JPS6145221A - 画像表示用装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は液晶と組み合わせることによって構成される画
像表示装置に関するものである。

従来例の構成とその問題点 液晶表示装置において液晶セルの動的動作を可能とし、
多重化を実現するためにはトランジスタやダイオードな
どの非線形スイッチと液晶セルよりなる単位絵素を２次
元のマトリクスに配列するとともにそれらを相互接続す
る必要がある。

第１図は非線形スイッチとして絶縁ゲート型（ＭＩ　Ｓ
　）　トランジスタ１を用いた場合の等何回路を示す。

走査線３にゲートパルスが印加されると横方向のトラン
ジスタ群は一斉にＯＮ状態になシゲートパルスが印加さ
れている期間中に信号線４より一斉にあるいは順次に（
７１，３’２　ｒ・・・・・・ｙ５）画像信号を液晶セ
ル２に電気的に書き込む。ゲートパルスを縦方向に（”
１１”２Ｆ・・・・・・Ｘｉ）順次走査することによっ
て全画面の書き込みが完了し、再びゲートパルスを縦方
向に走査することによって多重化が容易に達成される。

液晶セル２に書き込まれた画像に対応する信号電圧はト
ランジスタ１のＯＦＦ抵抗および液晶セル２の抵抗分を
通して放電していくが、通常これらの抵抗は十分高くて
液晶セル２両端の電位差の変化は画像表示には支障をき
たさないように設計的手法が考慮される。

液晶セル２のもう一方の電極５は共通電極として全絵素
共通に構成され、適当な電位に固定される。

トランジスタ１のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル２の抵抗
が低い場合や階調性を重視した画像が欲しい場合には補
助容量６を液晶セル２に並列に加えるか、あるいは液晶
セル２とトランジスタ１との接続点と接地点６との間に
加える手法が知られている。

さて、このような画像表示装置の製作にあたって問題と
なるのはトランジスタ１の特性のばらつきであろう。ト
ランジスタ１に要求される性能はまず大きなｏｎ電流と
小さなｏｆｆ電流であり、これは高いコントラスト比を
得るために必要であり、つぎにしきい値電圧が揃ってい
ないと画像の輝度レベルにむらが生じる。これらの諸量
が小さなばらつきに納まって形成されるためには、ＭＩ
Ｓトランジスタを構成する成分である半導体材料、ゲー
ト絶縁膜などの膜質や膜厚が均一であるばかりでなく、
チャンネル長りやチャンネル幅Ｗも揃っていなければな
らないことは明らかであろう。

超ＬＳＩ技術に代表されるシリコン系半導体装置におい
ては装置開発および材料開発が活発で、今や材料的には
直径８インチの単結晶シリコン基板が存在し、６インチ
対応の各種薄膜生成装置。

食刻装置、写真食刻装置が稼動しつつある。超ＬＳＩ技
術を適用すれば単結晶あるいは多結晶シリコンを用いて
先述した特性を有するＭＩＳトランジスタを１枚のウェ
ーハ上に多数形成することは歩留りの低下を除けば極め
て容易である。しかしながら６インチ以上の大きさ、例
えば２０ｃｍ　Ｘ　２０口の大きさの画像表示装置を得
ようとすると半導体材料からして単結晶の物は望めず多
結晶または非晶質にならざるを得ないし、写真食刻技術
においてもパターン精度は１０μｍ程度にまで低下し、
スクリーン印刷ではパターン精度は６０μｍ程度が限界
である。加えて基板がガラスなどでは熱工程における軟
化や伸びが発生してパターニングの合わせ精度も低下せ
ざるを得ない。

このような制限のもとでは半導体材料の膜質の劣悪さが
まず問題となり、例え膜質の均一性が保証されてもパタ
ーニング精度の低下に伴うＭＩＳトランジスタの相互コ
ンダクスの低下とあいまって画像表示装置のスイッチン
グ素子としての性能を満足させることは非常に困難であ
る。例えば単結晶シリコンと非晶質シリコンでは移動度
が電子の場合１０００ｃ、ｉ／Ｖ−ｆｉｅｃと１　ｃａ
／　Ｖ　・Ｓｅｃ　テ３桁異なり、さらにチャネルの形
状比Ｗ／Ｌもパターン精度の低下により向上が望めない
となると、同じ大きさの絵素を駆動するために必要なＷ
／Ｌは非晶質シリコンの場合には単結晶シリコンの場合
の１００〜１ｏｏｏ倍となり開口率を著しく下げること
は明白であろう。

半導体材料に良質な物が得られにくいこと、膜厚や膜質
のばらつきとパターン精度の低下は大面積になればなる
ほど大きくなることなどの理由によυ大画面の画像表示
装置の製作は困難であるのが現状である。

発明の目的 本発明はかかる現状に鑑みなされたものであり大画面の
画像表示装置の製作を容易ならしめることを目的とする
。

発明の構成 本発明においては非線形スイッチであるＭＩＳトランジ
スタを別途多数用意しておき、別工程で製作したガラス
板上に組み込むことによりアクティブマトリクスを得る
構成となっている。

実施例の説明 第２図は本発明によるアクティブマトリクスの平面配置
図である。ＭＩＳトランジスタ１はソースまたはドレイ
ン８．ゲート９．ドレインまたはソース１０を有し、そ
れらは各信号線４．走査線３、絵素電極７に接続されて
いる。第３図は単位絵素の平面図であり、Ａ−Ａ’線上
の断面図が第４図に示されている。

本発明による画像表示装置の第１実施例による製作方法
は以下に述べる通シである。まず第５図（−）に示した
ように第１の透光性絶縁基板例えばガラス板１１の一主
面上に半導体素子１２を絵素に対応して配置し固定する
。１３はそのための耐熱性樹脂あるいは金属層である。

つぎに半導体素子１２とほぼ同じ厚みの第１の透光性絶
縁層１４を全面に形成する。半導体素子１２は一般的に
は０．１謹以上と厚いので、前記絶縁層１４にはポリイ
ミド系樹脂例えば東し製の５Ｐ−９１０を用いて塗布・
キュアによシ形成するとよい。ついで絶縁層１４上に感
光性樹脂パターン１６を用いて第１の金属層、例えばＭ
ｏのパターン１６を前記半導体素子１２上およびその周
辺上を除いて選択的に形成する。続いて異方性０□プラ
ズマ中での食刻を行ない半導体素子１２上のポリイミド
を除去すると第５図中）に示したように半導体素子１２
の周辺に凹み１７が形成される。つぎに前記金属パター
ン１６と半導体素子１２との間隙のほぼ半分以上の膜厚
で第２の透光性絶縁層１８を、例えば再びポリイミド樹
脂で全面に塗布すると第５図（Ｃ）に示したようにほぼ
平坦な表面な表面を得ることができる。再び０□ガスプ
ラズマ中で半導体素子１２上のポリイミドを除去した後
に前記金属層１６を除去すると第５図（ｄ）に示したよ
うにガラス板１１上のポリイミド樹脂層に半導体素子１
２が埋め込まれ、しかもほぼ平坦な表面を得ることがで
きる。

半導体素子１２０周辺のポリイミド樹脂層１８′には多
少の凹凸が残るが、後工程で走査線または信号線が段切
れを生じなければ問題ない。むしろポリイミド層１８の
過食側によって半導体素子１２の側面が露出せぬよう注
意すべきである。

その後はまず金属電極以外には絶縁層２０を形成された
前記半導体素子１２のゲート電極９を含んで走査線３を
第２の金属、例えばＡｌで絶縁層１４′上に選択的に形
成する。つぎに第４図に示すごとく全面に第３の透光性
絶縁層２１を全面に形成する。透光性絶縁層２１は走査
線３を絶縁するだけであるから絶縁層１４′はどの厚み
は必要なく、ポリイミド樹脂の他にＳ　ｉ０２などを用
いることもできる。そして半導体素子１２のソース・ド
レイン電極８，１ｏ上に開口部を形成し、さらに第１の
透明導電層例えばＩＴＯよりなる絵素電極７を透光性絶
縁層２１上に選択的に形成した後、半導体素子１２のソ
ースまたはドレイン電極８を含んで信号線４とドレイン
またはソース電極１０と絵素電極７とを接続するパター
ン２２を第３の金属層例えばＡｌで透光性絶縁層２１上
に選択的に形成する。

この後は通常の液晶セルの組立と同じ工法および工程で
、一主面上に第２の透明電極２３を被着　　　１された
第２の透光性絶縁基板例えばガラス板２４　　１と半導
体スイッチを表面の絶縁層１４′に埋め込まれた上記ガ
ラス板１１とを適当なシール板を用　　　１いて対向さ
せ、それらの間隙に液晶２６を封入し　　　１？　　？
−ａｘ（ｔｓｆｔＬｔｆ−ＥｉＩＭＥヨＡＩｊｆ＆ｆｉ
＊Ｊ’ｔ［ｆｌｌＥ５を成する。そして液晶２６の材質
に応Ｂて偏光板　　　　４２６．２７を上記一対のガラ
ス基板に貼付すれば　　　４液晶画像表示装置が得られ
る。−組の偏光板２６゜２７は必らずしも対である必要
はなく、例えば液晶２６がゲストホスト型であればいず
れかの偏光板は不要であり、また反射（拡散）板をいず
れかの偏光板に密着させることにより透過型から反射型
の液晶画像表示装置として動作させることができること
は言うまでもないだろう。

透明電極７，２３上には液晶分子を配向させるための配
向膜および配向処理が必要であるが、ここでは詳細は割
愛し、図面上でも図示しない。

第５図は本発明の第２の実施例にかかる画像表示装置の
要部断面図であり、その製作方法は以下に求べる通りで
ある。まず第１の透光性絶縁基板列えばガラス板１１の
一主面上に半導体素子１２を絵素に対応して配置し固定
する。１３はそのたつの耐熱性樹脂あるいは金属層であ
る。この実施列においては半導体素子１２には少なくと
も１０μｍ、好ましくは１００μｍの高さを有するバン
プ大の金属電極８′へ１０′が必要でｓｂ、バンプ大電
極８′〜１０′も含めて第１の透光性絶縁層２８で例え
ば前述した無色透明のポリイミド樹脂５Ｐ−９１０の塗
布・キュアにより半導体素子１２を完全に埋めた状態が
第７図（ａ）である。つぎに研摩材を用いてガラス板１
１とほぼ平行な表面が得　　　１られるよう絶縁層２８
を研摩していく。研摩の進　　　１行につれてバンプ状
電極８′〜１０’　も研摩されるようになるので、その
材質には柔い金属例えば　　　１金を用いるとバンプ状
電極の欠損を防ぎ、絶縁層　　　１２８を傷つけない点
で好ましい結果が得られる。

バンプ状電極８′〜１０’の先端部が研摩されて、はぼ
一定の断面が露出するような状態が第７図（ｃ）に示さ
れている。　　　　　　　　　　　　　　　　　　１第
１の透光性絶縁層２８の形成にあたり第７図（ｂ）に示
したように半導体素子１２の厚みよりは厚いがバンプ状
電極８′〜１０’を埋め切らない厚　　　（みとし、研
摩によって平坦な表面な得ることも可能であり、透光性
絶縁層２８の材料を節約できるが、研摩の初期にバンプ
状電極８′〜１０′の露出部が欠は易くなるので注意が
必要である。

第７図（Ｃ）に示したように、第１の透光性絶縁層　　
　１２８′によって周囲を全て絶縁分離され、しかも周
囲と段差が全くない状態でバンプ状電極８′〜１０’を
露出した後は第１の実施例の場合と全く同一で、■走査
線３の形成、■第２の透光性絶縁１２１の形成、■ソー
ス・ドレインに対応したバンプ状の金属電極上への開口
部の形成、■絵素電歪７の形成、■信号線４および接続
パターンの形成、および液晶セル化を経て第５図に示さ
れる液晶画像表示装置が得られる。

ＭＩＳトランジスタの動作がゲート・ソースおよびドレ
インの３端子のみでは不十分である場合、例えば単結晶
シリコン基板上に作製されたＭＯＳトランジスタでは基
板にバイアス効果によるスイッチング動作時のしきい値
の変動を避けるためには基板電位を固定する必要がある
。

本発明の第３．第４の実施例は基板電極をゲート、ソー
スおよびドレインと同じ主面上に配置した場合に関する
ものである。第８図に示すように基板電極２９には適当
な電位を供給するための電位線３ｏが接続される必要が
ある。工程数の増加と素子構造の複雑化を避けるために
は電位線３゜を第１の透光性絶縁層１４′あるいは２８
′上に走査線３と同じ第１の金属層で形成すると好都合
であろう。電位線３ｏは第２の透光性絶縁層２１を介し
て絵素電極７の下に位置するので、電位線３ｏが金属材
料で不透明な場合には開口率が低下してしまう。これを
避けるには工程数は増加するが電位線３０を透明導電性
の例えばＩＴＯで形成すれば十分である。既に述べたよ
うに基板電極２９あるいは基板電極に対応したバンプ状
の金属電極は第１の透光性絶縁層１４′あるいは２８′
上に段差賽なく形成されているので、電位線３ｏが厚さ
０．１μｍの透明導電層であっても段切れを生じる恐れ
は皆無である。

半導体素子１２が単結晶シリコンチップである場合には
シリコン基板の裏面より基板電位を固定することもでき
る。本発明の第５の実施例においては基板電位への接続
は、上記した接着機能部材１３に与えられ、例えば１３
を金を薄く被着されたＡｌとし、単結晶シリコンチップ
１２の裏面にも薄く金を被着しておけば熱圧着によって
単結晶シリコンチップ１２はＡＩと容易に合金化して固
定される。多数の単結晶シリコンチップ１２の裏面接続
を行なうためには上記Ａ１層をパターン化する必要があ
るが、その配置場所が走査線３または信号線４と平面的
に重なる場所であれば開口率は低下しない。あるいは透
明導電層を一主面上に全面に被着された基板ガラス１１
上に金を介在させて単結晶シリコンチップを固定化して
も開口率は低下しない。

第ｅ図、第１０図は本発明の第５の実施例にかかる画像
表示用装置の平面配置図および同装置に用いられる半導
体チップの内部回路図である。既に述べたごとく、本発
明による画像表示用装置では非常に多くの半導体チップ
が必要である。そこで、１つの半導体チップで複数個の
絵素を駆動するような回路構成とチップ配列を併用する
ことにより半導体チップ数と接続個所の削減を計り工程
の簡略化と歩留りおよび信頼性の向上を達成せしめたも
のである。第９図は例えば４個の絵素を駆動するための
電極構成の一例を示し、半導体チップ１００の一主面上
に形成される（バンプ状の）電極数は４個のドレインま
たはソース１０１〜１０４と、２個のゲート１０６，１
０６と２個のソースまたはドレイン１０７，１０８の８
個であり、１絵素毎に１チツプを対応させる場合に比べ
、半導体チップ数は３個、（バンプ状の）電極数は４個
減少する。第１０図はこの時使用される半導体チップ１
００の内部配置を示したもので、（バンプ状の）電極数
の減少分に対応して点線で示される内部配線が必要であ
るが、これらはＡｌ配線、拡散層、ポリシリコンなどの
導電性線路を適宜組合せることにより容易に達成される
。

発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明においては非
線形スイッチとして別工程で製作された半導体素子のチ
ップを絵素毎にあるいは複数の絵素毎に配置し、走査線
や信号線などの相互接続配線と絵素電極の形成を施すこ
とにより画像表示用装置を得ている。このため画像表示
装置の画面の大きさに関係なく特性の揃った非線形スイ
ッチを配置することができ、大画面の画像表示装置はど
画質の均一性の向上が明らかとなる。また半導体チップ
はそれ自身パシペーシｇ／処理により外部汚染から保護
されるので、基板ガラスや各種導電層などに含まれてい
る不純物などが原因で半導体スイッチの特性が変動した
り劣化する恐れも皆無となる。このことは同時に原材料
のコスト低減や製作工程の簡便化にも大いに寄与する。

画像表示装置を得るためには半導体スイッチを合金化に
よってガラス基板に固定化する工程と、透光性絶縁層を
用いて平坦化する工程と走査線、信号線および絵素電極
の形成工程が必要であるが、大画面の画像表示装置にお
いてはこれらの工程では１０μｍ程度の微細加工は高精
度を目的としない限り不要で、精々１００μｍもあれば
十分である。したがって製作工程の容易さは飛躍的に増
すことは明らかであろう。

絵素電極が形成される第１の透光性絶縁層を損傷または
劣化させるような熱工程やプラズマ処理工程は、第１の
実施例においては第１の透光性絶縁層を保護する第１の
金属層の除光後には、また第２の実施例においては第１
の透光性絶縁層の研摩後には存在しない。したがって平
面度と平滑度の保証された第１の透光性絶縁層上に形成
された絵素電極の配向処理も容易で逆ドレインが生じて
コントラスト比を下げる恐れは皆無である。

第５の実施例においては１ケの半導体チップで複数の絵
素を駆動するような回路構成とチップ配列を採用できる
ために全体の開口率が更に向上する。なぜならば半導体
チップ上に露出している金―電極は１ヶ当り６０〜１０
０μｍ角とＭＩＳ）ラ　　４ンジスタの大きさよりも大
きいので、１チツプに含まれるＭＩＳトランジスタの数
と電極数が増しても不要となる電極数の削減によるチッ
プ面積の　　　□減少が支配的となるからである。

なお半導体スイッチ素子に関して、その材質や　　　１
弓 １　　　　製作方法に何らの制限がないことは言うまで
もなく、必要な金属電極以外には絶縁層を形成されて　
　　”いるか、バンプ状の金属電極が数１０μｍの高さ
で形成されていればよい。また透光性絶縁基板もガラス
に限定されるものではなく、熱工程、例えば半導体チッ
プを透光性絶縁基板に固定するための接着や合金化工程
に耐えるだけの耐熱性を有する透明性絶縁材であれば十
分である。

半導体素子が第１の透光性絶縁層によってほぼ平坦に埋
め込まれた後の工程変更や材料変更は当然本発明に基づ
くものであり、走査線や信号線の形成方法も蒸着と写真
食刻に限定されるものではなく、導電性塗料と印刷によ
ってなされても何ら支障がないことは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は液晶セルとＭＩＳトランジスタを組み合わせて
構成される画像表示装置の等価回路図、第２図は本発明
の実施例にかかる画像表示装置の平面配置図、第３図は
同装置の単位絵素部の平面図、第４図は同単位絵素部の
要部（第３図の八−Ａ′線）断面図、第５図（−）〜（
ｄ）は同要部断面図の工程断面図、第５図は本発明の他
の実施例にかかる画像表示装置の単位絵素部の要部（第
３図のＡ　　　　”−Ａ’線）断面図、第７図（−）〜
（Ｃ）は同要部断面図の　　　゛工程断面図、第８図は
本発明の別の実施例にかかる画像表示装置の単位絵素部
の平面図、第９図は本発明のもうひとつの実施例にかか
る画像表示装置の平面配置図、第１０図は同装置に使用
される半導体素子の内部配置図である。 １・・・・・・ＭＩＳトランジスタ、２・・・・・・液
晶セル、３・・・・・・走査線、４・・・・・・信号線
、７・・・・・・絵素電極、１１．２４・・・・・・透
光性絶縁基板、１３・・・・・・接着機能部材、１４．
１４’、１８．１８’、２８．２８’・・・・・・透光
性絶縁層、２２・・・・・・接続パターン、２３・・・
・・・透明電極、２５・・・・・・液晶、２６，２７・
・・・・・偏光板、８，９，１０．２９・・・・・・ソ
ース、ゲート。 ドレイン、基板電極、８’、９’、１０’・・・・・・
バンプ状電極、１２，１００・・・・・・半導体チップ
。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名窮１
図 第２図 第３図 第４図 ？２ 第　５１１ Ｃα） ｌ ｔ％） 第５図 （Ｃ） ｔｄλ 第５図 Ａ 第７図 ｔＣ） 第８図 第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一主面上で金属電極以外には絶縁層を形成された
   半導体素子が絵素に対応して第１の透光性絶縁基板の一
   主面上に接着され、前記半導体素子とほぼ平坦な第１の
   透光性絶縁層が前記第１の透光性絶縁基板上に形成され
   、前記半導体素子のゲート電極を含んで第１の金属より
   なる走査線が前記第１の透光性絶縁層上に形成され、前
   記半導体素子のソース・ドレイン電極上に開口部を有す
   る第２の透光性絶縁層が全面に形成され、前記第２の透
   光性絶縁層上に選択的に形成された第１の透明電極と前
   記半導体素子のドレインまたはソース電極とを接続する
   パターンとソースまたはドレイン電極を含んで前記走査
   線とほぼ直交する信号線とが第２の金属よりなり、前記
   第２の透光性絶縁層と一主面上に第２の透明電極の形成
   された第２の透光性絶縁基板との間に液晶を充填してな
   る画像表示用装置。 （２）半導体素子が単結晶シリコンチップであって一主
   面上にゲート、ソースおよびドレイン電極に加えて基板
   電極を有し、第１の透光性絶縁層上で基板電極を含んで
   導電性の電位線が形成されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の画像表示用装置。 （３）半導体素子が複数のＭＩＳトランジスタを有し、
   同数のドレインまたはソース電極とゲートあるいはソー
   スまたはドレイン電極のいずれかあるいは両方の数が減
   ぜられており、前記数の減少に伴なって単位絵素内で走
   査線または信号線への接続のいずれかが欠除しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の画像表示
   用装置。（４）半導体素子がシリコンチップであり、第
   １の透光性絶縁基板上に形成された導電層と前記単結晶
   シリコンチップとが合金化接着していることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の画像表示用装置。 （５）半導体素子が単結晶シリコンチップであって、第
   １の透光性絶縁基板上に形成された導電層と前記単結晶
   シリコンチップとが合金化して接着していることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の画像表示用装置。 （６）第１の透光性絶縁基板上に形成された導電層と単
   結晶シリコンチップが金を介して合金化していることを
   特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の画像表示用装
   置。 （７）半導体素子が複数のＭＩＳトランジスタを有し、
   同数のドレインまたはソース電極とゲートあるいはソー
   スまたはドレイン電極のいずれかあるいは両方の数が減
   ぜられており、前記数の減少に伴って単位絵素内で走査
   線または信号線への接続のいずれかが欠除していること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の画像表示用
   装置。（８）一主面上にバンプ状の金属電極を有する半
   導体素子が絵素に対応して第１の透光性絶縁基板の一主
   面上に接着され、前記第１の透光性絶縁基板上で前記半
   導体素子を埋める第１の透光性絶縁層に前記バンプ状の
   金属電極が露出しており、前記半導体素子のゲートに対
   応したバンプ状の金属電極を含んで第１の金属よりなる
   走査線が前記第１の透光性絶縁層上に形成され、前記半
   導体素子のソース・ドレインに対応したバンプ状の金属
   電極上に開口部を有する第２の透光性絶縁層が全面に形
   成され、前記半導体素子のドレインまたはソースに対応
   したバンプ状の金属電極と前記第２の透光性絶縁層上に
   選択的に形成された第１の透明電極とを接続する接続パ
   ターンとソースまたはドレインに対応したバンプ状の金
   属電極を含んで前記走査線とほぼ直交する信号線とが第
   ２の金属よりなり、第２の透光性絶縁層と一主面上に第
   ２の透明電極の形成された第２の透光性絶縁基板との間
   に液晶を充填してなる画像表示用装置。 （９）半導体素子が単結晶シリコンチップであって一主
   面上にゲート、ソースおよびドレイン電極に加えて基板
   電極に対応してバンプ状の金属電極を有し、第１の透光
   性絶縁層上で基板電極に対応したバンプ状の金属電極を
   含んで導電性の電位線が形成されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第８項に記載の画像表示用装置。 （１０）半導体素子が単結晶シリコンチップであって、
   第１の透光性絶縁基板上に形成された導電層と前記単結
   晶シリコンチップとが合金化して接着していることを特
   徴とする特許請求の範囲第８項に記載の画像表示用装置
   。 （１１）第１の透光性絶縁基板上に形成された導電層と
   単結晶シリコンチップが金を介して合金化していること
   を特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の画像表示
   用装置。 （１２）半導体素子が複数のＭＩＳトランジスタを有し
   、同数のドレインまたはソース電極とゲートあるいはソ
   ースまたはドレイン電極のいずれかあるいは両方の数が
   減ぜられており、前記数の減少に伴って単位絵素内で走
   査線または信号線への接続のいずれかが欠除しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の画像表示
   用装置。（１３）第１の透光性絶縁基板の一主面上に半
   導体素子を接着する工程と、全面に前記半導体素子とほ
   ぼ同一の膜厚の第１の透光性絶縁層を形成する工程と、
   前記半導体素子およびその周辺を除いて第１の金属層を
   前記第１の透光性絶縁層上に形成する工程と、前記第１
   の金属層をマスクとして前記半導体素子およびその周辺
   上の第１の透光性絶縁層を選択的に除去する工程と、全
   面に第２の透光性絶縁層を形成する工程と、前記半導体
   素子が露出するまで前記第２の透光性絶縁層を食刻し前
   記半導体素子周辺に第２の透光性絶縁層を埋め込む工程
   と、前記第１の金属層を除去後前記半導体素子のゲート
   電極を含んで第２の金属よりなる走査線を前記第１およ
   び第２の透光性絶縁層上に形成する工程と、前記半導体
   素子のソース・ドレイン電極上に開口部を有する第３の
   透光性絶縁層を全面に形成する工程と、前記第３の透光
   性絶縁層上に絵素電極となる透明導電層を選択的に形成
   する工程と、前記半導体素子のドレインまたはソース電
   極と前記透明電極とを接続するパターンとソースまたは
   ドレイン電極を含んで前記走査線とほぼ直交する信号線
   とを第３の金属で前記第３の透光性絶縁層上に選択的に
   形成する工程とからなる画像表示用装置の製造方法。 （１４）一主面上にバンプ状の金属電極を有する半導体
   素子を絵素に対応して第１の透光性絶縁基板の一主面上
   に接着する工程と、前記半導体素子を埋める第１の透光
   性絶縁層を全面に形成する工程と、研摩によって前記第
   １の透光性絶縁層およびバンプ状の金属電極を削減しバ
   ンプ状の金属電極を第１の透光性絶縁層表面に段差なく
   露出する工程と、前記半導体素子のゲートに対応したバ
   ンプ状の金属電極を含んで第１の金属よりなる走査線を
   前記第１の透光性絶縁層上に形成する工程と、前記半導
   体素子のソース・ドレインに対応したバンプ状の金属電
   極上に開口部を有する第２の透光性絶縁層を全面に形成
   する工程と、前記第２の透光性絶縁層上に絵素電極とな
   る透明導電層を選択的に形成する工程と、前記半導体素
   子のドレインまたはソースに対応したバンプ状の金属電
   極と前記透明電極とを接続するパターンとソースまたは
   ドレインに対応したバンプ状の金属電極を含んで前記走
   査線とほぼ直交する信号線とを第２の金属で前記第２の
   透光性絶縁層上に選択的に形成する工程とからなる画像
   表示用装置の製造方法。