JPS62205511A - 磁気ヘツド特性測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、磁気ヘッドの記録効率や再生効率である電磁
変換効率を求める磁気ヘッド特性測定装置ａに関する。

〈従来の技術と問題点〉 磁気ヘッドには、その特性を得るだめ記屍効率や再生効
率である電磁変換効率を求める測定が行なわれる。この
測定は、磁気記録媒体を実使用状態におき、磁気ヘッド
から媒体への記録及び媒体からの磁気ヘッドによる再生
を実際に行なって、変換効率を求めるものである。

ところが、実使用状態におくことは、測定時間が長くか
かることになり、また測定に当りいわゆる慣れが必要で
指導を受けたオペレータが必要になる。更に、媒体自体
に磁気特性のばらつきがあり、また媒体を被測定磁気ヘ
ッドに対して高速移動させることから磁気ヘッドと媒体
との間に微小なスペーシング変動が生ずるために、正確
な測定が困難であった０ そこで、本発明は上述の問題点に鑑み磁気記Ｏ媒体を介
さずに磁気ヘッドの電磁変換効率を直接測定して、従来
に比べて測定時間を短縮し、オペレータへの指導も必要
なく、高精変な測定を可能とした磁気ヘッド特性測定装
置の提供を目的とする。

〈間ｍ点を解決するだめの手段〉 上述の目的を達成するため本発明は、基準面の両側に一
定距離離間して、互いに同一形状のＭＲ素子でできた第
１薄膜体及び第２薄膜体を上記基準面と平行に配置した
磁気ヘッド特性測定装置にあり、また、基準面の両側に
一定距離離間しかつ互いに同一形状のＭＲ素子でできし
かも上記基準面と平行に配置した第１薄膜体及び第２薄
膜体を、それぞれ一定電源に接続すると共に前置増＠器
を介して測定器に接続した磁気ヘッド特性測定装置にあ
る。

く作　用〉 基準面を磁気ヘッドのギャップ中央に一致させることに
より、イヤツブにて生じたもれ磁束変化による磁界の垂
直磁界成分の変化をＭＲ素子にて検出できることになり
、しかも２個のＭＲ素子による検出値の相加平均をとる
ことで精度を向上させている。

〈実施例〉 ここで、本発明の実施例を図を参照して１説明する。第
１図は、磁気ヘッド特性測定装置の一例の要部斜視図で
ある。第１図において、この磁気ヘッド特性測定装置は
、４つに区画されるガラス等の基板１の測面上に、ＭＲ
素子２　（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ素子：
磁気抵抗素子）がｉｌ電極と共に被着形成される薄膜体
を有する。すなわち、３枚の基板１の各側面に例えばパ
ーマロイからなるＭＲ素子２を極く憩く例えば５００Ａ
程度の厚さに被着し、この帯状に被着したＭＲ素子２の
両端に導電膜３ａをつなげて被着し、更にこの導電膜３
ａそれぞれに電極３をつなげて被着しており、第２図に
示すように基板１の側面下部にＭＲ素子２が配置され、
基板１の側面上部両端に電極３が配置されている。

３枚の基板１にそれぞれ被着されたＭＲ素子２は、それ
ぞれ平行に立てて配置されると共に、中央のＭＲ素子２
とその両側に位置する他の２個のＭＲ素子２とは一定の
等距離離間するよう配置されるので、３個のＭＲ素子２
間に介在する２枚の基板１の厚さは厳密に等しくする必
要があり、この２枚の基板１を挾んでＭＲ素子２が被着
された他の１枚の基板１及び固定用の基板が配置される
ことになる０ こうして、第１図に示す磁気ヘッド特性測定装置は、３
個のＭＲ素子２がついたてのように平行に立てられた状
態のＭＲブロックＢで、ガラス等の基板１によりこのＭ
Ｒ素子２を挾み込んだ構成を有している。また、第１図
において、を極３と対向する基板１は、電極３を露出し
て電気接続を行なわしめるため一部切欠かれている。更
に、基板１の裏面側は、磁気ヘッドと当接する部分であ
るので、鏡面に仕上げられてもいる。

ここで、第１図および第２図に示されるような構造の磁
気ヘッド特性測定装置につき、その機能を説明する。Ｍ
Ｒ素子自体は、素子の面方向（第１図に示す垂直方向）
の磁界に感応して電気抵抗が変化する性質を有する。

したがって、３個並べられたＭＲ素子のうち、両端の２
個のＭＲ素子２に予め所定電流を流しておき、このＭＲ
素子２を磁界中に置くと電流が変化するので、この変化
を取出せば、磁界の変化に比例した電圧又は電流が得ら
れる。すなわち、第３図に示すように、磁気ヘッド４の
摺動面上に、鏡面仕上げされた基板１の裏面を当接させ
るようにして置き、しかも中央のＭＲ素子２と磁気ヘッ
ド４のイヤツブの中央とを一致させて置いた状態で、上
述の電流変化をみれば磁気ヘッド４による磁界の強さく
厳密には磁界の垂直方向成分）もしくはその変化分が判
明する。これが記録効率の測定である。この場合、中央
のＭＲ素子２はギャップとの位置合わせに用いており、
また両端のＭＲ素子２を２個備えたのは、位置ずれによ
る誤差をなくすため、両ＭＲ素子２による検出値の相加
平均をとっていることによる０ 次に中央のＭ　Ｒ素子につき説明する。このＭＲ素子２
は、前述の如くギャップとの位置合せに用いられるが、
更に再生効率の測定時には磁気抵抗素子としてでなく、
磁界発生素子として用いる。すなわち、中央のＭＲ素子
２に電流を流し、この電流により生ずる磁界を磁気ヘッ
ドに通し、この磁気ヘッドの誘起電圧をコイルにて検出
することにより、発生磁界による再生効率を得ることが
できる。この場合、中央のＩＶ［Ｒ素子２は磁界発生素
子として用いるのみであるため、このＭ　Ｒ素子２の代
りに導線とか導膜を用いることもできる。

もつとも、製造工程を簡略化するためには、両端のＭＲ
素子と同様中央もＭＲ素子とすればよい。

ここで、第４図、第５図を用いて両端のＭＲ素子の位置
、換言すればＭＲ素子によって挾まれる基板１の厚さに
つき説明する。第５図はｙ軸を磁気ヘッドの摺４ν１面
とし、ｙ軸を磁気ヘッドのギャップ中央とした場合の等
磁位面の一つを示している。この等磁位面上の点（ｘ、
ｙ）磁界の強さを旧とした場合、起磁力ＮＩとの間には
次式が成立する。

この磁界旧のＭＲ素子に感応する垂直成分Ｈｙは、次式
となる。

Ｈｙ　”　Ｈｓｉｎθ ここでｓｉｎθはｓｉｎθ＝−の関係があるので次式と
なる。

この磁界の垂直成分Ｈｙのうち、ＭＲ素子により検出さ
れる値の最小値をＨ８とじた場合、Ｈｃ≦ＨＹの範囲に
て垂直成分Ｈｙが検出されることになる。したがって次
式を得る。

０）を中心とする半径ｒの円の内部にてｙ＞０となり、
また）（＜Ｏの場合、（−ｒ、ｏ）を中心とする半径ｒ
の円の内部にてｙ＞０となる。したがって、第４図に示
すようにギャップを中心として左右の半円が垂直成分Ｈ
ｙの検出範囲となり、この範囲内に両端のＭＲ素子を置
く必要がある。実際上磁気ヘッドのギャップに近づくに
つれて磁界の強さも増すことから、上述のｒによって定
まった範囲内にて基板１の厚さなど機械的に許容できる
範囲でできる限りギャップに近い方が良い。

つぎに、磁気ヘッドの特性測定装置の全体の機構を第６
図にて説明する。第６図において、基台５上には支持柱
６を介して顕微鏡７が備えられ、この顕微鏡７と基台５
との間にあってはＭＲブロックを橋架する支持体８が基
台５上に植立されると共に、測定される磁気ヘッド４が
載置されるステーゾ９が台１０上に備えられる構造を有
し、更に第７図にも示す測定回路１１が備えられている
。測定に当り、まずＭＲブロックＢと磁気ヘッド４との
位置合わせを行なう必要があるが、との位置合わせは予
め鏡面に仕上げられたＭＲブロックＢの裏面をステージ
９上に載せた磁気ヘッド４に接触させ、ＭＲブロックＢ
の表面より顕微鏡で観察しつつＭＲブロックＢの中央の
ＭＲ素子や導線を磁気ヘッド４のギャップラインと一致
するように調整して行なう。この場合、調整はステージ
９上の磁気ヘッド４をｘ、ｙ、ｚの座標軸方向の移動機
構、回転角θ工、θｙ１ｉ整用ゴニオメータ、回転角θ
２調整用回転機構により行なわれる。なお、顕微鏡によ
り中央のＭＲ素子の位置合わせを行なう関係上、ＭＲブ
ロックＢの基板１？ギヤツプラインが見えるような透明
体で作る必要がある。

さて、測定に当って再生効率を得る場合、ＭＲブロック
Ｂの中央のＭＲ素子に測定電流を流して測定される磁気
ヘッド４のギャップ部に信号磁界を発生させ、磁気ヘッ
ド４の端子に発生した誘起′１圧を前置増幅器を通して
オシロスコープにて観察することで得ている。

第７図の測定回路にて説明・すれば、スイッチＳＷＨを
上側に切換え、定′心流源もしくは定電圧源により中央
のＭＲ素子であるＭＲ２に通電すると共にこの信号を前
置増幅器１３を介してオシロスコープ１４に出力し、同
時にＭＲ素子ＭＲ２からの発生磁界を磁気ヘッド４にて
受はスイッチＳＷＨを介して前置増幅器１３を介してオ
シロスコープ１４に出力するものである。そして、この
オシロスコープ１４への入力信号比率を得て再生効率を
得ている。

また、磁気ヘッド４の記録効率を得る場合、記録用の電
流又は電圧増１１１１ｉ１５から磁気ヘッド４に信号電
流を通電する。このときスイッチＳＷＨは下側に切換え
られている。磁気ヘッド４からの磁界のうち第５図に示
す垂直成分Ｈｙｔ−ＭＲ素子ＭＨＩ、ＭＲ３により求め
る。この垂直成分Ｈｙを電流変化として取り出し前置増
幅器１３を介してオシロスコープ１４に表示する。こう
して、磁気ヘッド４の記録特性をオシロスコープ１４に
て得ることができる。この場合、磁界とＭＲ素子ＭＲＩ
。

ＭＲ３の抵抗変化とが比例関係にあるので、磁気ヘッド
のギャップ幅が同じ場合には異なる種類のギャップでも
測定が可能となる。

〈発明の効果〉 以上説明したように本発明によれば、ＭＲ素子をついた
ての如く平行にたてて配列したＭＲブロックを用いて磁
気ヘッドの電磁変換効率を直接測定できることにより、
媒体の実使用状態がないので測定時間が短くて済みオペ
レータの慣れも必要なく媒体のばらつきやスペーシング
変動がなく高精度な測定が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第７図は本発明の実施例を示し、筑１１ミ
″／Ｊｉｆ　Ｍ　Ｒ，ブロックの斜視、Ｍ−第２図はＭ
Ｒブロック単体の側面図、第３図は第１図のｔｎ−■線
からみだ側面図、第４図は測定範囲を示す説明図、第５
図は磁界の垂直及び水平成分を示す説明図、第６図は測
定装置全体の構成図、第７図は測定回路のブロック図で
ある。 図　　中、 １は基板、 ２はＭＲ素子、 ３は電極、 ４は磁気ヘッド、 ７は顕微鏡、 ＢはＭＲブロックである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基準面の両側に一定距離離間して、互いに同一形
   状のＭＲ素子でできた第１薄膜体及び第２薄膜体を上記
   基準面と平行に配置した磁気ヘツド特性測定装置。
2. （２）上記基準面にＭＲ素子又は導体からなる第３薄膜
   体を配置した特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツド特
   性測定装置。
3. （３）磁気ヘツドの摺動面に当接する裏面を鏡面に仕上
   げた基板の側面に薄膜体をこれに接続する電極と共に被
   着形成してブロツク単体とし、このブロツク単体を上記
   薄膜体が平行に配列するように重ね合せて形成した特許
   請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気ヘツド特性測定
   装置。
4. （４）基準面の両側に一定距離離間しかつ互いに同一形
   状のＭＲ素子でできしかも上記基準面と平行に配置した
   第１薄膜体及び第２薄膜体を、それぞれ一定電源に接続
   すると共に前置増幅器を介して測定器に接続した磁気ヘ
   ツド特性測定装置。
5. （５）上記基準面にＭＲ素子又は導体からなる第３薄膜
   体を配置し、この第３薄膜体を上記一定電源に接続する
   と共に上記前置増幅器を介して測定器に接続した特許請
   求の範囲第４項記載の磁気ヘツド特性測定装置。