JPS61281710A

JPS61281710A - 増幅回路

Info

Publication number: JPS61281710A
Application number: JP60122744A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Wakimoto; 脇本　力; Yukio Akazawa; 赤沢　幸雄; Noboru Ishihara; 昇石原; Masahiko Nakajima; 正彦中島
Original assignee: NEC Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NEC Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1985-06-07
Filing date: 1985-06-07
Publication date: 1986-12-12
Also published as: JPH047845B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は素子値の変更、調整が困難な、例えばモノリシ
ック集積回路、ハイブリッド集積回路等の各種増幅回路
において、広帯域化のためのピーキング特性あるいは同
調特性を安定に実現しうるようにした増幅回路に関する
ものである。

（発明の概要）本発明は増幅回路において、第１のバイポーラトランジ
スタのコレクタ端子に第１の抵抗を接続し、第２のバイ
ポーラトランジスタのコレクタ端子に第２の抵抗を接続
し、該第１の抵抗の他端と該第２の抵抗の他端を電気的
に共通に接続し、該第１のバイポーラトランジスタのエ
ミッタ端子と該第２のバイポーラトランジスタのエミッ
タ端子を電気的に共通に接続し、該第１および第２の抵
抗の他端に該第１および該第２のパイポー２トランジス
タが活性領域で動作するよう電源を印加し、該第１のバ
イポー２トランジスタのペース端子とコレクタ端子間に
第１の容量を接続し、該第２のバイポーラトランジスタ
のペース端子とコレクタ端子間に第２の容量を接続し、
共通に接続された該第１および該第２のバイポーラトラ
ンジスタのエミッタ端子ｔ−電流値を可変とする機能を
有する電流源の一方の端子に接続し、該電流源の他方の
端子を交流接地電位に接続する構成を有し、該電流源の
電流値を制御して該第１および該第２のバイポーラトラ
ンジスタのペース端子と共通電位との容量値を可変とす
る容量値調整回路を具備することによシ、ピーキング容
量の可変範囲を大きくすると共に、ピーキング調整回路
の低消費電力化をはかったものである。さらに本発明は
増幅回路において、第１のバイポーラトランジスタのコ
レクタ端子に第１の抵抗を接続し、該第１の抵抗の他端
と第２のバイポーラトランジスタのコレクタ端子を電気
的に共通に接続し、該第１のバイポーラトランジスタの
エミッタ端子と該第２のバイポーラトランジスタのエミ
ッタ端子を電気的に共通に接続し、該第１の抵抗の他端
及び該第２のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に
該第１およ　　　□び該第２のバイポーラトランジスタ
が活性領域で　　　１動作するよう電源を印加し、該第
１のバイポーラトランジスタのベース端子及びコレクタ
端子間に第１の容量を接続し、該第１および該第２のバ
イポーラトランジスタのエミッタ端子を電流源の一方の
端子に接続し、該電流源の他方の端子を交流接地電位に
接続する構成を有し、該第２のバイボ　　　゛−ラトラ
ンジスタのベース端子の電位を調整して、該第１のバイ
ポーラトランジスタのバイアス電流を制御し、該第１の
バイポーラトランジスタのベース端子と交流接地間の容
量値を可変とする容量値調整回路を具備することによシ
、ピーキング容量の可変範囲を大きくすると共に、ピー
キング調整回路の低消費電力化をはかったものである。

さらに本発明は増幅回路において、第１のバイポーラト
ランジスタのコレクタ゛端子に第１の抵抗を接続し、該
第１のバイポーラトランジスタのエミッタ端子と、電流
値を可変とする機能を有する電流源を接続し、該電流源
の他方の端子を交流接地電位に接続し、該電流源と並列
に抵抗、容量の少くとも一つ以上を並列に接続し、該第
１の抵抗の他端をｔｉｆａｌのバイポーラトランジスタ
が活性領域で動作するよう電源を印加し、該第１のバイ
ポーラトランジスタのペース端子とコレクタｍ子間に第
１の容量を接続し、電流源の電流値を調整して、該第１
のバイポーラトランジスタのバイアス電流を制御し、該
第１のバイポーラトランジスタのベース端子と交流接地
電位間の容量値を可変とする容量値調整回路を具備する
ととＫよシ、ピーキング容量の可変範囲を大きくすると
共に、ピーキング調整回路の低消費電力化をはかったも
のである。

さらに本発明は増幅回路において、第１のバイポーラト
ランジスタのコレクタ端子に第１の抵抗を接続し、該第
１の抵抗の他端と第２のバイポーラトランジスタのコレ
クタ端子とを電気的に共通に接続し、該第１のバイポー
ラトランジスタのエミッタ端子と、第２のバイポーラト
ランジスタのエミッタ端子とを電気的に共通に接続し、
該第１の抵抗および第２のバイポーラトランジスタのコ
レクタ端子との接続点に、第１および第２のバイポーラ
トランジスタが活性領域で動作するよう電源を印加し、
該第１のバイポーラトランジスタのベース端子とコレク
タ端子との間に第１の容量を接続し、共通に接続された
該第１および第２のバイポーラトランジスタのエミッタ
端子を、電流値を可変とする機能を有する電流源の一方
の端子に接続し、該電流源の他方の端子を交流接地電位
に接続する構成を有し、該電流源の電流値を制御して、
該第１のバイポーラトランジスタのペース端子と、共通
電位との容量値を可変とする容量値調整回路を具備する
ことによシ、ピーキング容量の可変範囲を大きくすると
共に、ピーキング調整回路の低消費電力化をはかったも
のである。

（従来技術）従来のピーキング技術について説明する。第１０図は、
従来のシングルエンド形のエミッタピーキング増幅回路
である。図中６　、１８　、１９　、２２はトランジス
タ、４は高電位電源端子、５は低電位電源端子、７，８
，２４．２５は抵抗を示す。

トランジスタ１８を流れる電流を制御してトランジスタ
１８のペース・エミッタ間の拡散容量を調整することに
よシ、ピーキング量を調整することが可能である。

第１１図は、従来の差動形のエミッタピーキング増幅回
路である。回路構成は、前述した第１図のエミッタピー
キング形増幅回路を差動形式としたものであシ、トラン
ジスタ１８及び１９を流れる電流を制御して、ペース・
エミッタ間の拡散容量を調整することによシ、ピーキン
グ量を調整することが可能である。

（発明が解決しようとする問題点）以上説明した従来のエミッタピーキング技術は、製造ば
らつきが問題となる集積回路等で増幅回路の広帯域化を
施す上で有効な技術である。しかしながら、ピーキング
ｉ調整範囲が狭く、消費電力が大きいという欠点があっ
た。

（問題点を解決するだめの手段）本発明は、これらの欠点を除去するために提案されたも
ので、容量を用いたピーキング増幅回路または同調増幅
回路において、ピーキング容量として拡散容量の他に、
トランジスタのミラー容量を用いることによシ、ピーキ
ング容量の可変範囲を大きくするとともに、ピーキング
調整回路の低消費電力化を図ることを目的とする。

次に本発明の詳細な説明する。なお実施例は一つの例示
であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変
更あるいは改良を行いうることは云うまでもない。

第１図は本発明の実施例で、ピーキング同調整形増幅回
路を示す。回路の接続は第１のバイポーラトランジスタ
１８のコレクタ端子に第１の抵抗２１を接続し、第１の
抵抗２１の他端と第２のバイポーラトランジスタ１９の
コレクタ端子とを電気的に共通に高電位電源端子４に接
続し、第１の　　　゛バイポーラトランジスタ１８のエ
ミッタ端子と、第２のバイポーラトランジスタ１９のエ
ミッタ端子とを電気的に共通に接続し、第１の抵抗およ
び第２のバイポーラトランジスタのコレクタ端子との接
続点に、第１および第２のバイポーラトランジスタが活
性領域で動作するよう電源を印加する。

また第１のバイポーラトランジスタ１８のペース端子と
コレクタ端子との間に第１の容量２０を接続し、共通に
接続された第１および第２のバイポーラトランジスタの
エミッタ端子を、電流値を可変とする機能を有する電流
源の一方の端子（トランジスタ２２のコレクタ）に接続
し、電流源の他方の端子（トランジスタ２２のエミッタ
）を交流接地電位（低電位電源）端子５に接続する。さ
らに端子４，５間に抵抗７．トランジスタ６、抵抗８の
直列回路を接続し、トランジスタ６のペース端子１を入
力端子、コレクタ端子２を出力端子とする。

この回路構成は入カドランジスタロ、負荷抵抗７（ＲＬ
＋）　＋直列帰還抵抗ｓ　（ｕＥ、＋）により直列帰還
形の増幅回路が形成されており、入力端子は入カドラン
ジスタロのペース端子１であシ、出力端子は入カドラン
ジスタロのコレクタ端子２である。

第１のトランジスタ１８．容量２０　（ＣＰ、）および
抵抗２１（ＲＰＩ）は、トランジスタ１８のミラー容量
及びペース・エミッタ間の拡散容量をピーキング容量と
して用いるためのものであり、該トランジスタ１８のペ
ースが入カドランジスタロのエミッタに接続され、また
、エミッタは第２のトランジスタであるペース接地トラ
ンジスタ１９を介して接地されていることによシ該トラ
ンジスタ１８のミラー容量およびペース・エミッタ間容
量がピーキング容量として作用する。なお抵抗”　（Ｒ
ｐ＋）　＋２５（Ｒ２）はバイアス用抵抗である。

端子３と端子４の間の電位差をＶＢ、トランジスタ１８
のペース・コレクタ接合のビルトイン電圧ると、トラン
ジスタ１８のペース・コレクタ接合容量ＣＢｏはと表わされる。従って、トランジスタ１８の相互コンダ
クタンスをｇＩＩ、とするとミラー容量Ｃ！ｏは、Ｃｍ
　＝　（ＯＰＩ　＋ｃＢＯ）　（１”ｇｍＲＰｓ　）と
表わされる。一方、トランジスタ１８のペース・エミッ
タ間の拡散容量ＣＤは該トランジスタ１８の少数キャリ
アのペース走行時間をτ１とし、ベース・エミッタ間の
接合容量が十分小さいとすると、近似点にｃ、　＋　ｇｍ・τ１で与えられる。従ってピーキング容量Ｃア。は、該ミラ
ー容量Ｃｒｎと該拡散容量Ｃｖとの和であるから、０ｐ
ａ＝（Ｃｒｔ＋０ｎａ）　（１＋ｇｍ”：ｐｘ）”ｇｍ
・τ１で与えられる。さらに、相互コンダクタンスｇｍ
はボルツマン定数をＫ、絶対温度をＴ、電気素量をｑと
すると、ｇＩ！ｌ＝含エアであるから、ピーキング”ｂ
ｉｑＲＰＩ　　　　　　　Ｑｒｙ ×（１十−工Ｐ）＋１ＴエアＴとなる。

従って、該トランジスタ１８を流れる電流エアを変化さ
せることによシ、ピーキング容量値を変化させることか
可能である。ピーキング量制御用トランジスタ２２は該
トランジスタ１８を流れる電流エアを制御するためのも
のであシ、ピーキング量制御端子であるトランジスタ２
２のペース端子２３に印加する電圧を可変とすることに
よシ、電流ＩＰを制御することができる。従って、該ピ
ーキング量制御端子２３に印加する電圧を任意に設定す
ることにより、任意のピーキング特性を得ることが可能
である。該増幅回路の電圧利得Ａｔｔｏは該トランジス
タ１８のペース・エミッタ間抵抗が直列帰還抵抗８　（
Ｒｍｌ）に比べ十分大きいとすると、その電圧利得Ａｖ
０は、角周波数をω、ピーキング調整回路を接続しない
ときの該増幅回路の３ｄＢダウンで近似でき、エアを調
整することによって任意のピーキング特性が得られ増幅
回路の広帯域化を安定に図ることが可能である。

第２図は本発明の他の実施例である。回路構成は前述の
第１図の増幅回路において、トランジスタ１８．ペース
接地用トランジスター９　、及びピーキング量制御用ト
ランジスタ２２のＮＰＮ形トランジスタのかわシにＰＮ
Ｐ形トランジスタを用いて構成したものであシ、その動
作は前述の第１図の場合と同様に考えられる。

第３図は本発明の他の実施例を示す。仁の回路接続は、
第１のバイポーラトランジスター８のコレクタ端子に第
１の抵抗２１を接続し、第１の抵抗の他端と第２のバイ
ポーラトランジスタ３１のコレクタ端子を電気的に共通
に高電位電源端子４に接続し、この端子に第１および第
２のバイポーラトランジスタが活性領域で動作するよう
電源をのエミッタ端子と第２のバイポーラトランジスタ
３１のエミッタ端子を電気的に共通に接続し、これを電
流源３０の一方の端子に接続し、電流源の他方の端子を
交流接地電位端子５に接続する。さらに第１のバイポー
ラトランジスタ１８のペース端子及びコレクタ端子間に
第１の容量２０を接続する。さらに端子４，５間に抵抗
７．トランジスタ６、抵抗８の直列回路を接続し、トラ
ンジスタ６のエミッタとトランジスタ１８のベースとを
接続する。ｌは入力端子、２は出力端子とすゐ。回路構
成及びその動作は、前述した第１図の増幅回路と同等で
あシ、異なるのは、該トランジスタ１８を流れる電流エ
アの制御法である。ピーキング量制御端子であるトラン
ジスタ３１のペース端子２３に印加する電圧を可変とす
ることによυ、該トランジスタ３１を流れる電流を制御
し、定電流源回路３０の作用によって、相補的に該トラ
ンジスタ１８を流れる電流エアを制御するものである。

その他の作用は第１図の場合と同等である。

第４図は本発明の他の実施例である。回路構成は前述の
第３図の増幅回路において該トランジスタ１８　、ピー
キング量制御用トランジスタ３１ＯＮＰＮ形トランジス
タのかわｊ５　Ｋ　ＰＮｍ’形トランジスタを用いて構
成したものであり、その動作は第３図の増幅回路の場合
と同様に考えられる。

第５図は本発明の他の実施例を示す。回路接続は第１の
バイポーラトランジスタ１８のコレクタ端子に第１の抵
抗２１を接続し、抵抗２１の他端子を高電位電源端子４
に接続し、この端子に第１のバイポーラトランジスタが
活性領域で動作するよう電源を印加する。また第１のバ
イポーラトランジスタ１８のベース端子とコレクタ端子
間に第１の容量２０を接続し、第１のバイポーラトラン
ジスタ１８のエミッタ端子と、電流値を可変とする機能
を有する電流源（トランジスタ２９のコレクタ）を接続
し、この電流源の他方の端子（トランジスタ２９のエミ
ッタ）を交流接地電位端子５に接続し、トランジスタ２
９のコレクタとエミッタ間に抵抗２８（抵抗の代りにコ
ンデンサあるいは抵抗及びコンデンサを共に接続するこ
ともてきる）を接続する。さらに端子４と５との間に抵
抗７、トランジスタ６、抵抗８の直列回路を接続し、１
は入力端子、２は出力端子とする。回路構成は前述の第
１図と同様の直列帰還形増幅回路において、第１のトラ
ンジスタ１８のベースが入カドランジスタロのエミッタ
に接続され、エミッタは抵抗２８（Ｒ，）を介して接地
されている。また、ピーキング量制御用トランジスタ２
９のコレクタは、トランジスタ１８のエミッタに接続さ
れ、エミッタは低電位電源端子５に接続されている。従
ってピーキング量制御用端子２３に印加する電圧”ＰＧ
を制御するととくよシ、該第１のトランジスタ１８を流
れる電流を制御し、該第１のトランジスタ１８のベース
と交流接地点との間の容量値を調整することが可能であ
る。その電圧利得は、抵抗２８（Ｒ，）の値が直列帰還
抵抗８（Ｒ１１１ｍ）に比べ十分小さいとすると１．第
１図の増幅回路説明中の（１）式と同等に表わせ、ピー
キング量制御用端子２３に印加する電圧を制御せしめる
ことによシ任意のピーキング特性を得ることが可能であ
る。

第６図は、本発明の他の実施例である。回路構成は前述
の一第５図の増幅回路において、第１のトランジスタ１
８　、及びビーヤング量制御用トランジスタ２９のＮＰ
Ｎ形トランジスタのかわｉ）　ｔｉｃ　ＰＮＰ形トラン
ジスタを用いて構成したものでｓｂ、その動作は前述の
第５図の場合と同様に考えられる。

第７図は本発明の他の実施例を示す。その回路接続は、
第１のバイポーラトランジスタ１８のコレクタ端子に第
１の抵抗２１を接続し、第２のバイポーラトランジスタ
３２のコレクタ端子に第２の抵抗３４′ｔ−接続し、第
１の抵抗２１の他端と第２の抵抗３４の他端を電気的に
共通に高電位電源端子４に接続する。この端子に第１お
よび第２のバイポーラトランジスタ１８．３２が活性領
域で動作するよう電源を印加する。また第１のバイポー
ラトランジスタ１８のベース端子とコレクタ端子間に第
１の容量２０を接続し、第２のバイポーラトランジスタ
３２のベース端子とコレクタ端子間に第２の容量３３を
接続する。また第１のパイバイポーラトランジスタ３２
のエミッタ端子を電気的に共通に接続し、共通に接続さ
れた第１および第２のトランジスタのエミッタ端子を、
電流値を可変とする機能を有する電流源の一方の端子、
トランジスタ３５のコレクタに接続し、該電流源の他方
の端子、トランジスタ３５のエミッタを交流接地電位端
子５に接続する。さらＶｃｔ源端子４に抵抗７．トラン
ジスタ６、抵抗８の直列回路の一端を接続し、またこの
端子４に抵抗１５．トランジスタ１０　、抵抗１６の直
列回路の一端を接続し、抵抗８，１６の他端を共通に接
続して定電流回路３０を介して低電位電源端子５に接続
する。

端子１，１３を入力端子、２，１２を出力端子とする。

回路構成は入カドランジスタロ及び１０　。

負荷抵抗７（ＲＬｌ）及び１５　（Ｒｂ２）　＋直列帰
還抵抗８（Ｒｌｃｍ）及び１６　（Ｒｇｘ）と定電流回
路３０によシ直列帰還形差動増幅回路が構成されておシ
、入力端子１，１３は入カドランジスタロ及び１０のベ
ース端子であシ、出力端子２，１２はコレクタ端（Ｒｐ
ｌ）及び”　（ＲＰ２）　＋容量２０　（Ｏｐｔ）及び
３３（０ｐ−）は、ミラー容量及びベース・エミッタ間
の拡散容量をピーキング容量として用いるためのもので
あシ、トランジスタ１８のベースは入カドランジスタロ
のエミッタ３に、トランジスタ３２のベースは入カド２
ンジスタ１０のエミッタに接続され、また、トランジス
タ１８と３２のエミッタが結合され、トランジスタ１８
のコレクタに抵抗２１（ＲＰ、）が、トランジスタ３２
のコレクタに抵抗”’　（Ｒｐｇ）が接続され、トラン
ジスタ１８のベース・コレクタ間に容量２０　（ＯＰｌ
）が、トランジスタ３２のベース・コレクタ間に容量３
３（’Ｐ２）が接続されることによシ、差動対を成す入
カドランジスタロと１０のエミッタ間にトランジスタ１
８のベースと交流接地点との間の容量、及びトランジス
タ３２のベースと交流接地点との間の容量の直列容量が
ピーキング容量として作用する。この時のピーキング容
量”ＰＯは、トランジスタ１Ｂ及び３２の特性が同一で
、ＣＰ＋　＝　Ｏア、、ＲＰ、＝＝Ｉ’ｊア２とすると
、近似的Ｋｑτν ＩＴ工Ｐ）で表わせ、トランジスタ１８及び３２を流れる電流エア
を制御するととＫよって調整可能である。ピーキング量
制御用トランジスタ３５は、トランジスタ１８及び３２
を流れる電流工Ｐを制御するためのものであシ、ピーキ
ング量制御端子２３に任意の電圧ｖｐｃを印加させるこ
とによってエアを変化させ、所望のピーキング特性を得
ることができる。

なお、電圧利得の式は、前述した第１図の説明中におけ
る（１）式と開式で表わせる。

前述した第７図に示すピーキング調整機能を有する、差
動増幅回路において、ＲＩＩ、＝＝４５０Ω＃　ＲＩｃ
Ｉ＝３５Ω、ｃＰ、＝ｏ。１ｐ？、τｙ＝２５ｐ８　　
とし、ＲＰｌ。

値をパラメータとした場合の、工、と該増幅回路の３ｄ
Ｂダウン帯域の関係を第８図に示す。この図で１ｐ＝Ｑ
Ωの場合の特性が前述した第１１図に示す従来の差動形
のエミッタピーキングの特性に対応している。ＲＰＩの
値を大きくしてミラー効果を大きくするこをによシ従来
の特性に比べて、ピーキング量の調整範囲を大きくでき
るとともに、工Ｐの値を小さくできる。

第９図は本発明の他の実施例である。回路構成は前述の
第７図の増幅回路において、トランジスタ１８及び３２
．ピーキング量制御用トランジスタ３５ＯＮＰＮ形トラ
ンジスタのかわシにＩ’ＮＰ形トランジスタを用いて構
成したものであシ、その動作及び効果は第７図の場合と
同様に考えられる。

第１図から第９図までバイポーラトランジスタを用いた
本発明の詳細な説明したが、上記バイポーラトランジス
タをＦＥＴにおきかえても同様の効果が得られるのは明
らかである。ただし、ＦＩＴの場合には拡散容量は非常
に小さくほとんど無視できるため、ピーキング特性はミ
ラー容量で決まる。

その他、同調増幅回路等多種の回路において、容量とし
てトランジスタのミラー容量を用い、その値を制御する
ことによシ、任意のピーキング特性、同調特性を調整可
能とする増幅回路を実現することができる。

（発明の効果）以上説明したように、本発明によれば容量としてトラン
ジスタの拡散容量を用い該トランジスタを流れる′ｒＪ
Ｌ流ＩＰを、制御端子によ＃）調整することによって容
量値を可変とするピーキング機能を有する増幅回路、同
調増幅回路等において、該トランジスタのコレクタに抵
抗を接続し、ベース・コレクタ間は容量を接続すること
によ）、ピーキング容量として従来の拡散容量の他にあ
らたにミラー容量を用いることＫよシ、小さいエアの値
で大きなピーキング特性の可変範囲を実現することが可
能である。

特に、素子バラツキによシ安定したピーキング特性、同
調特性等を施す事が困難であるモノリシック集積回路、
ハイブリッド集積回路の各種増幅回路においては、外部
端子から特性を調整できることによって、特性の安定化
、製造価格の低減化を図ることができるとともに、ピー
キング調整機能にともなう消費電力の増加を小さくおさ
えることができる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の増幅回路の実施例、第２図乃至第７図
及び第９図は本発明の他の実施例、第８図は電流と増幅
器の３ｄＢダウン周波数の関係の例、第１０図は従来の
シングルエンド形のエミッタピーキング増幅回路、第１
１図は従来の差動形のエミッタピーキング増幅回路を示
す。１．１３．２３・・・ベース端子、３．１４・・・エミ
ッタ端子、２，１２・・・コレクタ端子、４・・・高電
位電源端子、５・・・父流接地電位端子、６．１０・・
・入力トランジスタ、７，１５・・・負荷抵抗、８，１
６・・・直列帰還抵抗、２０．３３・・・容量、２１　
、３４・・・抵抗、１８．３２・・・トランジスタ、２
４　、２５・・・バイアス用抵抗、２２．２９．３１．
３５・・・ピーキング量制御用トランジスタ、２８・・
・抵抗、２３・・・ピーキング量制御用端子、３０・・
・定電流源回路、１９・・・ペース接地用トランジスタ第１図　　　　　第２図第３図　　　　第４図第５図　　　　第６図第８図Ｉｐ　（ｍＡ　）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に
第１の抵抗を接続し、第２のバイポーラトランジスタの
コレクタ端子に第２の抵抗を接続し、該第１の抵抗の他
端と該第２の抵抗の他端を電気的に共通に接続し、該第
１のバイポーラトランジスタのエミッタ端子と該第２の
バイポーラトランジスタのエミッタ端子を電気的に共通
に接続し、該第１および該第２の抵抗の他端に該第１お
よび該第２のバイポーラトランジスタが活性領域で動作
するよう電源を印加し、該第１のバイポーラトランジス
タのベース端子とコレクタ端子間に第１の容量を接続し
、該第２のバイポーラトランジスタのベース端子とコレ
クタ端子間に第２の容量を接続し、共通に接続された該
第１および該第２のバイポーラトランジスタのエミッタ
端子を電流値を可変とする機能を有する電流源の一方の
端子に接続し、該電流源の他方の端子を交流接地電位に
接続する構成を有し、該電流源の電流値を制御して該第
１および該第２のバイポーラトランジスタのベース端子
と共通電位との容量値を可変とする容量値調整回路を具
備することを特徴とする増幅回路。
（２）第１のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に
第１の抵抗を接続し、該第１の抵抗の他端と第２のバイ
ポーラトランジスタのコレクタ端子を電気的に共通に接
続し、該第１のバイポーラトランジスタのエミッタ端子
と該第２のバイポーラトランジスタのエミッタ端子を電
気的に共通に接続し、該第１の抵抗の他端及び該第２の
バイポーラトランジスタのコレクタ端子に該第１および
該第２のバイポーラトランジスタが活性領域で動作する
よう電源を印加し、該第１のバイポーラトランジスタの
ベース端子及びコレクタ端子間に第１の容量を接続し、
該第１および該第２のバイポーラトランジスタのエミッ
タ端子を電流源の一方の端子に接続し、該電流源の他方
の端子を交流接地電位に接続する構成を有し、該第２の
バイポーラトランジスタのベース端子の電位を調整して
、該第１のバイポーラトランジスタのバイアス電流を制
御し、該第１のバイポーラトランジスタのベース端子と
交流接地間の容量値を可変とする容量値調整回路を具備
することを特徴とする増幅回路。
（３）第１のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に
第１の抵抗を接続し、該第１のバイポーラトランジスタ
のエミッタ端子と、電流値を可変とする機能を有する電
流源を接続し、該電流源の他方の端子を交流接地電位に
接続し、該電流源と並列に抵抗、容量の少くとも１つ以
上を並列に接続し、該第１の抵抗の他端を該第１のバイ
ポーラトランジスタが活性領域で動作するよう電源を印
加し、該第１のバイポーラトランジスタのベース端子と
コレクタ端子間に第１の容量を接続し、電流源の電流値
を調整して、該第１のバイポーラトランジスタのバイア
ス電流を制御し、該第１のバイポーラトランジスタのベ
ース端子と交流接地電位間の容量値を可変とする容量値
調整回路を具備することを特徴とする増幅回路。
（４）第１のバイポーラトランジスタのコレクタ端子に
第１の抵抗を接続し、該第１の抵抗の他端と第２のバイ
ポーラトランジスタのコレクタ端子とを電気的に共通に
接続し、該第１のバイポーラトランジスタのエミッタ端
子と、第２のバイポーラトランジスタのエミッタ端子と
を電気的に共通に接続し、該第１の抵抗および第２のバ
イポーラトランジスタのコレクタ端子との接続点に、第
１および第２のバイポーラトランジスタが活性領域で動
作するよう電源を印加し、該第１のバイポーラトランジ
スタのベース端子とコレクタ端子との間に第１の容量を
接続し、共通に接続された該第１および第２のバイポー
ラトランジスタのエミッタ端子を、電流値を可変とする
機能を有する電流源の一方の端子に接続し、該電流源の
他方の端子を交流接地電位に接続する構成を有し、該電
流源の電流値を制御して、該第１のバイポーラトランジ
スタのベース端子と、共通電位との容量値を可変とする
容量値調整回路を具備することを特徴とする増幅回路。
（５）バイポーラトランジスタのコレクタ端子、ベース
端子、エミッタ端子をそれぞれＦＥＴのドレイン端子、
ゲート端子、ソース端子としてバイポーラトランジスタ
の少くとも一部をＦＥＴにおきかえたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の増幅回路。
（６）バイポーラトランジスタのコレクタ端子、ベース
端子、エミッタ端子をそれぞれＦＥＴのドレイン端子、
ゲート端子、ソース端子として、バイポーラトランジス
タの少くとも一部をＦＥＴにおきかえたととを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の増幅回路。
（７）バイポーラトランジスタのコレクタ端子、ベース
端子、エミッタ端子をそれぞれＦＥＴのドレイン端子、
ゲート端子、ソース端子として、バイポーラトランジス
タの少くとも一部をＦＥＴにおきかえたことを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載の増幅回路。
（８）バイポーラトランジスタのコレクタ端子、ベース
端子、エミッタ端子を、それぞれ電界効果トランジスタ
のドレイン端子、ゲート端子、ソース端子として、少く
ともバイポーラトランジスタの一部を電界効果トランジ
スタでおきかえたことを特徴とする特許請求の範囲第４
項記載の増幅回路。