JPS62172755A - フオトセンサの作製方法 - Google Patents
フオトセンサの作製方法Info
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- JPS62172755A JPS62172755A JP61013783A JP1378386A JPS62172755A JP S62172755 A JPS62172755 A JP S62172755A JP 61013783 A JP61013783 A JP 61013783A JP 1378386 A JP1378386 A JP 1378386A JP S62172755 A JPS62172755 A JP S62172755A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトセンサに関する。フォトセンサは、たと
えばファクシミリ畢デジタル複写機等の画像情報処理用
の光電変換装置として好適に利用される。
えばファクシミリ畢デジタル複写機等の画像情報処理用
の光電変換装置として好適に利用される。
フォトセンサとしては、カルコゲナイド、ＣｄＳ。
Ｃｄ８Ｓｅ 、非晶質シリコン（以下、［ａ−８ｔ Ｊ
と略称する）等からなる光導電層上に受光部となる間隙
を形成する様に対向して１対の’［＆’！ｒ付与するこ
とにより作製されるゾレナー型の光導電型フォトセンサ
か例示できる。光導電型フォトセンサは容易に長尺ライ
ンセンサアレイを形成し得るので、近年特にその研究開
発が行なわれている。なかでもａ−８１光導を層を用い
たフォトセンサは特に光応答性に優れており、高速読取
りが可能なフォトセンサとして期待されている。
と略称する）等からなる光導電層上に受光部となる間隙
を形成する様に対向して１対の’［＆’！ｒ付与するこ
とにより作製されるゾレナー型の光導電型フォトセンサ
か例示できる。光導電型フォトセンサは容易に長尺ライ
ンセンサアレイを形成し得るので、近年特にその研究開
発が行なわれている。なかでもａ−８１光導を層を用い
たフォトセンサは特に光応答性に優れており、高速読取
りが可能なフォトセンサとして期待されている。
第４図はこの憾な光導電型フォトセンサの一例を示す平
面図であり、第５図はそのＶ−Ｖ断面図である。これら
の図において、２２はガラスからなる透明基板であシ、
２４はａ−８ｉからなる光導電層であり、２６はオーミ
ックコンタクト層であシ、２８．３０は１対の電極であ
る。この様に、一般に光導を鳩２４と電極２８．３０と
の間にはオーミックコンタクトをとるための層が介在せ
しめられる。
面図であり、第５図はそのＶ−Ｖ断面図である。これら
の図において、２２はガラスからなる透明基板であシ、
２４はａ−８ｉからなる光導電層であり、２６はオーミ
ックコンタクト層であシ、２８．３０は１対の電極であ
る。この様に、一般に光導を鳩２４と電極２８．３０と
の間にはオーミックコンタクトをとるための層が介在せ
しめられる。
この様なフオトセ／すは、従来、たとえば第６図に示さ
れる様な工程にて作製されている。
れる様な工程にて作製されている。
即ち、先ずガラス基板２２の上面にＳｉＨ４，ガス等の
シラン系ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりａ−
８ｉ光轡′鍜烏２４を堆積形成せしめ、次に該シラン系
ガスにＰＨ５，ＡｓＨ３等のドーピングがスを混入した
混合ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により光導電層
２４上にｎ＃２６’全堆積形成せしめ。
シラン系ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりａ−
８ｉ光轡′鍜烏２４を堆積形成せしめ、次に該シラン系
ガスにＰＨ５，ＡｓＨ３等のドーピングがスを混入した
混合ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により光導電層
２４上にｎ＃２６’全堆積形成せしめ。
しかる後に該ｎ＋層２り′上にＸ仝薫蒸Ｎ法たはスパッ
タ法によりＡｔ等の金属からなる導′ｗＬ層２８′ヲ堆
積形成せしめる（第６図（ａ））。
タ法によりＡｔ等の金属からなる導′ｗＬ層２８′ヲ堆
積形成せしめる（第６図（ａ））。
続いて、常法によシラエツトエツチングにて導電層２８
／全パターニングして電極２８．３０全形成せしめる（
第６図（ｂ））。
／全パターニングして電極２８．３０全形成せしめる（
第６図（ｂ））。
続いて、該’ａｍ２８．３０ｔ−マスクとしてエツチン
グを行ない露出部分Ωｎ＋層２６′を除去してオーミッ
クコンタクト層２６を形成せしめる（第５図）。
グを行ない露出部分Ωｎ＋層２６′を除去してオーミッ
クコンタクト層２６を形成せしめる（第５図）。
しかして、以上の様な従来のフォトセンサの作製方法に
おいては、不要な一層２６′のエツチングはウェットエ
ツチングにより、またはプラズマエツチング等のドライ
エツチングにより行なわれる。
おいては、不要な一層２６′のエツチングはウェットエ
ツチングにより、またはプラズマエツチング等のドライ
エツチングにより行なわれる。
しかるに、ウェットエツチングを用いる場曾にはエツチ
ング液にさらされる光導電層２４０表面にエッチビート
が発生し易く、またエツチングの選択性が比較的太きい
ために光導電＃２４の表面にｎ一層が形成部れ易いとい
う問題点がめる。一方、ドライエツチングを用いる場会
にはカソード材料の構成成分がインデランテーシ、ンさ
れるという問題点がある。これらはいづれもフォトセン
サの特性劣化をもたらす。更に、双方のエツチングに共
通する問題点としてはエツチングによシ光導電膚２４の
表面が荒されて、Ｓ／Ｎ比が低下するという現象の発生
がある。
ング液にさらされる光導電層２４０表面にエッチビート
が発生し易く、またエツチングの選択性が比較的太きい
ために光導電＃２４の表面にｎ一層が形成部れ易いとい
う問題点がめる。一方、ドライエツチングを用いる場会
にはカソード材料の構成成分がインデランテーシ、ンさ
れるという問題点がある。これらはいづれもフォトセン
サの特性劣化をもたらす。更に、双方のエツチングに共
通する問題点としてはエツチングによシ光導電膚２４の
表面が荒されて、Ｓ／Ｎ比が低下するという現象の発生
がある。
本発明によれは、以上の如き従来技術の問題点を解決す
るものとして、光導１１層の一方の減面上の電極形成部
分以外の部分に絶縁層を形成し、次いでそれらの上にオ
ーミックコンタクト層形成材料からなる層を形成し、次
いでその上に電極形成材料からなるＩ＠に形成し、しか
る後にに！形成部分以外の電極形成材料及びオーミック
コンタクト層形成材料を除去すること全特徴とする、フ
ォトセンサの作製方法が提供される。
るものとして、光導１１層の一方の減面上の電極形成部
分以外の部分に絶縁層を形成し、次いでそれらの上にオ
ーミックコンタクト層形成材料からなる層を形成し、次
いでその上に電極形成材料からなるＩ＠に形成し、しか
る後にに！形成部分以外の電極形成材料及びオーミック
コンタクト層形成材料を除去すること全特徴とする、フ
ォトセンサの作製方法が提供される。
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
第１図（ｍｌ−（ｆ）は本発明方法の一実施例を示す工
程図である。
程図である。
先ス、ガラス基板２上にＳｉＨ４等のシラン系ガスを原
料としてプラズマＣＶＤ法によりａ−８ｉ光導電層４を
堆積形成せしめ、次いで該光導電層上に真空蒸着法また
はスフ９ツタ法により絶縁層形成材料である８１０□の
層６′を堆積形成せしめる（第１図（ａ））。
料としてプラズマＣＶＤ法によりａ−８ｉ光導電層４を
堆積形成せしめ、次いで該光導電層上に真空蒸着法また
はスフ９ツタ法により絶縁層形成材料である８１０□の
層６′を堆積形成せしめる（第１図（ａ））。
続いて、該８１０２層６′上にフォトレジストを箪布し
、電極を形成すべき部分Ｘを除去するノ４ターニングを
行ない、該パターニングされたフォトレジストをマスク
として反応性イオンエツチングを行ない、電極形成部分
の８１０２層６′を除去し、絶縁層６を形成せしめる（
第１図（ｂ））。
、電極を形成すべき部分Ｘを除去するノ４ターニングを
行ない、該パターニングされたフォトレジストをマスク
として反応性イオンエツチングを行ない、電極形成部分
の８１０２層６′を除去し、絶縁層６を形成せしめる（
第１図（ｂ））。
続いて、露出部分の光導電層４及び絶縁層６上にシラン
系ガスにＰＨ５＋ＡａＨ３等のドーピングガスを混入し
た混合ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により一面に
ｎ中層８′を堆積形成せしめる（第１図（Ｃ））。
系ガスにＰＨ５＋ＡａＨ３等のドーピングガスを混入し
た混合ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により一面に
ｎ中層８′を堆積形成せしめる（第１図（Ｃ））。
続いて、該ｎ中層８′上に一面に真空蒸着法によりＡｔ
等の金属からなる導電層１０′を堆積形成せしめる（第
１図（ｄ））。
等の金属からなる導電層１０′を堆積形成せしめる（第
１図（ｄ））。
続いて、該導電層１０′上に７オトレジストを塗布し、
電極を形成すべき部分Ｘのみを残すノ々ターニングを行
ない、該ノ母ターニングされたフォトレジストをマスク
としてエツチングを行ない、電極１０．１２を形成せし
める（第１図（ｅ））。
電極を形成すべき部分Ｘのみを残すノ々ターニングを行
ない、該ノ母ターニングされたフォトレジストをマスク
としてエツチングを行ない、電極１０．１２を形成せし
める（第１図（ｅ））。
続いて、該電極１０．１２をマスクとしてＣＦ４ガスを
用いたプラズマエツチングにより露出部分のｎ中層８′
を除去し、オーミックコンタクト層８を形成せしめる（
第１図（ｆ））。
用いたプラズマエツチングにより露出部分のｎ中層８′
を除去し、オーミックコンタクト層８を形成せしめる（
第１図（ｆ））。
以上によりフォトセンサが作製される。第２図はかくし
て作製されたフォトセンサの平面図である。ちなみに、
第１図は第２図のＩ−１断面を示している。
て作製されたフォトセンサの平面図である。ちなみに、
第１図は第２図のＩ−１断面を示している。
以上の実施例においては絶縁層形成材料として５ｉ０２
が用いられているが、本発明における絶縁層構成材料と
してはその他ＳＩＮ 、 ＳｉＣ，等の無機材料を用い
ることもできる。
が用いられているが、本発明における絶縁層構成材料と
してはその他ＳＩＮ 、 ＳｉＣ，等の無機材料を用い
ることもできる。
また、絶縁層６、オーミックコンタクト層８及び電極１
０，１２の形成のためのパターニングのための手段は、
これらの材料の種類その他の条件に応じて適宜のものを
採用することができる。
０，１２の形成のためのパターニングのための手段は、
これらの材料の種類その他の条件に応じて適宜のものを
採用することができる。
第３図は上記実施例により作製されたフォトセンサ及び
上記従来の方法により作製されたフォトセンサの充電流
特性（Ｖ−１特性）を示すグラフである。尚、第３図に
おいて、Ａは上記本発明実施例により作製されたフォト
センサの特性であり、Ｂ、、Ｂ、、Ｂ、は従来の方法に
より作製されたフォトセンサの特性である。
上記従来の方法により作製されたフォトセンサの充電流
特性（Ｖ−１特性）を示すグラフである。尚、第３図に
おいて、Ａは上記本発明実施例により作製されたフォト
センサの特性であり、Ｂ、、Ｂ、、Ｂ、は従来の方法に
より作製されたフォトセンサの特性である。
本発明によるフォトセンサは数百時間の経過の後にも特
性は変化しなかったが、他方従来法によるフォトセンサ
は当初Ｂ、の特性であり、数時間後にＢ、の特性となり
、数十時間後にＢ、の特性となり、特性の経時劣化があ
ることが分る。
性は変化しなかったが、他方従来法によるフォトセンサ
は当初Ｂ、の特性であり、数時間後にＢ、の特性となり
、数十時間後にＢ、の特性となり、特性の経時劣化があ
ることが分る。
上記実施例においては、光導電層４としてａ−８ｌが用
いられているが、本発明は光導電層としてその他の材料
を用いる場合にも同様に適用することができる。
いられているが、本発明は光導電層としてその他の材料
を用いる場合にも同様に適用することができる。
以上の如き本発明によれば、１対の電極の間の受光部の
光導電層にエツチングによる損傷を与えることがないの
で、センナ特性の極めて良好且つ安定なフォトセンサが
得られる。
光導電層にエツチングによる損傷を与えることがないの
で、センナ特性の極めて良好且つ安定なフォトセンサが
得られる。
第１図（、）〜α）は本発明方法の工程図であり、第２
図は本発明方法により作製されたフォトセンサの平面図
である。 第３図はフォトセンサのｖ−■特性のグラフである。 第４図は従来のフォトセンサの平面図であり、第５図は
そのｖ−■断面図である。 第６図（ａ） 、 （ｂ）は従来のフォトセンサ作製方
法の工程図である。 ２：基板、４：光導電層、６：絶縁層、６′：絶縁層形
成材料層、８ニオ−ミックコンタクト層、８′：ｎ中層
、ＩＱ、１２：電極、１０’、１２’：電極形成材料層
、Ｘ：電極形成部分。 代理人 弁理士 山 下 、穣 子 弟１図（０） 第１図（ｂ） 第１図（Ｃ） 武 第１図（ｄ） 第１図（ｅ） 第１ 図（ｆ） 第４ｖＡ 第５図
図は本発明方法により作製されたフォトセンサの平面図
である。 第３図はフォトセンサのｖ−■特性のグラフである。 第４図は従来のフォトセンサの平面図であり、第５図は
そのｖ−■断面図である。 第６図（ａ） 、 （ｂ）は従来のフォトセンサ作製方
法の工程図である。 ２：基板、４：光導電層、６：絶縁層、６′：絶縁層形
成材料層、８ニオ−ミックコンタクト層、８′：ｎ中層
、ＩＱ、１２：電極、１０’、１２’：電極形成材料層
、Ｘ：電極形成部分。 代理人 弁理士 山 下 、穣 子 弟１図（０） 第１図（ｂ） 第１図（Ｃ） 武 第１図（ｄ） 第１図（ｅ） 第１ 図（ｆ） 第４ｖＡ 第５図
Claims (3)
- （１）光導電層と該光導電層に電圧を印加するため該光
導電層の同一表面側にオーミックコンタクト層を介して
設けられた１対の電極とを有するフォトセンサの作製方
法において、光導電層の一方の表面上の電極形成部分以
外の部分に絶縁層を形成し、次いでそれらの上にオーミ
ックコンタクト層形成材料からなる層を形成し、次いで
その上に電極形成材料からなる層を形成し、しかる後に
電極形成部分以外の電極形成材料及びオーミックコンタ
クト層形成材料を除去することを特徴とする、フォトセ
ンサの作製方法。 - （２）電極形成部分以外の部分の絶縁層の形成が、光導
電層表面上の全面に絶縁層形成材料を付与した後に電極
形成部分の絶縁層形成材料を除去することにより行なわ
れる、特許請求の範囲第１項のフォトセンサの作製方法
。 - （３）光導電層及びオーミックコンタクト層がともにシ
リコンを母体とする非晶質材料からなる、特許請求の範
囲第１項のフォトセンサの作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61013783A JPS62172755A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | フオトセンサの作製方法 |
| US07/005,850 US4705598A (en) | 1986-01-27 | 1987-01-21 | Method of producing photosensor |
| GB8701421A GB2185852B (en) | 1986-01-27 | 1987-01-22 | Method of producing photosensor |
| DE19873702187 DE3702187A1 (de) | 1986-01-27 | 1987-01-26 | Verfahren zur herstellung eines photosensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61013783A JPS62172755A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | フオトセンサの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172755A true JPS62172755A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11842845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61013783A Pending JPS62172755A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | フオトセンサの作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4705598A (ja) |
| JP (1) | JPS62172755A (ja) |
| DE (1) | DE3702187A1 (ja) |
| GB (1) | GB2185852B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63132452A (ja) * | 1986-11-24 | 1988-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2027986B (en) * | 1978-07-31 | 1983-01-19 | Philips Electronic Associated | Infra-red detectors |
| GB2027985B (en) * | 1978-07-31 | 1983-01-19 | Philips Electronic Associated | Infra-red detectors |
| JPS57192047A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | Wiring layer in semiconductor device and manufacture thereof |
| JPH0614552B2 (ja) * | 1983-02-02 | 1994-02-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JPH0763097B2 (ja) * | 1984-02-10 | 1995-07-05 | キヤノン株式会社 | フオトセンサの作製法 |
| US4581099A (en) * | 1985-01-30 | 1986-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for preparation of a photosensor |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP61013783A patent/JPS62172755A/ja active Pending
-
1987
- 1987-01-21 US US07/005,850 patent/US4705598A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-22 GB GB8701421A patent/GB2185852B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-26 DE DE19873702187 patent/DE3702187A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4705598A (en) | 1987-11-10 |
| GB2185852B (en) | 1990-03-21 |
| GB2185852A (en) | 1987-07-29 |
| GB8701421D0 (en) | 1987-02-25 |
| DE3702187C2 (ja) | 1990-11-29 |
| DE3702187A1 (de) | 1987-07-30 |
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