JPS6196609A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
- Publication number
- JPS6196609A JPS6196609A JP21703184A JP21703184A JPS6196609A JP S6196609 A JPS6196609 A JP S6196609A JP 21703184 A JP21703184 A JP 21703184A JP 21703184 A JP21703184 A JP 21703184A JP S6196609 A JPS6196609 A JP S6196609A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- resistivity
- zno
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛にアルミニウムを添加することによっ
て、低い抵抗率を有し、かつ高い赤外線反射率と高い可
視光透過率を同時に実現する透明導電膜に関するもので
ある。
て、低い抵抗率を有し、かつ高い赤外線反射率と高い可
視光透過率を同時に実現する透明導電膜に関するもので
ある。
従来、透明導電膜としては、酸化スズ系（ネサ膜と呼ば
れている）および酸化インジウム・酸化スズ系（ＩＴＯ
膜と呼ばれている）等が一般に実用されている。しかし
、これらの透明導電膜は次のような欠点を持つている。
れている）および酸化インジウム・酸化スズ系（ＩＴＯ
膜と呼ばれている）等が一般に実用されている。しかし
、これらの透明導電膜は次のような欠点を持つている。
（イ） ＩＴＯ膜は１０−４Ωαオーダの低い抵抗率を
実現でき、特性的な問題は少ないが、原材料が高価であ
る。特に希少金属のインジウムが組成の大部分を占るた
め、高価な上に資源的にも問題がある。
実現でき、特性的な問題は少ないが、原材料が高価であ
る。特に希少金属のインジウムが組成の大部分を占るた
め、高価な上に資源的にも問題がある。
←） ネサ膜は原材料が比較的安価であるが、抵抗率が
１０−８０錦オーダのものしか実現できないため特性上
問題がある。
１０−８０錦オーダのものしか実現できないため特性上
問題がある。
（ハ）いずれの膜も低い抵抗率を実現するためには作成
上８００〜６００℃程度の高温処理過程を必要とする等
実用上の制約がある。
上８００〜６００℃程度の高温処理過程を必要とする等
実用上の制約がある。
に）いずれの膜も平滑な膜表面が得難いため、他の膜を
重ねて付着させる通常の使用法では、重ねた膜の結晶学
的な膜質等に悪影響を及ぼすことがある。
重ねて付着させる通常の使用法では、重ねた膜の結晶学
的な膜質等に悪影響を及ぼすことがある。
（へ） ＩＴＯ膜では、インジウムの拡散により、素子
特性を劣化させる恐れがある。
特性を劣化させる恐れがある。
オプトエレクトロニクス全盛時代に突入しつつある現在
、各種ディスプレイ装置や太陽電池等に大規模な透明導
電膜の需用が見込まれている。一方省エネルギーの立場
より、自動車や建築物等の＊Ｆ’Ａｎ９′ｍｆｉ−ＭＷ
、！： Ｌ、Ｔ Ｏ！ｔｍ４１１！ＫＯＺＪＵ Ｋ
ｊ、≧莫大な需用が期待される。このような状況下にお
いて、透明導電膜用原材料としては次の点を満足するこ
とが必須条件である。
、各種ディスプレイ装置や太陽電池等に大規模な透明導
電膜の需用が見込まれている。一方省エネルギーの立場
より、自動車や建築物等の＊Ｆ’Ａｎ９′ｍｆｉ−ＭＷ
、！： Ｌ、Ｔ Ｏ！ｔｍ４１１！ＫＯＺＪＵ Ｋ
ｊ、≧莫大な需用が期待される。このような状況下にお
いて、透明導電膜用原材料としては次の点を満足するこ
とが必須条件である。
（イ）膜の成分元素が資源的に豊富であり、安価で入手
し易いこと。
し易いこと。
（ロ）公害性が少ないこと。
本発明は、このよう麦社会的要請に応え、上記従来形透
明導電膜の欠点を除去した新しい透明導電膜を提供する
ことを目的とする。
明導電膜の欠点を除去した新しい透明導電膜を提供する
ことを目的とする。
この目的は透明導電膜用原材料として酸化亜鉛（ｚｎｏ
）に少量のアルミニウム（ＡＪ？）を添加したものを
使用することによって達成される。第１図はｚｎｏ中の
ＡＩの含有量に対する膜の抵抗率の関係の１実Ｍ列を示
す。酸化亜鉛中の亜鉛（Ｚｎ ）原子に対し、アルミニ
ウム（Ａｅ）原子全１．０〜１０Ａｌ／Ｚｎ原子百分率
（ａｔｏｍｉｃｑ６）添加することによって容易に１０
−ａ〜１０−４Ω鋼の抵抗率を実現出来る。実施例に示
すごとく２〜４ ＡＪＩ’／Ｚｎ’ ａｔ
ｏｍｉｃ％添加したｚｎｏ透明導電膜では・ ２×１０
−４Ω副以下の抵抗率が実現できる。一方この最低の抵
抗率を示すＡｌ？含有量は膜中へのｉの添加方法等によ
り１．０−６ ＡＩ！／Ｚｎ ａｔｏｍｉｃ％の範囲で
変化することが確認された。第２図は、Ａｌ添加ｚｎＯ
透明導電膜の光学的特性の１例を示す。図の実線と破線
はそれぞれ透過率および反射率を示している。抵抗率１
０−８〜１０−４Ω口の本発明による透明導電膜は可視
光域での８５体以上の透過率および赤外域の高い反射率
を実現できる。ｚｎＯ膜中にＡＩを添加する方法として
は膜作成後の熱拡散あるいは膜作成過程での原材料中へ
の混入等が適用可能でおる。膜作成過程でのＡｌ添加の
具体的実施法としてはスパッタ法でのターゲットへの混
入、真空蒸着法での蒸着原材料中への混入、化学気相成
長法での原料ガス中への混入およびＺｎとＡＩの合金の
陽極酸化法等が可能である。これらの方法では添加する
ｌが酸化物、有機金属およびハロゲン化物等の形で利用
できる。
）に少量のアルミニウム（ＡＪ？）を添加したものを
使用することによって達成される。第１図はｚｎｏ中の
ＡＩの含有量に対する膜の抵抗率の関係の１実Ｍ列を示
す。酸化亜鉛中の亜鉛（Ｚｎ ）原子に対し、アルミニ
ウム（Ａｅ）原子全１．０〜１０Ａｌ／Ｚｎ原子百分率
（ａｔｏｍｉｃｑ６）添加することによって容易に１０
−ａ〜１０−４Ω鋼の抵抗率を実現出来る。実施例に示
すごとく２〜４ ＡＪＩ’／Ｚｎ’ ａｔ
ｏｍｉｃ％添加したｚｎｏ透明導電膜では・ ２×１０
−４Ω副以下の抵抗率が実現できる。一方この最低の抵
抗率を示すＡｌ？含有量は膜中へのｉの添加方法等によ
り１．０−６ ＡＩ！／Ｚｎ ａｔｏｍｉｃ％の範囲で
変化することが確認された。第２図は、Ａｌ添加ｚｎＯ
透明導電膜の光学的特性の１例を示す。図の実線と破線
はそれぞれ透過率および反射率を示している。抵抗率１
０−８〜１０−４Ω口の本発明による透明導電膜は可視
光域での８５体以上の透過率および赤外域の高い反射率
を実現できる。ｚｎＯ膜中にＡＩを添加する方法として
は膜作成後の熱拡散あるいは膜作成過程での原材料中へ
の混入等が適用可能でおる。膜作成過程でのＡｌ添加の
具体的実施法としてはスパッタ法でのターゲットへの混
入、真空蒸着法での蒸着原材料中への混入、化学気相成
長法での原料ガス中への混入およびＺｎとＡＩの合金の
陽極酸化法等が可能である。これらの方法では添加する
ｌが酸化物、有機金属およびハロゲン化物等の形で利用
できる。
以上述べたように本発明はｚｎＯに適量のｌを添加する
ことによシ透明導電膜を実現するものであり、下記の特
長は透明電極および赤外線反射膜として極めて有効であ
る＠ ０）本発明による透明導電膜は特性的には、第１図およ
び第２図より明らかなように現在実用されている最も特
性の良い透明導電膜であるＩＴＯ膜に勝るとも劣らぬも
のである。しかも原材・料のｚｎおよびＡｌはＩＴＯ膜
のインジウムやスズに比べて安価で資源的にも豊富であ
るから、極めて安価に透明導電膜を実現できる。
ことによシ透明導電膜を実現するものであり、下記の特
長は透明電極および赤外線反射膜として極めて有効であ
る＠ ０）本発明による透明導電膜は特性的には、第１図およ
び第２図より明らかなように現在実用されている最も特
性の良い透明導電膜であるＩＴＯ膜に勝るとも劣らぬも
のである。しかも原材・料のｚｎおよびＡｌはＩＴＯ膜
のインジウムやスズに比べて安価で資源的にも豊富であ
るから、極めて安価に透明導電膜を実現できる。
←）本発明によるＡβ添加ｚｎＯ膜は室温から１５０℃
という低温作成過程においても、容易に低い抵抗率が実
現できる。しかも原材料はもとより作成過程においても
、公害性が非常に少ない。
という低温作成過程においても、容易に低い抵抗率が実
現できる。しかも原材料はもとより作成過程においても
、公害性が非常に少ない。
（ハ）本発明による透明導電膜の膜表面はＩＴＯ膜やイ
・す膜と比べて非常に平滑である。しかも、膜はガラス
等の基板に対する付着力が強く、化学的、熱的、および
機械的に安定であり、膜中のＡＪ？原子の結合状態も非
常に安定なためＡｄ原子の拡散は非常に起こシ難い。
・す膜と比べて非常に平滑である。しかも、膜はガラス
等の基板に対する付着力が強く、化学的、熱的、および
機械的に安定であり、膜中のＡＪ？原子の結合状態も非
常に安定なためＡｄ原子の拡散は非常に起こシ難い。
第１図は、本発明の１実施例におけるアルミニウム（Ａ
Ｉ）添加量に対する抵抗率の関係を示す。第２図は、本
発明の１実施例における光透過および反射スペクトルを
示す。
Ｉ）添加量に対する抵抗率の関係を示す。第２図は、本
発明の１実施例における光透過および反射スペクトルを
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、アルミニウム （Ａｌ）を１．０〜１０Ａｌ／Ｚｎ原子百分率（％）の
範囲で添加することを特徴とする赤外線を反射する透明
導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703184A JPS6196609A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703184A JPS6196609A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196609A true JPS6196609A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH04929B2 JPH04929B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=16697750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21703184A Granted JPS6196609A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196609A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122011A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | 株式会社リコー | 透明導電膜の製造方法 |
| JPH01201021A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Bridgestone Corp | 熱線遮蔽材料及び熱線遮蔽ガラス |
| US5470618A (en) * | 1988-09-22 | 1995-11-28 | Nippon Soken, Inc. | Method of making zinc-based transparent conductive film |
| WO2005081265A1 (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-01 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜の形成方法及び透明電極 |
| JP2007280910A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Ind Technol Res Inst | 金属ナノ粒子を含むアルミニウム添加亜鉛酸化物透明導電膜とその製造方法 |
| JP2008115425A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| US7651640B2 (en) | 2005-02-24 | 2010-01-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Gallium containing zinc oxide |
| JP2010192441A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| KR101455419B1 (ko) | 2006-10-06 | 2014-10-28 | 사까이가가꾸고오교가부시끼가이샤 | 초미립자 산화아연 및 그의 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023918A (ja) * | 1973-07-02 | 1975-03-14 | ||
| JPS5519896A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-12 | Stout Glenn M | Capsule filled hall effect device |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21703184A patent/JPS6196609A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023918A (ja) * | 1973-07-02 | 1975-03-14 | ||
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|---|---|---|---|---|
| JPS62122011A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | 株式会社リコー | 透明導電膜の製造方法 |
| JPH01201021A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Bridgestone Corp | 熱線遮蔽材料及び熱線遮蔽ガラス |
| US5470618A (en) * | 1988-09-22 | 1995-11-28 | Nippon Soken, Inc. | Method of making zinc-based transparent conductive film |
| WO2005081265A1 (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-01 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜の形成方法及び透明電極 |
| US7651640B2 (en) | 2005-02-24 | 2010-01-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Gallium containing zinc oxide |
| JP2007280910A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Ind Technol Res Inst | 金属ナノ粒子を含むアルミニウム添加亜鉛酸化物透明導電膜とその製造方法 |
| JP2008115425A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010192441A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04929B2 (ja) | 1992-01-09 |
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