JPS62160283A

JPS62160283A - 書換型ヒ−トモ−ド光記憶媒体

Info

Publication number: JPS62160283A
Application number: JP61001879A
Authority: JP
Inventors: Takuji Yoshida; 卓史吉田; Akira Morinaka; 森中　彰; Norihiro Funakoshi; 宣博舩越
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1986-01-08
Filing date: 1986-01-08
Publication date: 1987-07-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野この発明は、書換型光記憶媒体に関し、更に詳しくいえ
ば、レーザ光照射によりフォトクロミック有機材料の着
色状態を変化させ、この着色状態の変化をヒートモード
で可逆的に繰返すことにより記録の書換えを可能にした
光記憶媒体に関す°るものである。

従来の技術最近のレーザ技術の進歩にともない微少スポットに集光
可能なレーザが開発されている。このレーザ光を光源と
して利用し、媒体上に情報を記録する光記憶媒体の研究
開発が最近数多くなされている。

このような光記憶媒体は、情報の書込みが一度しかでき
ない固定記録媒体と、同一の媒体に何度でも異なった情
報を書込むことのできる書換型記録媒体とに分類できる
。前者の固定記録媒体として特に良く知られているもの
としては、例えば、Ｔｅ薄膜、Ｔｅ含有二硫化炭素、プ
ラズマ重合膜を代表とする半導体レーザ光の熱による穴
あき形追記媒体、后レーザを用いるフルオレセインを薄
膜化した有機物の穴あき形光記録媒体、スクアリリウム
色素、ｐｔあるいはＮｉジチオレート色素を薄膜化した
半導体レーザ用光記憶媒体がある。

書換型媒体として知られているものには、カルコゲナイ
ドガラス、非晶質・結晶質転移を利用するＴｅ酸化物等
がある。また、有機物のもつフォトクロミック性を利用
した有機物フォトクロミック光記憶媒体も書換型で、ス
ピロピラン、フルギド化合物をポリマーなどのマトリッ
クスに分散溶解した媒体が知られている。

情報記録方式には、フォトンモードとヒートモードの２
通りがある。カルコゲナイドガラスやＴｅ酸化物等では
一般にヒートモードの記録方式が用いられる。これら書
換型媒体には以下のような問題点がある。

−転移温度が高いため、転移に高パワーレーザが必要で
ある。

−記録した非晶質スポットの長期安定性に問題がある。

−記録コントラストは、膜厚を制御して干渉条件を最適
化しても数％〜１０％程度にしかならない。

−用いる材料がＡｓ、　Ｓｅ等を含む毒性の強い物質で
あるため、製造または一般での使用の際に危険がある。

また、この結果、廃材料の回収にコストがかかる。

有機フォトクロミック光記憶媒体では一般にフォトンモ
ードの記録方式が用いられる。媒体はマトリックスに分
散させであるため、記憶媒体濃度が低くなり、記録コン
トラストが小さくなる。また、記録分子が動き易いこと
もあり、記録ピットの安定性が悪い。

発明が解決しようとする問題点以上説明したように、書換型光記憶媒体はいろいろ開発
されているが、実用化できるに至っていない。記録保持
の長期安定性が高く、記録コントラストを大きくできる
書換型光記憶媒体が従来からの課題である。

本発明は、上記の問題点を解決した書換型ヒートモード
光記憶媒体を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段上記問題点を解決するための本発明の書換型光記憶媒体
は、基板と、その上に設けられたスピロピラン化合物単
独で構成された固相記録層と、さらに光吸収層とから構
成される。

本発明の好ましい態様に従うと、上記光吸収層は使用す
るレーザ光に対してほぼ５０〜６０％の反射率を有し、
さらに５００〜５０００オングストローム、好ましくは
１５００〜２０００オングストロームの範囲の厚ざであ
ることが好ましい。

このような本発明の書換型ヒートモード光記憶媒体では
、情報記録・読出しをヒートモードで行い、情報の消去
をフォトンモードで行うことができる。

記録層の形成には、スピンコード法、蒸着法、またはデ
ィッピング法を用いる。

上記基板材料としては、例えばポリカーボネート、アク
リル樹脂などのこの種の媒体においてよく知られた各種
プラスチック、ＡＩなどの金属またはガラスなどが用い
られる。

またスピロピラン化合物としては分子中にヒドロキシル
基をもつものが用いられる。そのような化合物としては
、１．３．３−）ジメチルインドリノ−６゛−ヒドロキ
シベンゾピリロスピラン、１．３．３−）リメチルイン
ドリノ−６”−アミノ−７゛−ヒドロキシベンゾピリロ
スピラン、１゜３．３−トリメチルインドリノ−８゛−
ブロモ−５−クロロ−７′−ヒドロキシベンゾピリロス
ピラン、１，３．３−）ジメチルインドリノ−８゛−フ
ロモーフ′−ヒドロキシベンゾピリロスピラン、１，３
．３−）ツメチルインドリノ−５−クロロ−６′−ヒド
ロキシ−８′−メトキシベンゾピリロスピラン、１．３
．３−）ジメチルインドリノ−８゛−ホルミル−７°−
ヒドロキシベンゾピリロスピラン、１，３．３−）リフ
チルインドリノ−６゛−ヒドロキシ−８′−メトキシベ
ンゾピリロスピラン、１．３．３−）サメチルインドリ
ノ−５−二トローフ゛−ヒドロキシベンゾピリロスピラ
ン、１．３．３−）リメチルインドリノー７′−ヒドロ
キシ−６′−ニトロベンゾピリロスピラン、１．３．３
−）リメチルインドリノー７゛−ヒドロキシベンゾピリ
ロスピラン、１，３゜３−トリメチルインドリノ−８゛
−ヒドロキシベンゾピリロスピランなどがある。

一作月本発明では情報記録層を単独のスピロピラン化合物から
なる固相記録層としている。このため、従来の分散され
たフォトクロミック有機材料を用いた光記憶媒体で問題
となっていた、コントラストの悪さ、および記録ピット
の不安定性を改良することが可能となる。

さらに、本発明に従う光記憶媒体は光吸収層を備え、こ
の光吸収層は好ましくは、使用するレーザ光に対してほ
ぼ５０〜６０％の反射率を有しているので、例えば８３
０ナノメータの波長の半導体レーザ光をほぼ５０〜６０
％で反射するよう構成される。

従って、本発明の光記憶媒体の光吸収層は反射層として
作用すると同時に、レーザ光を４０〜５０％吸収して、
記録層との境界面を適度に加熱しヒートモードでの情報
記録・読出しを可能とする。

光吸収層の厚さが５００オングストロ一ム未満のときは
、反射層として機能できず、一方、５０００オングスト
ロームを越えるとヒートキャパシティが大きくなりすぎ
、記録層の適当な加熱が達成できず、特に加熱又ポット
が大きくなる。

光吸収層の材料としては、７５０オングストローム乃至
１３００ナノメータの波長のレーザ光に対してほぼ５０
〜６０％の反射率を有する材料、特にテルル、ニッケノ
ペビスマスの如き金属材料が好ましい。

本発明の媒体を用いた情報の記録・消去を以下に説明す
る。初期の透明な状態を加熱すると記録層は着色する。

この状態で紫外光を照射すると反射率が減少して、ある
状態に達し飽和する。ここで集束したレーザ光ビームを
照射して加熱すると反射率が増加して情報が記録される
。記録情報を消去するには再び紫外線を照射する。反射
率が再び減少することで情報の消去がわかる。従って、
本発明の媒体を用いて、ヒートモードで情報記録が行な
われ、フォトンモードで情報消去が行なわれる。

実施例以下、実施例により本発明の記憶媒体を具体的に説明す
る。

実施例１第１図に示す構成の記憶媒体を作製した。情報記録層１
２として、スピロピラン化合物の代表例、１．３．３−
）ツメチルインドリノ−６°−ヒドロキシベンゾピリロ
スピラン（ＨＢＰＳ）を用い、これをアクリル基板１１
上に真空度Ｉ　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ。

加熱温度１５０℃で、膜厚２０００人に蒸着した。この
ＨＢＰＳ膜上にさらに、光吸収層１３としてＴｅを２０
００人蒸着した。

この記憶媒体は、アクリル基板の下から観察するとＴｅ
面の金属光沢の見える無色透明なガラス状薄膜となった
。５０℃で加熱すると青色（最大吸収波長：λｎ、ａｘ
　＝　６００ｎｍ、反射率４０％）に着色する。

この状態の記憶媒体に紫外光（波長３６５ｎｍ。

出力５００　Ｗの超高圧水銀灯）を照射すると、１０分
間で６００ｎｍにおける反射率が１０％に減少し、その
状態で飽和する。ここで波長８３０ｎｍの半導体レーザ
光のビーム（ビーム径１．６μｍφ、出力３．２ｍＷ、
パルス幅１　μ５ｅｃ）を照射すると、６００ｎｍにお
ける反射率が４０％まで増加し、ピット記録が行なわれ
た。

次に、このピットに紫外光を照射すると反射率は再び減
少し、ピットの消去が行なわれた。

この半導体レーザによるヒートモード記録と、紫外光に
よるフォトンモード記録消去は、繰返し行なうことがで
きた。

実施例２ＨＢＰＳをアセトンに溶解し、スピンコード法により記
録層を設け、その上にさらにＮｉを２０００人蒸着して
媒体を作製した。その結果、実施例１と同じ反射率をも
つ媒体が得られた。情報記録および記録消去に関しても
実施例１と同様であり、繰返し性が見られた。

実施例３以下の第１表に掲げた化合物を用いて実施例１．２に記
載したと同様の膜形成を行ない媒体を作成した。光吸収
層にはＴｅを２０００人蒸着した。情報記録に用いた半
導体レーザの出力とパルス幅も第１表に示しである。そ
の結果、実施例１．２と同様の結果が得られた。

第１表第１表（続き）発明の詳細な説明したように、本発明による光記憶媒体は、スピン
コード法、真空蒸着法などの簡便な方法および装置で作
製可能である。

さらに、記録ピットの記録原理にヒートモードを用いる
ことが可能なため、非常に高感度の記録が行なえる。し
かも実施例に示したような書換性をもつ。

この光記憶媒体の情報記録層は単独のスピロピラン化合
物からなる固層であるため、記録媒体濃度を大きくでき
、その結果記録コントラストを大きくできる。また、記
録分子が固定されているため記録ピットの安定性もよい
。

以上のように、本発明による光記憶媒体は、ヒートモー
ドによる情報記録が効果的に行なえる光記憶媒体である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による光記憶媒体の構成図である。（主な参照番号）１１・・基板、　　　１２・・記録層、１３・・光吸収
層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板と、その上に設けられたスピロピラン化合物
単独で構成された固相記録層と、さらに光吸収層とを有
することを特徴とする書換型ヒートモード光記憶媒体。
（２）上記光吸収層は使用するレーザ光に対してほぼ５
０〜６０％の反射率を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の書換型ヒートモード光記憶媒体。
（３）上記光吸収層は５００〜５０００オングストロー
ムの厚さであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項に記載の書換型ヒートモード光記憶媒体。
（４）上記スピロピラン化合物がヒドロキシル基を含有
するスピロピラン化合物から選ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載
の書換型ヒートモード光記憶媒体。
（５）上記記録層に対する情報記録・読出しをヒートモ
ードで行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第４項のいずれか１項に記載の書換型ヒートモード記憶
媒体。