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DE3834929A1 - Wellenleiterreflektor fuer optoelektronische anwendungen und laser - Google Patents

Wellenleiterreflektor fuer optoelektronische anwendungen und laser

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Publication number
DE3834929A1
DE3834929A1 DE19883834929 DE3834929A DE3834929A1 DE 3834929 A1 DE3834929 A1 DE 3834929A1 DE 19883834929 DE19883834929 DE 19883834929 DE 3834929 A DE3834929 A DE 3834929A DE 3834929 A1 DE3834929 A1 DE 3834929A1
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DE
Germany
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waveguide
reflector according
trench
absorption zone
film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE19883834929
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English (en)
Inventor
Robert Dr Schimpe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE19883834929 priority Critical patent/DE3834929A1/de
Publication of DE3834929A1 publication Critical patent/DE3834929A1/de
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Description

Zur Erzeugung von einwelliger Emission mit Halbleiterlasern sind verschiedene Resonatoren mit Einrichtungen zur Wellen­ längenselektion entwickelt worden. Einige Resonatorbauformen sollen im folgenden aufgezählt werden:
  • - Laser mit gekoppelten Resonatoren. In dem U.S.Patent Nr. 41 01 845, 1978, von P. Russer wird die optische Verkopplung von streifenförmigen Injektionslasern zur Erzeugung hochbit­ ratig modulierbaren, einwelligen Laserlichts beschrieben. Be­ sonders erläutert sind die longitudinale und die laterale Verkopplung von streifenförmigen Wellenleitern. In der Lite­ raturstelle IEEE J. Quantum Electron., Vol. QE-23, S. 889-897, 1987, von T.L.Koch et al. wird die Verkopplung von Dünnfilmwellenleitern vertikal zur Ausdehnung der Schichten der Dünnfilmwellenleiter beschrieben. Durch den unterschied­ lichen Wellenlängenabstand der Moden der einzelnen Resonatoren ist der Wellenlängenabstand der Moden des verkoppelten Systems größer als der Wellenlängenabstand der Moden jedes der Einzelresonatoren.
  • - Injektionslaser mit mehreren schwachen Reflexionsstellen bzw. einem Beugungsgitter entlang des Wellenleiters des La­ sers. Beispielsweise wird in der Literaturstelle Sov.Physics- Semiconductors, Vol. 6, S. 1184-1189, 1973, von R.F.Kazarinov et al., ein Laserresonator mit einem Gitterreflektor beschrieben. Durch Interferenz mit Vielfachreflexion wird die Güte der Resonatormoden wellenlängenabhängig, so daß Modenselektion ermöglicht wird.
Der Verringerung des Schwellenstromes von einwelligen Halb­ leiterlasern durch Verkürzen der Resonatorlänge steht entgegen, daß die obengenannten Anordnungen zur Wellenlängenselektion eine relativ große Länge zur Beibehaltung ihrer Funktion benötigen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, einen Wellenleiterre­ flektor für optoelektronische Anwendungen, insbesondere für Halbleiter- und Glasfaserlaser, anzugeben, der es ermöglicht, Halbleiterlaser mit geringem Rauschen, einwelliger Emission und niedrigem Schwellenstrom herzustellen.
Fügt man in einen optischen Wellenleiter mit reflektierendem Abschluß eine Zone mit absorbierendem Material ein, so wird der Reflexionsfaktor der Anordnung wellenlängenabhängig. Ein Material mit Absorption weist eine negative Dielektrizitätszahl auf. Materialien, die bei optischen Wellenlängen eine hohe Ab­ sorption aufweisen, sind z.B. Metalle wie Titan oder Platin, halbleitende Materialien, wie z.B. Silizium (Si), Gallium-Alu­ minium-Arsenid (AlGaAs) oder Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid (InGaAsP) oder dotierte Dielektrika.
Fig. 1 erläutert das Prinzip eines dielektrischen Wellenlei­ ters mit spektral moduliertem Reflektor für optische Wellenlängen.
Fig. 2 zeigt eine Anordnung ähnlich der von Fig. 1, aber mit einer Absorptionszone an einer Seitenwand einer grabenförmigen Unterbrechung des Wellenleiters.
Fig. 3 zeigt den Querschnitt eines durchstimmbaren Halblei­ terlasers mit einem integrierten spektral modulierten Reflektor.
Fig. 4 zeigt den Querschnitt eines Halbleiterlasers mit einem integrierten externen Resonator, der eine Zone zur Verstärkung, eine Zone zur Wellenlängenabstimmung und eine Zone zur Phasenkontrolle aufweist.
Fig. 5 zeigt den Querschnitt eines Halbleiterlasers mit einem externen Lichtleit-Faserresonator.
Fig. 6 zeigt einen Halbleiterlaser ähnlich dem von Fig. 5, aber mit einem gekrümmten Spiegel.
Fig. 7 zeigt den Querschnitt eines Halbleiterlasers mit meh­ reren optisch gekoppelten Streifenleitern, von denen mindestens einer mit einem Reflektor gemäß der Er­ findung versehen ist.
Fig. 8 zeigt einen Faserlaser mit einer Absorptionszone ge­ mäß der Erfindung.
Fig. 1 zeigt prinzipiell den Querschnitt eines dielektrischen Dünnfilmwellenleiters für optische Wellenlängen, der mit einem Reflektor mit Absorptionszone abgeschlossen ist. Die Verteilung der optischen Intensität über den Querschnitt des Wellenleiters ist durch ein Diagramm 10 veranschaulicht. Im oberen Teil von Fig. 1 ist die Verteilung der Intensität längs der Achse des Wellenleiters gezeigt.
Der Wellenleiter ist wie folgt aufgebaut: Auf einem Substrat 1 (z.B. InP), das auch eine Mantelschicht des Wellenleiters bil­ det, befindet sich eine zentrale Wellenleiterschicht 2 (z.B. InGaAsP, 0,4 µm dick) und eine Mantelschicht 3 (z.B. InP, 0,2 µm dick). Eine erste Wellenleiterendfläche 20 ist zur Erhöhung des Reflexionsfaktors mit einem oder mehreren Reflektorfilmen 4 versehen. Im Abstand L vom Reflektorfilm 4 ist ein hochabsorbierendes Material 5 (z.B. Titan) zumindest teilweise in den vom optischen Feld erfüllten Querschnitt des Wellenleiters (vgl. Diagramm 10) eingefügt. Die maximale Längsausdehnung d der Absorptionszone 6 innerhalb des vom optischen Feld erfüllten Querschnitts sollte so klein gehalten werden, daß das optische Feld innerhalb der Absorptionszone 6 eine Phasendrehung nicht größer als 90° erfährt. Hierzu ist in der Anordnung nach Fig. 1 das absorbierende Material 5 in eine keilförmige Grube 7 eingebracht, die durch richtungsselektives Ätzen des Halbleiterkristalls hergestellt ist. Der obere Rand der Grube 7 erstreckt sich in den Bereich außerhalb des vom optischen Feld erfüllten Querschnitts des Wellenleiters, damit die sich bei der Ablagerung des absorbierenden Materials 5 ergebende Beschichtung am oberen Rand der Grube 7 keinen Einfluß auf die geführte Welle hat.
Die Wellenlängenabhängigkeit des Reflexionsfaktors soll anhand des Diagramms im oberen Teil von Fig. 1 erläutert werden. Das Diagramm zeigt die Verteilung der Intensität des stehenden Wel­ lenfeldes, das sich durch den Reflektor ausbildet. Das Diagramm zeigt die Intensitätsverteilung für eine Wellenlänge, bei der sich ein Minimum der Intensitätsverteilung am Ort der Absorp­ tionszone 6 befindet. Für diese Wellenlänge wird das stehende Wellenfeld durch das Einfügen der Absorptionszone 6 nur wenig beeinflußt, d.h. der Reflexionsfaktor der Anordnung wird durch die Absorptionszone 6 kaum verringert. Ändert man die Wellen­ länge, so wird das Minimum der Intensität des stehenden Wel­ lenfeldes aus dem Bereich der Absorptionszone 6 herausgescho­ ben. Der Reflexionsfaktor erniedrigt sich entsprechend. Durch die Absorptionszone 6 ergeben sich eine Folge von Maxima im Spektrum des Reflexionsfaktors, die einen Wellenlängenabstand
Δ q = q 2/(2n gL)
aufweisen. Δ q wird im folgenden als freier Spektralbereich des Reflektors bezeichnet. In vorstehender Gleichung ist q die Freiraumwellenlänge, n g ist der Gruppenbrechungsindex der zen­ tralen Wellenleiterschicht 2 und der Abstand L ist im Zusammen­ hang mit Fig. 1 definiert. Beispielsweise erhält man für q = 1,3 µm, n g = 4, L = 20 µm einen Abstand der Reflexionsmaxima Δ q = 10 nm.
Der Wellenlängenabstand Δ q der Reflexionsmaxima kann vergrößert werden, wenn weitere Absorptionszonen in den Wellenleiter eingefügt werden. Alle Absorptionszonen sollten für wenigstens eine Wellenlänge an Orten minimaler Intensität des stehenden Wellenfeldes angeordnet werden.
Die Bandbreite eines einzelnen Reflexionsmaximums hängt ins­ besondere vom absorbierenden Material 5 und von der Längsausdehnung d des absorbierenden Materials 5 ab. Zur Erzielung einer geringen Bandbreite des Reflexionsmaximums sollte die Absorptionszone 6 relativ dünn sein, so daß die Welle in der Absorptionszone 6 eine Phasendrehung nicht größer als 90° erfährt.
Fig. 2 zeigt einen Wellenleiter ähnlich dem von Fig. 1, aber mit einem unterbrechenden zweiten Graben 18 des Wellenleiters über den gesamten vom optischen Feld erfüllten Querschnitt des Wellenleiters. Ein solcher zweiter Graben 18 kann beispiels­ weise durch Ätzen mit einem schreibenden Ionenstrahl oder durch Ätzen mit Unterstützung durch einen Laserstrahl hergestellt werden. Mindestens eine Seitenwand des zweiten Grabens 18 ist mit einem dünnen Film 9 eines hochabsorbierenden Materials versehen. Der obere Teil und der Boden des zweiten Grabens 18 sind vorzugsweise außerhalb des vom optischen Feld erfüllten Querschnitts des Wellenleiters angeordnet, damit die sich bei der Ablagerung des absorbierenden Materials ergebende Beschichtung am oberen Teil und am Boden des zweiten Grabens 18 keinen Einfluß auf die geführte Welle hat.
Das Prinzip eines Halbleiterlasers mit Absorptionszone wird erläutert anhand eines Lasers mit einer InGaAsP-Schicht. Die Fähigkeit der InGaAsP-Schicht zur Erzeugung von spontaner und stimulierter Lichtemission beruht auf einem direkten Bandüber­ gang in diesem Material. Durch sinngemäße Anwendung des Kon­ struktionsprinzips ist die Absorptionszone mit Vorteil auch bei Halbleiterlasern mit anderen Materialien mit der Fähigkeit zu spontaner und stimulierter Lichtemission einsetzbar, wie zum Beispiel AlGaAs, GaInAsSb und bestimmten Bleisalzen. Es können auch Übergitter- und Potentialtopfstrukturen mit direktem Band­ übergang verwendet werden, die AlGaAs, InGaAs(P) oder Si enthalten.
Fig. 3 zeigt einen Halbleiterlaser, der mit einer Absorptions­ zone 6 gemäß der Erfindung versehen ist. Auf einem n-dotierten InP-Substrat 1 befindet sich eine n-dotierte Bufferschicht 30 aus InP, eine p-dotierte aktive Schicht 31 aus InGaAsP und eine p-dotierte obere Mantelschicht 3 aus InP. An einer ersten Endfläche 20 des Wellenleiters befindet sich mindestens ein Reflektorfilm 4 zur Kontrolle des Reflexionsfaktors dieser ersten Endfläche 20. Die aktive Schicht 31 wird über die Kontaktschichten 11 und 12 auf den beiden Seiten der Absorptionszone 6 mit den Strömen i 1 und i 2 elektrisch gepumpt. Der in der Schichtenfolge des Halbleiterlasers enthaltene gleichrichtende Halbleiterübergang wird durch die Ströme i 1 und i 2 in den Bereichen unterhalb der Kontaktschichten in Vorwärts­ richtung betrieben. Bei entsprechender Wahl der Ströme i 1 und i 2 emittiert die aktive Schicht 31 Laserstrahlung, die durch die Wirkung der Absorptionszone 6 auf einen Mode konzentriert werden kann. Durch gegensinnige Variation der Ströme i 1 und i 2 können nacheinander verschiedene longitudinale Moden zum Anschwingen gebracht werden. Durch gleichsinnige Variation der Ströme i 1 und i 2 läßt sich die Emissionswellenlänge des lasenden Modes durchstimmen oder modulieren. Werden die Kontaktschichten 11 und 12 leitend verbunden und gemeinsam mit einem Strom i beaufschlagt, so kann die Auswahl eines longitudinalen Modes durch entsprechende Einstellung der Pha­ sendrehung der Reflektorfilme 4 erfolgen. Für eine gegebene Einstellung der Ströme i 1 und i 2 bzw. des Stromes i ist der lasende Mode stabil gegenüber einer Änderung der Temperatur, wenn die Änderung der Temperatur gleichmäßig über die Laser­ länge erfolgt.
Fig. 4 zeigt einen Halbleiterlaser ähnlich der in Fig. 3 ge­ zeigten Anordnung, aber mit einer Absorptionszone 6 in einem monolithisch integrierten externen passiven Wellenleiter. Der reflektierende Abschluß des Resonators des Lasers im passiven Wellenleiter 14 erfolgt durch einen ersten Graben 8. Zur Erhöhung der Kopplung zwischen Resonator und Auskoppel­ wellenleiter 16 und zur Verringerung von Abstrahlverlusten können in den ersten Graben 8 eine oder mehrere wellenleitende Schichten 17 eingebracht werden. Für maximale Reflexion sollte der erste Graben 8 in Richtung der Laserachse eine Weite W etwa gleich einem ungeradzahligen Vielfachen einer viertel Wellenlänge im Material des ersten Grabens 8 aufweisen. In den aktiven Wellenleiter 15 wird der Strom i injiziert, so daß Laserstrahlung emittiert wird. Im Bereich des passiven Wel­ lenleiters befindet sich ein gleichrichtender Festkörperüber­ gang zur Beeinflussung der Ausbreitung einer geführten elektromagnetischen Welle durch eine Beeinflussung der Verteilung des Brechungsindex im Bereich des gleichrichtenden Festkörperübergangs. Zur effizienten Beeinflussung der Ausbrei­ tung der geführten elektromagnetischen Welle befindet sich der gleichrichtende Übergang innerhalb einer pin-Struktur, beste­ hend aus der oberen Mantelschicht 3 aus p-dotiertem InP, der zentralen Wellenleiterschicht 2 aus nominal undotiertem InGaAsP und dem Substrat 1 aus n-dotiertem InP als untere Mantelschicht. Die Wellenleiterschicht 2 kann auch aus einer Folge von InGaAsP/InP-Potentialtopfschichten bestehen. Der in der Schichtenfolge des passiven Wellenleiters enthaltene gleichrichtende Festkörperübergang wird durch Anlegen der Span­ nungen u 1 und u 2 an die Kontaktschichten 11 und 12, die sich zu beiden Seiten der Absorptionszone 6 befinden, unterhalb dieser Kontaktschichten 11, 12 in Sperrichtung betrieben.
Durch Variation der Spannungen u 1 und u 2 lassen sich deshalb die Ladungsträgerverteilungen unterhalb dieser Kontaktschichten 11, 12 verändern. Durch die damit einhergehende Änderung der Brechungsindizes vor allem in der zentralen Wellenleiterschicht 2, läßt sich ein longitudinaler Mode auswählen, durchstimmen oder modulieren, ähnlich wie in der Anordnung von Fig. 3 durch die beiden Ströme i 1 und i 2.
Fig. 5 zeigt eine Anordnung ähnlich der Anordnung in Fig. 4, aber mit einem externen Faserresonator 50. Auf einer zweiten Wellenleiterendfläche 120 des Halbleiterlasers 40 ist ein transparenter Film 43 (z.B. Aluminiumoxid Al2O3) zur elektrischen Isolation und optischen Entspiegelung aufgebracht, gefolgt von einem Absorptionsfilm 44. Dieser Absorptionsfilm 44 bildet die Absorptionszone 6 und kann z.B. aus Titan bestehen. Das durch diese zweite Wellenleiterendfläche 120 ausgekoppelte Licht wird über eine Faserlinse 51 in eine Lichtleitfaser gekoppelt, die mit einem teildurchlässigen Reflektor 52 (z.B. einer dünnen Goldschicht) versehen ist. Auf dem InP-Substrat 1 befindet sich ein aktiver Wellenleiter 15, der durch Pumpen mit einem Strom i Licht emittiert, und ein passiver Wellenleiter 14, dessen optische Weglänge durch Anlegen einer Spannung u verändert werden kann. Durch geeignete Wahl der Spannung u läßt sich die Phasenbedingung für einwellige Emission einstellen.
Falls keine elektrische Isolation zwischen dem Halbleiterlaser 40 und dem Absorptionsfilm 44 erforderlich ist, kann auf den transparenten Film 43 verzichtet werden oder der transparente Film 43 kann zur Entspiegelung oder als Schutzfilm nachträglich auf den Absorptionsfilm aufgebracht werden.
Fig. 6 zeigt einen Halbleiterlaser ähnlich der Anordnung von Fig. 5, aber mit einem goldbeschichteten gekrümmten Spiegel 53 anstelle der Lichtleitfaser. Die Änderung der Emissionswellen­ länge über den freien Spektralbereich Δ q des Wellenleiterre­ flektors kann durch Verschieben des Reflektors erfolgen. Der Phasenabgleich zur Erzielung einwelliger Emission geschieht durch Wahl der Spannung u.
Fig. 7 zeigt einen Halbleiterlaser mit einem Dünnfilmwellen­ leiter (DFW), an dem mindestens zwei optisch gekoppelte Streifenleiter 54 angebracht sind. Mindestens einer (c) der Streifenwellenleiter ist mit einem Wellenleiterreflektor gemäß der Erfindung versehen. Auf einer n-dotierten unteren Mantelschicht 32 aus AlGaAs befinden sich eine p-dotierte aktive Schicht 31 aus GaAs und eine p-dotierte obere Mantelschicht 3 aus AlGaAs. Zur Definition der Streifenleiter 54 sind in die obere Mantelschicht 3 Vertiefungen 55 geätzt. Die einzelnen Streifenleiter 54 werden über nicht notwendig leitend miteinander verbundene Kontakte 155 elektrisch gepumpt, so daß die Anordnung Laserstrahlung erzeugt. Zur Wellenlängen­ selektion befindet sich in mindestens einem der Streifenleiter ein zweiter Graben 18. Zur Erhöhung der Wellenlängenselektion kann eine der Wellenleiterendflächen im zweiten Graben 18 mit einem Film 9 absorbierenden Materials belegt sein.
Fig. 8 zeigt einen Faserlaser mit einem spektral modulierten Reflektor gemäß der Erfindung. Der Resonator wird gebildet aus einer neodymiumdotierten Glasfaser 56 von etwa 4 m Länge, deren Endflächen mit dielektrischen Schichten verspiegelt sind. Beide Spiegel 57, 58 sind hochreflektierend bei der Emissionswellen­ länge des Faserlasers. Der erste Spiegel 57 ist durchlässig für das Licht der GaAlAs-Laserdiode 40, die über eine Koppeloptik 59 Pumplicht in die Glasfaser 56 einstrahlt. Wie in der Ausschnittvergrößerung im oberen Teil von Fig. 8 gezeigt, ist in der Nähe des zweiten Spiegels 58 eine hochabsorbierende Zone 60 in die Glasfaser 56 eingefügt. Die Herstellung dieser Zone kann beispielsweise erfolgen durch Spalten der Faser, Bedampfen der Wellenleiterendflächen mit einer dünnen Schicht Titan und Wiederzusammenfügen der beiden Faserstücke.
Kennzeichnend für einen optischen Wellenleiter-Reflektor gemäß der Erfindung ist, daß in einem gewissen Abstand zum reflektie­ renden Abschluß des Wellenleiters ein absorbierendes Material zumindest teilweise in die Querschnittsfläche des Wellenleiters eingebracht ist, mit dem Ziel, bei einer Wellenlänge ein Maximum der Reflektion zu erzeugen. Kennzeichnend für einen Laser gemäß der Erfindung ist, daß wenigstens vor einer für Reflexion der Strahlung vorgesehenen Fläche innerhalb des Resonators des Lasers wenigstens eine Zone hoher Absorption vorgesehen ist, mit dem Ziel, die Emission auf eine einzige Wellenlänge zu beschränken. Kennzeichnend für einen streifenförmigen Halbleiterlaser mit einem monolithisch integrierten passiven Auskoppelwellenleiter gemäß der Erfindung ist, daß sich mindestens eine Endfläche des Resonators in einem Graben quer zur Richtung, in der der Streifenleiter verläuft, befindet. Kennzeichnend für einen Mehrstreifenlaser gemäß der Erfindung ist, daß sich in mindestens einem der Streifenleiter ein Graben quer zur Verlaufsrichtung des Streifenleiters befindet.
ln bezug auf den Stand der Technik wird noch darauf hingewie­ sen, daß in der genannten Literaturstelle U.S.-Patent 41 01 845 von P.Russer longitudinal verkoppelte Injektionslaser mit Dünn­ filmwellenleitern beschrieben werden. Keine der Endflächen der Dünnfilmwellenleiter ist Teil eines Grabens gemäß der Erfindung oder ist mit einer Absorptionszone gemäß der Erfindung versehen.
In der genannten Literaturstelle Sov.Physics-Semiconductors, Vol. 6, S. 1184-1189, 1973, von R.F.Kazarinov et al. wird ein Halbleiterinjektionslaser mit einem Beugungsgitter mit metalli­ schen Reflexionszonen in einem Dünnfilmwellenleiter beschrieben. Es ist jedoch keine Absorptionszone gemäß der Erfindung auf einer Endfläche eines den Dünnfilmwellenleiter formenden Materials in einem durch eine vorgegebene Wellenlänge bestimmten Abstand von einer zur Reflexion der Strahlung vor­ gesehenen Fläche angebracht.
Eine weitere Arbeit zur Beschreibung des Stands der Technik ist Appl.Phys.Lett., Vol .47, S. 1029-1031, von J. Berger et al. In dieser Literaturstelle werden zwei hintereinander angeordnete, optisch verkoppelte Halbleiterinjektionslaser mit eng beiein­ ander verlaufenden, optisch verkoppelten Streifenwellenleitern beschrieben. Keiner der Streifenwellenleiter ist mit einer gra­ benförmigen Unterbrechung mit einer Längsausdehnung in Verlaufsrichtung des Streifenwellenleiters gemäß der Erfindung versehen. Im Gegensatz zu einer Anordnung im Sinne der Erfin­ dung ist nur eine relativ schwache optische Verkopplung der Streifenwellenleiter der beiden hintereinander angeordneten Halbleiterinjektionslaser gegeben.

Claims (23)

1. Wellenleiterreflektor für einen Wellenleiter zur Wellenlän­ genselektion, dadurch gekennzeichnet, daß in einem durch eine vorgegebene Wellenlänge bestimmten Ab­ stand (L) von einer zur Reflexion der Strahlung vorgesehenen Fläche eine Absorptionszone (6) durch Einbringen von hochab­ sorbierendem Material (5) in zumindest einen Teil des von dem elektromagnetischen Feld eingenommenen Teils des Querschnitts des Wellenleiters ausgebildet ist.
2. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die zur Reflexion der Strahlung vorgesehene Fläche eine erste Endfläche (20), die zumindest einen Teil des Quer­ schnitts des Wellenleiters einnimmt, ist und
  • - daß diese erste Endfläche (20) mit einem Reflexionsfilm (4) versehen ist.
3. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die zur Reflexion der Strahlung vorgesehene Fläche eine erste Endfläche (20), die zumindest einen Teil des Quer­ schnitts des Wellenleiters einnimmt, ist und
  • - daß diese erste Endfläche (20) durch einen ersten Graben (8) gebildet ist.
4. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Weite (W) dieses ersten Grabens (8) bis auf durch die Herstellung bedingte Toleranzen ein ungeradzahliges Vielfaches eines Viertels der vorgegebenen Wellenlänge der Strahlung in dem ersten Graben ist.
5. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Reflexion der Strahlung vorgesehene Fläche ein teildurchlässiger Reflektor (52) in einem Faserresonsator (50) ist.
6. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Reflexion der Strahlung vorgesehene Fläche (53) gekrümmt ist.
7. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorptionszone (6) ausgebildet ist, indem das hochab­ sorbierende Material (5) in eine Grube (7), die zumindest in einem Teil des Materials des Wellenleiters ausgebildet ist, eingebracht ist.
8. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der von dem elektromagnetischen Feld eingenommene Teil des Querschnitts einer Wellenleiterschicht (2) durch einen zweiten Graben (18) unterbrochen ist und die Absorptionszone (6) ausge­ bildet ist, indem mindestens eine quer zur Längsrichtung des Wellenleiters verlaufende Seitenfläche dieses zweiten Grabens (18) mit einem Film (9) hochabsorbierenden Materials versehen ist.
9. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorptionszone (6) durch einen Absorptionsfilm (44) gebildet ist, der auf einer zweiten Endfläche (120), die zumindest einen Teil des Querschnitts des Wellenleiters einnimmt, aufgebracht ist.
10. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Absorptionsfilm (44) ein dielektrischer Film (43) aufgebracht ist.
11. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß auf einer zweiten Endfläche (120), die zumindest einen Teil des Querschnitts des Wellenleiters einnimmt, mindestens ein dielektrischer Film (43) aufgebracht ist und
  • - daß die Absorptionszone (6) durch einen Absorptionsfilm (44) auf diesem dielektrischen Film (43) gebildet ist.
12. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorptionszone (6) Titan oder Platin enthält.
13. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Wellenleiter zumindest teilweise in einem Halbleiter­ körper ist.
14. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper einen Halbleiterlaser enthält und daß der Halbleiterlaser ein Material aus der Gruppe Al u Ga1-u As; Ga v In1-v As w P1-w ; Ga x In1-x As y Sb1-y ; Bleisalz enthält.
15. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß zumindest auf einer Seite der Absorptionszone (6) ein gleichrichtender Festkörperübergang vorhanden ist,
  • - daß sich zumindest ein Teil einer geführten elektromagne­ tischen Welle im Bereich dieses gleichrichtenden Festkörper­ übergangs ausbreitet und
  • - daß Mittel zur Beeinflussung der Verteilung des Brechungs­ index im Bereich dieses gleichrichtenden Festkörperübergang vorhanden sind zur Beeinflussung der Ausbreitung dieser ge­ führten elektromagnetischen Welle.
16. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des zwischen Absorptionszone (6) und der zur Reflexion der Strahlung vorgesehenen Fläche befindlichen Bereichs ein gleichrichtender Festkörperübergang vorhanden ist.
17. Wellenleiterreflektor nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kontaktschicht (12) auf einer Mantelschicht (3) des Halbleiterkörpers aufgebracht ist.
18. Anordnung von Halbleiterlasern, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer dieser Halbleiterlaser einen Wellenleiter­ reflektor nach einem der Ansprüche 1 bis 17 aufweist.
19. Anordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei dieser Halbleiterlaser optisch verkoppelt sind.
20. Wellenleiterreflektor nach Anspruch 1 in einer Glasfaser, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorptionszone (6) als hochabsorbierende Zone (60) in der Glasfaser (56) ausgebildet ist.
21. Anordnung mit einem flächig sich erstreckenden Dünnfilm­ wellenleiter (DFW), wobei in oder an dem Dünnfilmwellenleiter (DFW) eine Struktur aus mehreren, mit Abstand (d) nebeneinan­ der verlaufenden, optisch verkoppelten Streifenwellenleitern (54) ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer dieser Streifenwellenleiter eine graben­ förmige Unterbrechung (8, 18) in zumindest einem Teil eines den Wellenleiter formenden Materials (3, 31, 32) aufweist, wobei die Weite (W) dieses Grabens (8, 18) kleiner als das 10fache der Wellenlänge einer Welle ist, die sich zumindest teilweise im Bereich des Grabens (8, 18) ausbreitet.
22. Anordnung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Weite (W) dieses Grabens (8, 18) bis auf durch die Her­ stellung bedingte Toleranzen ein ungeradzahliges Vielfaches eines Viertels der Wellenlänge der Welle ist, die sich zumin­ dest teilweise im Bereich des Grabens (8, 18) ausbreitet.
23. Anordnung nach einem der Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der Streifenwellenleitern in einem Halb­ leiterkörper ist und dieser Halbleiterkörper einen Halbleiter­ laser enthält.
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