JPS6215950B2 - - Google Patents
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- JPS6215950B2 JPS6215950B2 JP56165646A JP16564681A JPS6215950B2 JP S6215950 B2 JPS6215950 B2 JP S6215950B2 JP 56165646 A JP56165646 A JP 56165646A JP 16564681 A JP16564681 A JP 16564681A JP S6215950 B2 JPS6215950 B2 JP S6215950B2
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- replicator
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブートループを有するメジヤーマイナ
ー構成の磁気バブルメモリデバイスの制御方式に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a control method for a major-minor magnetic bubble memory device having a boot loop.
最近、磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理
演算等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発
性、高記憶密度、低消費電力であり、また機械的
要素を全く含まない固体素子であることから非常
に高い信頼性を有している。このような磁気バブ
ルメモリの素子構成には第1図に示す如きバブル
伝播路1がエンドレスループであるシリアルルー
プ方式と、第2図に示す如きメジヤーライン2及
びマイナーループ3とを有するメジヤーマイナー
ループ方式とがある。そして大容量メモリとして
はアクセスの早いメジヤーマイナーループが有利
である。ところが磁気バブルメモリの結晶基板は
その製造上、結晶格子の欠陥とか、伝播路に生ず
る欠陥が避けられない。そのためメジヤーマイナ
ーループ方式では始めからある数の不良ループを
許容し、この不良ループは使用しないようにして
いる。そしてこの不良ループの情報は各マイナー
ループの特定ページに記憶させ、これを読み出し
た後、必要情報の読み出し又は書き込みを行なう
ようにしている。ところがメジヤーマイナールー
プ方式の読み出し方法は、第2図の如く各マイナ
ーループ3の同一位置にあるバブル4を一斉にメ
ジヤーライン2にトランスフアし、このメジヤー
ライン上に並んだバブルを順次検出器5で読み出
し、このページを読み終つたら、次のページのバ
ブルをメジヤーラインにトランスフアし、順次こ
のようにして読み出すのである。読み出しをこの
ようにして行なうと、不良ループ情報を格納した
ページがマイナーループ上のどの位置にいるかに
よつて読み出しに長時間を要する場合が生ずる。
この対策として第3図に示す如く不良ループ情報
を格納するための特別のループとしてブートルー
プ6を設け、このループはシリアルに書込み及び
読み出しができるようになつている。但し書き込
み及び読み出しは通常2ビツト毎に行なわれる。
従つてブートループのビツト数が奇数の場合は、
不良ループ情報の先頭位置がどこにあつても、少
なくともブートループを2回まわれば読み出し可
能である。またブートループのビツト数が偶数の
場合には、不良ループ情報の先頭位置が読み出し
用のトランスフアゲートより奇数ビツト離れて停
止しているときは読み出しが不可能となる。この
ためブートループのビツト数が偶数であつても読
み出しが可能であり、かつ読み出し時間の短縮の
ため不良ループ情報の先頭がブートループを一周
すれば読み出し可能となるような読み出し方法の
開発が要求されている。本発明はこの要求に基づ
いて案出されたものである。 Recently, devices using magnetic bubbles that use magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. are nonvolatile, have high storage density, have low power consumption, and are solid-state devices that do not contain any mechanical elements. It has extremely high reliability. The element configuration of such a magnetic bubble memory includes a serial loop system in which the bubble propagation path 1 is an endless loop as shown in FIG. 1, and a major-minor loop system having a major line 2 and a minor loop 3 as shown in FIG. There is a method. As a large-capacity memory, a major-minor loop is advantageous because it can be accessed quickly. However, due to the manufacturing process of the crystal substrate of the magnetic bubble memory, defects in the crystal lattice and defects occurring in the propagation path cannot be avoided. Therefore, in the major minor loop method, a certain number of bad loops are allowed from the beginning, and these bad loops are not used. Information about this defective loop is stored in a specific page of each minor loop, and after reading this information, necessary information is read or written. However, in the reading method of the major minor loop method, as shown in FIG. When the page is read out, the bubbles of the next page are transferred to the major line, and read out in this manner one after another. If reading is performed in this manner, reading may take a long time depending on where on the minor loop the page storing the defective loop information is located.
As a countermeasure against this problem, a boot loop 6 is provided as a special loop for storing defective loop information as shown in FIG. 3, and this loop can be written and read serially. However, writing and reading are normally performed every two bits.
Therefore, if the number of bits in the boot loop is odd,
No matter where the beginning position of the defective loop information is, it can be read by going through the boot loop at least twice. Further, when the number of bits in the boot loop is even, reading becomes impossible if the leading position of the defective loop information is stopped at an odd number of bits away from the transfer gate for reading. Therefore, there is a need to develop a reading method that allows reading even if the number of bits in the boot loop is even, and that allows reading once the beginning of the defective loop information has gone around the boot loop in order to shorten the reading time. has been done. The present invention was devised based on this requirement.
このため本発明の磁気バブルメモリデバイスの
制御方式においては、不良ループ情報を格納する
1本のブートループを備えたメジヤーマイナール
ープ構成で、2ビツト毎に書き込み読み出しを行
なう磁気バブルメモリデバイスにおいて、ブート
ループに格納した不良ループ情報の先頭位置を、
ブートループのビツト数が奇数の時は読み出し用
レプリケータより奇数ビツト目に停止させ、ブー
トループのビツト数が偶数の時は読み出し用レプ
リケータより偶数ビツト目に停止させるようにバ
ブル駆動磁界の回転を制御することも特徴とする
ものである。 Therefore, in the magnetic bubble memory device control method of the present invention, in a magnetic bubble memory device that has a major-minor loop configuration with one boot loop for storing defective loop information and writes and reads every 2 bits, The starting position of the bad loop information stored in the boot loop is
The rotation of the bubble drive magnetic field is controlled so that when the number of bits in the boot loop is odd, it is stopped at the odd numbered bit from the read replicator, and when the number of boot loop bits is even, it is stopped at the even numbered bit from the read replicator. It is also characterized by the fact that
以下添付図面に基づいて本発明方式を詳細に説
明する。 The system of the present invention will be explained in detail below based on the accompanying drawings.
第3図はブートループを備えた磁気バブルメモ
リデバイスであり、図の符号6はブートループ、
7-1〜7-oはマイナーループ、8は読み出し用の
メジヤーライン、9は書き込み用のメジヤーライ
ン、10はバブル発生器、11は検出器、12は
ブートループの読み出し用のレプリケータ、13
はマイナーループの読み出し用のレプリケータ、
14はブートループへの書き込み用のスワツプゲ
ート、15はマイナーループへの書き込み用のス
ワツプゲートである。 FIG. 3 shows a magnetic bubble memory device with a boot loop, and reference numeral 6 in the figure shows the boot loop,
7 -1 to 7 -o are minor loops, 8 is a major line for reading, 9 is a major line for writing, 10 is a bubble generator, 11 is a detector, 12 is a replicator for reading the boot loop, 13
is a replicator for reading the minor loop,
14 is a swap gate for writing to the boot loop, and 15 is a swap gate for writing to the minor loop.
このように構成されたバブルメモリデバイスに
おいて本発明方式を実施するための回路を第4図
に示す。図について説明すると、バブルメモリデ
バイス16はコントローラ17に制御されたコイ
ルドライバ18,18′及びフアンクシヨンドラ
イバ19により駆動され、書き込み、読出しを行
なう。センスアンプ20は読出しデータの増幅に
使用される。ここで本発明による駆動制御回路2
1はコントローラ17に接続あるいは内部に組込
まれ、駆動磁界の制御を行なう働きをする。 FIG. 4 shows a circuit for implementing the method of the present invention in a bubble memory device configured as described above. To explain the figure, the bubble memory device 16 is driven by coil drivers 18, 18' and a function driver 19 controlled by a controller 17 to perform writing and reading. The sense amplifier 20 is used to amplify read data. Here, the drive control circuit 2 according to the present invention
1 is connected to or incorporated into the controller 17 and functions to control the driving magnetic field.
次にビツト数が奇数であるブートループの制御
について第5図を用いて説明する。不良ループ情
報の先頭が第5図aのようにブートループ6にお
いて読み出し用レプリケータ(A部とする)より
偶数ビツト進んだ位置で停止しているものとす
るとこの先頭位置は矢印で示すバブルの伝播方向
に数えてレプリケータAまでが偶数ビツトとなる
ため、2ビツト毎の読出しでは1周目ではレプリ
ケータを通過してしまい、2周目で読み出される
ことになる。この読み出しが2周目となる不都合
を除くため、本発明は第5図bの如く不良情報の
先頭位置は常にレプリケータAより奇数ビツト進
んだ位置に停止するように駆動磁界を制御するの
である。このようにすることにより不良ループ情
報の先頭は矢印で示すバブル伝播方向に数えてレ
プリケータAまでが偶数ビツトとなるため、常に
1周以内で読み出されることになる。 Next, control of a boot loop with an odd number of bits will be explained with reference to FIG. Assuming that the beginning of the defective loop information stops at a position that is an even number of bits ahead of the read replicator (part A) in boot loop 6 as shown in Figure 5a, this beginning position is the bubble propagation indicated by the arrow. Since the number of bits up to replicator A is even when counting in the direction, when reading every two bits, the bits pass through the replicator in the first round and are read out in the second round. In order to eliminate the inconvenience that this readout is performed for the second time, the present invention controls the drive magnetic field so that the leading position of the defective information always stops at a position that is an odd number of bits ahead of the replicator A, as shown in FIG. 5b. By doing this, the beginning of the defective loop information will be an even number of bits up to the replicator A, counting in the bubble propagation direction indicated by the arrow, so that it will always be read within one round.
次にビツト数が偶数であるブートループの制御
について第6図を用いて説明する。この場合第6
図aの如く不良ループ情報の先頭がレプリケータ
Aより奇数ビツト進んだ位置で停止している
と、その位置から矢印で示すバブルの伝播方向の
数えてレプリケータAまでは奇数ビツトとなり何
周しても読み出すことは不可能である。そのため
本発明では不良ループ情報の先頭は常にレプリケ
ータAより偶数ビツト目で停止せしめるようにし
たのである。このようにすることにより不良情報
の先頭は矢印で示すバブルの伝播方向に数えて偶
数ビツトとなるから、常に1周以内で読み出され
る。なお第6図bの如くブートループを2個用
い、各ループ6-1,6-2にループ不良ループ情報
を1ビツトずらして格納しておけば必ず1周以内
で読み出し可能となるが、この場合は駆動磁界の
制御が複雑になり好ましくない。 Next, control of a boot loop with an even number of bits will be explained with reference to FIG. In this case the 6th
If the beginning of the defective loop information stops at a position that is an odd number of bits ahead of replicator A, as shown in Figure a, the distance from that position to replicator A in the direction of bubble propagation indicated by the arrow will be an odd number of bits, no matter how many times it goes around. It is impossible to read. Therefore, in the present invention, the beginning of the defective loop information is always stopped at an even numbered bit from the replicator A. By doing this, the beginning of the defective information is an even number of bits counted in the bubble propagation direction indicated by the arrow, so that it is always read within one round. Note that if two boot loops are used as shown in Figure 6b, and the loop defective loop information is stored in each loop 6 -1 and 6 -2 with a shift of 1 bit, it will always be possible to read it within one round, but this In this case, control of the driving magnetic field becomes complicated, which is not preferable.
以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリデ
バイスの制御方式は、ブートループを用いた場
合、そのブートループのビツト数の奇数又は偶数
に応じて駆動磁界の制御を行なうことにより不良
ループ情報の読み出しを迅速に行なうことを可能
としたものである。 As explained above, when a boot loop is used, the control method for the magnetic bubble memory device of the present invention reads defective loop information by controlling the drive magnetic field depending on whether the boot loop has an odd or even bit number. This made it possible to do it quickly.
第1図はシリアルループ方式の磁気バブルメモ
リの1例の構成図、第2図はメジヤーマイナー方
式の磁気バブルメモリの1例の構成図、第3図は
ブートループを備えた磁気バブルメモリの1例の
構成図、第4図は本発明の磁気バブルメモリデバ
イスの制御方式に用いる回路のブロツク図、第5
図はブートループが奇数ビツトである場合の制御
を説明する説明図、第6図はブートループが偶数
である場合の制御を説明する説明図である。
6……ブートループ、7-1〜7-o……マイナー
ループ、8……読出し用メジヤーライン、9……
書き込み用メジヤーライン、10……バブル発生
器、11……検出器、12,13……レプリケー
タ、14,15……スワツプゲート、16……バ
ブルメモリデバイス、17……コントローラ、1
8,18′……コイルドライバ、19……フアン
クシヨンドライバ、20……センスアンプ、21
……駆動制御回路。
Figure 1 is a configuration diagram of an example of a serial loop type magnetic bubble memory, Figure 2 is a configuration diagram of an example of a major-minor type magnetic bubble memory, and Figure 3 is a configuration diagram of an example of a magnetic bubble memory with a boot loop. FIG. 4 is a block diagram of a circuit used in the control method of the magnetic bubble memory device of the present invention, and FIG. 5 is a block diagram of one example.
The figure is an explanatory diagram for explaining control when the boot loop is an odd number of bits, and FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the control when the boot loop is an even number. 6...Boot loop, 7 -1 to 7 -o ...Minor loop, 8...Major line for reading, 9...
Major line for writing, 10... Bubble generator, 11... Detector, 12, 13... Replicator, 14, 15... Swap gate, 16... Bubble memory device, 17... Controller, 1
8, 18'...Coil driver, 19...Function driver, 20...Sense amplifier, 21
...Drive control circuit.
Claims (1)
プを備えたメジヤーマイナーループ構成で、2ビ
ツト毎に書き込み読み出しを行なう磁気バブルメ
モリデバイスにおいて、ブートループに格納した
不良ループ情報の先頭位置を、ブートループのビ
ツト数が奇数の時は読み出し用レプリケータより
奇数ビツト目に停止させ、ブートループのビツト
数が偶数の時は読み出し用レプリケータより偶数
ビツト目に停止させるようにバブル駆動磁界の回
転を制御することを特徴とする磁気バブルメモリ
デバイスの制御方式。1 In a magnetic bubble memory device that has a major-minor loop configuration with one boot loop that stores defective loop information and writes and reads every 2 bits, the start position of the defective loop information stored in the boot loop is The rotation of the bubble drive magnetic field is controlled so that when the number of bits in the loop is odd, it is stopped at the odd numbered bit from the read replicator, and when the number of boot loop bits is even, it is stopped at the even numbered bit from the read replicator. A control method for a magnetic bubble memory device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56165646A JPS5868290A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Control method of magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56165646A JPS5868290A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Control method of magnetic bubble memory device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868290A JPS5868290A (en) | 1983-04-23 |
JPS6215950B2 true JPS6215950B2 (en) | 1987-04-09 |
Family
ID=15816313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56165646A Granted JPS5868290A (en) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Control method of magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868290A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53108735A (en) * | 1977-02-11 | 1978-09-21 | Texas Instruments Inc | Magnetic domain unit |
JPS5459038A (en) * | 1977-10-20 | 1979-05-12 | Nec Corp | Magnetic bubble memory device |
JPS55125593A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-27 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56165646A patent/JPS5868290A/en active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53108735A (en) * | 1977-02-11 | 1978-09-21 | Texas Instruments Inc | Magnetic domain unit |
JPS5459038A (en) * | 1977-10-20 | 1979-05-12 | Nec Corp | Magnetic bubble memory device |
JPS55125593A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-27 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5868290A (en) | 1983-04-23 |
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