JPS6129129A

JPS6129129A - ドライエツチング方法

Info

Publication number: JPS6129129A
Application number: JP15020384A
Authority: JP
Inventors: Makoto Sekine; 誠関根; Iwao Tokawa; 東川　巌; Haruo Okano; 晴雄岡野; Yasuhiro Horiike; 靖浩堀池
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-07-19
Filing date: 1984-07-19
Publication date: 1986-02-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、光化学反応を利用した異方性のドライエツチ
ング方法に関する。

（発明の技術的背景とその問題点〕近年、集積回路は微細化の一途を辿り、最近では最小パ
ターン寸法が１〜２［μｍ］の超ＬＳＩも試作開発され
るに至っている。このような微細加工には、プラズマエ
ツチング技術が不可欠である。プラズマエツチング技術
の一つとして、平行平板型電極を有する容器内にＣＦ４
等の反応性ガスを導入すると共に、１３．５６　［ＭＨ
ｚ］の高周波電力が印加される電極（陰極）上に試料を
置き、各電極間にグロー放電を生起してプラズマを生成
し、陰極上に生じる陰極降下電圧によりプラズマ中の正
イオンを加速し、このイオンにより試料を衝撃してエツ
チングする方法がある。この方法は、反応性イオンエツ
チング（ＲＩＥ）法と称されるもので、現在微細加工技
術の主流になっている。

しかし、この種の方法ではエツチングすべき試料がプラ
ズマ中に置かれているため、イオンや電子等の荷電粒子
の帯電による酸化膜の破壊、ソフトＸ線による閾値電圧
のシフト、酸化膜中へのトラップの誘起の他、チャンバ
内壁からの金属汚染等の種々のラジエーションダメージ
を生じていた。

これらのラジエーションダメージには、デバイスの超Ｌ
ＳＩ化にとって致命傷となる要因が多く含まれでおり、
このため照射損傷のない無ダメージのエツチング技術が
切望されている。

無ダメージのドライエツチング技術としては、最近グロ
ー放電中のガス温度だけの運動エネルギしか持たない原
子状のＦビームによるＳｉやポリ　　　　　□３ｉの異
方性エツチング（例えば、ｌ−１、Ａ　ｋｉｙａ。

ｐｒｏｃ、　３ｒｄ　、　Ｓｙｍｐ　、　ｏｎ　　Ｄｒ
ｙ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、　ｐ１１９　　（１９８１，
、）　）やレーザや紫外光を用いたエツチング（例えば
、Ｔ、Ｊ　、　ｃｈｕａｎｇ　；　Ｊ　、　Ｃｈｅｍ、
　ｐｈｙｓ。

７４、１４５３＜１９８１）　；　Ｈ，０ｋａｎｏ、　
Ｔ、　Ｙａｍａｚａｋｉ　。

Ｍ、　３ｅｋｉｎｅ　ａｎｄ　Ｙ、　Ｈｏｒｉｉｋｅ、
　ｐｒｏｃ、　ｏｆ　４　ｔｈｓｙｍｐ、　ｏｎ　　Ｄ
ｒｙ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、　Ｐ６　　（１９ｇ２）　
）等が報告され、無損傷、異方性エツチングの可能性が
示されている。

また、本発明者等の研究によれば、Ｈｃ＋−Ｘｅランプ
により発した紫外線照射によるＣＩ２雰囲気中でのポリ
Ｓ１エツチングにおいて、従来報告されているイオンア
シストエツチング（例えば、Ｊ、　Ｗ、　Ｃｏｂｕｒｎ
　ａｎｄ　Ｈ，Ｆ、　Ｗｉｎｔｅｒｓ、　Ｊ。

ＡＩ）ｌ　、ｐｈｙｓ、　ｓｏ、　３１８９　（１９７
９）　）と同様の効果が見出だされた　（例えば、Ｈ，
０ｋａｎｏ、　Ｔ。

Ｙａｍａｚａｋｉ　、　Ｍ、　５ｅｋｉｎｅ　ａｎｄ　
Ｙ、　ＨＯｒｉｉｋｅ。

ｐｒＯｃ、ｏｆ　４　ｔｈ　Ｓｙ＋＋＋ｐ　、　ｏｎｌ
）　ｒｙ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、　ｐ　５（１９８２）
）。即ち、光照射面のエツチング反応が非照射面に比べ
て著しく促進されると云う効果である。この効果はアン
ドープポリＳｉ、単結晶Ｓｉ、ボロンを添加したＰタイ
プポリＳｉにおいて顕著であるが、例えばリンを高濃度
に添加したｎ＋ポリＳ　ｔ、ＭＯ，Ｗ、Ｔａ或いはその
シリサイド化合物においても同様に認められた。

しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、気相中で光解離した反応性ガスラジカ
ルのマスク下への進入及び被エツチング面からの僅かな
散乱光により、第７図に示す如くエツチングマスク７４
下にアンダーカット７５を生じることである。特に、上
記エツチングマスク７４としてフォトレジストを用いた
場合、該レジストが前記光に対して透明でありレジスト
下にも光が照射されることになり、上記アンダーカット
７５が生じ易くなるのである。そして、このアンダーカ
ット７５は、素子の微細化を妨げる大きな要因となり、
超ＬＳＩでは致命的な欠点となる。なお、図中７３はポ
リＳｔ等の被エツチング試料、７２はＳｉＯ２膜、７１
はｓｉ基板を示している。

一方、第８図は最近のＲＩＥにおける研究において次第
に明らかにされてきた異方性エッチングの機構を説明す
゛るためのものである。最近の研究によれば、エツチン
グ壁７６において、例えばエッチャントであるＣ１ラジ
カルと添加ガスである０２　Ｆ６から生じたＣＦ４ラジ
カルとの再結合反応　（例えば、Ｃ，Ｊ、　Ｍｏｏａｂ
　ａｎｄ　　Ｈ，Ｊ。

Ｌｅｖｉｎｓｔｅｉｎ　；　Ｊ、　Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、
　Ｔｅｃｈｎｏｌ、　１７゜７２１　　（１９８０）　
）によりエツチング壁７６での横方向エツチングを防ぐ
か、或いは該壁７６にエツチングマスクであるレジスト
等の分解物や放電生成物である種々の不飽和上ツマ−が
付着してエッチャントの攻撃を防ぐ　（例えば、Ｒ８Ｈ
１３ｒｕｃｅａｎｄ　　Ｇ、　Ｐ、　Ｍａｌａｆｓｋｙ
　；　　Ｅ、　Ｃ，Ｓ。

ｍｅｅｔｉｎｇ　、　Ａｂｓ、　Ｎｏ　２８８　、　［
）ｅｎｖｅｒ　、　１９８１或いは山崎隆、岡野晴雄、
堀池鏑浩、第３０回応用物理学界予稿集、春委、１９８
３　）等の機構が妥当性を持つものと考えられている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、被エツチング試料に照射損傷等を与え
ることなく異方性エツチングを達成することができ、且
つエツチングマスクとして現在のプロセスで用いられて
いるレジスト等を使用することができ、半導体デバイス
の微細化及び高集積化に寄与し得るドライエツチング方
法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の骨子は、ＣＩ２等の反応性ガス、或いは反応性
ガスに少なくとも炭素或いは水素を含むガスの混合ガス
雰囲気中で、被エツチング試料に光を照射してエツチン
グするに際し、エツチングマスクとして現在一般に用い
られているレジスト材料等を用いることにある。

即ち本発明は、被エツチング試料上にマスク層を形成し
たのち、このマスク層をパターニングしてエツチングマ
スクを形成し、次いで上記試料を少なくともハロゲン元
素を含む反応性ガス雰囲気中に晒すと共に、上記試料に
光を照射して該試料を選択エツチングするドライエツチ
ング方法において、前記マス久層として前記光に対して
透明な　　　　　　１マスク材料を用い、このマスク材
料を予め前記光に対して不透明にする処理、或いは前記
エツチングマスクを形成した後に該エツチングマスクを
前記光に対して不透明にする処理を施すようにした方法
である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、電子やイオン等の荷電粒子を用いるこ
となく光照射により被エツチング試料を異方性に選択エ
ツチングすることができる。このため、照射損傷のない
エツチングが可能となり、半導体デバイス製造に極めて
有効である。また、エツチングマスクとして従来一般的
に用いられているレジスト材料等を用いることができる
ので、従来の製造プロセスを殆ど変化させる必要がなく
、容易に実現することができる。ここで、エツチングマ
スクとしてメタルやメタルシリサイド等を用いた場合、
そのパターンニングが必要であり、且つ異方性にパター
ンニングすることが必要であり、その工程が極めて煩雑
となる。さらに、これらを用いた場合汚染の問題もあり
、実用化が極めて困難である。

〔発明の実施例〕

第４図は本発明の実施例方法に使用したドライエツチン
グ装置を示す概略構成図である。図中４１はエツチング
室を形成する真空容器（反応容器）であり、この容器４
１内には被エツチング試料４２を載置するサセプタ４３
が配置されている。

また、容器４１には反応性のガスを導入するためのガス
導入口４４及び容器４１内を真空排気するためのガス排
気口４５が設けられている。そして、ＣＩ２等のハロゲ
ン元素を含む第１の反応性ガスと、炭素や酸素等を含む
例えばＳｉ（ＣＨ３）４からなる第２の反応性ガス（堆
積用ガス）とが、ガス流量制御器４６．４７を介して容
器４１内にそれぞれ導入されるものとなっている。

一方、容器４１の上方には、上記第１の反応性ガスを解
離させるための第１の光源４８が配置されている。この
光源４８は、例えば波長３２５［ｎｍｌに発光の中心を
持つＣｄ−Ｈｅレーザ、或いは波長３０８　［ｎｍ］に
発光の中心を持つＸｅ−ＣＩエキシマレーザである。光
源４８からの光（第１の光）４９は容器４１の土壁に設
けられた紫外光通過窓５０を介してサセプタ４３上の試
料４２の上面に垂直に照射される。そして、この光照射
により第１の反応性ガスが解離されるものとなりでいる
。例えば反応性ガスとしてＣＩ２を用いた場合、ＣＩ２
が３３０　［ｒ１ｍ］付近の光を良く吸収するため、こ
の光照射により非常に高い量子効率で活性なＣ１ラジカ
ルが生成される。

なお、試料４２は上記光源４８により一括して照射され
るものとなっている。

また、容器４１の左方には前記第２の反応性ガスを解離
させるための第２の光源５１が配置されている。この光
源５１は、例えばＹＡＧ或いはＣＯ２レーザで赤外光を
発生するものである。光源５１からの光（第２の光）５
２は比較的大径のビームであり、容器４１の側壁に設け
られた赤外光通過窓５３を介して容器４１内に横方向か
ら照射される。そして、この光照射により第２の反応性
ガスが解離されるものとなっている。例えば第２の反応
性ガスとして３ｉ（ＣＨ３）４を用いた場合、Ｓｉ（Ｃ
Ｈ３）４を赤外光の多光子吸収により解離することで、
ＣＩ２分子は解離せず添加ガスだけを選択的に解離する
ことができる。

次に、上記装置を用いたエツチング方法について説明す
る。

〈実施例１〉被エツチング試料４２としては、多結晶Ｓｉを用いた。

即ち、まず第１図（ａ）に示す如＜Ｓｉ基板１１上に３
ｉ０２膜１２を堆積し、この上に無添加多結晶３ｉ膜１
３を堆積し、さらに多結晶３ｉ膜１３上にエツチングマ
スクを形成した。ここで、エツチングマスク１４として
は、通常の紫外光で感光するフォトレジストを用いたが
、このレジストは紫外光（波長３３０ｎｍ程度の短波長
光）に対し透明である。次いで、試料４２を酸素ガス雰
囲気中で２００　［’Ｃ］に加熱し、１時間焼きしめた
。これにより、エツチングマスク１４は上記紫外光に対
し不透明となる。

次いで、上記試料４２を前記エツチング装置のサセプタ
４３上に載置し、次のようにしてエツチングを行った。

容器４１内に導入する反応性ガスとしでは、塩素ガスの
みを用いた。第２の光源５１は使用せず、第１の光源４
８を波長３０８［ｎｍ］のＸｅ−ＣＩエキシマレーザと
した。このようにしてエツチングしたところ、無添加多
結晶Ｓ１膜１３では、光の照射された部分のみエツチン
グが進行するので、第１図（ｂ）に示す如く異方性のエ
ツチングが達成された。ここで、エツチングマスク１４
であるレジストは前記した熱処理により紫外光を通過し
ないので、マスク１４下の多結晶Ｓｉ膜１３には光が照
射されず、これによりアンダーカットも未然に防止され
ることになる。

かくして本実施例方法によれば、電子やイオン等の荷電
粒子を用いることなく、光照射により被エツチング試料
としての多結晶Ｓ１膜１３を照射損傷なく効果的にエツ
チングすることができる。

しかも、エツチングマスクの材料としてレジストを用い
るにも拘らず、マスク下への光の進入を防止することが
できるので、その実現が極めて容易である。即ち、従来
のように紫外光を透過し６いマスク材料として金属（Ａ
Ｉ、Ｗ、ＭＯ等）や半導体と金属との合金（ＡＩ−３ｉ
、Ｍｏ−８ｉ）を用いた場合、エツチングに関しては同
様の効果を発揮するが、メタルパターンの加工プロセス
が必要となり、さらにメタルパターンに完全な異方性が
達成される必要がある。しかし、メタルパターンでは、
通常加工形状にテーパが生じ側壁から乱反射が生じ、光
照射によりエツチングを行うに加工精度が低下する問題
があった。これに対し、本実施例のようにレジスト材料
を用いることにより、マスクエツジでのこれらの問題は
解消され、精密にパターンを形成することができた。ま
た、現在のプロセスに用いられているレジスト材料をそ
のまま用いるため、深刻な汚染も生じないのである。

〈実施例２〉この例では、被エツチング試料４２として、単結晶３ｉ
（１００）ウェハを用いた。即ち、第２図（ａ）に示す
如く単結晶Ｓｉ基板２１上にエツチングマスク２４を形
成したものを試料として用いた。先の実施例と同様に、
エッチングマスク２４を形成した後、試料４２を酸素ガ
ス雰囲気中で熱処理してエツチングマスク２４を紫外光
に対し不透明にした。次いで、該試料４２を前記、装置
のサセプタ４３上に載置して、エツチングを行った。用
いるガスの種類及び光の種類は先の実施例と同様にした
。

この場合、第２図（ｂ）に示す如く、アンダーカットの
ない選択エツチングが可能であり、先の実施例と同様の
効果が得られる。ここで、パターンの側壁２５は約５４
°の傾きを持つ（１１１）面が現れており、この形状を
利用して溝に　３ｉｏ２膜等を埋込み、素子分離技術へ
の応用が可能である。

〈実施例３〉この例は、先に本発明者等が提案した異方性エツチング
方法（特願昭５９−２０９９４号）に本発明を適用した
例である。被エツチング試料４２としては、ｎ＋多多結
晶Ｓ護膜用いた。即ち、第３図（ａ＞に示す如＜Ｓ＋＋
板３１上にｎ＋＋結晶３ｉ膜（被エツチング試料）３３
を被着し、この上にレジスト等からなるエツチングマス
ク３４を形成したものを用いた。第１の反応性ガスには
ＣＩ２を用い、第２の桝応性ガスには　５ｉ（Ｃ＋−１
３）４を用いた。また、第１の光源４８からの第１の光
は波長３３０　［ｎｍ］程度の紫外光、第２の光源５１
からの第２の光は波長１［μｍ］程度の赤外光とした。

上記第３図（ａ）に示す試料４２を先の実施例と同様に
酸素ガス雰囲気中で熱処理し、レジストからなるエツチ
ングマスク３４を紫外光に対し不透明にした。次いで、
前記エツチング装置の容器４１内に試料４２を配置し、
容器４１内に第１及び第２の反応性ガスを導入すると共
に、容器４１内に第１及び第２の光を導入した。容器４
１内に導入された第１の反応性ガス、つまりＣＩ２は第
１の光の照射により解離され、Ｃ１ラジカルを生成する
。このＣ１ラジカルは被エツチング試料としてのｎ＋＋
結晶３ｉ膜３３をエツチングする。

一方、容器４１内に導入された第２の反応性ガス、つま
りＳｉ（ＣＨ３）４は第２の光の照射により解離される
。ここで分解された５ｉ（ＣＨａ）４ガスはｎ＋多多結
晶Ｓ模膜３３表面に新たに薄いの被膜を形成する。この
堆積反応とエッチャントであるＣＩラジカルの横方向へ
の進入や反射光によるパターン側壁のエツチング反応と
が競合し、これによりアンダーカットの増加が妨げられ
ることになる。これに対して、光照射面においては、光
アシスト効果によりエツチング反応が堆積反応より進行
するため垂直エツチングが進み、この結果アンダーカッ
トのない異方性エツチングが達成されることになる。ま
た、エツチングマスク３４が前記熱処理により第１の光
４９を通さないので、エツチングマスク３４下に眼光４
９が照射される等の不都合は無い。

ここで、第４図（ｂ）は被エツチング試料であるｎ＋多
多結晶Ｓ模膜３３途中までエツチングしたのち、説明の
便宜上垂直方向に照射される光を止めエツチング反応の
みを停止したものである。

この場合、堆積反応は続けて進行するため、横方向から
入れられた光（第２の光５２）により解離した第２の反
応性ガスの成分、即ち被膜（堆積膜）３６が被エツチン
グ試料であるｎ＋＋結晶３ｉ膜３３及びエツチングマス
ク３４の表面に均等に堆積する。この状態で再び垂直光
（第１の光４９）を照射すると、第３図（Ｃ）に示す如
く光照射面での堆積膜は速やかにエツチングされｎ＋多
多結晶Ｓ模膜３３エツチングが進む。一方、光の照射さ
れない側壁では堆積反応がエツチングより速いため、極
薄い堆積膜３６が残り側壁を保護し、これにより異方性
エツチングが達成されることになる。なお、第３図（ｂ
）（ｃ）に示す堆積膜３６は極めて薄いものであり、こ
の膜厚によりパターン精度が低下する等の不都合は殆ど
ない。

かくして本実施例によれば、電子やイオン等の荷電粒子
を用いることなく、光照射により被エツチング試料とし
てのｎ＋多多結晶Ｓ模膜３３選択的にエツチングするこ
とができ、先の実施例と同様な効果が得られる。また、
第１の反応性ガス及び光によるエツチングと第２の反応
性ガス及び光による堆積との競合反応により、エツチン
グ側壁に薄い堆積膜３６を形成しながらｎ４′多結晶Ｓ
１膜３３を垂直にエツチングすることができる。つまり
、異方性エツチングを達成することができ、微細加工に
極めて有効で、半導体デバイスの微細化及び高集積化等
に絶大なる効果を発揮覆る。

〈変形例〉第５図及び第６図はそれぞれ前記第３の実施例の変形例
を説明するための模式図である。これらの変形例が先に
説明した第３の実施例と異なる点は、光の照射方法にあ
る。即ち、第５図の例はエッチャント生成のための第１
の光４９を被エツチング試１３１．４２に一括照射する
と共に、添加ガス活性化のための第２の光５２には、例
えば矩形状且つ試料全体を覆うレーザビームを用いるよ
うにしたものである。この場合、試料４２上の第２の反
応性ガスの解離が均一となるので、エツチングの均−性
及びスルーブツトの向上により有効である。

また、第６図の例は上記第２の光５２を小径の線状ビー
ムとしたものである。この場合、上記線状ビーム５２を
試料４２上で一様に走査することにより、第５図の例と
同様に均一エツチングが達成されることになる。

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記エツチングマスクであるレジスト材
料を前記光に対して不透明にする処理は加熱処理に限る
ものではなく、エツチングマスクに紫外光を照射するよ
うにしてもよい。また、エツチングマスクに、上記光に
対して不透明な染料を吸着或いは浸透させて該マスクを
着色するようにしてもよい。さらに、エツチングマスク
形成前に、レジスト材料に上記光に対し不透明な染料を
混合しておくことも可能である。この場合、エツチング
マスクを形成するための露光に用いられる光の波長とエ
ツチングに用いる光の波長は異なっている必要がある。

また、フォトレジストでは一般に紫外光照射により短波
長光の透過率は低下するため、エツチングマスク形成後
に遠紫外光の照射を行い不透明なマスクを形成すること
も可能である。さらに、光照射と同詩に或いは連続して
２００　［℃］以上で熱処理を行うと有効である。

熱処理の少なくとも後半においては酸素雰囲気とするこ
とでエツチングマスクを硬化させ、パターンの変形を防
止することができる。また、マスク材料は必ずしもレジ
スト材料に限るものではなく、光エッチングに使用する
光に対して透明で、且つ半導体装置の製造工程に適合す
るものであれば適用可能である。

また、被エツチング試料としては単結晶Ｓｉや多結晶Ｓ
ｉに限らず、タングステンやモリブデン等の高融点金属
、或いはこれらのシリサイドに適用することができる。

また、第１の反応性ガスは、ＣＩ２に限るものではなく
、弗素や臭素等のハロゲン元素を含むガス、或いはこれ
らに炭素、ホウ素若しくは水素等を含むガスであっても
よい。さらに第２の反応性ガスを用いる場合は、このガ
スとしてＳｉ（ＣＨ３）４に限らず、Ｗ（Ｇｏ）ｓ。

Ｎ　ｉ　（Ｃｏ）４　、　　Ｍｏ　（Ｃｏ）ｅ　、　　
Ｍ。

（Ｃｏ）６等の金属カルボニール化合物、その他生なく
とも炭素及び酸素を含むものであればよい。

また、第１及び第２の反応性ガスの流量等の条件は仕様
に応じて適宜定めればよい。また、第１及び第２の光の
各波長はそれぞれ解離すべき反応性ガスの種類に応じて
適宜定めれば良く、さらにレーザ等の単色光に何等限定
されるものではない。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例方法に係わる選択エツチ
ング工程を示す断面図、第２図は第２の実施例方法を説
明するための工程断面図、第３図は第３の実施例方法を
説明するための工程断面図、第４図は上記各実施例方法
に使用したエツチング装置を示す概略構成図、第５図及
び第６図はそれぞれ変形例を説明するための模式図、第
７図は従来方法の問題点を説明するための断面図、第８
図はＲＩＥにおける異方性エツチングのメカニズムを説
明するための断面図である。１１．２１．３１・・・３ｉ基板、１２・・・ＳｉＯ２
膜、１３．３３・・・多結晶ＳｉＭ（被エツチング試料
）、２３・・・単結晶５ｉｌｌ（被エツチング試料）、
１４．２４．３４・・・エツチングマスク、３６・・・
堆積膜、４１・・・真空容器（反応容器）、４２・・・
試料、４３・・・サセプタ、４４・・・ガス導入口、４
５・・・ガス排気口、４６．４７・・・ガス流層制御器
、４８・・・第１の光源、４９・・・第１の光、５ｏ・
・・紫外光通過窓、５１・・・第２の光源、５２・・・
第２の光、５３・・・紫外線通過窓。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図第２図第５図第６図第７図第８図７ム

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被エッチング試料上にマスク層を形成したのち、
このマスク層をパターニングしてエッチングマスクを形
成し、次いで上記試料を少なくともハロゲン元素を含む
反応性ガス雰囲気中に晒すと共に、上記試料に光を照射
して該試料を選択エッチングするドライエッチング方法
において、前記マスク層として前記光に対して透明なマ
スク材料を用い、このマスク材料を予め前記光に対して
不透明にする処理、或いは前記エッチングマスクを形成
した後で前記光照射によるエッチング前に該エッチング
マスクを前記光に対して不透明にする処理を施すことを
特徴とするドライエッチング方法。
（２）前記マスク材料として、レジスト材料を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッ
チング方法。
（３）前記マスク材料を不透明にする処理として、該マ
スク材料に前記光に対して不透明な染料を混入すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のド
ライエッチング方法。
（４）前記エッチングマスクを不透明にする処理として
、該マスクに前記光に対して不透明な染料を吸着或いは
浸透させることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のドライエッチング方法。
（５）前記エッチングマスクを不透明にする処理として
、該マスクを酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載のドライエッチング方法。
（６）前記エッチングマスクを不透明にする処理として
、該マスクに紫外光を照射することを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のドライエッチング方法。
（７）前記反応性ガスは、少なくともハロゲン元素を含
むガスと少なくとも炭素或いは酸素を含むガスとの混合
ガスであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のドライエッチング方法。
（８）前記光は異なる波長を有する２種以上の光であり
、前記ハロゲン元素を含むガスを解離する光を前記試料
のエッチングすべき面に対して垂直に照射することを特
徴とする特許請求の範囲第７項記載のドライエッチング
方法。