JPS62137853A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
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- JPS62137853A JPS62137853A JP27970285A JP27970285A JPS62137853A JP S62137853 A JPS62137853 A JP S62137853A JP 27970285 A JP27970285 A JP 27970285A JP 27970285 A JP27970285 A JP 27970285A JP S62137853 A JPS62137853 A JP S62137853A
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- insulating film
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- forming
- film
- organic siloxane
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- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層配線の形成方法に関し、特に金属配線間に
有機シロキサン系溶液を焼成してなる絶 ゛縁膜を有す
る半導体集積回路の多層配線の形成方法に関する。
有機シロキサン系溶液を焼成してなる絶 ゛縁膜を有す
る半導体集積回路の多層配線の形成方法に関する。
有機シロキサン系溶液を塗布、焼成して金属配線間の絶
縁膜とする場合、他の無機膜と併用して２層あるいは３
ＮＩの絶縁膜にして用いることが多い。これは有機シロ
キサン系絶縁膜は単独では電気絶縁性に信頼性上問題が
あるので他の無機膜で絶縁性を確保し、有機シロキサン
系絶縁膜で表面の平坦化を行うためである。
縁膜とする場合、他の無機膜と併用して２層あるいは３
ＮＩの絶縁膜にして用いることが多い。これは有機シロ
キサン系絶縁膜は単独では電気絶縁性に信頼性上問題が
あるので他の無機膜で絶縁性を確保し、有機シロキサン
系絶縁膜で表面の平坦化を行うためである。
上述した有機シロキサン系絶縁膜を用いた２層構造には
無機膜上に有機シロキサン系絶縁膜を形成する上塗り法
、逆に有機シロキサン系絶縁膜の上に無機膜を形成する
下塗り法があるが有機シロキサン系絶縁膜を無機膜では
さみこむ３層構造の方かは頭上優れている。ところが、
３層構直では上７′・ｊ配はと下線配朦全扱絖する開孔
形成の際、有機シロキサン系絶縁膜は無機膜に比べてエ
ツチング率が大きいため第２図に示す工うな異常エッチ
２８が起きやすい。また、そのため開孔上端の角を落す
テーパーエツチングが難しく開孔上端の角で上層配５罎
の断線が起＠やすい。嘔らに、開孔側面に肩Ｉセシロキ
サン系、）８縁膜が趙出しているため上層開極金属の蒸
着時に基板が加熱されると、そこからの脱ガス２９によ
って上層配線金属の付着不良が生じる欠点がめる。
無機膜上に有機シロキサン系絶縁膜を形成する上塗り法
、逆に有機シロキサン系絶縁膜の上に無機膜を形成する
下塗り法があるが有機シロキサン系絶縁膜を無機膜では
さみこむ３層構造の方かは頭上優れている。ところが、
３層構直では上７′・ｊ配はと下線配朦全扱絖する開孔
形成の際、有機シロキサン系絶縁膜は無機膜に比べてエ
ツチング率が大きいため第２図に示す工うな異常エッチ
２８が起きやすい。また、そのため開孔上端の角を落す
テーパーエツチングが難しく開孔上端の角で上層配５罎
の断線が起＠やすい。嘔らに、開孔側面に肩Ｉセシロキ
サン系、）８縁膜が趙出しているため上層開極金属の蒸
着時に基板が加熱されると、そこからの脱ガス２９によ
って上層配線金属の付着不良が生じる欠点がめる。
本発明の多層配線の形成方法は、半導体基板の一主面の
絶縁膜上に形成された上層配球及び前記絶縁股上に第１
の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁股上に有機
シロキサン系溶液金塗布・焼成することにより平坦な表
面を有する第２の絶縁膜全形成する工程と、前記第２の
絶縁膜の所定領域にウニ・ソトエツテング法を用いて第
１の開孔を形成する工程と、ｉ１■記第１の開孔を含む
全面に第：３の絶縁膜全形成する工程と、前記第１の開
孔領域内に異方性ドライエツチング法金用いて前記第３
の絶縁膜表面〃＼ら下層配線表面に達する第２の開孔を
形成する工程と、前記第２の開孔全弁し２て上層配線に
接続する上層配線全形成する工程を含むこと’に％徴と
する。
絶縁膜上に形成された上層配球及び前記絶縁股上に第１
の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁股上に有機
シロキサン系溶液金塗布・焼成することにより平坦な表
面を有する第２の絶縁膜全形成する工程と、前記第２の
絶縁膜の所定領域にウニ・ソトエツテング法を用いて第
１の開孔を形成する工程と、ｉ１■記第１の開孔を含む
全面に第：３の絶縁膜全形成する工程と、前記第１の開
孔領域内に異方性ドライエツチング法金用いて前記第３
の絶縁膜表面〃＼ら下層配線表面に達する第２の開孔を
形成する工程と、前記第２の開孔全弁し２て上層配線に
接続する上層配線全形成する工程を含むこと’に％徴と
する。
矢に、本発明について図面全参照して説明する。
第１図［ａｌ〜げ）は本発明の一芙施例の工程順縦断面
図である。
図である。
まず、半導体基板１１の一主面に形成された絶縁膜１２
上に上層配線となる厚で約１．０μｍのＡＩ配線１３會
形成しく第１図（ａｌ ） 、就いて半導体基板全面に
プラズマ窒化膜１４を２０００Ａ被着する。
上に上層配線となる厚で約１．０μｍのＡＩ配線１３會
形成しく第１図（ａｌ ） 、就いて半導体基板全面に
プラズマ窒化膜１４を２０００Ａ被着する。
次に、その上に有機シロキサン系溶液を塗布し焼成して
平坦な表面含有する絶縁膜１５を形成する（第１図（ｂ
ｌ）。有機シロキサン系溶液の塗布膜中に下１−のＡＪ
配線を埋設後、焼成すると平坦な表面含有する絶縁膜が
容易に得られる。
平坦な表面含有する絶縁膜１５を形成する（第１図（ｂ
ｌ）。有機シロキサン系溶液の塗布膜中に下１−のＡＪ
配線を埋設後、焼成すると平坦な表面含有する絶縁膜が
容易に得られる。
欠いで、通常のホトレジスト法により開孔形成マスクを
用いて有機シロキサン系絶縁膜の所定領域をバッフアー
トフッ酸を用いてエツチング除去し、第１の開孔を形成
する（第１図（Ｃ））。この際、オーバーエツチングに
よシ第１の開孔の太ささを所望サイズよりも大きくする
。プラズマ窒化膜１４はエツチングのス）−／パーにな
シ、また第１の開孔の大きさはＡｌ配線１３の上面を榎
うプラズマ窒化膜１４の端部〃１ら外れない程度にする
。久に、第１の開孔を含む全面にプラズマ窒化１１％１
６′Ｉｔ５０００Ａ被Ｎ（第１図（ｄ））、続いて、第
１の開孔領域内に前記開孔マスクを用いて通常のホトレ
ジスト法によシ、第２の開孔パターンを形成し、異方性
エツチング法を用いることによシプラズマ窒化膜１６の
表面から下ノーのｋｌ配線１３表面に達する所望サイズ
の第２の開孔を形成する（第１図（ｅ））。これによっ
て第２の開孔の側面はすべてプラズマ窒化膜１４及び１
６から５５ｊ、υ％有有機コロキサン系絶縁膜品出して
いないので異常エツチングを防ぐことができ、また有機
シロキサン系絶縁膜が加熱されて生ずる脱ガスによる上
層ＡＪ配線の付着不良がなくなる。烙らに、第１の開孔
はウェットエツチング法を用い、第２の開孔サイズより
も大さく形成しであるので開孔上端のプラズマ窒化膜１
６もなだらかな形状となシ上層配）顛の断線が少なくな
る。最後に、プラズマ窒１ヒ膜１６上に第２の開孔を介
して下ノーのＡｌ配線１３に接続する上層配球となる厚
さ約１．０μｍのＡｌｌ配線１７を形成する（第１図（
ｆ））。
用いて有機シロキサン系絶縁膜の所定領域をバッフアー
トフッ酸を用いてエツチング除去し、第１の開孔を形成
する（第１図（Ｃ））。この際、オーバーエツチングに
よシ第１の開孔の太ささを所望サイズよりも大きくする
。プラズマ窒化膜１４はエツチングのス）−／パーにな
シ、また第１の開孔の大きさはＡｌ配線１３の上面を榎
うプラズマ窒化膜１４の端部〃１ら外れない程度にする
。久に、第１の開孔を含む全面にプラズマ窒化１１％１
６′Ｉｔ５０００Ａ被Ｎ（第１図（ｄ））、続いて、第
１の開孔領域内に前記開孔マスクを用いて通常のホトレ
ジスト法によシ、第２の開孔パターンを形成し、異方性
エツチング法を用いることによシプラズマ窒化膜１６の
表面から下ノーのｋｌ配線１３表面に達する所望サイズ
の第２の開孔を形成する（第１図（ｅ））。これによっ
て第２の開孔の側面はすべてプラズマ窒化膜１４及び１
６から５５ｊ、υ％有有機コロキサン系絶縁膜品出して
いないので異常エツチングを防ぐことができ、また有機
シロキサン系絶縁膜が加熱されて生ずる脱ガスによる上
層ＡＪ配線の付着不良がなくなる。烙らに、第１の開孔
はウェットエツチング法を用い、第２の開孔サイズより
も大さく形成しであるので開孔上端のプラズマ窒化膜１
６もなだらかな形状となシ上層配）顛の断線が少なくな
る。最後に、プラズマ窒１ヒ膜１６上に第２の開孔を介
して下ノーのＡｌ配線１３に接続する上層配球となる厚
さ約１．０μｍのＡｌｌ配線１７を形成する（第１図（
ｆ））。
以上説明し友ように不発明は、開孔側面に中間層の有機
シロキサン系絶縁膜が品出しない几め、異常エツチング
や上層配線の付着不良が生じない。
シロキサン系絶縁膜が品出しない几め、異常エツチング
や上層配線の付着不良が生じない。
また、中間ｊ備全所望開孔し、サイズよりも大きくウェ
ットエツチング法去し几後に上層、絶縁膜で覆っている
ため開孔がなたら力）な形状となり、上層配線の断、腺
が少ない。また、塗布膜（有情シロキサン系絶縁膜）を
用いているために丁、・−配線の段差は平坦化されて２
シ、きわめてｍ頓註の高い多層配線を得ることができる
。ま定、本発明の方法をくり返すことによ＃）３１−以
上の多層配線を得ることができる。
ットエツチング法去し几後に上層、絶縁膜で覆っている
ため開孔がなたら力）な形状となり、上層配線の断、腺
が少ない。また、塗布膜（有情シロキサン系絶縁膜）を
用いているために丁、・−配線の段差は平坦化されて２
シ、きわめてｍ頓註の高い多層配線を得ることができる
。ま定、本発明の方法をくり返すことによ＃）３１−以
上の多層配線を得ることができる。
第１図（ａｌ〜げ）は本発明の一実施例の工程順縦断面
−図、第２図は従来法を説明するための断面図である。 １１．２１・・・・・・半導体基板、１２，２２・・・
・・・絶縁膜、 １３，１７．２３ ・・・・・
・Ａ Ｉ −己糸咲、１４，１６゜２４．２６・・・
・・・プラズマ窒化膜、１５，２５・・・・・・有機シ
ロキサン系絶縁膜、２８・・・・・・異常エッチ、２９
・・・・・・脱ガス。 てゝ、 代理人 弁理士 内 原 音 ・、３＜、−１
，、、、、、、′
−図、第２図は従来法を説明するための断面図である。 １１．２１・・・・・・半導体基板、１２，２２・・・
・・・絶縁膜、 １３，１７．２３ ・・・・・
・Ａ Ｉ −己糸咲、１４，１６゜２４．２６・・・
・・・プラズマ窒化膜、１５，２５・・・・・・有機シ
ロキサン系絶縁膜、２８・・・・・・異常エッチ、２９
・・・・・・脱ガス。 てゝ、 代理人 弁理士 内 原 音 ・、３＜、−１
，、、、、、、′
Claims (1)
- 半導体基板の一主面の絶縁膜上に形成された下層配線
及び前記絶縁膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前
記第１の絶縁膜上に有機シロキサン系溶液を塗布・焼成
することにより平坦な表面を有する第２の絶縁膜を形成
する工程と、前記第２の絶縁膜の所定領域にウェットエ
ッチング法を用いて第１の開孔を形成する工程と、前記
第１の開孔を含む全面に第３の絶縁膜を形成する工程と
、前記第１の開孔領域内に異方性ドライエッチング法を
用いて前記第３の絶縁膜表面から下層配線表面に達する
第２の開孔を形成する工程と、前記第２の開孔を介して
下層配線に接続する上層配線を形成する工程を含むこと
を特徴とする多層配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27970285A JPS62137853A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27970285A JPS62137853A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 多層配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137853A true JPS62137853A (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=17614683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27970285A Pending JPS62137853A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62137853A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029152A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02285659A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH04313232A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高密度多層金属配線パターンをもつ集積回路構造及びその製造方法 |
| DE19608883C2 (de) * | 1995-06-23 | 2001-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung und dadurch hergestellte Halbleitervorrichtung |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27970285A patent/JPS62137853A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029152A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02285659A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH04313232A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高密度多層金属配線パターンをもつ集積回路構造及びその製造方法 |
| DE19608883C2 (de) * | 1995-06-23 | 2001-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung und dadurch hergestellte Halbleitervorrichtung |
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