JPS62107502A - マイクロ波発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 このブを明はマイクロ波発振器に関し、さらに詳細にい
えば、マイクロストリップ線路と誘導体共振器との結合
による帰還回路を有するマイクロ波発振器に関する 〈従来の技術〉 従来からマイクロストリップ線路と誘導体共振器との結
合による＠遠回路を有するマイクロ波発振器どしては、
第２図、または第３図に示す構成の帰還回路が採用され
ていた。上記第２図の；ｂのは、２本のストレートス］
・リップ線路（１１）ｆ１２）が誘導体共振器（１３）
を挟んだ状態で互いに平行に配設されている。また、第
３図ものは、２木のストレートストリップ線路（１１）
（１２）が誘導体共振器（１３）を中心として互いに直
角に配設されている。

そして、何れの帰還回路にｄ３いても、ストレー１〜ス
トリツプ線路（１１）の一方の端部ど、ストレートスト
リップ線路（１２）の一方の端部との間にＱａＡＳＦＥ
Ｔ増幅器（１４）を接続し、ＧａＡｓＦＥＴ増幅器（１
４）の出力端子に負荷（１５）を接続している。

上記第２図の帰還回路においては、ストレートストリッ
プ線路（１１）の他方の端部から誘導体共振器（１３）
の中心部に正対する位置までの距離が１１、ストレート
ストリップ線路（１１）の一方の端部から、誘導体共振
器（１３）を通ってストレートストリップ線路（１２）
の一方の端部までの距離がＬ２、各ストレートストリッ
プ線路（１１）（１２）と誘導体共振器（１３）との距
離がＤに設定されてＪ３す、また、上記第３図の帰還回
路においては、ストレートストリップ線路（１１）の他
方の端部から誘導体共振器（１３）の中心部に正対する
位置までの距離が１７、ス１〜レートストリップ線路（
１１）の一方の端部から、誘導体ｔｔ振器（１３）を通
ってス１〜レートストリップ線路（１２）の一方の端部
までの距離がＬ２、各ス１〜レートス１−リップ線路（
１１）（１２）と誘導体共振器（１３）どの距離がＤに
設定されている。

そして、］二記距離［１は、ストレートストリップ線路
（１１）の開敢端から誘導体共振器（１３）の共振周波
数の１／４波長、若しくは、その奇数倍の長さの点の電
流密度が最も高くなるので、このような距頭［１が結合
の長さとして定められる。また、上記距離Ｌ２は、発振
位相条件θ。＋θβ−２πｎを満足すべく決定され、上
記距離りは、発振振幅条件１α１・１β１≧１を満足す
べく決定される。ここで、αはＧａＡｓＦＥＴ増幅器（
１４）の増幅度であり、βは帰還回路の帰遠度である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 上記何れの構成のマイクロ波発振器においても、各距離
［づ、　Ｌ　２．　Ｄは、マイクロ波発振条件に適合す
るように設定されているのであるが、あくまで特定の温
度条件下において予め設定されたマイクロ波発振条件に
適合するのみであり、温度条件が変化した場合には、上
記予め設定されたマイクロ波発振条件と異なるマイクロ
波発振条件に適合し、設定周波数と異なる周波数での発
振を行なうことになるという問題がある。

さらに詳細に姐Ｉると、温度変化に伴ってス１〜レート
ストリップ線路（１１）（１２）が伸縮する。そして、
この伸縮に伴い、上記距１ｉｉｆ１．　Ｌ　１　、　Ｌ
　２がそれぞれ△１−１．Δし２だけ変化したとブれば
、ストレートストリップ線路（１１）（１２）と誘導体
共振器（１３）とはＬｌ−１−△Ｌ１ど、１−２千八Ｌ
２どで結合が行なわれることになり、バンドパス共（辰
＠遠回路の帰遠度ｉｙ＝　１ｉｇ　＋　・ｅｊ０βであ
ったのが６＝ｌβ十Δβ１−ｅｊ（θβ−１−４θ月に
変化する。

また、ＧａＡｓＦＥＴＪｆｊ幅器のＳパラメータの位相
角も温度により変化し、増幅度α−１α１・ｅＪθ０で
あったのがα−１α−１ΔαＩ・ｅＪ（θ（Ｘ＋４θ“
）に変化−りる。

したがって、」：記発振振幅条ｆｌ、ｄ３よび発振位相
条ｆｌが変化し、予め設定されていた発振周波数、発振
出力とは異なる発振周波数、および発振出力での発振を
行なうことになるのである。

〈発明の目的〉 この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
温度変化に起因する発振位相条件、発振振幅条件の変動
を防止して、安定したマイクロ波発振を行なわせること
ができるマイクロ波発振器を提供することを目的として
いる。

く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための、この発明のマイクロ波発
振器は、誘導体共振器をベント形ストリップ線路により
結合させてなるバンドパスフィルタによる＠）ψ回路と
、Ｑａ　ＡＳ　ＦＥＴを用いた増幅器とからなるもので
ある。

く作用〉 上記の構成のマイクロ波発振器であれば、温度変化によ
りベンド形ストリップ線路が伸縮しても、誘導体ノを振
器と、ストリップ線路のベンド部との距離が変化しない
ので、予め設定された発振位相条件、および発振振幅条
件を満足する共振周波数のみが帰遷されることになり、
温度変化の影響を受けることなく一定周波数の発振出力
、および一定の帰還量が得られることになる。

〈実施例〉 以下、実施例を示覆添付図面によって詳細に説明する。

第１図はこの発明のマイクロ波発振器の一実施例を示す
概略図であり、帰還回路（１）と、ＧａＡｓＦＥＴ増幅
回路（２）と、負荷（３）とから構成されている。

さらに詳細に説明すると、上記帰還回路（１）は、誘導
体共振器（４）と、一方の端部が所定範囲にわたって誘
導体共振器（４）を中心として等距離りとなるように湾
曲され、他端部が直線状に形成されたベンド形ストリッ
プ線路（５）と、一方の端部が所定範囲にわたって誘導
体共振器（４）を中心として等距離りとなるように湾曲
され、他端部が直線状に形成されたベンド形ストリップ
線路（６）とで構成されている。

上記Ｇａ　ＡＳ　ＦＥＴ増幅回路（２）は、ベント形ス
トリップ線路（６）の湾曲側端部所定位置と、ベンド形
ストリップ線路（５）の湾曲側端部所定位置との間に接
続されている そして、上記＃　？ｉ４　（３１はＧａ　Ａｓ　ＦＥＴ
増幅回路（２）の出力側に接続されている。

尚、ベント形ストリップ線路（５）の解放端から距離１
−１の魚が湾曲部所定位置になり、ベント形ストリップ
線路（５）のＧａ　Ａｓ　ＦＥＴ増幅回路（２）接続点
から誘導体共振器（４）を通ってベンド形ストリップ線
路（６）のＧａ　Ａｓ　ＦＥＴ増幅回路（２）接続点ま
での距離がＬ２になるようにしている。

以上の構成のマイクロ波発振器であれば、上記各距離Ｌ
１．Ｌ２．Ｄにより帰遠度β−１β１・ｅｊθβ、およ
び増幅度α−１ルトｅＪθ０が定まり、発振位相条件θ
。＋θβ＝２πｎ１および発振振幅条件１み１・１β１
≧１を満足する発振周波数、Ｊ３よび発振出力でのマイ
クロ波発振を行なうことができる。

また、温度条件が変化した場合には、両ペンド形ストリ
ップ線路（５］　（６１が伸縮でるとともに、ＱａＡＳ
ＦＥＴ増幅回路（２）の位相角が変化することになるの
であるが、上記の伸縮、ｄ３よび変化が各ベンド形スト
リップ線路（５）の湾曲開始魚からＱａＡＳ　ＦＥＴ増
幅回路（２）を接続した点までの範囲内であれば、上記
弁振周波数条イ′１、および発振出力条件が常に一定に
保たれ、安定した周波数、および出力の発振出力を冑る
ことかできる。

したがって、誘導体共振器（４）と、各ベント形ストリ
ップ線路［５１ｆ６１との結合点ａｘ、ｂｘおにび各ベ
ンド形ストリップ線路ｆ５１　（６１の伸縮、Ｇａ　Ａ
Ｓ　ＦＥＴ増幅回路（２）の位相変化が補正される範囲
ａ１〜ａ２．ｂ１〜ｂ２を適宜選定することにより、使
用されるＴ！Ｊ境下におりる温度変化の影響を受Ｃプる
ことなく、安定した周波数、および出力でのマイクロ波
発振を行なうことができる。

このマイクロ波発振器は、特にマイクロ波局部発振器と
して好適に使用される。

具体的には、周波数１１ＧＩ−１ｚ帯の誘導体共振器（
４）（誘電率１０．２．厚８’０．６ｔｍｔｎの基板を
使用し、Ｌｌを約２．５ａｍ、Ｄを０．３１Ｒｍとした
もの〉を使用して一４０℃〜７０°Ｃの温度範囲におい
て３　、１　ｐｐＨ／’Ｃの周波数安定度、および０．
６ｄＢ（ｐ−ｐ）の出力安定度を有するマイクロ波発振
器を得た。

〈発明の効果〉 以上のようにこの発明は、温度変化があっても、周波数
、および出力が安定した発振を行なわせることができる
という特有の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のマイクロ波発振器の一実施例を示す
概略図、 第２図、および第３図は従来例を示す概略図。 （２）・・・ＧａＡＳＦＥＴ増幅回路、（４）・・・誘
導体共振器、（５１（６］・・・ベンド形ストリップ線
路第１図 ａｘ 第２図 第３図 手　　続　　補　　正　　害（自発） 昭和６１年８月２６日 昭和６０年特許願第２４６７４１号 ２、発明の名称 マイクロ波発振器 ３、補正をするも 事件との関係　　　特許出願人 住所　　大阪市東区北浜５丁目１５番地名　称　　　　
（２１３＞住友電気工業株式会社代表者　　川　上　哲
　部 ４、代理人 ５、補正命令の日付（自発） （１）明細書中箱１頁の特ｉｒ′ｒ請求の範囲を別紙の
とおり訂正する。 （２）同出中下記の１誘導体］の記軟を「誘電体」と訂
正する。 ■第１頁第１３行、同頁第１７行、 ■第２頁第２行、同頁第４行、同頁第１２行、同頁第１
５行、同頁第１７行、同頁第２０行、 ■第３頁第２〜３行、同頁第５行、同頁第８行、 ■第４頁第１１行、 ■第５頁第１２行、同頁第１９行、 ■第６頁第１３行、同頁第１４行、同頁第１７行、 ■第７頁第１０行、 ■第８頁第９行、同頁第１９行 ■第９頁第１４行 ２、特許請求の範囲 １、　　ｇｉｉＫ共振器をベンド型ストリップ線路によ
り結合させてなるバンドパスフィルタによる帰遷回路と
、ＧａＡｓＦＥＴを用いた増幅器とからなるマイクロ波
発振器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、誘導体共振器をベンド形ストリップ線 路により結合させてなるバンドパスフィ ルタによる帰還回路と、ＧａＡｓＦＥＴ を用いた増幅器とからなるマイクロ波発 振器。