml Netherlands Bv | アライメント測定システム、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置においてのアライメントを決定する方法 |
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CH671828A5 (ja) * | 1987-06-26 | 1989-09-29 | Battelle Memorial Institute | |
DE68929464T2 (de) * | 1988-07-13 | 2003-11-20 | Optiscan Pty Ltd | Rastermikroskop |
CA1325537C (en) | 1988-08-01 | 1993-12-28 | Timothy Peter Dabbs | Confocal microscope |
US4933541A (en) * | 1989-06-29 | 1990-06-12 | Canadian Patents And Development Ltd. - Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee | Method and apparatus for active vision image enhancement with wavelength matching |
FR2680414B1 (fr) * | 1991-08-14 | 1995-05-24 | Sofie | Ensemble d'observation et de mesures interferometriques simultanees par laser, en particulier sur des structures a couches minces. |
US5323647A (en) * | 1993-01-05 | 1994-06-28 | Pave Tech Inc. | Apparatus and method for measuring height variations in a surface |
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JPH08122026A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nikon Corp | 微小段差測定方法 |
US5561244A (en) * | 1995-03-10 | 1996-10-01 | Bridgestone/Firestone, Inc. | Method and apparatus for measuring the dynamic camber of vehicle tires |
US5784163A (en) * | 1996-09-23 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Optical differential profile measurement apparatus and process |
US5926266A (en) * | 1996-09-23 | 1999-07-20 | International Business Machines Corporation | Optical apparatus for rapid defect analysis |
US5699160A (en) * | 1996-09-23 | 1997-12-16 | International Business Machines Corporation | Optical apparatus for inspecting laser texture |
US5822211A (en) * | 1996-11-13 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Laser texturing apparatus with dual laser paths having an independently adjusted parameter |
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JP6190168B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2017-08-30 | キヤノン株式会社 | 合焦方法、合焦装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
CN104634256B (zh) * | 2015-03-09 | 2017-03-22 | 北京交通大学 | 一种光纤激光单波自混合干涉位移测量系统 |
CN104677296A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-06-03 | 北京交通大学 | 一种光纤激光拍波和单波自混合干涉融合的位移测量系统 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1983000216A1 (en) * | 1981-07-07 | 1983-01-20 | Mcmurtry, David, Roberts | Method of and device for measuring dimensions |
CH655570B (ja) * | 1982-03-09 | 1986-04-30 | ||
JPS60100114A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-04 | Canon Inc | 合焦検出装置 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61053755A patent/JPS62211503A/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-24 US US07/017,610 patent/US4770532A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-03 KR KR1019870001860A patent/KR900003116B1/ko not_active Expired
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---|---|---|---|---|
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JPH02188711A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-24 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ光学装置 |
JPH10300422A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-11-13 | Instruments Sa | 薄膜スタック上に堆積された表面層の本来の場所における三次元測定および観察のための装置および方法 |
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US9280057B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Alignment measurement system, lithographic apparatus, and a method to determine alignment of in a lithographic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4770532A (en) | 1988-09-13 |
KR900003116B1 (ko) | 1990-05-08 |
KR870009210A (ko) | 1987-10-24 |
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