JPS6144628A - マイクロフレネルレンズの製造方法 - Google Patents
マイクロフレネルレンズの製造方法Info
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- JPS6144628A JPS6144628A JP16705484A JP16705484A JPS6144628A JP S6144628 A JPS6144628 A JP S6144628A JP 16705484 A JP16705484 A JP 16705484A JP 16705484 A JP16705484 A JP 16705484A JP S6144628 A JPS6144628 A JP S6144628A
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- Japan
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- resist
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- layer
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00269—Fresnel lenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は＝ンパクトディスクプレーヤ、ビデオディス
クプレーヤのピックアップ部等の光学系に用いられるマ
イクロフレネルレンズの製作方法に関するものである。
クプレーヤのピックアップ部等の光学系に用いられるマ
イクロフレネルレンズの製作方法に関するものである。
マイクロフレネルレンズでは、７レネル輪帯の断面形状
を鋸歯状にすることによって、矩形断面の場合に比べて
、レンズの１次回折効率を大幅に向上させることができ
る。
を鋸歯状にすることによって、矩形断面の場合に比べて
、レンズの１次回折効率を大幅に向上させることができ
る。
第１図には、鋸歯状断面を持ったマイクロフレネルレン
ズ全体の断面および平面図を示し、第２図η）乃至ａ：
ｌ）にフレネル輪帯１木１７ｃ）Ｉｎて、その形成過程
を示す、第１図において、１はガラス基板、２は透明導
［膜、３はレジスト層で、第１図ではすでに、パターン
が形成されて込る状態を示している。
ズ全体の断面および平面図を示し、第２図η）乃至ａ：
ｌ）にフレネル輪帯１木１７ｃ）Ｉｎて、その形成過程
を示す、第１図において、１はガラス基板、２は透明導
［膜、３はレジスト層で、第１図ではすでに、パターン
が形成されて込る状態を示している。
平行入射光４は、パターニングされたレジスト層３で回
折され、その回折光５が焦点６に収束する。一方、第２
図において、７は電子線であシ、８及至１２は電子線７
によって露光され九レジスト層３の領域を示し、１３は
理想的な断面の鋸歯形状を表わす曲線で、位相シフト関
数から求められたものである。
折され、その回折光５が焦点６に収束する。一方、第２
図において、７は電子線であシ、８及至１２は電子線７
によって露光され九レジスト層３の領域を示し、１３は
理想的な断面の鋸歯形状を表わす曲線で、位相シフト関
数から求められたものである。
従来マイクロフレネルレンズの鋸歯状断面の形成には第
２図（２）乃至口にあるように、まず透明導電膜ｚ付き
のガラス基板１上にレジスト３を塗布し、レジスト層３
を形成した後、電子線７で第１層の描画を行なう（第２
図（Ａ＞） 、続けて第２層の描画を行なうが、この時
、第２層の露光領域９は、第１層の露光領域８と重複し
ている（第２図口）。
２図（２）乃至口にあるように、まず透明導電膜ｚ付き
のガラス基板１上にレジスト３を塗布し、レジスト層３
を形成した後、電子線７で第１層の描画を行なう（第２
図（Ａ＞） 、続けて第２層の描画を行なうが、この時
、第２層の露光領域９は、第１層の露光領域８と重複し
ている（第２図口）。
以下第３層から第５層まで、同様に描画を繰シ返し、＠
２図Ｃ）のよ５１−’、 ｉ４＠露光領域８から１２を
得て、８ｇ２図（２）によシ現俄を行なうことによって
、理想断面１３の階段近似を得る。＠２図では多重描画
回数を５回にしているが、この回数を増やすことによっ
て、さらに良い近似を行なうことができる。ｔた電子線
描画のかわシに、多層フォトマスクを使った露光方法に
よっても同様の７レネル輪帯断面を得ることができる。
２図Ｃ）のよ５１−’、 ｉ４＠露光領域８から１２を
得て、８ｇ２図（２）によシ現俄を行なうことによって
、理想断面１３の階段近似を得る。＠２図では多重描画
回数を５回にしているが、この回数を増やすことによっ
て、さらに良い近似を行なうことができる。ｔた電子線
描画のかわシに、多層フォトマスクを使った露光方法に
よっても同様の７レネル輪帯断面を得ることができる。
マイクロフレネルレンズでは、位相シフト関数によって
決められｔ周期に従って第１図に示したようなフレネル
輪帯を形成し、また各輪帯は第２図口の理想鋸歯断面を
持つよりに構成されてｂる。
決められｔ周期に従って第１図に示したようなフレネル
輪帯を形成し、また各輪帯は第２図口の理想鋸歯断面を
持つよりに構成されてｂる。
ここで、パターニングされｔレジスト層３の膜厚は、そ
こで使用し几レジストの屈折率と入射光４の波長によっ
て決められる。
こで使用し几レジストの屈折率と入射光４の波長によっ
て決められる。
以下の形状を持ったレジストＷＩ３に平行入射光４がガ
ラス基板１９１から入射すると、光は各輪帯部分で回折
し、その回折光５が焦点６に収束する。
ラス基板１９１から入射すると、光は各輪帯部分で回折
し、その回折光５が焦点６に収束する。
マイクロフレネルレンズでは、レンズ外周に行く程輪帯
の周期が短くなっているため、最外周近辺の微細パター
ン部分では、輪帯幅がｌｐｍあるいはそれ以下の領域に
なる。従来のマイクロフレネルレンズ製作方法では、パ
ターンを形成する層がレジスト層であるために、前記の
微細パターン部分では、電子線あるいは、遠紫外、紫外
光によるレジスト中での散乱あるいは近接効果によって
パターン形状が設計した形から、大きくはずれてくる。
の周期が短くなっているため、最外周近辺の微細パター
ン部分では、輪帯幅がｌｐｍあるいはそれ以下の領域に
なる。従来のマイクロフレネルレンズ製作方法では、パ
ターンを形成する層がレジスト層であるために、前記の
微細パターン部分では、電子線あるいは、遠紫外、紫外
光によるレジスト中での散乱あるいは近接効果によって
パターン形状が設計した形から、大きくはずれてくる。
さらに、レジスト層の膜厚は、前記のようｉＣする一定
値に設定されるため、レジストの屈折率、入射光の波長
によっては十分なパターン解像度が得られないような膜
厚設定をしなければなら麦い場合がある。一方、レジス
トの感度曲線のガンマ値によって鋸歯断面の形状もかな
ル違ってくる九め、レジストによってはきれいな近似断
面を得ることが難しくなってくる。
値に設定されるため、レジストの屈折率、入射光の波長
によっては十分なパターン解像度が得られないような膜
厚設定をしなければなら麦い場合がある。一方、レジス
トの感度曲線のガンマ値によって鋸歯断面の形状もかな
ル違ってくる九め、レジストによってはきれいな近似断
面を得ることが難しくなってくる。
この発明は、上記のようなレンズ外周付近で生じるパタ
ーン精度の低下を除去するためのもので、レンズのパタ
ーニングに際し、各層毎のレジストパターンを他の均一
な層に転写していくことによって、中心から外周部まで
均一な厚さを持ち、かつ適正な断面形状を維持する方法
を提供し、それによって高性能レンズを得ることを目的
としている。
ーン精度の低下を除去するためのもので、レンズのパタ
ーニングに際し、各層毎のレジストパターンを他の均一
な層に転写していくことによって、中心から外周部まで
均一な厚さを持ち、かつ適正な断面形状を維持する方法
を提供し、それによって高性能レンズを得ることを目的
としている。
第３マフ乃至Ｑは、本発明の一実施例を示したものでア
〕、第２図と同様にレンズパターンのフレネル輪帯１本
の断面が形成されてｂく過程を示している。第３図にお
いて、１４はガラス基板であシ、１６はレジスト層であ
る。
〕、第２図と同様にレンズパターンのフレネル輪帯１本
の断面が形成されてｂく過程を示している。第３図にお
いて、１４はガラス基板であシ、１６はレジスト層であ
る。
まず、第３図（転）において、ガラス基板１４上にレジ
スト１６を塗布し、第３図■でこのレジスト層１６に、
第２図における輪帯パターンの１層目を反転したパター
ンを電子線７によって描画する。
スト１６を塗布し、第３図■でこのレジスト層１６に、
第２図における輪帯パターンの１層目を反転したパター
ンを電子線７によって描画する。
１７がこの時の電子線照射領域であシ、これを現像した
後、第３図Ωにおいて、レジスト１６をマスクにして基
板１４をその厚さの約１１５の深さまでエツチングし、
その後レジストを除去して、第３図（２）で再度レジス
ト１６を塗布して、第３図■によシ輪帯パターンの２層
目の反転パターンを描画する。この時、１層目と２層目
は、描画装置のレジストレーション機能によってアライ
メントされている。１８はこの時の電子線照射領域であ
る。これを再び現像した後、第３図釣では、同図（へ）
のレジストパターンをマスクにして、笛３図Ｃ＞と同一
の条件で基板１４をエツチングする。
後、第３図Ωにおいて、レジスト１６をマスクにして基
板１４をその厚さの約１１５の深さまでエツチングし、
その後レジストを除去して、第３図（２）で再度レジス
ト１６を塗布して、第３図■によシ輪帯パターンの２層
目の反転パターンを描画する。この時、１層目と２層目
は、描画装置のレジストレーション機能によってアライ
メントされている。１８はこの時の電子線照射領域であ
る。これを再び現像した後、第３図釣では、同図（へ）
のレジストパターンをマスクにして、笛３図Ｃ＞と同一
の条件で基板１４をエツチングする。
以−下一働から■までの工程と同様の操作な輪帯パター
ンの３層目から５層目まで繰シ返すことによって、基板
１４に第３図Ｇ＞のような鋸歯状断面を持つ几ハターン
を形成する。同図Ｇ）において１９はこの場合の理想鋸
歯状断面を表わして−る。
ンの３層目から５層目まで繰シ返すことによって、基板
１４に第３図Ｇ＞のような鋸歯状断面を持つ几ハターン
を形成する。同図Ｇ）において１９はこの場合の理想鋸
歯状断面を表わして−る。
第４図は、以上のようにして出来より几Ｓ１ウニ八基板
をスタンパとして用いて、フォトポリマによる最終的な
マイクロフレネルレンズを得る工程を示してお、６、ｚ
ｐ法と呼ばれている。＠４図において、２０は７オトボ
リマ（光硬化性樹脂）でち〕、２１はガラス基板、２２
はフォトポリマ２０ｔ−硬化させるための照射光である
。第４マフで７オトボリマ２０をパターニングされたガ
ラス基板１４上に滴下して、［Ｆ］）で７オトボリマ２
ｏの上からガラス基板２１を被せ、７オトボリマ２゜が
レンズパターン全体に広がり几ところで、照射光２２に
よってフォトポリマ２ｏを露光して硬化させ、その後７
オトポリマ２０が接着したガラス基板２１からガラス基
板１４を剥離して、同図（５）のようなマイクロフレネ
ルレンズを得る。
をスタンパとして用いて、フォトポリマによる最終的な
マイクロフレネルレンズを得る工程を示してお、６、ｚ
ｐ法と呼ばれている。＠４図において、２０は７オトボ
リマ（光硬化性樹脂）でち〕、２１はガラス基板、２２
はフォトポリマ２０ｔ−硬化させるための照射光である
。第４マフで７オトボリマ２０をパターニングされたガ
ラス基板１４上に滴下して、［Ｆ］）で７オトボリマ２
ｏの上からガラス基板２１を被せ、７オトボリマ２゜が
レンズパターン全体に広がり几ところで、照射光２２に
よってフォトポリマ２ｏを露光して硬化させ、その後７
オトポリマ２０が接着したガラス基板２１からガラス基
板１４を剥離して、同図（５）のようなマイクロフレネ
ルレンズを得る。
なお第３図では、理想鋸歯状断面１９を５回の露光現像
エツチング工程によって階段近似しているが、この回数
を増やすことによって、更に良い近似ができる。
エツチング工程によって階段近似しているが、この回数
を増やすことによって、更に良い近似ができる。
この発明では、パターンを形成する層が、最終的にマイ
クロフレネルレンズを得るためのマスクになっているた
め鋸歯状断面の厚さはフォトポリマ２０の屈折率から求
められる。ｔた輪帯の周期については、従来と同様に位
相シフト関数から算出される。実際の動作は、以上のよ
うにして設計された層をスタンパとして用りて作つ光複
製によって行なわれるが、その作用については従来の場
合と同様である。
クロフレネルレンズを得るためのマスクになっているた
め鋸歯状断面の厚さはフォトポリマ２０の屈折率から求
められる。ｔた輪帯の周期については、従来と同様に位
相シフト関数から算出される。実際の動作は、以上のよ
うにして設計された層をスタンパとして用りて作つ光複
製によって行なわれるが、その作用については従来の場
合と同様である。
尚、本発明の実施態様は下記のとおシである。
（１） 第３図では、輪帯パターンの形成に電子線の
直接描画を利用しＣいるが、多層の７オトマスクを用い
て紫外線、遠紫外線あるいはＸ線露光によってパターン
を形成してもよい。
直接描画を利用しＣいるが、多層の７オトマスクを用い
て紫外線、遠紫外線あるいはＸ線露光によってパターン
を形成してもよい。
（２） 第３図の実施例では、被エツチング層にＳｔ
ウェハ上に成長させた酸化膜層を使っているが、窒化Ｊ
２．ｘ、ｐｓＧ等のエツチング可能な被膜であれば用い
ることができ、酸化膜には限定されない、また、上記被
膜を所定の厚さだけ設けることができる基板でちれば、
基板もＳ１ウエハに限定されない。
ウェハ上に成長させた酸化膜層を使っているが、窒化Ｊ
２．ｘ、ｐｓＧ等のエツチング可能な被膜であれば用い
ることができ、酸化膜には限定されない、また、上記被
膜を所定の厚さだけ設けることができる基板でちれば、
基板もＳ１ウエハに限定されない。
（３） 上記実施例では、被・エツチング層あるいは
被エツチング基板をスタンパに用いて複製を作っている
が、これら被エツチング物に第２図口の断面を形成し、
それを原盤として用いてＮｉｉ鋳等の従来技術によって
スタンパを製造し、そのスタンパから複製を作ることも
でき、上記実施例と同様の効果が得られる。
被エツチング基板をスタンパに用いて複製を作っている
が、これら被エツチング物に第２図口の断面を形成し、
それを原盤として用いてＮｉｉ鋳等の従来技術によって
スタンパを製造し、そのスタンパから複製を作ることも
でき、上記実施例と同様の効果が得られる。
（４） 上記実施例では、鋸歯状断面を形成する場合に
ついて説明したが、矩形断面を持ったマイクロフレネル
レンズパターンを形成する場合にこの方法を使用しても
よく、その場合のパターニングは１層のみでよい、第５
図（ト）乃至りはその一実施例であって、同図（２）で
ガラス基板１４上にレジス）Ｒ１６を塗布形成して、同
図［Ｆ］ノでレジストのパターニングを行ない、同図Ｃ
）によりパターニングされ九しジスト惑１６をマスクと
して、ガラス基板１４をエツチングした後、レジスト１
６を除去して複製用のスタンパを得る。
ついて説明したが、矩形断面を持ったマイクロフレネル
レンズパターンを形成する場合にこの方法を使用しても
よく、その場合のパターニングは１層のみでよい、第５
図（ト）乃至りはその一実施例であって、同図（２）で
ガラス基板１４上にレジス）Ｒ１６を塗布形成して、同
図［Ｆ］ノでレジストのパターニングを行ない、同図Ｃ
）によりパターニングされ九しジスト惑１６をマスクと
して、ガラス基板１４をエツチングした後、レジスト１
６を除去して複製用のスタンパを得る。
なお、矩形断面レンズの場合も、上記実施例の全てを適
用することができる。
用することができる。
（５）上記実施例では、マイクロフレネルレンズパター
ンを形成した基板からｚｐ法によって複製を作っている
が、この複製製作方法はｚｐ法て限定されず、インジェ
クション法等の複製技術を用いてもよい。
ンを形成した基板からｚｐ法によって複製を作っている
が、この複製製作方法はｚｐ法て限定されず、インジェ
クション法等の複製技術を用いてもよい。
以上のように本発明では、マイクロフレネルレンズパタ
ーンの形成をレジスト層以外の均一な膜厚を有した層で
行なっているため、レジスト層は単に１層分のフレネル
輪帯パターンを形成するだけで良く、多数回の露光を一
時にレジスト層に与える場合に比べて、レジスト中での
散乱、近接効果の影響を最小限に抑えることができ、ま
た、Ｖシスト固有の膜厚と解像度の問題あるいは感度曲
線のガンマ値の問題等の制限を除いた状態で、レンズ全
面に渡って均一かつ精度の良いパターンを得ることがで
きる。。
ーンの形成をレジスト層以外の均一な膜厚を有した層で
行なっているため、レジスト層は単に１層分のフレネル
輪帯パターンを形成するだけで良く、多数回の露光を一
時にレジスト層に与える場合に比べて、レジスト中での
散乱、近接効果の影響を最小限に抑えることができ、ま
た、Ｖシスト固有の膜厚と解像度の問題あるいは感度曲
線のガンマ値の問題等の制限を除いた状態で、レンズ全
面に渡って均一かつ精度の良いパターンを得ることがで
きる。。
一方、パターン形成層をそのまま複製用のスタンパに用
いているので、１つのマスクパターンから多量の複製レ
ンズを製作することができ、コスト的な低減化も可能で
おる。
いているので、１つのマスクパターンから多量の複製レ
ンズを製作することができ、コスト的な低減化も可能で
おる。
第１図は鋸歯状断面を持つ九マイクａフレネルレンズの
正面断面図と平面図、第２図（２）乃至０は、従来技術
による鋸歯状フレネル輪帯のパターン形成過程類の断面
図、第３図（２）乃至働は、本発明の一実施例による鋸
歯状断面のパターン形成過Ｓ順の断面図、第４マフ乃至
Ωは、第３図のパターン原盤から複製レンズを製作する
工程順の断面図、第５図（転）乃至鋤は本発明の他の実
施例として矩形断面を持ったマイクロフレネルレンズの
パターン形成過程類の断面図である。 １．２１・・・ガラス基板 ２・・・透明導電膜 ３，１６・・・レジスト層４
・・・平行入射光 ５・・・回折光６・・・焦点
７・・・電子線８．９，１０，１１，１２，
１７．１８・・・電子線照射領域 １３．１９・・・理想鋸歯断面 ２０・・・フォトポリマ ２２・・・照射光
正面断面図と平面図、第２図（２）乃至０は、従来技術
による鋸歯状フレネル輪帯のパターン形成過程類の断面
図、第３図（２）乃至働は、本発明の一実施例による鋸
歯状断面のパターン形成過Ｓ順の断面図、第４マフ乃至
Ωは、第３図のパターン原盤から複製レンズを製作する
工程順の断面図、第５図（転）乃至鋤は本発明の他の実
施例として矩形断面を持ったマイクロフレネルレンズの
パターン形成過程類の断面図である。 １．２１・・・ガラス基板 ２・・・透明導電膜 ３，１６・・・レジスト層４
・・・平行入射光 ５・・・回折光６・・・焦点
７・・・電子線８．９，１０，１１，１２，
１７．１８・・・電子線照射領域 １３．１９・・・理想鋸歯断面 ２０・・・フォトポリマ ２２・・・照射光
Claims (4)
- （１）基板上にレジストを塗布し、マイクロフレネルレ
ンズ輪帯を有する第１の輪帯パターンを前記レジストに
転写し、前記基板の選択エッチングを行ない、このレジ
ストを除去した後、再度基板上にレジストを塗布し、マ
イクロフレネルレンズ輪帯を有する第２の輪帯パターン
を前記第１の輪帯パターンとのアライメントを行なつた
後にレジストに転写し、選択エッチング、レジスト除去
の操作を行ない、以下、所定の回数前記操作を繰り返す
ことにより、前記被基板に近似的な鋸歯状断面を形成し
、これからスタンパを得て、複製するようにしたことを
特徴とするマイクロフレネルレンズの製造方法。 - （２）前記基板はガラス或いは金属であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （３）前記レジストとのパターン転写は前記輪帯パター
ンを有するフォトマスクによつて行なうようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
製造方法。 - （４）前記レジストへのパターン転写は電子線の直接描
画によつて行なうようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16705484A JPS6144628A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16705484A JPS6144628A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144628A true JPS6144628A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0226851B2 JPH0226851B2 (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=15842539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16705484A Granted JPS6144628A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144628A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475704B1 (en) | 1997-09-12 | 2002-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming fine structure |
| US6569608B2 (en) | 1998-09-18 | 2003-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an element with multiple-level surface |
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP2006114882A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Asahi Glass Co Ltd | パターンの形成方法およびパターンを有する物品 |
| JP2006310678A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 微細表面構造形成用基板、微細表面構造物品の製造方法及びその製造方法で製造された微細表面構造物品 |
| JP2008145509A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Three M Innovative Properties Co | フレネルレンズ |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP16705484A patent/JPS6144628A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475704B1 (en) | 1997-09-12 | 2002-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming fine structure |
| US7018783B2 (en) | 1997-09-12 | 2006-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Fine structure and devices employing it |
| US6569608B2 (en) | 1998-09-18 | 2003-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an element with multiple-level surface |
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP4711251B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2011-06-29 | カールツァイス エスエムエス リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP2006114882A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Asahi Glass Co Ltd | パターンの形成方法およびパターンを有する物品 |
| JP2006310678A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 微細表面構造形成用基板、微細表面構造物品の製造方法及びその製造方法で製造された微細表面構造物品 |
| JP2008145509A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Three M Innovative Properties Co | フレネルレンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226851B2 (ja) | 1990-06-13 |
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