JPS62195531A - センサ− - Google Patents
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- JPS62195531A JPS62195531A JP61296468A JP29646886A JPS62195531A JP S62195531 A JPS62195531 A JP S62195531A JP 61296468 A JP61296468 A JP 61296468A JP 29646886 A JP29646886 A JP 29646886A JP S62195531 A JPS62195531 A JP S62195531A
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- G—PHYSICS
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
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- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/093—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by photoelectric pick-up
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセンサーに関し、特に力センサーに関する。力
センサーは他の型式のセンサーよりももっと重要である
。というのは、力センサーは他の物理的な特性を容易に
測定することができるからである。
センサーは他の型式のセンサーよりももっと重要である
。というのは、力センサーは他の物理的な特性を容易に
測定することができるからである。
先行技術
英国特許比@ G B 214612OAに記載されて
いる周知の力センサーでは、光源が光パルスを作り、こ
の光パルスを用いて光−音響効果によって物体に共振を
起させる。即ち、入射光パルスの各々によってパルス光
源の周波数で物体を交互に加熱・冷却させる。物体が振
動する共振周波数は物体に加えられる力に依存する。こ
の種の力センサーの利点としては、振動体とパワー源と
の間に電気接続を必要としない点である。光学的に駆動
される振動体を採用するセンサーに電気がないことは、
センサーを、電気の存在が危険であるような環境に使用
する場合に特に有利である。
いる周知の力センサーでは、光源が光パルスを作り、こ
の光パルスを用いて光−音響効果によって物体に共振を
起させる。即ち、入射光パルスの各々によってパルス光
源の周波数で物体を交互に加熱・冷却させる。物体が振
動する共振周波数は物体に加えられる力に依存する。こ
の種の力センサーの利点としては、振動体とパワー源と
の間に電気接続を必要としない点である。光学的に駆動
される振動体を採用するセンサーに電気がないことは、
センサーを、電気の存在が危険であるような環境に使用
する場合に特に有利である。
発明が解決すべき問題点
この周知型式の力センサーの欠点としては、光パルス周
波数が加えた力の変化により連続的に変化しているとき
光パルス周波数を振動共振周波数にロックすることが大
変むずかしい点である。振動体の振動振幅又は光パルス
に対する振動変位の位相をモニターして光パルス周波数
と振動共振周波数との間のフィードバックを行うために
は別の技術が必要である。すると、光パルス周波数を、
共振周波数の変化に追従しそれ故にこれらの2つの周波
数を互にロック状態に保つように自動的に調整すること
ができる。
波数が加えた力の変化により連続的に変化しているとき
光パルス周波数を振動共振周波数にロックすることが大
変むずかしい点である。振動体の振動振幅又は光パルス
に対する振動変位の位相をモニターして光パルス周波数
と振動共振周波数との間のフィードバックを行うために
は別の技術が必要である。すると、光パルス周波数を、
共振周波数の変化に追従しそれ故にこれらの2つの周波
数を互にロック状態に保つように自動的に調整すること
ができる。
本発明はこの欠点を減する改良センサーを提供しようと
するものである。
するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の第1の観点によれば、センサーは、加えた力の
作用に依存する共振周波数をもつ物体と、この物体を連
続的に照明するように配列された光源と、物体を共振周
波数で振動させるため物体によって吸収される光の量を
物体の振動変位に依存させる変調装置と、生じた共振周
波数を決定するための装置とを含む。
作用に依存する共振周波数をもつ物体と、この物体を連
続的に照明するように配列された光源と、物体を共振周
波数で振動させるため物体によって吸収される光の量を
物体の振動変位に依存させる変調装置と、生じた共振周
波数を決定するための装置とを含む。
本発明の第2の観点によれば、センサーは、加えた力の
作用に依存する共振周波数をもつ物体と、物体の膨張、
収縮で引き起される前記物体に対する照明の強さの変化
によって物体の一部分が交互に膨張、収縮するような光
熱効果により前記物体を共振周波数で振動させるため前
記物体を連続的に照明するように配列された光源と、生
じた共振周波数を決定するための装置とを含む。
作用に依存する共振周波数をもつ物体と、物体の膨張、
収縮で引き起される前記物体に対する照明の強さの変化
によって物体の一部分が交互に膨張、収縮するような光
熱効果により前記物体を共振周波数で振動させるため前
記物体を連続的に照明するように配列された光源と、生
じた共振周波数を決定するための装置とを含む。
本明細書で用いられている用語「光」は赤外線から紫外
線までの電磁放射線の範囲を含むものと解釈すべきであ
る。かくして、物体は、光が物体に当るとき、自己振動
に入る。
線までの電磁放射線の範囲を含むものと解釈すべきであ
る。かくして、物体は、光が物体に当るとき、自己振動
に入る。
本発明の1つの実施例では、光伝達特性が2つの部分反
射面間の距離に依存するようなファプリー・ベラ干渉計
が光源と物体との間に介在し、物体が膨張・収縮すると
、前記距離が変化し、これによって物体を照明する光の
強を、物体が膨張、収縮するのにつれて変化させる。
射面間の距離に依存するようなファプリー・ベラ干渉計
が光源と物体との間に介在し、物体が膨張・収縮すると
、前記距離が変化し、これによって物体を照明する光の
強を、物体が膨張、収縮するのにつれて変化させる。
本発明のもう1つの実施例では、光源によって照明され
る物体の面を、一部が反射性であり、又一部が吸収性で
あるように選択的にマスクし、物体が膨張、収縮すると
、照明にさらされる吸収部分の割合が変化し、かくして
、物体を照明する光の強さを変化させる。
る物体の面を、一部が反射性であり、又一部が吸収性で
あるように選択的にマスクし、物体が膨張、収縮すると
、照明にさらされる吸収部分の割合が変化し、かくして
、物体を照明する光の強さを変化させる。
実施例
本発明を添付図面を参照して例示として更に説明する。
第1図を参照すると、アルミニウム又はガラスのような
剛性材料又は石英のような結晶材料で作られた長方形の
ビーム1が比較的大きな2つの支持体2.3で支持され
ており、従って、ビーム1は、紙面において曲げモード
で自由に振動することができる。ビーム1の一方の面4
に、部分的に光反射しそして部分的に吸収する面を作る
ように光学的に磨かれている。鏡5が面4に近接して置
かれ、この鏡は、ビーム1に最も近い側に部分的に透明
な反射被覆を存する面をもった光学的に磨いた平らなガ
ラス板6からなる。鏡は、その反射面が面4と正確に平
行でありかつ用いられる光の数波長だけ面4から分離さ
れるように位置決めされている。2つの面4と7の組合
せはファブリー・ペロタイプの光干渉計を構成する。
剛性材料又は石英のような結晶材料で作られた長方形の
ビーム1が比較的大きな2つの支持体2.3で支持され
ており、従って、ビーム1は、紙面において曲げモード
で自由に振動することができる。ビーム1の一方の面4
に、部分的に光反射しそして部分的に吸収する面を作る
ように光学的に磨かれている。鏡5が面4に近接して置
かれ、この鏡は、ビーム1に最も近い側に部分的に透明
な反射被覆を存する面をもった光学的に磨いた平らなガ
ラス板6からなる。鏡は、その反射面が面4と正確に平
行でありかつ用いられる光の数波長だけ面4から分離さ
れるように位置決めされている。2つの面4と7の組合
せはファブリー・ペロタイプの光干渉計を構成する。
ファブリー・ペロ干渉計は、一対の平行平面の部分反射
面を通る単色光を、面間の距離が光の半波長の整数倍に
ちょうど等しいかこれに近いときに強く伝達し、そして
反射面間の距離が光の半波長の整数倍と実質的に異なる
ときに強く反射させる装置である。
面を通る単色光を、面間の距離が光の半波長の整数倍に
ちょうど等しいかこれに近いときに強く伝達し、そして
反射面間の距離が光の半波長の整数倍と実質的に異なる
ときに強く反射させる装置である。
第2図を参照すると、カーブ40は、ファブリー・ペロ
干渉計の光伝達が反射面間の距離の函数として周期的に
どのように変化するかをグラフで示している。ビームl
(第1図)が静止しているとき、面間の距離を点41
で表わし、光伝達を点42で表わす。ビーム1 (第1
図)を振動させるとき、面間の距離は、カーブ43で指
示したように、時間とともに正弦曲線的に変化し、光伝
達はカーブ44で指示したように実質的に正弦曲線的に
変化する。カーブ44で指示したこの変化はカーブ40
で表わした光伝達の周期的な変化と一致している。
干渉計の光伝達が反射面間の距離の函数として周期的に
どのように変化するかをグラフで示している。ビームl
(第1図)が静止しているとき、面間の距離を点41
で表わし、光伝達を点42で表わす。ビーム1 (第1
図)を振動させるとき、面間の距離は、カーブ43で指
示したように、時間とともに正弦曲線的に変化し、光伝
達はカーブ44で指示したように実質的に正弦曲線的に
変化する。カーブ44で指示したこの変化はカーブ40
で表わした光伝達の周期的な変化と一致している。
第1図を再び参照すると、鏡面7を単色光ビーム8で鏡
面7と直交する方向に照明するとき、面4.7で形成さ
れた干渉計は、鏡の分離が最初光半波長の整数倍に近け
れば光を伝達する。鏡面4は真空蒸着アルミニウム層の
ような部分反射材料からなり、この層は面4から反射し
なかった光を層内に完全に吸収させてしまう程に厚いゆ
光ビーム8の強さはアルミニウム層内に可成りの加熱を
生じさせる程大きく、この加熱は熱伝導によりビーム1
の面に直ちに伝達される。その結果、ビーム1の表面層
の熱膨張によりビーム1が、鏡面4と7との間のギャッ
プを小さくする方向に外方に曲る。鏡面4と7の分離距
離の変化により、伝達光の量が減少する。この結果、ア
ルミニウム層4の加熱、従ってビーム1の加熱が実質的
に減少するから、ビームlの面は冷え、これに相応する
熱伝導により、ビーム1はそのもとの位置に向って戻る
。戻ると、伝達光による面の加熱が再び増大し、サイク
ルが反復する。ビーム1は、ヒームヲ加熱したり冷却し
たりするとき、ビーム温度が平衡に達するのに要する時
間が振動サイクルの時間よりも大変大きいような熱容量
および熱伝導度のものであり、従って、ビーム1の表面
温度は干渉計によって伝達される光量の時間整数に略比
例する。ビームが曲げモードで正弦曲線的に振動してい
るとき、伝達光量はビームの変位と一致して正弦曲線的
に変調される。その結果、ビーム1の表面温度の変調も
正弦曲線的に変化するが、ビーム1の表面温度の変調は
位相が略90度ビームの変位に遅れて進む。何故ならば
、表面温度が伝達光量の時間整数に比例するからである
。
面7と直交する方向に照明するとき、面4.7で形成さ
れた干渉計は、鏡の分離が最初光半波長の整数倍に近け
れば光を伝達する。鏡面4は真空蒸着アルミニウム層の
ような部分反射材料からなり、この層は面4から反射し
なかった光を層内に完全に吸収させてしまう程に厚いゆ
光ビーム8の強さはアルミニウム層内に可成りの加熱を
生じさせる程大きく、この加熱は熱伝導によりビーム1
の面に直ちに伝達される。その結果、ビーム1の表面層
の熱膨張によりビーム1が、鏡面4と7との間のギャッ
プを小さくする方向に外方に曲る。鏡面4と7の分離距
離の変化により、伝達光の量が減少する。この結果、ア
ルミニウム層4の加熱、従ってビーム1の加熱が実質的
に減少するから、ビームlの面は冷え、これに相応する
熱伝導により、ビーム1はそのもとの位置に向って戻る
。戻ると、伝達光による面の加熱が再び増大し、サイク
ルが反復する。ビーム1は、ヒームヲ加熱したり冷却し
たりするとき、ビーム温度が平衡に達するのに要する時
間が振動サイクルの時間よりも大変大きいような熱容量
および熱伝導度のものであり、従って、ビーム1の表面
温度は干渉計によって伝達される光量の時間整数に略比
例する。ビームが曲げモードで正弦曲線的に振動してい
るとき、伝達光量はビームの変位と一致して正弦曲線的
に変調される。その結果、ビーム1の表面温度の変調も
正弦曲線的に変化するが、ビーム1の表面温度の変調は
位相が略90度ビームの変位に遅れて進む。何故ならば
、表面温度が伝達光量の時間整数に比例するからである
。
振動を起す機械的曲げ力は表面の温度上昇の正弦成分に
比例し、従って、この力はビームの変位と90度位相が
ずれる。機械的に共振する構造物が正弦曲線的に変調し
た光量で駆動されるときには、力と変位は、駆動周波数
が機械的な共振周波数と等しい場合に90度位相がずれ
、この場合には、駆動力の相対位相は振動を共振周波数
に維持するために適正であることが知られている。振動
サイクルの加熱部分中にビームが得た機械的エネルギー
かにビームlの機械的な内部摩擦およびビームの周囲へ
の音響放射により振動サイクル中に全体として失ったエ
ネルギーよりも大きければ、振動振幅は連続サイクルで
は増し、ビーム1を自己持続の仕方で振動させる。振動
振幅は、第2図に示す干渉計の伝達対非線形変位特性に
より駆動力の正弦曲線成分を制限させるまで増大しつず
ける。次いで、振動振幅は、光源から得たエネルギーと
ビームの振動から失ったエネルギーが平衡するような値
で安定する。
比例し、従って、この力はビームの変位と90度位相が
ずれる。機械的に共振する構造物が正弦曲線的に変調し
た光量で駆動されるときには、力と変位は、駆動周波数
が機械的な共振周波数と等しい場合に90度位相がずれ
、この場合には、駆動力の相対位相は振動を共振周波数
に維持するために適正であることが知られている。振動
サイクルの加熱部分中にビームが得た機械的エネルギー
かにビームlの機械的な内部摩擦およびビームの周囲へ
の音響放射により振動サイクル中に全体として失ったエ
ネルギーよりも大きければ、振動振幅は連続サイクルで
は増し、ビーム1を自己持続の仕方で振動させる。振動
振幅は、第2図に示す干渉計の伝達対非線形変位特性に
より駆動力の正弦曲線成分を制限させるまで増大しつず
ける。次いで、振動振幅は、光源から得たエネルギーと
ビームの振動から失ったエネルギーが平衡するような値
で安定する。
振動を自動的に開始させかつ自己持続させるためには、
次の2つの条件を満す必要がある。
次の2つの条件を満す必要がある。
a)鏡面4と7を、ビーム1による熱の吸収によりビー
ムを干渉計によって伝達される光量を減少させる方向に
移動させるように最初に離さなければならない。
ムを干渉計によって伝達される光量を減少させる方向に
移動させるように最初に離さなければならない。
b) ビーム1を照射する光量は、照明から各サイクル
中にビームが得た機械的エネルギーがサイクル毎に失っ
たエネルギーよりも確実に大きくなる程十分でなければ
ならない。これを達成するのに要する最小エネルギーを
振動の最小量と称する。
中にビームが得た機械的エネルギーがサイクル毎に失っ
たエネルギーよりも確実に大きくなる程十分でなければ
ならない。これを達成するのに要する最小エネルギーを
振動の最小量と称する。
ビーム1が自己振動しているとき、干渉計の鏡面から反
射した光は振動周波数で振幅変調される。
射した光は振動周波数で振幅変調される。
従って、ビームの振動周波数は、反射光を光検出器(第
1図に図示せず)に差し向けて、生じた電気信号の周波
数を測定することによって具合良く測定することができ
る。この装置は、力を取付部2.3を介してビーム1に
その軸線に沿って加え、光検出器で測定された振動周波
数の変化を測定することによって力センサーとして使用
することができる。
1図に図示せず)に差し向けて、生じた電気信号の周波
数を測定することによって具合良く測定することができ
る。この装置は、力を取付部2.3を介してビーム1に
その軸線に沿って加え、光検出器で測定された振動周波
数の変化を測定することによって力センサーとして使用
することができる。
最小量が光放出半導体ダイオードやレーザーダイオード
のような通常使用の光源から得られる量と匹敵するよう
にするためには、ビーム1の寸法は小さくなければなら
ない。代表的には、ビーム1は長さ約3II11、巾0
.05mm、厚さ0.02mn+である。これらの寸法
のビームは約20kHzの共振周波数を有する。
のような通常使用の光源から得られる量と匹敵するよう
にするためには、ビーム1の寸法は小さくなければなら
ない。代表的には、ビーム1は長さ約3II11、巾0
.05mm、厚さ0.02mn+である。これらの寸法
のビームは約20kHzの共振周波数を有する。
この型式の小さい構造物はマイクロ−機械的技術で容易
に作ることができる。
に作ることができる。
第3図は、マイクロ−機械的技術によって作られた振動
可能なビームを採用している光熱発振器センサーを示し
ている。略長方形の断面の振動可能なビーム1は、厚さ
全体が0.5 ml11であるシリコン板9から化学的
なエツチングで作られる。上記の寸法に匹敵する寸法を
もったビームをその各端において板の本体に取付け、板
面38と直交する方向に自由に振動するようにする。板
9の面と同一平面であるビーム1の中間部分10を光学
的に磨く。変形例として、薄いアルミニウム層のような
光学的に平らな金属薄膜をビーム1の中間部分10に付
けてその反射率を高めても良い。光ファイバー11をビ
ーム1の中間部分10の面に近接して位置決めする。光
ファイバー11は光学的に磨かれた端12を有し、この
端12は平らであって光ファイバーの軸線と直交し、薄
いアルミニウム層又は部分反射多層誘電被覆のような部
分反射金層被覆が端12に被覆しである。光ファイバー
の端は、これがビーム1の中間部分と対向してビーム1
の面と平行になり、そしてビーム1の面から散光波長だ
け離されてファプリー・ベロ干渉計を構成するように位
置決めされる。これは、光ファイバーの端を、シリコン
板9の面に接着される別のシリコンブロック13の精密
加工穴に取付けることによって達成しうる。シリコンブ
ロック13は接着面に加工され又はエツチングされた凹
部を有し、これにより、振動するビーム1がその振動中
にブロック13の面に触れないようにする。
可能なビームを採用している光熱発振器センサーを示し
ている。略長方形の断面の振動可能なビーム1は、厚さ
全体が0.5 ml11であるシリコン板9から化学的
なエツチングで作られる。上記の寸法に匹敵する寸法を
もったビームをその各端において板の本体に取付け、板
面38と直交する方向に自由に振動するようにする。板
9の面と同一平面であるビーム1の中間部分10を光学
的に磨く。変形例として、薄いアルミニウム層のような
光学的に平らな金属薄膜をビーム1の中間部分10に付
けてその反射率を高めても良い。光ファイバー11をビ
ーム1の中間部分10の面に近接して位置決めする。光
ファイバー11は光学的に磨かれた端12を有し、この
端12は平らであって光ファイバーの軸線と直交し、薄
いアルミニウム層又は部分反射多層誘電被覆のような部
分反射金層被覆が端12に被覆しである。光ファイバー
の端は、これがビーム1の中間部分と対向してビーム1
の面と平行になり、そしてビーム1の面から散光波長だ
け離されてファプリー・ベロ干渉計を構成するように位
置決めされる。これは、光ファイバーの端を、シリコン
板9の面に接着される別のシリコンブロック13の精密
加工穴に取付けることによって達成しうる。シリコンブ
ロック13は接着面に加工され又はエツチングされた凹
部を有し、これにより、振動するビーム1がその振動中
にブロック13の面に触れないようにする。
ブロック13を板9およびビーム1と同じ材料で同じ結
晶学的な方向をもって作ることが有利である。何故なら
ば、温度が変化して構造物の変形を引き起すとき、部品
間に熱膨張差が起らないからである。反射光ファイバー
12の端とビーム1の反射面との間の正確な分離は光フ
ァイバーを照明する光の半波長の整数倍に近いように調
整される。
晶学的な方向をもって作ることが有利である。何故なら
ば、温度が変化して構造物の変形を引き起すとき、部品
間に熱膨張差が起らないからである。反射光ファイバー
12の端とビーム1の反射面との間の正確な分離は光フ
ァイバーを照明する光の半波長の整数倍に近いように調
整される。
これにより光ファイバーから、中間部分10および端1
2の反射面間の干渉計空間へ通る光エネルギーをビーム
lの面で大きく吸収させることカテきる。
2の反射面間の干渉計空間へ通る光エネルギーをビーム
lの面で大きく吸収させることカテきる。
光ファイバー11はマルチモード型のもの、即ち光を、
光ファイバーの軸線に対して成る角度の伝播方向をもっ
てジグザグ状に光ファイバーに沿って伝播させるのに十
分大きいコア直径(例えば50マイクロメートル)を有
するマルチモード型のものが良いが、好ましくは、光を
軸線と平行な方向のみに伝播させてジグザグモードを止
めるような、代表的には3〜6マイクロメードルのコア
直径をもつ単一モード型のものである。単一モード光フ
ァイバーの使用により、ファイバ一端から出る光は中間
部分10および端12の反射面と直交す゛る方向に伝播
し、従って面から直交方向に反射する。マルチモードフ
ァイバーの使用によって導びかれるかも知れないオフア
クシスモードの回避によって、中間部分10の反射面で
吸収される光の強さ変調は最大である。
光ファイバーの軸線に対して成る角度の伝播方向をもっ
てジグザグ状に光ファイバーに沿って伝播させるのに十
分大きいコア直径(例えば50マイクロメートル)を有
するマルチモード型のものが良いが、好ましくは、光を
軸線と平行な方向のみに伝播させてジグザグモードを止
めるような、代表的には3〜6マイクロメードルのコア
直径をもつ単一モード型のものである。単一モード光フ
ァイバーの使用により、ファイバ一端から出る光は中間
部分10および端12の反射面と直交す゛る方向に伝播
し、従って面から直交方向に反射する。マルチモードフ
ァイバーの使用によって導びかれるかも知れないオフア
クシスモードの回避によって、中間部分10の反射面で
吸収される光の強さ変調は最大である。
好ましくは、実質的に単色光源を構成するように狭い波
長範囲に亘って放出する光放出半導体ダイオード又はレ
ーザダイオードである連続光源14によって光が発せら
れる。この光源は連続電流源15によって給電される。
長範囲に亘って放出する光放出半導体ダイオード又はレ
ーザダイオードである連続光源14によって光が発せら
れる。この光源は連続電流源15によって給電される。
光源14からの光はレンズ16によって略平行なビーム
に焦点合せされる。次いで略平行なビームは半反射平面
鏡17を通過し、レンズ18で光ファイバー11の端に
再び焦点合せされる。光ファイバー11へ放出する光量
は上述した振動の最小量よりも太く、これはミ上述の寸
法の構造では1ミリワット程度である。すると、ビーム
1は、光量が、より高い程度の曲げモードのために振動
最小量を越えるほど大きくなければ、その基本的な曲げ
モードで自然に振動する。
に焦点合せされる。次いで略平行なビームは半反射平面
鏡17を通過し、レンズ18で光ファイバー11の端に
再び焦点合せされる。光ファイバー11へ放出する光量
は上述した振動の最小量よりも太く、これはミ上述の寸
法の構造では1ミリワット程度である。すると、ビーム
1は、光量が、より高い程度の曲げモードのために振動
最小量を越えるほど大きくなければ、その基本的な曲げ
モードで自然に振動する。
ビーム1をその中間点について対称的に照明するならば
、対称的な曲げモードだけを励起する。
、対称的な曲げモードだけを励起する。
基本モードより上の次の最高の対称的な曲げモードを励
起するための最小量が基本モード自体を励起するのに必
要とされる光量よりも略30倍大きいことを理論的に示
すことができる。従って、実際には、光熱発振器は、入
力光量の調節によって、基本モードだけで振動するよう
にすることができる。
起するための最小量が基本モード自体を励起するのに必
要とされる光量よりも略30倍大きいことを理論的に示
すことができる。従って、実際には、光熱発振器は、入
力光量の調節によって、基本モードだけで振動するよう
にすることができる。
ビームlが振動しているときには、干渉計によって光フ
ァイバーに戻った反射光は強さが振動周波数で変調され
る。光ファイバーを通過する戻り光は半反射平面鏡17
によってレンズ19へ反射し、レンズ19はこの光を、
シリコン光起電力セルである光検出器20に焦点合せす
る。光検出器20は振動周波数で変調された出力電圧を
出し、この出力電圧は周波数計数器21で測定される。
ァイバーに戻った反射光は強さが振動周波数で変調され
る。光ファイバーを通過する戻り光は半反射平面鏡17
によってレンズ19へ反射し、レンズ19はこの光を、
シリコン光起電力セルである光検出器20に焦点合せす
る。光検出器20は振動周波数で変調された出力電圧を
出し、この出力電圧は周波数計数器21で測定される。
上記の如き光熱発振器は、板9に、矢印22で示すよう
にビーム1の軸線と平行な方向に応力を加えることによ
って力センサーとして働らく。ビーム1の応力によりそ
の曲げ共振周波数が変化し、それ故に、振動周波数が変
化する。周波数計数器21による振動周波数の測定によ
り、板9に加えられた力の測定値が得られる。変形例と
して、板9を円弧状に曲げることによって板9に力を加
えてビーム1に応力を生じさせ、従ってその共振周波数
を変化させても良い。
にビーム1の軸線と平行な方向に応力を加えることによ
って力センサーとして働らく。ビーム1の応力によりそ
の曲げ共振周波数が変化し、それ故に、振動周波数が変
化する。周波数計数器21による振動周波数の測定によ
り、板9に加えられた力の測定値が得られる。変形例と
して、板9を円弧状に曲げることによって板9に力を加
えてビーム1に応力を生じさせ、従ってその共振周波数
を変化させても良い。
上記の実施例は、板9の代りに感圧ダイヤフラムを使用
することによって圧力センサーになる。
することによって圧力センサーになる。
ダイヤフラムの片面をおおうカプセルにより、ガスを圧
力下でカプセルに入れるときには圧力差をダイヤフラム
に及ぼすことができる。ダイヤフラムの圧力差が変化す
ると、ビーム1の応力が変化し、それ故に、ビームの振
動周波数が変化する。
力下でカプセルに入れるときには圧力差をダイヤフラム
に及ぼすことができる。ダイヤフラムの圧力差が変化す
ると、ビーム1の応力が変化し、それ故に、ビームの振
動周波数が変化する。
この振動周波数は既に述べた方法で測定することができ
、その値は加えた圧力の測定値になる。
、その値は加えた圧力の測定値になる。
力センサーは又温度センサーにもなる。前に述べかつ第
3図に示す構造に加えて、金属、その他適当な材料の板
をシリコン板9の背面に付ける。
3図に示す構造に加えて、金属、その他適当な材料の板
をシリコン板9の背面に付ける。
アルミニウムのような材料で作られたこの追加の板はシ
リコン板とは著しく異なる熱膨張係数を有する。その結
果、熱膨張差により板9には応力が生じ、その大きさは
温度に依存する。ビーム1の応力、それ故にその振動周
波数は温度に依存し、振動周波数の測定は温度を指示す
ることになる。
リコン板とは著しく異なる熱膨張係数を有する。その結
果、熱膨張差により板9には応力が生じ、その大きさは
温度に依存する。ビーム1の応力、それ故にその振動周
波数は温度に依存し、振動周波数の測定は温度を指示す
ることになる。
上記した如き本発明の実施例は、振動可能な本体を光源
によって、光−熱効果を用いて駆動する自己振動光学装
置である。入って来る光の強さを、ファブリー・ペロ干
渉計を使って本体の変位により変調させて駆動力とビー
ムの運動との間のフィードバックを確実にする。
によって、光−熱効果を用いて駆動する自己振動光学装
置である。入って来る光の強さを、ファブリー・ペロ干
渉計を使って本体の変位により変調させて駆動力とビー
ムの運動との間のフィードバックを確実にする。
本発明の変形例では、入って来る光の強さを、選択的な
マスキング技術を使って本体の変位により変調させて駆
動力とビームの運動との間のフィードバックを確実にす
る。
マスキング技術を使って本体の変位により変調させて駆
動力とビームの運動との間のフィードバックを確実にす
る。
第4図を参照すると、薄い長方形のビーム23を金属の
ような剛性材料或いはシリコン又は石英のような結晶材
料で作り、各端において比較的大きな取付組立体24に
取付けてビーム23が紙面と略直交する平面で曲げモー
ドで自由に振動できるようにする。好ましくは、連続非
変調レーザー源からの光ビーム25をレンズ26によっ
て小さいスポットに焦点合せして各端の取付部間の略中
間点でビーム23の外表面に入射させる。
ような剛性材料或いはシリコン又は石英のような結晶材
料で作り、各端において比較的大きな取付組立体24に
取付けてビーム23が紙面と略直交する平面で曲げモー
ドで自由に振動できるようにする。好ましくは、連続非
変調レーザー源からの光ビーム25をレンズ26によっ
て小さいスポットに焦点合せして各端の取付部間の略中
間点でビーム23の外表面に入射させる。
焦点合せしたスポットの位置を第5図を参照してもっと
詳細に説明する。この第5図は、23′で指示したビー
ム23の横断面図を示し、光ビーム25′はレンズ26
′でスポット27に焦点合せされる。光スポット27の
中心は振動ビーム23の無彩軸28から一定距離Xだけ
ずらされているから、光スポットからの光量吸収によっ
て生じるビームの熱膨張により無彩軸28を中心に曲げ
運動が生ずる。光学的反射金属層29が、無彩軸28に
最も近い側でスポット27の面積の略半部をさえぎるよ
うな位置でビーム23′の面に取付けられている。スポ
ット27で照らされるビーム面の残部は光学的吸収材料
30で被覆され、この層はこれに入射する光の大部分を
吸収する。
詳細に説明する。この第5図は、23′で指示したビー
ム23の横断面図を示し、光ビーム25′はレンズ26
′でスポット27に焦点合せされる。光スポット27の
中心は振動ビーム23の無彩軸28から一定距離Xだけ
ずらされているから、光スポットからの光量吸収によっ
て生じるビームの熱膨張により無彩軸28を中心に曲げ
運動が生ずる。光学的反射金属層29が、無彩軸28に
最も近い側でスポット27の面積の略半部をさえぎるよ
うな位置でビーム23′の面に取付けられている。スポ
ット27で照らされるビーム面の残部は光学的吸収材料
30で被覆され、この層はこれに入射する光の大部分を
吸収する。
光ビームを先ずつけ、ビーム23′が静止しているとき
、材料30による光の吸収によりこの層を加熱すると、
加熱が熱伝導によってその下のビーム材料に伝達される
。加熱によって生じたビームの局部熱膨張によりビーム
23′に曲げモーメントが生じ、この曲げモーメントは
ビーム23′を矢印31で示す方向に移動させる傾向が
ある。
、材料30による光の吸収によりこの層を加熱すると、
加熱が熱伝導によってその下のビーム材料に伝達される
。加熱によって生じたビームの局部熱膨張によりビーム
23′に曲げモーメントが生じ、この曲げモーメントは
ビーム23′を矢印31で示す方向に移動させる傾向が
ある。
この運動の結果、吸収材料30のより小さい面積が光ス
ポット27にさらされ、加熱が小さくなる。
ポット27にさらされ、加熱が小さくなる。
加熱が減すると、ビーム23′は冷えてそのもとの位置
へ戻り、この位置でサイクルが再び始まる。
へ戻り、この位置でサイクルが再び始まる。
各サイクル中、ビーム23′は光ビームによって供給さ
れた熱から小量の振動エネルギーを得、ビーム材料の内
部摩擦損失やビーム材料の周囲への音響放射のような種
々の形の振動減衰の結果小量のエネルギーを失う。サイ
クル当りのエネルギーゲインがエネルギー損失よりも大
きければ、振動振幅は各サイクル後に増大して、振動が
自己持続になるような安定した最大振幅まで高まる。
れた熱から小量の振動エネルギーを得、ビーム材料の内
部摩擦損失やビーム材料の周囲への音響放射のような種
々の形の振動減衰の結果小量のエネルギーを失う。サイ
クル当りのエネルギーゲインがエネルギー損失よりも大
きければ、振動振幅は各サイクル後に増大して、振動が
自己持続になるような安定した最大振幅まで高まる。
変形例では、前に述べた如く長方形の振動可能ビームを
使用する代りに、第6図に示すような振動可能なワイヤ
を使って光−熱発振器を構成しても良い。ここに示す横
断面が丸いワイヤ32を2つの比較的大きな剛性支持体
(図示せず)間に懸架してワイヤが曲げモードで自由に
振動できるようにする。ワイヤは高い反射面をもったア
ルミニウムのような金属で作られ、或はガラスファイバ
ーのような非反射材料でワイヤを作ってこれにアルミニ
ウムのような高い反射被覆を付ける。ワイヤの半円筒部
分には、支持体間の中間に、短い長さに亘って、黒いマ
ット塗料のような薄い不透明な吸収層33が被覆しであ
る。レーザービーム34はレンズ35で焦点合せされて
支持体間の中間点でワイヤ表面に入射する焦点の合った
スポット36になる。理想的にはワイヤの直径よりも幾
分小さい焦点の合ったスポット36は、スポットの半分
が不透明層33に当り、半分がワイヤの反射面に当るよ
うに位置決めされている。装置は、第1図および第3図
を参照して述べた長方形のビーム装置と実質的に同じ方
法で光熱発振器として作動する。矢印37.37’で示
す振動平面が光ビームの方向となす角度は0と90’と
の間の中間の成る角度であって、ワイヤの無彩軸を中心
とする曲げモーメントとワイヤの単位振動変位当りの熱
変調を同時に最大にする。実際には、この角度に光ビー
ムの軸線と45°の範囲にある。
使用する代りに、第6図に示すような振動可能なワイヤ
を使って光−熱発振器を構成しても良い。ここに示す横
断面が丸いワイヤ32を2つの比較的大きな剛性支持体
(図示せず)間に懸架してワイヤが曲げモードで自由に
振動できるようにする。ワイヤは高い反射面をもったア
ルミニウムのような金属で作られ、或はガラスファイバ
ーのような非反射材料でワイヤを作ってこれにアルミニ
ウムのような高い反射被覆を付ける。ワイヤの半円筒部
分には、支持体間の中間に、短い長さに亘って、黒いマ
ット塗料のような薄い不透明な吸収層33が被覆しであ
る。レーザービーム34はレンズ35で焦点合せされて
支持体間の中間点でワイヤ表面に入射する焦点の合った
スポット36になる。理想的にはワイヤの直径よりも幾
分小さい焦点の合ったスポット36は、スポットの半分
が不透明層33に当り、半分がワイヤの反射面に当るよ
うに位置決めされている。装置は、第1図および第3図
を参照して述べた長方形のビーム装置と実質的に同じ方
法で光熱発振器として作動する。矢印37.37’で示
す振動平面が光ビームの方向となす角度は0と90’と
の間の中間の成る角度であって、ワイヤの無彩軸を中心
とする曲げモーメントとワイヤの単位振動変位当りの熱
変調を同時に最大にする。実際には、この角度に光ビー
ムの軸線と45°の範囲にある。
近似計算をして自己振動を起すのに必要とされる最小光
量を見った。直径25マイクロメートル、長さ6mmの
アルミニウムワイヤ25が、Q係数1000(Q係数を
用いて振動を維持するように供給されなければならない
エネルギー量に対して振動構造物にロックされたエネル
ギー量を1旨示するのに用いられる)をもつ略3 kH
zの周波数で基本曲げモードで振動し、直径5マイクロ
メートルの焦点が合ったスポットで照明されるためには
、自己振動に必要とされる最小光量は略25マイクロワ
ツトである。これは、単一モード又はマルチモード光フ
ァイバーを使って光をレーザーから光−熱発振器に導ひ
くのに連続半導体レーザーから得られる光量の範囲であ
る。
量を見った。直径25マイクロメートル、長さ6mmの
アルミニウムワイヤ25が、Q係数1000(Q係数を
用いて振動を維持するように供給されなければならない
エネルギー量に対して振動構造物にロックされたエネル
ギー量を1旨示するのに用いられる)をもつ略3 kH
zの周波数で基本曲げモードで振動し、直径5マイクロ
メートルの焦点が合ったスポットで照明されるためには
、自己振動に必要とされる最小光量は略25マイクロワ
ツトである。これは、単一モード又はマルチモード光フ
ァイバーを使って光をレーザーから光−熱発振器に導ひ
くのに連続半導体レーザーから得られる光量の範囲であ
る。
上記の両型式の発振器では、入力光の一部は入って来る
光と平行な方向に振動面から反射され、従ってレーザー
源と発振器との間の光フアイバ一連結部に沿って戻され
る。戻った光はビームの振動周波数で変調され、従って
この周波数を測定するのに用いうる。
光と平行な方向に振動面から反射され、従ってレーザー
源と発振器との間の光フアイバ一連結部に沿って戻され
る。戻った光はビームの振動周波数で変調され、従って
この周波数を測定するのに用いうる。
第1図は本発明によるセンサーに用いられる振動可能な
ビームを概略的に示す。 第2図は、ファブリー・ペロ干渉計の光の伝達と鏡の分
離との関係をグラフで示す図である。 第3図はファブリー・ペロ干渉計を用いて入射光の強さ
を変える光熱発振器センサーを示す図である。 第4図は選択的なマスキングを用いて入射光の強さを変
える光熱発振器センサーの変形例を概略的に示す図であ
る。 第5図は第4図に示す実施例で用いられている選択的な
マスキングフィードバック技術の原理を一層詳細に示す
図である。 第6図は選択的なマスキング技術を使っている本発明の
もう1つの実施例を示す図である。 1.23.32・・・・・・物 体、 8.14.25.25’・・・・・・光 源、20.2
1・・・・・・共振周波数決定装置。 図面の浄書(白′1L−に受支−し) 第4図 獣ル塑 第3図 第〈図 手続補正帯(方式) 1、事件の表示 昭和61年特許順第296468
号2、発明の名称 セ ン サ −3、
補正をする者 事件との関係 出願人 1、代理人 5、補正命令の日付 昭和62年2月24日願書に最
初に添付した明細書及び 図面の浄書(内容に変更なし)
ビームを概略的に示す。 第2図は、ファブリー・ペロ干渉計の光の伝達と鏡の分
離との関係をグラフで示す図である。 第3図はファブリー・ペロ干渉計を用いて入射光の強さ
を変える光熱発振器センサーを示す図である。 第4図は選択的なマスキングを用いて入射光の強さを変
える光熱発振器センサーの変形例を概略的に示す図であ
る。 第5図は第4図に示す実施例で用いられている選択的な
マスキングフィードバック技術の原理を一層詳細に示す
図である。 第6図は選択的なマスキング技術を使っている本発明の
もう1つの実施例を示す図である。 1.23.32・・・・・・物 体、 8.14.25.25’・・・・・・光 源、20.2
1・・・・・・共振周波数決定装置。 図面の浄書(白′1L−に受支−し) 第4図 獣ル塑 第3図 第〈図 手続補正帯(方式) 1、事件の表示 昭和61年特許順第296468
号2、発明の名称 セ ン サ −3、
補正をする者 事件との関係 出願人 1、代理人 5、補正命令の日付 昭和62年2月24日願書に最
初に添付した明細書及び 図面の浄書(内容に変更なし)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、加えた力の作用に依存する共振周波数をもった物体
と、この物体を連続的に照明するように配列された光源
と、前記物体を共振周波数で振動させるため前記物体に
よって吸収される光の量を物体の振動変位に依存させる
変調装置と、生じた共振周波数を決定するための装置と
を含むことを特徴とするセンサー。 2、加えた力の作用に依存する共振周波数をもった物体
と、前記物体の膨張、収縮によって引き起される照明の
強さの変化によって物体の一部分が交互に膨張、収縮す
るような光熱効果により物体を共振周波数で振動させる
ために、前記物体を連続的に照明するように配列された
光源と、生じた共振周波数を決定するための装置とを含
む、ことを特徴とするセンサー。 3、光の強さを変化させる装置は、光の伝達特性が2つ
の部分反射面間の距離に依存するようなファブリー・ペ
ロ干渉計であって、物体が膨張、収縮すると、前記距離
が変化するように光源と物体との間に介在される、特許
請求の範囲第1項又は第2項に記載のセンサー。 4、部分反射面のうちの一方は、光が入射する前記物体
の領域で支えられている、特許請求の範囲第3項に記載
のセンサー。 5、前記一方の部分反射面は物体自体の光学的に平らな
表面領域で構成されている、特許請求の範囲第4項に記
載のセンサー。 6、前記一方の部分反射面は、物体に付けた薄い金属層
の外表面で構成される、特許請求の範囲第4項に記載の
センサー。 7、部分反射面のうちの他方は、前記物体と前記光源と
の間に介在させた光伝達部材で支えられている、特許請
求の範囲第3項、第4項、第5項又は第6項に記載のセ
ンサー。 8、前記光伝達部材は光ファイバーであり、該光ファイ
バーは、前記物体に近接するその端に部分反射面を備え
ている、特許請求の範囲第7項に記載のセンサー。 9、光の強さを変化させる装置は入射光の一部をさえぎ
るように位置決めされたマスクである、特許請求の範囲
第2項に記載のセンサー。 10、マスクは光反射性であり、前記物体によって支え
られている、特許請求の範囲第9項記載のセンサー。 11、マスクは前記物体の局部領域に付けた高い反射層
である、特許請求の範囲第10項に記載のセンサー。 12、生じた共振周波数を決定するための装置は、前記
物体の振動によって振幅変調される反射光を受光するよ
うに配列された光検出器を含む特許請求の範囲第1項乃
至第11項いずれか1項に記載のセンサー。
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GB8530809 | 1985-12-13 |
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JP (1) | JPS62195531A (ja) |
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