JPS62140433A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62140433A JPS62140433A JP28222885A JP28222885A JPS62140433A JP S62140433 A JPS62140433 A JP S62140433A JP 28222885 A JP28222885 A JP 28222885A JP 28222885 A JP28222885 A JP 28222885A JP S62140433 A JPS62140433 A JP S62140433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- contact hole
- etching
- resist
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
この発明は、半導体装置の配線形成における絶線Ｗハフ
・ノ 々 ｈｈ’Ａ 曲石？−松１ハア−、−の焔
壜１層！−イオンを注入した後、レジストをバターフン
クシ。
・ノ 々 ｈｈ’Ａ 曲石？−松１ハア−、−の焔
壜１層！−イオンを注入した後、レジストをバターフン
クシ。
薬液によるエツチングを行った後２反応性イオンエツチ
ング（以降ＲＩＥと略す）等のドライエ。
ング（以降ＲＩＥと略す）等のドライエ。
チングを行うことにより、微細なコンタクト孔のエツジ
部における形状がなめらかになり、工、ジ部における金
属配線の断線を防ぐようにしたものである。
部における形状がなめらかになり、工、ジ部における金
属配線の断線を防ぐようにしたものである。
近年、半導体装置は、微細化が進み、素子の各構成要素
はそれぞれ小さくなり、コンタクト孔の大きさも縮小化
されてきている。
はそれぞれ小さくなり、コンタクト孔の大きさも縮小化
されてきている。
絶縁膜に微細なコンタクト孔を開孔するため。
従来はＲＩＥのような異方性のドライエ、チングが用い
られてきたが、ＲＩＥは絶縁膜を第３図のように直線的
にエツチングするため２次の配線工程において、第４図
のようにコンタクト孔の工。
られてきたが、ＲＩＥは絶縁膜を第３図のように直線的
にエツチングするため２次の配線工程において、第４図
のようにコンタクト孔の工。
ジ部６の段差部における配線の厚さが不安定となり、断
線の原因となることもあった。
線の原因となることもあった。
これを防ぐため、薬液で少しウェットエッチをイテい、
後にＲＩＥでエツチングする方法が考えられた。この方
法を図を用いて以下に示す。
後にＲＩＥでエツチングする方法が考えられた。この方
法を図を用いて以下に示す。
先ず第２図（、）のように、絶縁膜２の所望の場所にレ
ジスト１１でコンタクト孔をパターニングする。
ジスト１１でコンタクト孔をパターニングする。
次に、第２図（ｂ）のように薬液（例えば絶縁膜がシリ
コン酸化膜の場合ならぶつ酸等）を用いて少しウェット
エツチングを行う。次にＲＩＥにより異方性エツチング
を行いレジストを除去すれば第２図（ｃ）のようになる
。これに第２図（ｄ）のようにアルミニウム等の金属配
線５を形成する。
コン酸化膜の場合ならぶつ酸等）を用いて少しウェット
エツチングを行う。次にＲＩＥにより異方性エツチング
を行いレジストを除去すれば第２図（ｃ）のようになる
。これに第２図（ｄ）のようにアルミニウム等の金属配
線５を形成する。
従来の製造方法では、ウニ７トエ７チでコンタクト孔の
エツジ部を削ったにもかかわらず、第５図のように、角
度の急な部分７が存在するため。
エツジ部を削ったにもかかわらず、第５図のように、角
度の急な部分７が存在するため。
第２図（ｄ）のように、配線金属５の厚さが不安定とな
り、断線の恐れが残っている。
り、断線の恐れが残っている。
そこで本発明は、従来のこのような欠点を解決するため
、コンタクト孔のエツジの角をとり、第６図のような形
状にすることにより、金属配線の断線を防ぐことを目的
としている。
、コンタクト孔のエツジの角をとり、第６図のような形
状にすることにより、金属配線の断線を防ぐことを目的
としている。
Ｃ問題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するため２本発明は絶縁１摸形成後イ
オンを注入した後ウェ、トエ、チングを行う。すると、
絶縁膜上部のエツチング速度は速くなり、ウエソトエ、
チングをした時、上部のサイドエッチが早く進むので、
角度の急な部分はなくなり、この後ＲＩＢでエツチング
すれば、所望の形状を持ったコンタクト孔が得られる。
オンを注入した後ウェ、トエ、チングを行う。すると、
絶縁膜上部のエツチング速度は速くなり、ウエソトエ、
チングをした時、上部のサイドエッチが早く進むので、
角度の急な部分はなくなり、この後ＲＩＢでエツチング
すれば、所望の形状を持ったコンタクト孔が得られる。
上記方法でコンタクト孔を形成すると、コンタクト孔の
エツジ部における角の部分は丸くなり。
エツジ部における角の部分は丸くなり。
安定した金属配線が得られるため、断線の危険はなくな
る。さらに、コンタクト孔の下部は、ＲＩ・ Ｅで開孔
しであるため、金属配線と基肥の接触部付近の孔の大き
さは、レジストパターンとほぼ同じであり、微細化が可
能である。
る。さらに、コンタクト孔の下部は、ＲＩ・ Ｅで開孔
しであるため、金属配線と基肥の接触部付近の孔の大き
さは、レジストパターンとほぼ同じであり、微細化が可
能である。
Ｃ実施例〕
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
先ず第１図（、）のように半導体基板１上に絶縁膜２を
形成した後、イオン３を照射する。イオンとしては１例
えばアルゴン等を用いる。次に第１図（ｂ）のようにレ
ジスト４でコンタクトをパターニングし、少しウニ、ト
エッチングを行う。すると、イオンが注入しであるため
、絶縁膜の上部はサイドエッチが早く進み、第１０（ｂ
ンのように角がなめらかな形状となる。次に、従来方法
同様ＲＩＥで異方性エツチングを行い、レジストを除去
すれば第１図（ｃ）のようになる。これに金属配線５を
形成すれば、第１図（ｄ）Ωように良好な配線が形成で
きる。
形成した後、イオン３を照射する。イオンとしては１例
えばアルゴン等を用いる。次に第１図（ｂ）のようにレ
ジスト４でコンタクトをパターニングし、少しウニ、ト
エッチングを行う。すると、イオンが注入しであるため
、絶縁膜の上部はサイドエッチが早く進み、第１０（ｂ
ンのように角がなめらかな形状となる。次に、従来方法
同様ＲＩＥで異方性エツチングを行い、レジストを除去
すれば第１図（ｃ）のようになる。これに金属配線５を
形成すれば、第１図（ｄ）Ωように良好な配線が形成で
きる。
以上説明したように９本発明では微細なコンタクト孔の
角を丸くすることが可能であり、これによりエツジ部に
おける金属配線が改良され、断線を防ぐ効果がある。
角を丸くすることが可能であり、これによりエツジ部に
おける金属配線が改良され、断線を防ぐ効果がある。
第１図（、）〜（ｄ）は本発明によるコンタクト孔の形
成方法を工程順に示した断面図、第２図（１１）〜（ｄ
）は従来方法によるコンタクト孔の形成方法を工程順に
示した断面図、第３図は従来のＲＩＥのみで形成した場
合のコンタクト孔の断面図、第４図は前記コンタクト孔
に金属配線を形成した場合の断面図、第５図は従来方法
により形成したコンタクト孔の断面図、第６図は本発明
が目的とする形状を持ったコンタクト孔の断面図である
。 １・・・半導体基板、 ２・・・絶縁膜。 ３・・・イオン、 ４・・・レジスト。 ５・・・金属配線、 ６・・・エツジ部。 ７・・・急峻部 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 〜ｌ匈づ基板 〜ｌ 第１図 第２図 第３図 第５回 第４図
成方法を工程順に示した断面図、第２図（１１）〜（ｄ
）は従来方法によるコンタクト孔の形成方法を工程順に
示した断面図、第３図は従来のＲＩＥのみで形成した場
合のコンタクト孔の断面図、第４図は前記コンタクト孔
に金属配線を形成した場合の断面図、第５図は従来方法
により形成したコンタクト孔の断面図、第６図は本発明
が目的とする形状を持ったコンタクト孔の断面図である
。 １・・・半導体基板、 ２・・・絶縁膜。 ３・・・イオン、 ４・・・レジスト。 ５・・・金属配線、 ６・・・エツジ部。 ７・・・急峻部 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 〜ｌ匈づ基板 〜ｌ 第１図 第２図 第３図 第５回 第４図
Claims (1)
- 半導体基板と金属配線とのコンタクトを有する半導体装
置の製造方法において、半導体基板の所望の場所に不純
物を拡散させる工程と、この上に絶縁膜を形成する工程
と、該絶縁膜にイオンを注入する工程と、該絶縁膜の所
望の場所にコンタクト孔を開孔する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28222885A JPS62140433A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28222885A JPS62140433A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140433A true JPS62140433A (ja) | 1987-06-24 |
Family
ID=17649722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28222885A Pending JPS62140433A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140433A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265754B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-10-02 | 윤종용 | 보이드프리반도체장치의제조방법 |
| WO2006073085A1 (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-13 | I Square Reserch Co., Ltd. | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28222885A patent/JPS62140433A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265754B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-10-02 | 윤종용 | 보이드프리반도체장치의제조방법 |
| WO2006073085A1 (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-13 | I Square Reserch Co., Ltd. | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPWO2006073085A1 (ja) * | 2005-01-04 | 2008-06-12 | 株式会社アイ・スクウェアリサーチ | 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法 |
| KR100877028B1 (ko) * | 2005-01-04 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 아이스퀘어리서치 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| KR100922669B1 (ko) * | 2005-01-04 | 2009-10-19 | 가부시키가이샤 아이스퀘어리서치 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| US8368096B2 (en) | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
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