JPS621296A - 多端子型半導体レ−ザ素子 - Google Patents
多端子型半導体レ−ザ素子Info
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- JPS621296A JPS621296A JP60141376A JP14137685A JPS621296A JP S621296 A JPS621296 A JP S621296A JP 60141376 A JP60141376 A JP 60141376A JP 14137685 A JP14137685 A JP 14137685A JP S621296 A JPS621296 A JP S621296A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は発振波長が安定化し、かつ、発振波長を変化さ
せることのできる半導体レーザ素子の構造に関するもの
である。
せることのできる半導体レーザ素子の構造に関するもの
である。
［従来技術とその問題点］
光通信、光計測、光情報処理、半導体レーザ等の用途拡
大に伴って、発振波長の安定した半導体レーザが必要と
されるようになり、また、波長多重や周波数変！（Ｆ
Ｍ）等の光通信方式に於ては、発振波長を自由に変化さ
せることのできる半導体レーザが要求されている。この
ような半導体レーザとして、従来より、ＤＦＢ、ＤＩ３
Ｒ，内部反射干渉型、複合共振器型、外部共振器型等の
半導体レーザが研究されている。しかし、ＤＦＢ及びＤ
ＢＲレーザは回折格子の形成に高度な技術を要し、また
内部反射干渉型、複合共振器型、外部共振器型し−ザも
構造、製造法共に複雑となり、十分に実用化されるまで
には至っていない。
大に伴って、発振波長の安定した半導体レーザが必要と
されるようになり、また、波長多重や周波数変！（Ｆ
Ｍ）等の光通信方式に於ては、発振波長を自由に変化さ
せることのできる半導体レーザが要求されている。この
ような半導体レーザとして、従来より、ＤＦＢ、ＤＩ３
Ｒ，内部反射干渉型、複合共振器型、外部共振器型等の
半導体レーザが研究されている。しかし、ＤＦＢ及びＤ
ＢＲレーザは回折格子の形成に高度な技術を要し、また
内部反射干渉型、複合共振器型、外部共振器型し−ザも
構造、製造法共に複雑となり、十分に実用化されるまで
には至っていない。
［発明の目的］
本発明は製造工程が簡単で、性能の良い多端子構造の内
部反射干渉型レーザの素子を提供することを目的とする
。
部反射干渉型レーザの素子を提供することを目的とする
。
［発明の構成］
この発明の多端子干渉型半導体レーザ素子は、異なる幅
と長さを交互に有するチャネル溝を同一ストライプ内に
食刻した単結晶基板上にヘテロ構造の結晶層を成長させ
ることにより、２種類の光導波路を交互に形成し、それ
ぞれの光導波路を光学的には結合させ、電気的には分離
したことを特徴とする。
と長さを交互に有するチャネル溝を同一ストライプ内に
食刻した単結晶基板上にヘテロ構造の結晶層を成長させ
ることにより、２種類の光導波路を交互に形成し、それ
ぞれの光導波路を光学的には結合させ、電気的には分離
したことを特徴とする。
［発明の原理］
チャネル溝を形成した単結晶基板上にヘテロ構造の結晶
層を成長させることにより、実効屈折率光導波路を形成
する半導体レーザとして、Ｃ８Ｐレーザ、ＶＳＩＳレー
ザ等が知られている。
層を成長させることにより、実効屈折率光導波路を形成
する半導体レーザとして、Ｃ８Ｐレーザ、ＶＳＩＳレー
ザ等が知られている。
第８図に一例として、ＶＳＩＳレーザの断面構造を示す
。
。
ｌはり−ＧａＡｓ基板、２はｌｔ−ＧａＡｓ電流阻止層
、３はｐ−ＧａＡＱＡｓクラッド層、４はＧａＡ１２Ａ
ｓ活性層、５はｎ−ＧａＡ１２Ａｓクラッド層、６はｎ
−ＧａＡｓキャップ層、７はｎ形電極、８はｐ形電極、
９は幅Ｗを有するチャネル溝である。電流は電流阻止層
２よって阻止されてチャネル溝９内にのみ流れる。また
、活性層４で発生したレーザ光はチャネル溝９外ではｎ
−ＧａＡｓ２に吸収されて実効屈折率が低下するので幅
Ｗのチャネル溝９が光導波路として形成される。また、
共振器として、２つのへき開面Ｑでの反射が利用される
。
、３はｐ−ＧａＡＱＡｓクラッド層、４はＧａＡ１２Ａ
ｓ活性層、５はｎ−ＧａＡ１２Ａｓクラッド層、６はｎ
−ＧａＡｓキャップ層、７はｎ形電極、８はｐ形電極、
９は幅Ｗを有するチャネル溝である。電流は電流阻止層
２よって阻止されてチャネル溝９内にのみ流れる。また
、活性層４で発生したレーザ光はチャネル溝９外ではｎ
−ＧａＡｓ２に吸収されて実効屈折率が低下するので幅
Ｗのチャネル溝９が光導波路として形成される。また、
共振器として、２つのへき開面Ｑでの反射が利用される
。
本発明はこの導波路幅Ｗを共振器方向に変化させること
により、レーザ光の内部反射を生じさせ、この内部反射
光と、へき開面からの反射光との干渉効果により安定な
縦モードを選択することを特。
により、レーザ光の内部反射を生じさせ、この内部反射
光と、へき開面からの反射光との干渉効果により安定な
縦モードを選択することを特。
徴とし、しかも、導波路幅Ｗの異なる領域にそれぞれ流
れる電流を制御することにより縦モードを自由に選択す
ることを可能とするものである。
れる電流を制御することにより縦モードを自由に選択す
ることを可能とするものである。
第１図（Ａ）は本発明の半導体レーザの概略図、（Ｂ）
はその上面図であり、従来例と同一の部分については同
一の符号を付している。７ａは前記ｎ形電極７のうちチ
ャネル幅Ｗ＋を有する領域であり、７ｂはチャネル幅り
を有する領域である。それらの共振方向での長さはそれ
ぞれり、、Ｌ、でありＬ１≠１，１．！、なるように形
成され、またこの実施例ではＷ、＞Ｗ、の場合であるが
Ｌ＜ｗｔとしても良い。ＩＯは、前記界なるヂャネル溝
幅を有する２つの領域７ ａ、 ７ ｂを電気的に分離
する溝であり、活性層４よりも深く形成される。尚、こ
の溝ｌＯの中央部は、電極７のみ、又はキャップ層６ま
で除去した境界領域１にである。従って、領域７ ａ、
７ ｂにおけるそれぞれの光導波路は光学的に結合し
、電気的には分離されている。１＋、１１はそれぞれ領
域７ａ、７ｂに流す電流である。第１図（ｃ）は活性層
４に平行方向での光強度分布を示していて、ａは領域７
ａ、ｂは領域７ｂにおける光強度分布である。これらの
２つの水平方向でのモード（横モード）が境界領域１１
で結合する時、レーザ光の内部反射が生じる。従って、
３つの共振器長り、、Ｌ、、Ｌ、＋Ｌ。
はその上面図であり、従来例と同一の部分については同
一の符号を付している。７ａは前記ｎ形電極７のうちチ
ャネル幅Ｗ＋を有する領域であり、７ｂはチャネル幅り
を有する領域である。それらの共振方向での長さはそれ
ぞれり、、Ｌ、でありＬ１≠１，１．！、なるように形
成され、またこの実施例ではＷ、＞Ｗ、の場合であるが
Ｌ＜ｗｔとしても良い。ＩＯは、前記界なるヂャネル溝
幅を有する２つの領域７ ａ、 ７ ｂを電気的に分離
する溝であり、活性層４よりも深く形成される。尚、こ
の溝ｌＯの中央部は、電極７のみ、又はキャップ層６ま
で除去した境界領域１にである。従って、領域７ ａ、
７ ｂにおけるそれぞれの光導波路は光学的に結合し
、電気的には分離されている。１＋、１１はそれぞれ領
域７ａ、７ｂに流す電流である。第１図（ｃ）は活性層
４に平行方向での光強度分布を示していて、ａは領域７
ａ、ｂは領域７ｂにおける光強度分布である。これらの
２つの水平方向でのモード（横モード）が境界領域１１
で結合する時、レーザ光の内部反射が生じる。従って、
３つの共振器長り、、Ｌ、、Ｌ、＋Ｌ。
をレーザが往復することにより生じる縦方向でのモード
（縦モード）による干渉効果によって、特定の縦モード
のみが大きな利得をもち、その他の縦モードは抑圧され
る。
（縦モード）による干渉効果によって、特定の縦モード
のみが大きな利得をもち、その他の縦モードは抑圧され
る。
今、縦モードである発振波長をλ。、領域７ａ。
７ｂの活性層４の実効屈折率をそれぞれｎｏｕｎｓとす
ると、 ２ （ｎ＋−Ｌ Ｉ＋ Ｉｌｙ ・Ｌ ｔ）＝Ｉｎλｏ
（ｍは整数）−（１）の関係がある。
ると、 ２ （ｎ＋−Ｌ Ｉ＋ Ｉｌｙ ・Ｌ ｔ）＝Ｉｎλｏ
（ｍは整数）−（１）の関係がある。
ｎｌ＋ｎｔは活性層４の厚さｄ１導波路幅Ｗ、注入キャ
リア密度Ｎ等によって変化し、又、実効屈折率の異なる
領域の境界では光の内部反射が生じる。第１図の例では
２つの領域で導波路幅が異なっているので内部反射が生
じ、共振器長ＬＩ＋Ｌ２．Ｌｌ。
リア密度Ｎ等によって変化し、又、実効屈折率の異なる
領域の境界では光の内部反射が生じる。第１図の例では
２つの領域で導波路幅が異なっているので内部反射が生
じ、共振器長ＬＩ＋Ｌ２．Ｌｌ。
Ｌ、で決定される３種類の縦モードの間で干渉が起こり
、特定の縦モードλ。が選択される。そして、特定の縦
モードλ。以外の縦モードは抑圧されるので、このよう
にして得られた特定の縦モードλ。は温度や注入電流１
ｔ、Ｌの変化に対して極めて安定する。
、特定の縦モードλ。が選択される。そして、特定の縦
モードλ。以外の縦モードは抑圧されるので、このよう
にして得られた特定の縦モードλ。は温度や注入電流１
ｔ、Ｌの変化に対して極めて安定する。
更に、注入電流ｌ、を一定とし、電流■、のみを増加さ
せると、領域７ｂの活性層に注入されるキャリア密度Ｎ
２が増加し、実効屈折率ｎ、は減少する。
せると、領域７ｂの活性層に注入されるキャリア密度Ｎ
２が増加し、実効屈折率ｎ、は減少する。
従って、（１）式における発振波長λ。は小さくなる。
即ち、電流■、を増加させることにより発振波長（縦モ
ード）λ。を短波長へ変化させることができる。
ード）λ。を短波長へ変化させることができる。
［実施例］
以下、この発明による実施例を図面に従って説明する。
実施例そのｌ
第２図（Ａ）で示すように、ｐ−ＧａＡｓ基板Ｉの（Ｉ
ｏｏ）面上にキャリア濃度３ ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３を
有するｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２を０．６μｍの厚さに
液相エピタキシャル成長させた。その表面の＜１１０〉
方向に幅ｗｌに７μｍ、ｗ、＝３μｍのチャネル溝９を
同一線上に交互に形成した。次にこれを基板として、第
２図（Ｂ）に示すように、再び液相エピタキシャル法に
より、ｐ Ｇａｏ、５Ａ１２ｏ、＋Ａｓクラッド層３、
Ｇａｏ、ｅｓＡ１２ｏ、ｏｓＡＳ活性層４、ｆｌ−Ｇａ
ｏ、５Ａ７２０．４ＡＳクラッド層５、ｎ−ＧａＡｓキ
ャップ層６か゛らなるタプルへテロ構造として連続成長
させた。
ｏｏ）面上にキャリア濃度３ ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３を
有するｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２を０．６μｍの厚さに
液相エピタキシャル成長させた。その表面の＜１１０〉
方向に幅ｗｌに７μｍ、ｗ、＝３μｍのチャネル溝９を
同一線上に交互に形成した。次にこれを基板として、第
２図（Ｂ）に示すように、再び液相エピタキシャル法に
より、ｐ Ｇａｏ、５Ａ１２ｏ、＋Ａｓクラッド層３、
Ｇａｏ、ｅｓＡ１２ｏ、ｏｓＡＳ活性層４、ｆｌ−Ｇａ
ｏ、５Ａ７２０．４ＡＳクラッド層５、ｎ−ＧａＡｓキ
ャップ層６か゛らなるタプルへテロ構造として連続成長
させた。
ｎ−ＧａＡｓキャップ層６上にはｎ形電極Ａｕ−Ｇｅ−
Ｎｉ７を、り−ＧａＡｓ基板！の裏面にはｐ形電極Ａｕ
−Ｚｎを蒸着し、合金化することにより、オーミックコ
ンタクトを形成した。次に、第２図（Ｃ）に示すように
、チャネル溝９の幅が変化する地点でチャネル溝９と直
角方向に幅１０μｍの１１２をエツチングにより形成し
、ｎ形電極７及びｎ−ＧａＡｓキャップ層６を除去し′
た。次に、第２図（Ｄ）に示すように、チャネル′７ｔ
４９直上のＩＯ〜２０μｍ幅を残して活性層４よりも深
い溝１０を化学エッチ又はリアクティブイオンエッチ（
ＲＩＥ）法により形成した。この溝ｌＯから、距離り、
＝２１０μｍ及びｔ、、＝４０μｍの地点でへき開法に
より共振面Ｑを形成した。第２図（Ｄ）のＸＹに於ける
断面図を第３図に示す。このようにして、領域７ａ及・
び７ｂが形成され、この両者間の抵抗を調べた所８００
Ωであったので電気的には分離されている。
Ｎｉ７を、り−ＧａＡｓ基板！の裏面にはｐ形電極Ａｕ
−Ｚｎを蒸着し、合金化することにより、オーミックコ
ンタクトを形成した。次に、第２図（Ｃ）に示すように
、チャネル溝９の幅が変化する地点でチャネル溝９と直
角方向に幅１０μｍの１１２をエツチングにより形成し
、ｎ形電極７及びｎ−ＧａＡｓキャップ層６を除去し′
た。次に、第２図（Ｄ）に示すように、チャネル′７ｔ
４９直上のＩＯ〜２０μｍ幅を残して活性層４よりも深
い溝１０を化学エッチ又はリアクティブイオンエッチ（
ＲＩＥ）法により形成した。この溝ｌＯから、距離り、
＝２１０μｍ及びｔ、、＝４０μｍの地点でへき開法に
より共振面Ｑを形成した。第２図（Ｄ）のＸＹに於ける
断面図を第３図に示す。このようにして、領域７ａ及・
び７ｂが形成され、この両者間の抵抗を調べた所８００
Ωであったので電気的には分離されている。
この素子を電極８を下にして、ステム上にマウントし、
領域７ａ、７ｂ上のｐ形電極７上にＡｕ線をワイヤボン
ドし、それぞれ端子Ｔａ、Ｔｂを形成した。
領域７ａ、７ｂ上のｐ形電極７上にＡｕ線をワイヤボン
ドし、それぞれ端子Ｔａ、Ｔｂを形成した。
端子Ｔａ、Ｔｂを共通にして電流を流し、レーザ発振さ
せた時、しきい値電流は６０ｎ＋Ａであった。
せた時、しきい値電流は６０ｎ＋Ａであった。
この素子の発振波長の温度依存性を第４図（Ａ）に示す
。１５〜４５℃の温度範囲にわたって縦モードの飛びが
ない安定な縦モード特性が得られた。
。１５〜４５℃の温度範囲にわたって縦モードの飛びが
ない安定な縦モード特性が得られた。
次に、【ｌを８０ｍＡと一定に保ち、【諌変化させた時
の発振波長の変化を第４図（Ｂ）に示す。ｌ。
の発振波長の変化を第４図（Ｂ）に示す。ｌ。
をＯ〜２０ｍＡと変化させることにより、約４０人の範
囲にわたって、波長を変化させることができた。
囲にわたって、波長を変化させることができた。
実施例その２
以上の実施例では活性層４の層厚ｄが２つの領域で等し
い場合について述べたが、層厚が異なるように製作して
もよい。層厚を変化させる簡単な方法に活性層をチャネ
ル溝内で湾曲させる方法がある。一般に、液相エピタキ
シャル法では活性層が湾曲するとその中央部で層厚が厚
くなることが知られている。前記領域ＩＩの活性層を湾
曲させた時のチャネル中央での断面を第５図に示す。こ
の実施例では、活性層厚が変化する地点でのレーザ光の
内部反射が大きくなるので、より良好な特性が実現可能
である。
い場合について述べたが、層厚が異なるように製作して
もよい。層厚を変化させる簡単な方法に活性層をチャネ
ル溝内で湾曲させる方法がある。一般に、液相エピタキ
シャル法では活性層が湾曲するとその中央部で層厚が厚
くなることが知られている。前記領域ＩＩの活性層を湾
曲させた時のチャネル中央での断面を第５図に示す。こ
の実施例では、活性層厚が変化する地点でのレーザ光の
内部反射が大きくなるので、より良好な特性が実現可能
である。
実施例その３
２つの領域のストライプ溝の中心軸が異なり、その一部
を共有するように形成した場合の上面図を第６図（Ａ）
、（Ｂ）に示す。第６図（Ａ）はｗ、＞ｗ。
を共有するように形成した場合の上面図を第６図（Ａ）
、（Ｂ）に示す。第６図（Ａ）はｗ、＞ｗ。
の場合、第６図（Ｂ）はｗｌ＝ｗ、の場合である。この
場合、２つの領域での光強度のピークの位置が異なるの
で、その境界１３で、光が結合する際に、内部反射が生
じることを利用するものである。
場合、２つの領域での光強度のピークの位置が異なるの
で、その境界１３で、光が結合する際に、内部反射が生
じることを利用するものである。
実施例その４
ある幅のチャネル溝の一部分に、それよりも狭い幅のヂ
ャネル溝領域を設けた場合の上面図を第７図（Ａ）、（
Ｂ）に示す。
ャネル溝領域を設けた場合の上面図を第７図（Ａ）、（
Ｂ）に示す。
第７図（Ａ）は領域７ ａ、 ７ ｂのヂャネル溝幅を
ｖ。
ｖ。
＝ｗ、＝７μｍとし、その境界１３に於いて、溝幅ヲ１
３ ＝ ３μｍと狭くした場合である。この狭いチャネ
ルの領域の長さは３〜１０μｍが適当である。
３ ＝ ３μｍと狭くした場合である。この狭いチャネ
ルの領域の長さは３〜１０μｍが適当である。
チャネル幅が狭くなった地点では内部反射が生じること
を利用したものである。
を利用したものである。
第７図（Ｂ）は、狭いチャネルの領域を５０μｍ程度に
長くし、その部分１９へ流す電流を制御することにより
発振波長を制御することのできる３端子型素子である。
長くし、その部分１９へ流す電流を制御することにより
発振波長を制御することのできる３端子型素子である。
尚、本発明の多端子型半導体レーザ素子は上述したＧａ
Ａｓ−ＧａＡ１２Ａｓ系に限定されず、Ｅｎｐ−ＩｎＧ
ａＡｓｐ系やその他のへテロ接合レーザ素子にも適用す
ることができる。
Ａｓ−ＧａＡ１２Ａｓ系に限定されず、Ｅｎｐ−ＩｎＧ
ａＡｓｐ系やその他のへテロ接合レーザ素子にも適用す
ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明による多端子型半導体レ
ーザ素子は、電気的には分離しているが光学的には結合
している２種類の異なる光導波路を形成し、この光導波
路の境界での内部反射による干渉効果により、特定の縦
モードのみのレーザ光をとり出すようにしたので、注入
電流や温度の変化に対して安定した波長のレーザ光を出
力することができ、又、注入電流の一方をかえることに
よりレーザ光の波長を変化させることができる。
ーザ素子は、電気的には分離しているが光学的には結合
している２種類の異なる光導波路を形成し、この光導波
路の境界での内部反射による干渉効果により、特定の縦
モードのみのレーザ光をとり出すようにしたので、注入
電流や温度の変化に対して安定した波長のレーザ光を出
力することができ、又、注入電流の一方をかえることに
よりレーザ光の波長を変化させることができる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は、この発明の半導体レーザ素子
を説明するための斜視図と平面図、第１図（Ｃ）は第１
図（Ａ）、（Ｂ）における光強度分布図、第２図（Ａ）
ないしくＤ）はこの発明の第１実施例を示す製作工程図
、第３図は第２図（Ｄ）のＸＹにおける断面図、第４図
（Ａ）はこの発明の半導体レーザ素子の発振波長の温度
依存性を示す図、第４図（Ｂ）は注入電流■、を変化さ
せた時の発振波長の変化を示す図、第５図は第２図の実
施例のチャンネル中央部における断面図、第６図（Ａ）
、（Ｂ）及び第７図（Ａ）、（Ｂ）は別の実施例の半導
体レーザ素子の上面図、第８図は従来のＶＳＩＳレーザ
の断面図である。 １ ・−・ｐ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層、３ ・ｐ−ＧａＡ＋２Ａｓクラッド層、４−Ｇａ
Ａ１２Ａｓ活性層、５＝−ｎ−ＧａＡ１２Ａｓ７９１１
層、６−ｎ−ＧａＡｓキャップ層、７・・・ｎ形電極、
訃・・ｐ形電極、９・・・チャネル溝、ＩＯ・・・電気
的分離溝、７ａ・・・第１の領域、７ｂ・・・第２の領
域、ｌト・・境界領域、Ｗ ｌ ＊ Ｗ ｔ・・・チャ
ネル溝幅、Ｑ・・・ヘキ開面、Ｔａ、Ｔｂ・・・端子、
Ｌ、、Ｌ、・・・共振器長。
を説明するための斜視図と平面図、第１図（Ｃ）は第１
図（Ａ）、（Ｂ）における光強度分布図、第２図（Ａ）
ないしくＤ）はこの発明の第１実施例を示す製作工程図
、第３図は第２図（Ｄ）のＸＹにおける断面図、第４図
（Ａ）はこの発明の半導体レーザ素子の発振波長の温度
依存性を示す図、第４図（Ｂ）は注入電流■、を変化さ
せた時の発振波長の変化を示す図、第５図は第２図の実
施例のチャンネル中央部における断面図、第６図（Ａ）
、（Ｂ）及び第７図（Ａ）、（Ｂ）は別の実施例の半導
体レーザ素子の上面図、第８図は従来のＶＳＩＳレーザ
の断面図である。 １ ・−・ｐ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層、３ ・ｐ−ＧａＡ＋２Ａｓクラッド層、４−Ｇａ
Ａ１２Ａｓ活性層、５＝−ｎ−ＧａＡ１２Ａｓ７９１１
層、６−ｎ−ＧａＡｓキャップ層、７・・・ｎ形電極、
訃・・ｐ形電極、９・・・チャネル溝、ＩＯ・・・電気
的分離溝、７ａ・・・第１の領域、７ｂ・・・第２の領
域、ｌト・・境界領域、Ｗ ｌ ＊ Ｗ ｔ・・・チャ
ネル溝幅、Ｑ・・・ヘキ開面、Ｔａ、Ｔｂ・・・端子、
Ｌ、、Ｌ、・・・共振器長。
Claims (3)
- （１）異なる幅と長さを交互に有するチャネル溝を同一
ストライプ内に食刻した単結晶基板上にヘテロ構造の結
晶層を成長させることにより、２種類の光導波路を交互
に形成し、それぞれの光導波路を光学的には結合させ、
電気的には分離したことを特徴とする半導体レーザ素子
。 - （２）上記光導波路の中心軸が異なり、その一部を共有
するチャネル溝を交互に同一ストライプ内に食刻した単
結晶基板上にヘテロ構造の結晶層を成長させることによ
り２種類の光導波路を交互に形成し、それぞれの光導波
路を光学的には結合させ、電気的には分離した特許請求
の範囲第１項に記載の多端子型半導体レーザ素子。 - （３）ある幅をもつチャネル溝の一部分に、それより狭
い幅のチャネル領域を設けた単結晶基板上にヘテロ構造
の結晶層を成長させ、幅の狭いチャネル領域の両側の光
導波路を光学的には結合させ、電気的には分離した特許
請求の範囲第１項に記載の多端子型半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP60141376A JPS621296A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 多端子型半導体レ−ザ素子 |
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