JPS62120054A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPS62120054A JPS62120054A JP26043385A JP26043385A JPS62120054A JP S62120054 A JPS62120054 A JP S62120054A JP 26043385 A JP26043385 A JP 26043385A JP 26043385 A JP26043385 A JP 26043385A JP S62120054 A JPS62120054 A JP S62120054A
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-
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は混成集積回路に関し、特に混成集積回路の折曲
げ構造の改良に関する。
げ構造の改良に関する。
（ロ）従来の技術
従来の混成集積回路は第２図に示す如く、二枚の金属基
板＜１１）（１２）と、基板（１１）（１２）を接続す
る絶縁フィルム（１３）と、フィルム（１３）上に設け
た導電路（１４）と、導電路（１４）上に固着した半導
体集積回路、チップ抵抗あるいはチップコンデンサー等
の複数の回路素子（１５）と、回路素子（１５）を被覆
する樹脂膜（１６）とを具備している。
板＜１１）（１２）と、基板（１１）（１２）を接続す
る絶縁フィルム（１３）と、フィルム（１３）上に設け
た導電路（１４）と、導電路（１４）上に固着した半導
体集積回路、チップ抵抗あるいはチップコンデンサー等
の複数の回路素子（１５）と、回路素子（１５）を被覆
する樹脂膜（１６）とを具備している。
金属基板（１ｔ）（１２）は０．５〜１．０■厚の良熱
伝導性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接
着剤により基板（１１）（１２）を夫々の厚みだけ離間
させてポリイミド等の絶縁フィルム（１３）で接続する
。絶縁フィルム（１３）の反対主面には導電路（１４）
となる銅箔を貼着しておき、銅箔を選択的にエツチング
して所望形状の導電路（１４）を形成する。導電路（１
４）は一方の基板（１２）の端部に外部リード（１７）
を半田付けするパッドを並べ、バッドから導電路（１４
）を絶縁フィルムク１３〉上に延在妨せる。回路素子（
１５）を固着する導電路（１４）の部分は両方の基板（
１１）（１２）上に位置する様に設計し、基板（１１）
（１２）の離間部分には折曲げのために回路素子（１５
）を設けない。回路素子（１５〉を固着した後、回路素
子（１５）を保護するために回路素子（１５）上にエポ
キシ樹脂等を塗布し樹脂膜（１６）を形成する。しかる
後、基板（１１）＜１２＞の離間部分の絶縁フィルム（
１３）を折曲げ配置するものである。
伝導性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接
着剤により基板（１１）（１２）を夫々の厚みだけ離間
させてポリイミド等の絶縁フィルム（１３）で接続する
。絶縁フィルム（１３）の反対主面には導電路（１４）
となる銅箔を貼着しておき、銅箔を選択的にエツチング
して所望形状の導電路（１４）を形成する。導電路（１
４）は一方の基板（１２）の端部に外部リード（１７）
を半田付けするパッドを並べ、バッドから導電路（１４
）を絶縁フィルムク１３〉上に延在妨せる。回路素子（
１５）を固着する導電路（１４）の部分は両方の基板（
１１）（１２）上に位置する様に設計し、基板（１１）
（１２）の離間部分には折曲げのために回路素子（１５
）を設けない。回路素子（１５〉を固着した後、回路素
子（１５）を保護するために回路素子（１５）上にエポ
キシ樹脂等を塗布し樹脂膜（１６）を形成する。しかる
後、基板（１１）＜１２＞の離間部分の絶縁フィルム（
１３）を折曲げ配置するものである。
上述した同様の技術は特願昭５５−１６９８６８号公報
に記載されている。
に記載されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上述した従来の技術では、回路素子を保護するために塗
布していた樹脂膜（１６）が第３図に示す様に基板（１
１）（１２）の離間部まで流出して基板を折曲げるのに
必要な折曲げ距離が短くなり基板の折曲げが行なえなく
なる欠点があった。
布していた樹脂膜（１６）が第３図に示す様に基板（１
１）（１２）の離間部まで流出して基板を折曲げるのに
必要な折曲げ距離が短くなり基板の折曲げが行なえなく
なる欠点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、第１
図に示す如く、金属基板（１）上に回路素子（５）を組
込んだ後、基板（１）（２）間の離間部上にシリコン系
樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設けた後、回路素子
（５）を保護する樹脂膜（６）を形成する。
図に示す如く、金属基板（１）上に回路素子（５）を組
込んだ後、基板（１）（２）間の離間部上にシリコン系
樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設けた後、回路素子
（５）を保護する樹脂膜（６）を形成する。
くホ）イ乍用
この様に本発明によれば、基板（１）（２）間の離間部
上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設け
ることにより、樹脂膜（６）の流出を防げるものである
。
上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設け
ることにより、樹脂膜（６）の流出を防げるものである
。
（へ）実施例
以下に図面に示した実施例に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例を示す混成集積回路である。
本発明の混成集積回路は二枚の金属基板（１）（２）と
基板（１）（２）を接続する絶縁フィルム（３）と、フ
ィルム（３）上に設けた導電路（４〉と、導電路（４）
上に固着した半導体集積回路、チップ抵抗あるいはチッ
プコンデンサー等の複数の回路素子（５）と、回路素子
（５）を被覆する樹脂膜（６）と、樹脂止め部（７）と
を具備している。
基板（１）（２）を接続する絶縁フィルム（３）と、フ
ィルム（３）上に設けた導電路（４〉と、導電路（４）
上に固着した半導体集積回路、チップ抵抗あるいはチッ
プコンデンサー等の複数の回路素子（５）と、回路素子
（５）を被覆する樹脂膜（６）と、樹脂止め部（７）と
を具備している。
金属基板（１）（２）は０，５〜１．０１ｍ１厚の良熱
伝導性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接
着剤により基板（Ｌ）（２）を夫々の厚みだけ離間部せ
てポリイミド等の絶縁フィルム（３）で接続する。
伝導性のアルミニウムで形成され、エポキシ樹脂等の接
着剤により基板（Ｌ）（２）を夫々の厚みだけ離間部せ
てポリイミド等の絶縁フィルム（３）で接続する。
絶縁フィルム（３）の反対主面には導電路（４）となる
銅箔を貼着しておき、＃４箔を選択的にエツチングして
所望形状の導電路（４）を形成する。導電路（４）は一
方の基板（２）の端部に外部リード（８）を半田付けす
るパッドを並べ、バンドから導電路（４）を絶縁フィル
ム（３）上に延在させる。回路素子（５）を固着する導
電路（４）の部分は両方の基板＜１）（２）上に位置す
る様に設計し、基板（１）（２）の離間部分には折曲げ
のために回路素子（５）を設けない。
銅箔を貼着しておき、＃４箔を選択的にエツチングして
所望形状の導電路（４）を形成する。導電路（４）は一
方の基板（２）の端部に外部リード（８）を半田付けす
るパッドを並べ、バンドから導電路（４）を絶縁フィル
ム（３）上に延在させる。回路素子（５）を固着する導
電路（４）の部分は両方の基板＜１）（２）上に位置す
る様に設計し、基板（１）（２）の離間部分には折曲げ
のために回路素子（５）を設けない。
回路素子（５）を固着した後、本発明の特徴である樹脂
止め部（７）を設ける。樹脂止め部（７）には接着性の
無いシリコン系樹脂を用い、基板（１）（２）間の離間
部上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設
ける。樹脂止め部（７）はシリコン系樹脂を用いている
ため、硬化しても弾性力を有しているので基板（１）（
２）を折曲げ配置する時にはなんら支障はない。
止め部（７）を設ける。樹脂止め部（７）には接着性の
無いシリコン系樹脂を用い、基板（１）（２）間の離間
部上にシリコン系樹脂を塗布して樹脂止め部（７）を設
ける。樹脂止め部（７）はシリコン系樹脂を用いている
ため、硬化しても弾性力を有しているので基板（１）（
２）を折曲げ配置する時にはなんら支障はない。
樹脂止め部（７）を設けた後、従来と同様に回路素子（
５）を保護するためにエポキシ系の樹脂を塗布し樹脂膜
（６）を形成して回路素子（５）を保護する。しかる後
、基板（１）（２）の離間部分の絶縁フィルム（３）を
折曲げ配置する。
５）を保護するためにエポキシ系の樹脂を塗布し樹脂膜
（６）を形成して回路素子（５）を保護する。しかる後
、基板（１）（２）の離間部分の絶縁フィルム（３）を
折曲げ配置する。
斯る本発明に依れば、基板（１）＜２）の離間部上に樹
脂止め部（７）を設けることにより、樹脂膜（６）の流
出が防げ基板（１）（２）の折曲げ配置がスムーズに行
なえる。
脂止め部（７）を設けることにより、樹脂膜（６）の流
出が防げ基板（１）（２）の折曲げ配置がスムーズに行
なえる。
（ト）発明の効果
上述した如く、本発明に依れば、基板の離間部にシリコ
ン系の樹脂を塗布し樹脂止め部を設けることにより、回
路素子を保護する樹脂膜を形成しても樹脂膜の流出を防
ぐことができるので、従来発生していた基板の折曲げが
行なえない欠点を補うことができ生産能率が向上するも
のである。
ン系の樹脂を塗布し樹脂止め部を設けることにより、回
路素子を保護する樹脂膜を形成しても樹脂膜の流出を防
ぐことができるので、従来発生していた基板の折曲げが
行なえない欠点を補うことができ生産能率が向上するも
のである。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図および第
３図は従来例を示す断面図である。 （１）＜２＞・・・金属基板、 （３）・・・絶縁フィ
ルム、（４）・・・導電路、 （５）・・・回路素子、
（６）・・・樹脂膜、（７）・・・樹脂止め部、 （
８）・・・外部リード。
３図は従来例を示す断面図である。 （１）＜２＞・・・金属基板、 （３）・・・絶縁フィ
ルム、（４）・・・導電路、 （５）・・・回路素子、
（６）・・・樹脂膜、（７）・・・樹脂止め部、 （
８）・・・外部リード。
Claims (1)
- （１）二枚の金属基板と、該二枚の金属基板を離間して
結合する絶縁フイルムと、該フイルム上に設けた所望形
状の導電路と、該導電路上に設けた複数の回路素子と、
該回路素子を被覆する樹脂膜とを具備し、前記絶縁フイ
ルムを折曲げて前記基板の金属露出面が接する様に配置
した混成集積回路に於いて、前記二枚の金属基板の離間
部上に樹脂止め部を有することを特徴とした混成集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043385A JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043385A JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120054A true JPS62120054A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0719858B2 JPH0719858B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17347866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26043385A Expired - Lifetime JPH0719858B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 混成集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719858B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780933A (en) * | 1995-05-12 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same |
| US6022763A (en) * | 1996-05-10 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26043385A patent/JPH0719858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780933A (en) * | 1995-05-12 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same |
| US6022763A (en) * | 1996-05-10 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719858B2 (ja) | 1995-03-06 |
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