JPS62142396A - 薄膜回路基板 - Google Patents
薄膜回路基板Info
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- JPS62142396A JPS62142396A JP60284111A JP28411185A JPS62142396A JP S62142396 A JPS62142396 A JP S62142396A JP 60284111 A JP60284111 A JP 60284111A JP 28411185 A JP28411185 A JP 28411185A JP S62142396 A JPS62142396 A JP S62142396A
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- Japan
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- layer
- thin film
- thermal head
- insulating substrate
- protective layer
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、絶縁性基板上に少なくとも導体層と保護層と
を備えた薄膜回路基板に関し、特にサーマルヘッドに適
した薄ｎり回路基板に関する。
を備えた薄膜回路基板に関し、特にサーマルヘッドに適
した薄ｎり回路基板に関する。
「従来技術およびその問題点」
−ＩＩＩＴにサーマルヘッドは、アルミナ等の絶縁性）
、（板上に、カラスグレーズ層を部分的に形成し、さら
に、発熱抵抗体層、導体層、酸化防止層、耐摩耗層を順
次植層した構成となっている。この場合、酸化防止層お
よび耐摩耗層は、導体層を保護するものである。このよ
うに、絶縁性基板七番こ導体層と保護層とを備えた薄膜
回路基板が種々の分野で用いられている。
、（板上に、カラスグレーズ層を部分的に形成し、さら
に、発熱抵抗体層、導体層、酸化防止層、耐摩耗層を順
次植層した構成となっている。この場合、酸化防止層お
よび耐摩耗層は、導体層を保護するものである。このよ
うに、絶縁性基板七番こ導体層と保護層とを備えた薄膜
回路基板が種々の分野で用いられている。
ところが、従来、この種の薄ｎ！２回路基板におｌ、Ｘ
ては、絶縁性基板の表面精度について、あまり重要視さ
れていなかった。このため、第２図（こ示すように、絶
縁性基板１上に導体層２を形成し、さらにその上に保護
層３を形成したとき１．絶縁性基板１表面の凹凸により
、導体層２および保護層３の断面が平坦にならずにかな
り起伏の激しｌ、Ｘ、ングザグ状となっていた。このた
め、保護層３番こ＋１ 。
ては、絶縁性基板の表面精度について、あまり重要視さ
れていなかった。このため、第２図（こ示すように、絶
縁性基板１上に導体層２を形成し、さらにその上に保護
層３を形成したとき１．絶縁性基板１表面の凹凸により
、導体層２および保護層３の断面が平坦にならずにかな
り起伏の激しｌ、Ｘ、ングザグ状となっていた。このた
め、保護層３番こ＋１ 。
ジグザグ部分によって生ずるピンホール４がかなり形成
されていた。そして５例えばサーマルへ・７ドの場合、
その回路面を手で触れなｌ、％こと力く注意ｌＧ項とさ
れているが、取扱い一１二課って「で触れてしまうこと
がある。このため、人体の１ｔ”Ｈこ含まれるＣｌイオ
ンがピンホール４を通して導体層２１こ接触し、特に高
温高湿の雰囲気におｌ、）でｔ±、・９体層２が腐食さ
れて断線に至るとｌ／Ｘう問題力（生じていた。
されていた。そして５例えばサーマルへ・７ドの場合、
その回路面を手で触れなｌ、％こと力く注意ｌＧ項とさ
れているが、取扱い一１二課って「で触れてしまうこと
がある。このため、人体の１ｔ”Ｈこ含まれるＣｌイオ
ンがピンホール４を通して導体層２１こ接触し、特に高
温高湿の雰囲気におｌ、）でｔ±、・９体層２が腐食さ
れて断線に至るとｌ／Ｘう問題力（生じていた。
「発明のＬＩ的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、例え
ば回路面に手が触れても導体層の腐食が発生せず、断線
による事故の少ない信頼性に優れた薄膜回路基板を提供
することにある。
ば回路面に手が触れても導体層の腐食が発生せず、断線
による事故の少ない信頼性に優れた薄膜回路基板を提供
することにある。
「発明の構成」
本発明による薄膜回路基板は、絶縁性基板表面のあらさ
が中心線平均あらさでＱ、１７ｚＲａ以下であることを
特徴とする。ここで、中心線平均あらさとは、ＪＩＳ規
格ＢＯ３０１において、゛′中心線平均あらさくＲａ）
”の規定に従って測定したときのあらさを意味している
。
が中心線平均あらさでＱ、１７ｚＲａ以下であることを
特徴とする。ここで、中心線平均あらさとは、ＪＩＳ規
格ＢＯ３０１において、゛′中心線平均あらさくＲａ）
”の規定に従って測定したときのあらさを意味している
。
このように、絶縁性基板の表面のあらさを０．１ｐＬＲ
ａ以下とすることにより、第１図に模式的に示すように
、絶縁性基板ｌ上に形成される導体層２および保護層３
が比較的平坦なものとなり、保護層３にピンホールが生
じないようにすることができる。したがって、この回路
基板を例えばサーマルヘッドに適用したとき、回路面を
手で触れても導体層２が保護層３によって完全に覆われ
ているので、Ｃ１イオン等の侵入が阻止され、導体層の
腐食を防１にできる。このため、サーマルヘッドの信頼
性を大幅に向上することが可能となる。なお、絶縁性基
板１の表面のあらさが０．ｌルＲａを超えると、本発明
の効果を充分に得られなくなる。
ａ以下とすることにより、第１図に模式的に示すように
、絶縁性基板ｌ上に形成される導体層２および保護層３
が比較的平坦なものとなり、保護層３にピンホールが生
じないようにすることができる。したがって、この回路
基板を例えばサーマルヘッドに適用したとき、回路面を
手で触れても導体層２が保護層３によって完全に覆われ
ているので、Ｃ１イオン等の侵入が阻止され、導体層の
腐食を防１にできる。このため、サーマルヘッドの信頼
性を大幅に向上することが可能となる。なお、絶縁性基
板１の表面のあらさが０．ｌルＲａを超えると、本発明
の効果を充分に得られなくなる。
「発明の実施例」
第３図、第４図および第５図には本発明をサーマルヘッ
ドに適用した実施例が示されている。
ドに適用した実施例が示されている。
第３図に示すように、アルミナからなる絶縁性基板ｌｌ
上に、ガラスフリットと有機バインダーと（７） ’８
１ 合ペーストをスクリーン印刷し焼成して、ガラスグ
レーズ層１２を部分的に形成する。次に、絶縁性基板１
１およびガラスグレーズ層１２−ヒに、Ｔａ２Ｎをスパ
ッタリングして発熱抵抗体層１３を厚さ０．０５ｐ、３
で形成する。そして、発熱抵抗体層１３上に、厚さ１．
５ ｇｔｓのＡＩ薄膜をスパッタリングにより形成し、
これを第４図に示すようにパターニングして導体層１４
を形成する。すなわち、導体層１４は、個別電極■、■
、■、・・・［相］、［相］、■と、共通電極ＣＯＷと
にパターン化され、それらの間に発熱ドント部Ａが形成
されるようになっている。そして、端子部Ｔを除くヘッ
ド面Ｈに、厚さ２ ｇｒｒｒのＳｉＱ、。
上に、ガラスフリットと有機バインダーと（７） ’８
１ 合ペーストをスクリーン印刷し焼成して、ガラスグ
レーズ層１２を部分的に形成する。次に、絶縁性基板１
１およびガラスグレーズ層１２−ヒに、Ｔａ２Ｎをスパ
ッタリングして発熱抵抗体層１３を厚さ０．０５ｐ、３
で形成する。そして、発熱抵抗体層１３上に、厚さ１．
５ ｇｔｓのＡＩ薄膜をスパッタリングにより形成し、
これを第４図に示すようにパターニングして導体層１４
を形成する。すなわち、導体層１４は、個別電極■、■
、■、・・・［相］、［相］、■と、共通電極ＣＯＷと
にパターン化され、それらの間に発熱ドント部Ａが形成
されるようになっている。そして、端子部Ｔを除くヘッ
ド面Ｈに、厚さ２ ｇｒｒｒのＳｉＱ、。
からなる酸化防止層１５、および厚さ５ ｇｔｓのＴａ
ｃｔ（Ｘ≦２．５）からなる１耐摩耗層１６を順次積層
する。酸化防ＩＬ層１５および耐摩耗層１６は、本発明
における保護層１７を構成している。なお、第５図は、
第４図のサーマルヘッドを端面方向から眺めた図であり
、部分的に形成されたガラスグレーズ層１２が突出して
いる状態を表わしている。
ｃｔ（Ｘ≦２．５）からなる１耐摩耗層１６を順次積層
する。酸化防ＩＬ層１５および耐摩耗層１６は、本発明
における保護層１７を構成している。なお、第５図は、
第４図のサーマルヘッドを端面方向から眺めた図であり
、部分的に形成されたガラスグレーズ層１２が突出して
いる状態を表わしている。
そして、本発明においては、に記絶縁性基板１１として
、表面のあらさが０．１ μＲａ以ドのものが用いられ
ている。このように、表面精度のよい絶縁性基板１１を
用いることにより、例Ｘ′ｊば第４図中ｒ−ｒｌに沿っ
た断面を見たとき、第１図に示したのと同様に、導体層
１４および保護層１７が比較的上爪に形成され、保護層
１７にピンホールがないものとすることができる。した
がって、回路面を手で触れても導体層１４の腐食が発生
せず、断線等を防１Ｆできる。
、表面のあらさが０．１ μＲａ以ドのものが用いられ
ている。このように、表面精度のよい絶縁性基板１１を
用いることにより、例Ｘ′ｊば第４図中ｒ−ｒｌに沿っ
た断面を見たとき、第１図に示したのと同様に、導体層
１４および保護層１７が比較的上爪に形成され、保護層
１７にピンホールがないものとすることができる。した
がって、回路面を手で触れても導体層１４の腐食が発生
せず、断線等を防１Ｆできる。
試験例
絶縁性基板１１として、アルミナ含有量９９ 、５％の
アルミナ基板（表面のあらさ０．０７５ ＪＬＲａ）を
用いて第３図、第４図および第５図に示すサーマルヘッ
ドを作成した。また、比較のため、アルミナ含有量９７
％のアルミナ基板（表面のあらさ０．４ルＲａ）を用い
て第３図、第４図および第５図に示すのと同様なサーマ
ルヘッドを作成した。
アルミナ基板（表面のあらさ０．０７５ ＪＬＲａ）を
用いて第３図、第４図および第５図に示すサーマルヘッ
ドを作成した。また、比較のため、アルミナ含有量９７
％のアルミナ基板（表面のあらさ０．４ルＲａ）を用い
て第３図、第４図および第５図に示すのと同様なサーマ
ルヘッドを作成した。
次に、これらのサーマルヘッドの端子部Ｔを樹脂でコー
トし、希塩酸（８０文：Ｉ＋２０＝１：４容積比、室温
）に浸漬した。浸漬時間は１時間および２時間である。
トし、希塩酸（８０文：Ｉ＋２０＝１：４容積比、室温
）に浸漬した。浸漬時間は１時間および２時間である。
その後、水洗、乾燥し、コートした樹脂を剥がして端子
部Ｔの共通電極ＣＯＭと各個別電極■、■、■、・・・
［相］、［相］、■とにそれぞれプローブを当て、配線
導体ラインの抵抗を含む各ドツトの抵抗値を測定する。
部Ｔの共通電極ＣＯＭと各個別電極■、■、■、・・・
［相］、［相］、■とにそれぞれプローブを当て、配線
導体ラインの抵抗を含む各ドツトの抵抗値を測定する。
こうして、初期抵抗値に対するこれらの抵抗値の変化率
を求めたところ、第６図に示すような結果が得られた。
を求めたところ、第６図に示すような結果が得られた。
第６図中、・−拳はアルミナ含有量９Ｌ５％のアルミナ
基板（表面のあらさ０．０７５ Ｐ Ｒａ）を用いた本
発明のサーマルヘッドの場合を示し、Ｏ−○はアルミナ
含有、、ＩＬＸ、９７％のアルミナ基板（表面のあらさ
０．４ｇ Ｒａ）を用いた従来のサーマルヘッドの場合
を示している。
基板（表面のあらさ０．０７５ Ｐ Ｒａ）を用いた本
発明のサーマルヘッドの場合を示し、Ｏ−○はアルミナ
含有、、ＩＬＸ、９７％のアルミナ基板（表面のあらさ
０．４ｇ Ｒａ）を用いた従来のサーマルヘッドの場合
を示している。
第６図から、本発明のサーマルヘッドの場合は２時間の
浸漬においても抵抗値の変化は０であるのに対し、従来
のサーマルヘッドの場合では抵抗値が増大することがわ
かる。従来のサーマルヘッドについて、顕微鏡による表
面観察では、ヘッド面に発生している保護層のピンホー
ルは確認できなかったが、次のことから上記の抵抗値の
増大は保護層に発生したピンホールから侵入した希塩酸
によるＡＩの腐食が原因であると考えられる。
浸漬においても抵抗値の変化は０であるのに対し、従来
のサーマルヘッドの場合では抵抗値が増大することがわ
かる。従来のサーマルヘッドについて、顕微鏡による表
面観察では、ヘッド面に発生している保護層のピンホー
ルは確認できなかったが、次のことから上記の抵抗値の
増大は保護層に発生したピンホールから侵入した希塩酸
によるＡＩの腐食が原因であると考えられる。
（１）希塩酸に浸漬中、従来のサーマルヘッドからは多
数の気泡（馬と思われる）が発生するが、本発明のサー
マルヘッドからは気泡の発生がないこと。
数の気泡（馬と思われる）が発生するが、本発明のサー
マルヘッドからは気泡の発生がないこと。
（２）第６図から、希塩酸に浸漬する時間が長いほど抵
抗値が増加しており、これは希塩酸による侵食によるた
めと考えられること。
抗値が増加しており、これは希塩酸による侵食によるた
めと考えられること。
（３）第６図から、個別電極（０、ｔめ、■、・・・［
相］、［相］、■のナンバーが小さいものほど抵抗値の
増加が大きいこと。すなわち、ナンバーが小さいものほ
ど、Ａ１配線ラインの長さが長いために、それだけ保＝
〜層のピンホールに当る確率が大きく、Ａ１配線の侵食
箇所が増えるからと考えられる。
相］、［相］、■のナンバーが小さいものほど抵抗値の
増加が大きいこと。すなわち、ナンバーが小さいものほ
ど、Ａ１配線ラインの長さが長いために、それだけ保＝
〜層のピンホールに当る確率が大きく、Ａ１配線の侵食
箇所が増えるからと考えられる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、絶縁性基板の表
面のあらさを０．１ ｐＲａ以下とすることにより、そ
の上に形成された導体層および保護層が比較的平坦なも
のとなり、保護層にピンホールが生じないようにするこ
とができる。したがって、この回路基板を例えばサーマ
ルヘッドに適用したとき、回路面を手で触れても導体層
が保護層によって完全に覆われているので、Ｃ１イオン
等の侵入が阻止され、導体層の腐食を防止できる。この
ため、素子の信頼性を大幅に向トすることが可能となる
。また、導体層の腐食による導体抵抗の増大を防止でき
るので、導体層で消費される電力を低減して省電力化を
図ることができる。さらに、絶縁性基板として表面精度
のよい、すなわちアルミナ含有量の高いアルミナ基板を
用いた場合、基板の熱伝導率が向北するので熱の逃げが
良好となり、サーマルヘッドにおいては熱応答性を向上
させる効果も得られる。さらにまた、サーマルヘッドに
おいては、部分グレーズ層に対する導体パターンの立ち
」二かり部の断線も少なくなり、グレーズ層の内側のあ
らさも小さくすることができる。
面のあらさを０．１ ｐＲａ以下とすることにより、そ
の上に形成された導体層および保護層が比較的平坦なも
のとなり、保護層にピンホールが生じないようにするこ
とができる。したがって、この回路基板を例えばサーマ
ルヘッドに適用したとき、回路面を手で触れても導体層
が保護層によって完全に覆われているので、Ｃ１イオン
等の侵入が阻止され、導体層の腐食を防止できる。この
ため、素子の信頼性を大幅に向トすることが可能となる
。また、導体層の腐食による導体抵抗の増大を防止でき
るので、導体層で消費される電力を低減して省電力化を
図ることができる。さらに、絶縁性基板として表面精度
のよい、すなわちアルミナ含有量の高いアルミナ基板を
用いた場合、基板の熱伝導率が向北するので熱の逃げが
良好となり、サーマルヘッドにおいては熱応答性を向上
させる効果も得られる。さらにまた、サーマルヘッドに
おいては、部分グレーズ層に対する導体パターンの立ち
」二かり部の断線も少なくなり、グレーズ層の内側のあ
らさも小さくすることができる。
第１図は本発明による薄）膜回路基板を模式的に示す断
面ＩＡ、第２図は従来の薄膜回路基板を模式的に示す断
面図、第３図は本発明をサーマルヘッドに適用した実施
例を示す部分断面図、第４図は同サーマルヘッドの平面
ａ成因、第５図は同サーマルヘッド、第６図は本発明に
よるサーマルヘッドと従来のサーマルヘッドの１耐食性
を比較して示す図である。 図中、１は絶縁性基板、２は導体層、３は保護層、１１
は絶縁性基板、 １２はガラスグレーズ層、１３は発熱
抵抗体層、１４は導体層、１５は酸化防止層、１６は耐
摩耗層、１７は保護層である。
面ＩＡ、第２図は従来の薄膜回路基板を模式的に示す断
面図、第３図は本発明をサーマルヘッドに適用した実施
例を示す部分断面図、第４図は同サーマルヘッドの平面
ａ成因、第５図は同サーマルヘッド、第６図は本発明に
よるサーマルヘッドと従来のサーマルヘッドの１耐食性
を比較して示す図である。 図中、１は絶縁性基板、２は導体層、３は保護層、１１
は絶縁性基板、 １２はガラスグレーズ層、１３は発熱
抵抗体層、１４は導体層、１５は酸化防止層、１６は耐
摩耗層、１７は保護層である。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上に少なくとも導体層と保護層とを備
えた薄膜回路基板において、前記絶縁性基板表面のあら
さが中心線平均あらさで０．１μＲａ以下であることを
特徴とする薄膜回路基板。 - （２）特許請求の範囲第１項において、サーマルヘッド
に使用される薄膜回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284111A JPS62142396A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 薄膜回路基板 |
| US06/934,567 US4724182A (en) | 1985-11-17 | 1986-11-25 | Thin film circuit substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284111A JPS62142396A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 薄膜回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142396A true JPS62142396A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17674333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284111A Pending JPS62142396A (ja) | 1985-11-17 | 1985-12-17 | 薄膜回路基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4724182A (ja) |
| JP (1) | JPS62142396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156078A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーマルヘッド用基板 |
Families Citing this family (13)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH04221888A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック配線基板とその製造方法 |
| FI915731A0 (fi) * | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Derek Henry Potter | Foerfarande och anordning foer reglering av temperaturen i ett flertal prov. |
| US5521357A (en) * | 1992-11-17 | 1996-05-28 | Heaters Engineering, Inc. | Heating device for a volatile material with resistive film formed on a substrate and overmolded body |
| US5745017A (en) * | 1995-01-03 | 1998-04-28 | Rf Prime Corporation | Thick film construct for quadrature translation of RF signals |
| US5534830A (en) * | 1995-01-03 | 1996-07-09 | R F Prime Corporation | Thick film balanced line structure, and microwave baluns, resonators, mixers, splitters, and filters constructed therefrom |
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| US6262401B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-07-17 | Aos Holding Company | Gold-plated water heater element and method of making same |
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| WO2017126606A1 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 凸版印刷株式会社 | パッケージ用基板、およびその製造方法 |
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Citations (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4340635A (en) * | 1980-12-15 | 1982-07-20 | Coors Porcelain Company | Ceramic substrate for fine-line electrical circuitry |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60284111A patent/JPS62142396A/ja active Pending
-
1986
- 1986-11-25 US US06/934,567 patent/US4724182A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103158A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-13 | Futaki Itsuo | サ−マルヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156078A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーマルヘッド用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4724182A (en) | 1988-02-09 |
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