JPS62137744A - 光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、記録可能なＲＡＭ部と、固定情報より成るＲ
ＯＭ部を一つのディスク内に備えた光ディスクに関する
。

〔発明の背景〕

光ディスクは、大量の情報を記録する媒体として実用段
階に入っている。

光ディスクには、あらかじめ情報を記録しておき、再生
のみを行なう再生専用タイプの光ディスク、（ＲＯＭデ
ィスク）と、１青４４１　’＜　８己録し再生できるタ
イプの光ディスク（ＲＡＭディスク）とに大別できる。

さらｉこ、光デイスク内に上記の２つのタイプが存在す
るとき、それぞれの領域を、ＲＯＭ部、ＲＡＭ部と称す
る。

ＲＯＭディスクは、透明のディスク基板に凹凸のピット
列とし７て情報を記録したもので、記録情報を再生する
には、レーザ光スポットでビット面を疋肴して、ピット
の部分の反射光とビット周辺部分の反射光とが干渉によ
り検出光量が変化するのを利用する。これを第５図によ
り詳しく説明する、 第５図はｒｊ　Ｑ　Ｍディスクの再生方法を説明するた
めの模式図であって、１は光ディスク（ＲＯＭディスク
）、２は情報ピット面、６は半導体レーザ、４は拡大レ
ンズ、５はハーフミラ−９６は対物レンズ、７は集光レ
ンズ、８は検出菓子（例えばフォトダイオード）である
。

同図において、半導体レーザ５からのレーザ光ヲ拡大レ
ンズ４．ハーフミラ−５，対物レンズ６を通してＲＯＭ
ディスク１の情報ビット面２に集光する。情報ビット面
からの反射光は、対物レンズ６、ハーフミラ−５，集光
Ｌ’ンズ７を通してフォトダイオード８に入射し、情報
ビット面２に記録され走情報に基づく光学的情報を電気
信号ｌこ変換して読み出す。また、ビット列のトラック
のりトレース（トラッキング）とフォーカシングは、ビ
ット面からの反射光のスポットを、例えば４分割受光素
子に入力して制御している。

ＲＡＭディスクは、透明のディスク基板にヒートモード
による反射率の変化を利用して情報を記録し、反射率の
変化を検出することにより情報の再生を行なうようにし
たもので、以下第６図Ｉこより、このＲＡＭディスクの
記録・再生方法を説明する。

第６図はＲＡＭディスクの記録再生方法を説明する模式
図であって、６は対物レンズで、第５図に示したものと
同様の光学系を構成する。

１０はＲＡＭディスクの透明基板、１１は情報記録層、
１２は保護接着層である。

同図において、情報記録層１１は、対物レンズ６を通し
たレーザ光によりヒートモードで情報が記録される。情
報記録層１１は、例えばカルコゲナイド系の材料から成
り、レーザ光の照射による情報記録層の相変化等により
反射率が変化するのを利用する。このようにして記録さ
れた情報を読出す場合には、記録時よりも微弱なレーザ
光を情報記録層に照射し、その反射光を第５図と同様の
光学系で取り出し、フォトダイオード等の検出素子で電
気信号に変換する。なお第６図に示したＲＡＭディスク
は、２枚のディスクを貼り合わせた両面形光ディスクで
あり、保護接着層１２は１層のものとして示しである力
ζこれを保護膜と接着層とに分離することもできる０ 光ディスクは、他の情報記録装置に比べて、記憶容量が
大であるという利点があるとともに、ＲＯＭディスクに
ついては射出成形等のレズリケーションプロセスにより
固定情報の大量複製が可能である。

上記したようなＲＯＭディスク、およびＲＡＭディスク
について詳しく述べである例として、台材編著「ビデオ
ディスクとＤＡＤ入門」（昭和５８年１月１０日、コロ
ナ社発行）の第１０８頁〜第１１０頁および第１２８頁
〜第１２９頁、あるいは１９８２年１月４日発行の日経
エレクトロニクス第８６頁〜第１１２頁に記載の「画像
ファイルに使われ出した光ディスク・メモリー」と題し
たもの等がある。

以上説明した様なＲＯＭディスク、ＲＡＭディスクの特
長を結合することにより、光デイスクシステムの応用分
野を広げることができる。

具体的ｌこは、一枚の元ディスクにＲＯＭ部とＲＡＭ部
を混在させたものを考えればよい。

この様なＲＡ　ＩＶＩ　−ＲＯＭ混在型ディスクを得る
には、次のような問題点がめった。

（１）通常、ＲＯＭディスクはＡｌの反射層を備えてお
り、その反射率は８０チ程度であるが、ＲＡＭディスク
はカルコゲナイド系の材料から成る情報記録層を備えて
おり、その反射率は１０〜２０％程度である。したがっ
て、これらを１つのディスク領域内に形成し次場合、両
者の反射率が違いすぎるため、フォーカシングやトラッ
キング制御等のシステムの対応が非常にむずかしい。

（２）　　両者の反射率を揃えるために、ＲＯＭ部の反
射層をＲ１１Ｍ部の情報記録層と同じにすることが考え
られるが、この場合、誤ってＲＯＭ部に記録用のレーザ
ビームが照射されると、ＲＯＭ部の情報が破壊されてし
まう恐れがある。

（３）ＲＡＭ部とＲ０Ｍ部を異種の材料を用いて作るこ
とも考えられるが、これでは光デイスク作製プロセスが
非常に複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、ＲＡＭ
部とＲＯＭ部を備え、信頼性と量産性に優れた光ディス
クを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、ＲＡＭ部とＲＯ
Ｍ部に同一の情報記録媒体を形成し、固定情報を記録し
たＲＯＭ部のみを記録状態とした点に特徴がある。

ＲＯＭ部の情報記録媒体を記録状態にするとは、光デイ
スク全面に形成したＲＡＭディスクとしての情報記録媒
体のＲＯＭ部を、ＲＡＭ部における記録済みの状態すな
わち記録用レーザ光の照射で反射率が変化した状態と等
価ｌこすることである。なお、情報記録媒体に記録用レ
ーザ光を照射しない時と等価な状態を未記録状態と称す
る。

ＲＯＭ部を記録状態とするには、光ディスクのＲＯＭ部
とＲＡ　Ｍ部に亘ってＲＡＭディスクとしての情報記録
媒体を形成し、そのＲＯＭ部のみに光が照射されるよう
なマスクを用い、該情報記録媒体が吸収する波長を含む
発光源より光を照射する。

上記情報記録媒体における記録状態と未記録状態との反
射率の違いは、高々２〜３倍であることから、フォーカ
シング制御９　トラッキング制御等のシステム制御は比
較的容易である。そして、記録状態のＲｏＭｇ＋こ、Ｒ
ＡＭ部記録用の光ビーム（レーザ光）を誤って照射して
も、既に記録状態となっていることから、その反射率は
ほとんど変化せず、ＲＯＭ情報は保存される０ このＲＯＭ部の記録状態は、前記したようにマスクを用
いて光を照射することにより得られることから、本発明
による元ディスクの製造プロセスは非常に簡単になる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する○ 第１図は、本発明による光ディスクの一実施例を示す断
面構造図であって、１０は光学的に透明なＰＭＭＡ（ア
クリル樹脂）基板、１５は５ｂｚＳｅｓ層、１４はＢｉ
層、１５は紫外線硬化樹脂より成る保護膜、１６は接着
剤、２０は凹凸部である。

同図において、５ｂｚＳｅ３４１５とＢｉ層１４とより
成る２層構造記録膜を蒸着形成して情報記録層を構成し
、この上に紫外線硬化樹脂より成る保護膜１５を形成し
、接着剤１６により２枚のディスクを貼り合わせて両面
形光ディスクを得ている。

各層の厚さは、５ｂｚＳｅｓ層１５が６００人、　Ｂｉ
層１４は２５０Ｘ、保護膜１５が３０μｍである。

ＰＭＭＡ基８ｉ１０上には、凹凸部２０を設けてあり、
’ＲＯＭ部においては、該凹凸部２０にビットによる固
定情報を形成しておき、ＲＡＭ部においては、該凹凸部
２０に、記録時にトラッキングを行なうための案内溝及
び番地情報であるアドレスピットを形成しておく。

次に、上記ディスクのＲＯＭ部の情報記録層を記録状態
にする方法を説明する。

７２図は本発明による光ディスクの形成方法の一例を示
す概念図であって、１９はキセノンランプ、２０は照射
光線、２１はマスク、２２はマスク基板、２３は光遮断
部材、２４は光ディスクである。

図示において、情報記録層は、記録時に用いる半導体レ
ーザの波長域で大きなエネルギー吸収を得るように、光
の干渉性を利用した膜厚設計を行なっている。したがっ
て、光照射により情報記録層を記録状態とするためには
、半導体レーザ波長域付近の波長を持つ光を発生させる
発光源を選ぶことが必要である。図示例においては、上
記発光源としてキセノンランプを使用している。キセノ
ンランプは写真撮影用あるいは広場照明用として使用さ
れているように、分光エネルギー分布が自然昼光Ｉこ近
いばかりでなく、その分光エネルギー分布は半導体レー
ザ波長域である８００ｎｒｎ付近の波長にまで伸びてい
る。

したがって、キセノンランプは、本発明を実施するに当
り好適な発光源である。

マスク２１は、光ディスク２４のＲＡＭ部を照射光線２
０から遮断するためのものであり、光学的に透明な基板
２２、例えばガラス上に、光を遮断する部材（光遮断部
材）２３を設けたものである。

光遮断部材２３としては、Ｃｒ、Ａ１等の薄膜、あるい
は不透明な染料または顔料等を含んだ塗料や不透明な粘
着テープ等で形成できる。

この実施例においては、ガラス基板上に約１０００Ｘの
Ｃｒ薄膜の光遮断層を設は念ものを使用した。

このように形成したマスク２１を光ディスク２４に載直
し、キセノンランプ１９を発光させ、その照射光線２０
で光ディスク２４のＲＯＭ部の情報記録層を記録状態に
する。

第６図は本発明による光ディスクの一実施例を示す上面
図であって、２４′はＲＯＭ−ＲＡＭ混在型の光ディス
ク、２５ａと２５ｂはＲＡＭ部、２６はＲＯＭ部である 同図において、ＲＯＭ部２６は第２図に示し比形成方法
において、マスク２１により光が遮断されなかった部分
であって、情報記録層が記録状態とされた部分に相当す
る。

第４図は本発明による光ディスクのＲＯＭ部を記録状態
とする念めのキセノンランプ発光回路の一例を示す回路
図であって、１９はキセノンランプ、Ｅは電源ｒ　Ｔｒ
は昇圧トランス＋　ＣＩ　＋　Ｃ２はコンデンサ＋　Ｒ
＋　＋　Ｒ２＋　Ｒ３は抵抗＋　　ｙ１＋　ＳＷ２はス
イッチ、Ｇはトリガー電極である。

同図において、スイッチＳＷＩを閉じることにより、コ
ンデンサＣに電源Ｅがら電荷が充電さレル。その後、Ｓ
Ｗ２を閉じると、トランスＴｒにコンデンサＣＩ、Ｃ２
の放電ζこよる電流が流れ、Ｔｒの昇圧作用ｌこより数
千〜致方ポルトの高電圧がキセノンランプ１９のトリガ
ー電極Ｇに印加される。これにより、キセノンランプ１
９内のガスがイオン化されて内部抵抗が減少し、該キセ
ノンランプ１９の両極間に一瞬に放電が行なわれて発光
がなされる。この発光時間は２ｍＳ〜０．５ｍＳである
。

上記実施例においては、発光源としてキセノンランプを
用いたが、本発明はこれに限るものでなく、情報記録媒
体が半導体レーザ波長域を中心に広くエネルギー吸収を
起こすことがら、各種のガスレーザを用いることができ
る。また半導体レーザを用いて、光ディスクの前記ＲＯ
Ｍ部を１トラツクずつ露光して記録状態とすることもで
きる。

また、情報記録媒体として、５ｂ２Ｓ６ｓとＢｉの２層
構造記録膜を用いたが、その他のカルコゲナ　。

イド化合物、あるいは拡散を利用した情報記録媒体等に
ついても本発明を適用できることは言うまでもない。

さらに、上記実施例では、光照射により記録状態である
ＲＯＭ部を形成したが、逆に光照射により未記録状態で
あるＲＡＭ部を形成してもよい。

なお、上記実施例においては、光ディスクのＲＯＭ部全
てを記録状態としたが、本発明は、これに限るものでな
く、例えば、ＲＯＭ部の一部を記録状態としたり、ＲＡ
Ｍ部の一部を記録状態としてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、簡単な方法で、
ＲＡＭ部とＲＯＭ部が混在する光ディスクを容易に得る
ことができ、光ディスクの応用システムの拡充を図るこ
とが可能となり、上記従来技術の欠点を除いて優れた機
能の光ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光ディスクの一実施例を示す断面
構造図、第２図は本発明による光ディスクの形成方法の
一例を示す概念図、第３図は本発明による光ディスクの
一実施例を示す上面図、第４図は本発明による光ディス
クのＲＯＭ部を記録状態とするためのキセノンランプ発
光回路の一例を示す回路図、第５図はＲＯＭディスクの
再生方法を説明するための構成図、第６図はＲＡＭディ
スクの記録再生方法を説明する模式図である。 １０−ＰＭＭＡ基板　１３−８ｂｚＳｅ３層　１４・Ｂ
ｉ層１５・・・保護膜　１６・・・接着層　１９・・・
キセノンランプ　２０・・・凹凸部　２１・・・マスク
　２２・・・マスク基板　２５・・・光遮断部材　２４
．２４’・・・光ディスク代理人弁理士　小　川　勝　
男、パ ３１　図 ２゜ 篤　２０ ふ　３　口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　情報を記憶し再生できるＲＡＭ領域と、あらかじめ情
   報をピット列として形成しておき再生のみを行なうＲＯ
   Ｍ領域を具備した光ディスクにおいて、前記光ディスク
   はそのＲＡＭ領域とＲＯＭ領域とに亘つて情報記録層を
   有し、前記情報記録層のＲＡＭ領域を未記録状態とし、
   ＲＯＭ領域を記録状態とすることにより、ＲＡＭ領域と
   ＲＯＭ領域の反射率を略々等しくしたことを特徴とする
   光ディスク。