JPS62136019A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
- Publication number
- JPS62136019A JPS62136019A JP60275923A JP27592385A JPS62136019A JP S62136019 A JPS62136019 A JP S62136019A JP 60275923 A JP60275923 A JP 60275923A JP 27592385 A JP27592385 A JP 27592385A JP S62136019 A JPS62136019 A JP S62136019A
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- Japan
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- shot
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- Granted
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 6
- 238000012951 Remeasurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、半導体メモリ、演惇装置等の高密度集積回路
チップの製造の際に回路パターンの焼付けを行なう縮小
投影露光装置の特にアライメント方法に関する。
チップの製造の際に回路パターンの焼付けを行なう縮小
投影露光装置の特にアライメント方法に関する。
［従来技術］
従来この種の装置においては、その重ね合せ精度、生産
性、他の装置との融通性、大型複雑化等に難点があった
。
性、他の装置との融通性、大型複雑化等に難点があった
。
［発明の目的］
本発明は上記難点を解消し、極めて高い重ね合せ精度、
高生産性（高速）、高融通性および簡易な構成を備えた
アライメント方法を提供することを目的とする。
高生産性（高速）、高融通性および簡易な構成を備えた
アライメント方法を提供することを目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明のアライメン１〜方法を適用したＴＴ
Ｌグローバルアライメント方式による半導体焼付装置の
概略構成図である。同図において、ＸＹＳはウェハをＸ
、Ｙ方向へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹ
ステージＸＹＳをそれぞれＸ、Ｙ方向に駆動する駆動モ
ータ、ＷＳはウェハをθ方向に回転させるθステージ、
ＷＦはウェハ、ＯＡはプリアライメントマークを検出し
大まかに位置合せを行なうためのオフアクシス顕微鏡で
ある。また、ＬＮは焼付投影レンズ、Ｒ８はレチクルを
Ｘ、Ｙ、θ方向に移動させるレチクルステージ、ＲＴは
レチクル、Ｐ王はレチクルＲＴに描かれた回路パターン
、Ｌｌは焼付用照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ，
ＤＬは光電ディテクタ、ＣＢはＣＰＵ （中央演算装置
）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロールボ
ックスである。
Ｌグローバルアライメント方式による半導体焼付装置の
概略構成図である。同図において、ＸＹＳはウェハをＸ
、Ｙ方向へ移動させるＸＹステージ、ＸＭ、ＹＭはＸＹ
ステージＸＹＳをそれぞれＸ、Ｙ方向に駆動する駆動モ
ータ、ＷＳはウェハをθ方向に回転させるθステージ、
ＷＦはウェハ、ＯＡはプリアライメントマークを検出し
大まかに位置合せを行なうためのオフアクシス顕微鏡で
ある。また、ＬＮは焼付投影レンズ、Ｒ８はレチクルを
Ｘ、Ｙ、θ方向に移動させるレチクルステージ、ＲＴは
レチクル、Ｐ王はレチクルＲＴに描かれた回路パターン
、Ｌｌは焼付用照明装置、ＭＲ，ＭＬはミラー、ＤＲ，
ＤＬは光電ディテクタ、ＣＢはＣＰＵ （中央演算装置
）やメモリ等からなる制御回路を備えたコントロールボ
ックスである。
第２図は、被露光体であるウェハＷＦのショットレイア
ウトの一例を示す。同図において、ＰＭｌ 、ＰＭ２は
後述するプリアライメントに用いるプリアライメントマ
ークである。１から４５は露光が行なわれる各ショット
領域を示す。また、ＬＮはショット領域１を露光すると
きの焼付投影レンズを示す。
ウトの一例を示す。同図において、ＰＭｌ 、ＰＭ２は
後述するプリアライメントに用いるプリアライメントマ
ークである。１から４５は露光が行なわれる各ショット
領域を示す。また、ＬＮはショット領域１を露光すると
きの焼付投影レンズを示す。
第３図は本発明のアライメント方法を用いてウェハ焼付
けを行なうときの手順を説明するためのフローチャート
、第４図は本発明のアライメント方法を説明するための
フローチャートであり第３図のステップＳ５の詳細な内
容である。
けを行なうときの手順を説明するためのフローチャート
、第４図は本発明のアライメント方法を説明するための
フローチャートであり第３図のステップＳ５の詳細な内
容である。
次に、第２および３図を参照して第１図の半導体焼付装
置の動作を説明する。
置の動作を説明する。
第３図において、まず、半導体焼付けの動作が開始され
ると、ステップＳ１でレチクルＲＴがレチクルステージ
Ｒ３の上にセットされる。次に、ステップＳ２でレチク
ルＲＴと焼付投影レンズＬＮ上に設けられたレチクルア
ライメントマークとを用い、レチクルＲＴと焼付投影レ
ンズＬＮとを正しく位置合せする。次に、ステップＳ３
で実際に焼付けを行なうウェハＷｆ４ＸＹステージＸＹ
Ｓｂ上にセットする。ステップＳ４では第２図に示すよ
うなプリアライメントマークＰＭ１およびＰＭ２を投影
レンズ外に設けたオフアクシス顕微ＩＯＡにより検出し
、大まかにレチクルＲＴとウェハＷＦの位置合せを行な
う。次に、ステップＳ５で後述するＴＴＬグローバルア
ライメントによって、正確にレチクルＲＴとウェハＷＦ
の位置合せを行なう。ここで正確にレチクルＲＴとウェ
ハＷＦの位置合せを行なった後、ステップＳ６で露光を
行ない、ステップＳ１でウェハＷＦ上の全ショット領域
の露光が終了したかどうかを判別する。全ショット領域
の露光が終了していなければ、ステップＳ８で次に露光
を行なうショット領域を焼付投影レンズＬＮ直下に移動
させステップＳ６に戻る。ステップＳ７でウェハＷＦ上
の全ショット領域が露光されたと判別された場合は、ス
テップＳ９で露光終了ウェハＷＦ＠ＸＹステージＸＹＳ
から搬出する。ステップＳ１０では予め指定された１０
ット分の枚数のウェハの焼付けがすべて終了したかどう
かチェックし、終了していなければステップＳ３へ戻り
、また終了していればステップＳ１に戻って再び上記に
示した動作を行なう。
ると、ステップＳ１でレチクルＲＴがレチクルステージ
Ｒ３の上にセットされる。次に、ステップＳ２でレチク
ルＲＴと焼付投影レンズＬＮ上に設けられたレチクルア
ライメントマークとを用い、レチクルＲＴと焼付投影レ
ンズＬＮとを正しく位置合せする。次に、ステップＳ３
で実際に焼付けを行なうウェハＷｆ４ＸＹステージＸＹ
Ｓｂ上にセットする。ステップＳ４では第２図に示すよ
うなプリアライメントマークＰＭ１およびＰＭ２を投影
レンズ外に設けたオフアクシス顕微ＩＯＡにより検出し
、大まかにレチクルＲＴとウェハＷＦの位置合せを行な
う。次に、ステップＳ５で後述するＴＴＬグローバルア
ライメントによって、正確にレチクルＲＴとウェハＷＦ
の位置合せを行なう。ここで正確にレチクルＲＴとウェ
ハＷＦの位置合せを行なった後、ステップＳ６で露光を
行ない、ステップＳ１でウェハＷＦ上の全ショット領域
の露光が終了したかどうかを判別する。全ショット領域
の露光が終了していなければ、ステップＳ８で次に露光
を行なうショット領域を焼付投影レンズＬＮ直下に移動
させステップＳ６に戻る。ステップＳ７でウェハＷＦ上
の全ショット領域が露光されたと判別された場合は、ス
テップＳ９で露光終了ウェハＷＦ＠ＸＹステージＸＹＳ
から搬出する。ステップＳ１０では予め指定された１０
ット分の枚数のウェハの焼付けがすべて終了したかどう
かチェックし、終了していなければステップＳ３へ戻り
、また終了していればステップＳ１に戻って再び上記に
示した動作を行なう。
次に、第２および４図を参照して第１図の装置における
グローバルアライメントの方法を説明する。
グローバルアライメントの方法を説明する。
まず、ステップ８５１においてＸＹステージ駆動モータ
、ＸＭおよびＹＭによりＸＹステージＸＹＳを移動させ
、予め指定されたショット領域例えば第２図のショット
領域２３を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させる。続
いてステップ３５２において、レチクルＲＴとウェハＷ
Ｆ上のショット領域２３とを焼付投影レンズＬＮで重ね
て見た状態でのずれ山を反射鏡ＭＲおよびＭＬを介して
ディテクタＤＲおよびＤＬで計測しアライメントを行な
う。
、ＸＭおよびＹＭによりＸＹステージＸＹＳを移動させ
、予め指定されたショット領域例えば第２図のショット
領域２３を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させる。続
いてステップ３５２において、レチクルＲＴとウェハＷ
Ｆ上のショット領域２３とを焼付投影レンズＬＮで重ね
て見た状態でのずれ山を反射鏡ＭＲおよびＭＬを介して
ディテクタＤＲおよびＤＬで計測しアライメントを行な
う。
次にステップＳ５３において、予め指定されたずれ聞計
測用の１つ目のショット領域例えば第２図のショット領
域２０を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させ、ステッ
プ８５４でディテクタＤＲおよびＯＬを用いてショット
領域の左右両側にあるアライメントマークのずれ量を計
測し、そのずれ聞をコントロールボックスＣＢ内のメモ
リ（ＲＡＭ）にｉｉ［！ｍする。このとぎのずれ帛をシ
ョット右側マークのＸ方向ずれｆｆｌ ： ＸＲＩショ
ット右側マークのＹ方向ずれｆｆｌ ： ＹＲＩショッ
ト左側マークのＸ方向ずれｆｆｉ：ＸＬ１ショット左側
マークのＹ方向ずれｌ：ＹＬｌとする。
測用の１つ目のショット領域例えば第２図のショット領
域２０を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させ、ステッ
プ８５４でディテクタＤＲおよびＯＬを用いてショット
領域の左右両側にあるアライメントマークのずれ量を計
測し、そのずれ聞をコントロールボックスＣＢ内のメモ
リ（ＲＡＭ）にｉｉ［！ｍする。このとぎのずれ帛をシ
ョット右側マークのＸ方向ずれｆｆｌ ： ＸＲＩショ
ット右側マークのＹ方向ずれｆｆｌ ： ＹＲＩショッ
ト左側マークのＸ方向ずれｆｆｉ：ＸＬ１ショット左側
マークのＹ方向ずれｌ：ＹＬｌとする。
続いてステップＳ５５において、予め指定されたずれ置
針測用の２番目のショット領域例えば第２図のショット
領域２６を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させ、ステ
ップ８５６でディテクタＯＲおよびＤＬを用いてずれ量
を計測し、前述したメモリに記憶する。このときのずれ
量を１つ目の計測ショットのときと同様にＸＲ２、ＹＲ
２、ＸＬ２ 。
針測用の２番目のショット領域例えば第２図のショット
領域２６を焼付投影レンズＬＮの直下に移動させ、ステ
ップ８５６でディテクタＯＲおよびＤＬを用いてずれ量
を計測し、前述したメモリに記憶する。このときのずれ
量を１つ目の計測ショットのときと同様にＸＲ２、ＹＲ
２、ＸＬ２ 。
ＹＬ２とする。
これらメモリに記憶されたずれ琵を元にステップＳ’５
７でウェハの傾きを求める。すなわち、θ−（（ＹＲ２
＋ＹＬ２ ）−（ＹＲｌ ＋ＹＬ１ ））で求められる
θがウェハＷＦの傾きである。ただし、上式中のＳは計
測ショット中心間の距離である。
７でウェハの傾きを求める。すなわち、θ−（（ＹＲ２
＋ＹＬ２ ）−（ＹＲｌ ＋ＹＬ１ ））で求められる
θがウェハＷＦの傾きである。ただし、上式中のＳは計
測ショット中心間の距離である。
ステップ８５８でこの傾きθの絶対値が予め設定された
値より大きいと判別されたら、ステップＳ５９へ進む。
値より大きいと判別されたら、ステップＳ５９へ進む。
さらに、ステップＳ５９で１ウエハにつき何回再計測を
行なったかを判定し、これが所定の値以上であれば傾き
θの値を一定値以内に追い込めなかったとしてステップ
Ｓ６１へ進み、処理を停止させオペレータの指示を待つ
。
行なったかを判定し、これが所定の値以上であれば傾き
θの値を一定値以内に追い込めなかったとしてステップ
Ｓ６１へ進み、処理を停止させオペレータの指示を待つ
。
ステップＳ５９で再計測回数が所定の回数未満と判別さ
れたときはステップ３６０へ進みθステージＷＳを一〇
だけ回転させる。このようにウェハＷＦ上の離れた２シ
ヨツトのずれ爪からウェハＷＦ全体の傾きを求めるので
、ステップ８５２で行なった１シヨツトの両側のマーク
ずれ量から求めた傾きより高精度の値が得られ、ダイロ
ーテーションの小さい正確なアライメントが行なえる。
れたときはステップ３６０へ進みθステージＷＳを一〇
だけ回転させる。このようにウェハＷＦ上の離れた２シ
ヨツトのずれ爪からウェハＷＦ全体の傾きを求めるので
、ステップ８５２で行なった１シヨツトの両側のマーク
ずれ量から求めた傾きより高精度の値が得られ、ダイロ
ーテーションの小さい正確なアライメントが行なえる。
ステップ８６０でθステージＷＳを回転した後は、再び
指定ショットのずれ置針測を行なうためステップ８５３
へ戻る。
指定ショットのずれ置針測を行なうためステップ８５３
へ戻る。
また、ステップＳ５７で求めた傾きθの絶対値が予め設
定された値以下であったとステップ８５８で判別された
場合は、ステップ８６２へ進みＸＹステージＸＹＳの移
動制御補正値を算出する。すなわち、ステップ８５７で
求めたウェハの傾きθと、次式で求められるウェハの伸
び率ＭをＸＹステージＸＹＳの移動制御補正値とする。
定された値以下であったとステップ８５８で判別された
場合は、ステップ８６２へ進みＸＹステージＸＹＳの移
動制御補正値を算出する。すなわち、ステップ８５７で
求めたウェハの傾きθと、次式で求められるウェハの伸
び率ＭをＸＹステージＸＹＳの移動制御補正値とする。
Ｍ＝ （（ＸＲ２＋ＸＬ２ ）−（ＸＲＩ ＋ＸＬ１
））これらの傾きθおよび伸び率Ｍを元に、以後ＸＹス
テージＸＹＳは（Ｘ、Ｖ）なる駆動量の指令に対し、以
下の式で得られる（ｘ’ 、ｙ’ ）なる量だけ移動す
る。
））これらの傾きθおよび伸び率Ｍを元に、以後ＸＹス
テージＸＹＳは（Ｘ、Ｖ）なる駆動量の指令に対し、以
下の式で得られる（ｘ’ 、ｙ’ ）なる量だけ移動す
る。
Ｘ’ ＝ （１４Ｍ）Ｘ−θｙ
ｙ′−〇ｘ十（１＋Ｍ）Ｖ
このような補正を行なうことにより、ＸＹステージＸＹ
ＳはウェハＷＦ上のショット配列の傾きおよび伸びに追
従して移動することになる。
ＳはウェハＷＦ上のショット配列の傾きおよび伸びに追
従して移動することになる。
次に、ステップ８６３で露光第１シヨツト領域を焼付投
影レンズＬＮの直下に移動させるために、ＸＹステージ
ＸＹＳに Ｘ＋＝ＷＸ （ＸＲ２＋ＸＬ２）／２ｙ＋ ＝ＷＹ−
（ＹＲ２＋ＹＬ２ ）／２なる移動ｍ （Ｘ＋ 、 ”
！ｌ／Ｉ ）を与える。ただし、（ＷＸ、ＷＹ）は、ウ
ェハの傾きおよび伸び率がゼロであった場合に、ずれ置
針測を行なう２番目のショットｆｒＸ域が焼付投影レン
ズしＮ直下にある状態から露光第１ショッｌ−領域を焼
付投影レンズＬＮ直下に移動さけるのに必要な×Ｙステ
ージＸＹＳの移！ｌＪ量である。
影レンズＬＮの直下に移動させるために、ＸＹステージ
ＸＹＳに Ｘ＋＝ＷＸ （ＸＲ２＋ＸＬ２）／２ｙ＋ ＝ＷＹ−
（ＹＲ２＋ＹＬ２ ）／２なる移動ｍ （Ｘ＋ 、 ”
！ｌ／Ｉ ）を与える。ただし、（ＷＸ、ＷＹ）は、ウ
ェハの傾きおよび伸び率がゼロであった場合に、ずれ置
針測を行なう２番目のショットｆｒＸ域が焼付投影レン
ズしＮ直下にある状態から露光第１ショッｌ−領域を焼
付投影レンズＬＮ直下に移動さけるのに必要な×Ｙステ
ージＸＹＳの移！ｌＪ量である。
以上のようにして、グローバルアライメントを達成する
。
。
［発明の効果］
本発明は以上のように極めて高い重ね合せ精度、高生産
性（高速）、高融通性に多大の貢献をし得るものである
。
性（高速）、高融通性に多大の貢献をし得るものである
。
第１図は、本発明のアライメント方法を適用した半導体
焼付装置の概略構成図、 第２図は、ウェハ上のショット配列およびマークを示す
図、 第３図は、本発明のアライメント方法を用いたウェハ焼
付けの手順を説明するための動作フローチャート、 第４図は、本発明のＴＴＬグローバルアライメント方法
を説明するためのフローチャートである。 Ｘ、ＹＳ・・・ＸＹスデージ、ＷＳ・・・θステージ、
ＷＦ・・・ウェハ、ＬＮ・・・焼付投影レンズ、Ｒ８・
・・レチクルステージ、ＲＴ・・・レチクル、Ｌｌ・・
・焼付用照明装置、 ＣＢ・・・コントロールボックス、 ＰＭ＋ 、ＰＭ２・・・プリアライメントマーク。
焼付装置の概略構成図、 第２図は、ウェハ上のショット配列およびマークを示す
図、 第３図は、本発明のアライメント方法を用いたウェハ焼
付けの手順を説明するための動作フローチャート、 第４図は、本発明のＴＴＬグローバルアライメント方法
を説明するためのフローチャートである。 Ｘ、ＹＳ・・・ＸＹスデージ、ＷＳ・・・θステージ、
ＷＦ・・・ウェハ、ＬＮ・・・焼付投影レンズ、Ｒ８・
・・レチクルステージ、ＲＴ・・・レチクル、Ｌｌ・・
・焼付用照明装置、 ＣＢ・・・コントロールボックス、 ＰＭ＋ 、ＰＭ２・・・プリアライメントマーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハ上の特定ショット領域とレチクルとのアライ
メントを行なった後、該特定ショット領域以外の他のシ
ョット領域においてレチクルと該他のショット領域との
ずれ量を計測して記憶し、その記憶内容に基づいてウェ
ハの傾きを算出し、その傾きが所定値より大きい場合ウ
ェハをその傾きの分だけ回転して位置を補正した後、上
記他のショット領域のずれ量計測から再実行することを
特徴とするアライメント方法。 ２、前記ウェハの傾きの算出は、その傾きの絶対値が所
定値以下の場合にウェハの伸び率を求め、該傾きと該伸
び率とを以後のウェハ駆動の補正に使用するために記憶
しておくものである特許請求の範囲第１項記載のアライ
メント方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275923A JPS62136019A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | アライメント方法 |
| US07/273,187 US4881100A (en) | 1985-12-10 | 1988-11-16 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275923A JPS62136019A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136019A true JPS62136019A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0587011B2 JPH0587011B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=17562305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275923A Granted JPS62136019A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777722A (en) * | 1994-04-28 | 1998-07-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus and method |
| US6244493B1 (en) * | 1997-07-09 | 2001-06-12 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Die bonding apparatus |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60275923A patent/JPS62136019A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777722A (en) * | 1994-04-28 | 1998-07-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus and method |
| US6244493B1 (en) * | 1997-07-09 | 2001-06-12 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Die bonding apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587011B2 (ja) | 1993-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |