JPS61228684A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS61228684A JPS61228684A JP60069713A JP6971385A JPS61228684A JP S61228684 A JPS61228684 A JP S61228684A JP 60069713 A JP60069713 A JP 60069713A JP 6971385 A JP6971385 A JP 6971385A JP S61228684 A JPS61228684 A JP S61228684A
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- JP
- Japan
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- type
- active layer
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１↓Ω困月公！
本発明は、ダブルへテロ接合を有する半導体発光素子に
関する。
関する。
従来の技術
近年のオプトエレクトロニクスの発展に伴い、半導体レ
ーザを含めて発光ダイオードの研究が進んでいる。発光
ダイオードは小形であり、寿命が長く、信頼性が高い等
の特長を有しているが、光通信用としてはさらに発光出
力が高くかつ応答速度が速いことが望まれており、半導
体材料として石英系光ファイバの低損失域に発光波長を
有する高品質なエピタキシャル結晶が使用され、０．７
〜０．９μｍ帯ではＧａＡ １＾ｓ ／ ＧａＡｓ系、
１〜１．７μｍ帯ではＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ
系が主に用いられている。
ーザを含めて発光ダイオードの研究が進んでいる。発光
ダイオードは小形であり、寿命が長く、信頼性が高い等
の特長を有しているが、光通信用としてはさらに発光出
力が高くかつ応答速度が速いことが望まれており、半導
体材料として石英系光ファイバの低損失域に発光波長を
有する高品質なエピタキシャル結晶が使用され、０．７
〜０．９μｍ帯ではＧａＡ １＾ｓ ／ ＧａＡｓ系、
１〜１．７μｍ帯ではＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ
系が主に用いられている。
これらの材料からなる通信用発光ダイオードには発光出
力を高めるために一般にダブルへテロ接合構造が採用さ
れている。ダブルへテロ接合ではバンドギャップの小さ
い活性層がバンドギャップの大きい２つのクラッド層に
挟まれており、活性層に注入された電子は伝導帯にでき
るポテンシャル障壁によって、注入されたホールは価電
子帯にできるポテンシャル障壁によってそれぞれ閉じこ
められてこれらキャリヤのクラッド層への拡散が抑えら
れるので、わずかな電流でも注入されたキャリヤ濃度が
高くなり単位時間あたりの発光再結合の割合が増える、
すなわち発光効率が向上されて発光出力も高まるもので
ある。
力を高めるために一般にダブルへテロ接合構造が採用さ
れている。ダブルへテロ接合ではバンドギャップの小さ
い活性層がバンドギャップの大きい２つのクラッド層に
挟まれており、活性層に注入された電子は伝導帯にでき
るポテンシャル障壁によって、注入されたホールは価電
子帯にできるポテンシャル障壁によってそれぞれ閉じこ
められてこれらキャリヤのクラッド層への拡散が抑えら
れるので、わずかな電流でも注入されたキャリヤ濃度が
高くなり単位時間あたりの発光再結合の割合が増える、
すなわち発光効率が向上されて発光出力も高まるもので
ある。
一方、応答速度は活性層領域への注入キャリヤの再結合
寿命τで決まり、遮断周波数ｆｅが次式％式％ また、キャリヤ寿命τは活性層に添加された不純物濃度
が高いほど小さいことが知られている。したがって、（
１）式かられかるように応答速度を速くする、すなわち
遮断周波数ｆ、を向上させるためには、不純物濃度を高
めてキャリヤ寿命τを減少させればよい。
寿命τで決まり、遮断周波数ｆｅが次式％式％ また、キャリヤ寿命τは活性層に添加された不純物濃度
が高いほど小さいことが知られている。したがって、（
１）式かられかるように応答速度を速くする、すなわち
遮断周波数ｆ、を向上させるためには、不純物濃度を高
めてキャリヤ寿命τを減少させればよい。
なお、活性層に添加される不純物としては拡散しやすく
毒性が少ないためにＺｎ、 Ｍｇ等が最も多く用いられ
ている。
毒性が少ないためにＺｎ、 Ｍｇ等が最も多く用いられ
ている。
発明が解決しようとする問題点
従来のＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系発光ダイオー
ドの断面図を第７図に示す。活性層７とクラッド層２お
よび４との間にそれぞれへテロ接合が形成されている。
ドの断面図を第７図に示す。活性層７とクラッド層２お
よび４との間にそれぞれへテロ接合が形成されている。
いま、この発光ダイオードに高速応答性を持たせるため
に、各層の結晶成長時に第８図に示されるような濃度の
不純物を各層に持たせて、活性層７の不純物濃度を高め
るものとする。活性層７に添加される不純物としてＺｎ
が用いられ、その結果、活性層７はｎ型領域となり、ｎ
型クラッド層２との間にｐｎ接合を形成しようとするも
のである。
に、各層の結晶成長時に第８図に示されるような濃度の
不純物を各層に持たせて、活性層７の不純物濃度を高め
るものとする。活性層７に添加される不純物としてＺｎ
が用いられ、その結果、活性層７はｎ型領域となり、ｎ
型クラッド層２との間にｐｎ接合を形成しようとするも
のである。
しかしながら、ｐ型不純物のＺｎ （あるいはＭｇ）は
拡散しやすいので、例えば液相エピタキシャル法などに
より第８図に示されるようなＺｎが高濃度（５×ＩＯ”
ｃｍ−’ ）の活性層７を形成すると、Ｚｎは容易にそ
の下のｎ型クラッド層２の内部にまで拡散してＺｎの拡
散プロファイルは第８図の破線のようになってしまう。
拡散しやすいので、例えば液相エピタキシャル法などに
より第８図に示されるようなＺｎが高濃度（５×ＩＯ”
ｃｍ−’ ）の活性層７を形成すると、Ｚｎは容易にそ
の下のｎ型クラッド層２の内部にまで拡散してＺｎの拡
散プロファイルは第８図の破線のようになってしまう。
その結果、ｎ型クラッド層２の活性層７との境界付近は
ｎ型領域となり活性層７とｎ型クラッド層２との境界に
形成しようとしたｐｎ接合が実際にはｎ型クラッド層２
の内部に形成されることになる。したがって、この発光
ダイオードのエネルギーバンド図は第９図のようになり
、活性層７とｎ型クラッド層２との境界に存在すべきポ
テンシャル障壁がｎ型クラッド層２内にずれるので、活
性層７に注入されたキャリヤが活性層７外に流れ出して
キャリヤ密度が低下する。
ｎ型領域となり活性層７とｎ型クラッド層２との境界に
形成しようとしたｐｎ接合が実際にはｎ型クラッド層２
の内部に形成されることになる。したがって、この発光
ダイオードのエネルギーバンド図は第９図のようになり
、活性層７とｎ型クラッド層２との境界に存在すべきポ
テンシャル障壁がｎ型クラッド層２内にずれるので、活
性層７に注入されたキャリヤが活性層７外に流れ出して
キャリヤ密度が低下する。
すなわち、発光効率が劣化して発光出力が低下し、はじ
めの目的であった応答の高速化も達成されない。
めの目的であった応答の高速化も達成されない。
そこで、本発明は高速応答かつ高発光出力を可能とする
半導体発光素子を提供することにある。
半導体発光素子を提供することにある。
問題点 解決するための手段
本発明の半導体発光素子は、ｎ型領域の第１のクラッド
層とｎ型領域の第２のクラッド層との間にｎ型領域の活
性層を形成するものであり、また活性層のキャリヤ濃度
は第１、第２のクラッド層に比べて大きく設定されてい
る。
層とｎ型領域の第２のクラッド層との間にｎ型領域の活
性層を形成するものであり、また活性層のキャリヤ濃度
は第１、第２のクラッド層に比べて大きく設定されてい
る。
なお、第２のクラッド層は、活性層のすぐ上に形成され
る第１層とさらに第１層の上に形成され第１層より大き
いキャリヤ濃度と厚さを有する第２層からなる２層構造
であってもよい。
る第１層とさらに第１層の上に形成され第１層より大き
いキャリヤ濃度と厚さを有する第２層からなる２層構造
であってもよい。
本発明の好ましい態様においては、活性層がキャリヤ濃
度１ｘｌＱＩ８〜５ Ｘ １０ ’ ”ｃｍ−’、厚さ
０．１〜２．０μｍのＩｎＧａＡｓ Ｐからなり、第２
のクラフト層がキャリヤ濃度１ ｘｌＱｌ？ 〜２ＸＩ
Ｏ”ｃｍ−’、厚さ０．２〜２．０μｍのＩｎＰからな
っている。
度１ｘｌＱＩ８〜５ Ｘ １０ ’ ”ｃｍ−’、厚さ
０．１〜２．０μｍのＩｎＧａＡｓ Ｐからなり、第２
のクラフト層がキャリヤ濃度１ ｘｌＱｌ？ 〜２ＸＩ
Ｏ”ｃｍ−’、厚さ０．２〜２．０μｍのＩｎＰからな
っている。
芸月
一般にｎ型不純物は拡散しにくいので、このような構造
にすることによって、ｎ型の活性層とｐ型の第２のクラ
ッド層の界面に形成され、たｐｎ接合は不純物の拡散に
よってその位置がずれることはない。
にすることによって、ｎ型の活性層とｐ型の第２のクラ
ッド層の界面に形成され、たｐｎ接合は不純物の拡散に
よってその位置がずれることはない。
ところで、ｐｎ接合においてｐ型およびｎ型のキャリヤ
濃度が共に高いと、空乏層のポテンシャル障壁の幅が小
さくなりトンネル現象の確率が高くなることが知られて
いる。トンネル電流が暗電流として現われ、トンネルブ
レークダウンを引き起こすと、発光ダイオードとしての
用をなさなくなるので、このトンネル現象の発生を防止
しなければならない。そのためにはｐｎ接合°の低濃度
側、すなわち第２のクラフト層のキャリヤ濃度を低く設
定する必要がある。
濃度が共に高いと、空乏層のポテンシャル障壁の幅が小
さくなりトンネル現象の確率が高くなることが知られて
いる。トンネル電流が暗電流として現われ、トンネルブ
レークダウンを引き起こすと、発光ダイオードとしての
用をなさなくなるので、このトンネル現象の発生を防止
しなければならない。そのためにはｐｎ接合°の低濃度
側、すなわち第２のクラフト層のキャリヤ濃度を低く設
定する必要がある。
また、第２のクラッド層を活性層の上に位置するように
形成すると、発光素子の加工時の不純物拡散等による活
性層へのダメージを与えないために、第２のクラッド層
の厚さを大きく設定する必要がある。
形成すると、発光素子の加工時の不純物拡散等による活
性層へのダメージを与えないために、第２のクラッド層
の厚さを大きく設定する必要がある。
ところが、低キャリヤ濃度の第２のクラッド層を厚くす
ると電気抵抗が増加して発光素子としての特性が劣化し
てしまう。
ると電気抵抗が増加して発光素子としての特性が劣化し
てしまう。
そこで、第２のクラッド層を第１層、第２層の２層構造
とし、まず活性層の上にキャリヤ濃度が低くて薄い第１
層を形成し、次にこの第１層の上にキャリヤ濃度が高く
て厚い第２層を形成すれば、加工時に活性層にダメージ
を与えない厚さを有し、かつ電気抵抗の低い第２のクラ
ッド層を実現することができる。
とし、まず活性層の上にキャリヤ濃度が低くて薄い第１
層を形成し、次にこの第１層の上にキャリヤ濃度が高く
て厚い第２層を形成すれば、加工時に活性層にダメージ
を与えない厚さを有し、かつ電気抵抗の低い第２のクラ
ッド層を実現することができる。
１１男
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体発光素子の一実施例を示す断面
図、第２図は本実施例の各層にふけるキャリヤ濃度分布
図である。図示の半導体発光素子は、Ｔｅ Ｉ Ｘ１０
１８ｃｍ−’濃度のｎ型１ｎＰ基板１を有し、その基板
１の上にはＴｅ ｌ ＸＩＯ”ｃｍ−’濃度の厚さ５μ
ｍのｎ型ＩｎＰクラッド層２が形成され、更にＴｅ５
ｘｌｏ”Ｃｍ−’濃度で厚さ１．ｕｍのｎ型１ｎＧａＡ
ｓ Ｐ活性層３が形成されている。その活性層３の上に
は、Ｚｎ Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’濃度の厚さ０．５μｍ
のｐ型１ｎＰクラッド層４、更にＺｎ ３ Ｘ１０１８
Ｃ，１１−３濃度で厚さ１μｍのｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ
コンタクト層５が形成されている。
図、第２図は本実施例の各層にふけるキャリヤ濃度分布
図である。図示の半導体発光素子は、Ｔｅ Ｉ Ｘ１０
１８ｃｍ−’濃度のｎ型１ｎＰ基板１を有し、その基板
１の上にはＴｅ ｌ ＸＩＯ”ｃｍ−’濃度の厚さ５μ
ｍのｎ型ＩｎＰクラッド層２が形成され、更にＴｅ５
ｘｌｏ”Ｃｍ−’濃度で厚さ１．ｕｍのｎ型１ｎＧａＡ
ｓ Ｐ活性層３が形成されている。その活性層３の上に
は、Ｚｎ Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’濃度の厚さ０．５μｍ
のｐ型１ｎＰクラッド層４、更にＺｎ ３ Ｘ１０１８
Ｃ，１１−３濃度で厚さ１μｍのｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ
コンタクト層５が形成されている。
そして、ｎ型クラッド層２からコンタクト層５までは順
次液相エピタキシャル成長法により形成した。すなわち
、本実施例は第７図の従来例において活性層７に添加さ
れたｐ型不純物のＺｎの代わりにｎ型不純物のＴｅを活
性層３に添加してｐｎ接合を活性層３とｐ型クラッド層
４との界面に形成し、さらにｐ型クラッド層４のキャリ
ヤ濃度をＩ ＸＩＯ”ｃｌ’に減少させてトンネル現象
の発生を防止するものである。
次液相エピタキシャル成長法により形成した。すなわち
、本実施例は第７図の従来例において活性層７に添加さ
れたｐ型不純物のＺｎの代わりにｎ型不純物のＴｅを活
性層３に添加してｐｎ接合を活性層３とｐ型クラッド層
４との界面に形成し、さらにｐ型クラッド層４のキャリ
ヤ濃度をＩ ＸＩＯ”ｃｌ’に減少させてトンネル現象
の発生を防止するものである。
本実施例のｎ型基板１およびｐ型コンタクト層５にそれ
ぞれ電極を設けてｐ型コンタクト層５からｎ型基板１に
向かう電界を加えたところ、第３図、第４図にそれぞれ
示される遮断周波数特性および発光出力特性が得られた
。図中の破線は第７図の従来例の特性を示しており、本
実施例の発光ダイオードは各電流値において従来より高
い遮断周波数と発光出力を有する、すなわち、応答の高
速化と高出力化を達成していることがわかる。
ぞれ電極を設けてｐ型コンタクト層５からｎ型基板１に
向かう電界を加えたところ、第３図、第４図にそれぞれ
示される遮断周波数特性および発光出力特性が得られた
。図中の破線は第７図の従来例の特性を示しており、本
実施例の発光ダイオードは各電流値において従来より高
い遮断周波数と発光出力を有する、すなわち、応答の高
速化と高出力化を達成していることがわかる。
第２の実施例の断面図および各層におけるキャリヤ濃度
分布図を第５図、第６図に示す。この第２の実施例は第
１図の実施例においてｐ型クラッド層４とｐ型コンタク
ト層５との間に、３ ＸＩＯ”ｃｍ−’のＺｎが添加さ
れた厚さ１μｍの第２のｐ型１ｎＰクラッド層６を設け
て、加工時に活性層３がダメージを受けることを防止し
たものであり、その遮断周波数および発光出力は第１の
実施例と同様の特性を示している。
分布図を第５図、第６図に示す。この第２の実施例は第
１図の実施例においてｐ型クラッド層４とｐ型コンタク
ト層５との間に、３ ＸＩＯ”ｃｍ−’のＺｎが添加さ
れた厚さ１μｍの第２のｐ型１ｎＰクラッド層６を設け
て、加工時に活性層３がダメージを受けることを防止し
たものであり、その遮断周波数および発光出力は第１の
実施例と同様の特性を示している。
な右、活性層３とコンタクト層５を形成するＩｎＧａＡ
ｓ ＰはＩｎＰに格子整合されるものであり、電極金属
とオーミック接触を容易にするため、０．７５ｅＶから
１．２ｅＶ程度のバンドギャッ゛ブを有する混晶比 ′
のＩｎＧａＡｓ Ｐが好ましい。
ｓ ＰはＩｎＰに格子整合されるものであり、電極金属
とオーミック接触を容易にするため、０．７５ｅＶから
１．２ｅＶ程度のバンドギャッ゛ブを有する混晶比 ′
のＩｎＧａＡｓ Ｐが好ましい。
また、上記の２つの実施例では各層の厚さおよびキャリ
ヤ濃度として一つの例を示したに過ぎず、第１表に示す
範囲内であれば同様の効果が得られる。
ヤ濃度として一つの例を示したに過ぎず、第１表に示す
範囲内であれば同様の効果が得られる。
第１表
ただし、ｎ型クラッド層４のキャリヤ濃度は第６図の分
布図と同様に活性層３および第２のｎ型クラッド層６よ
り低くなければならない。また、ｎ型クラッド層４が比
較的厚い場合には第２のｎ型クラッド層６は不要となる
。
布図と同様に活性層３および第２のｎ型クラッド層６よ
り低くなければならない。また、ｎ型クラッド層４が比
較的厚い場合には第２のｎ型クラッド層６は不要となる
。
また、本実施例では活性層３の下にｎ型クラッド層２が
、活性層３の上にｎ型クラッド層４が位置するように構
成されているが、逆でも構わない。すなわち、ｐ型基板
の上にｎ型クラッド層、ｎ型活性層、ｎ型クラッド層、
ｎ型コンタクト層を順次形成しても同様の効果が得られ
る。
、活性層３の上にｎ型クラッド層４が位置するように構
成されているが、逆でも構わない。すなわち、ｐ型基板
の上にｎ型クラッド層、ｎ型活性層、ｎ型クラッド層、
ｎ型コンタクト層を順次形成しても同様の効果が得られ
る。
さらに、半導体材料としては上記実施例のＩｎＧａＡｓ
Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系の他、やはり通信用のＩｎＧａＡ
ｓＳｂ ／ＩｎＳｂ系、ＧａＡｌＡｓＳｂ ／ＧａＳｂ
系、ＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ＧａＡｓ系、ＧａＡｓＡｓ
Ｐ ／ ＧａＡｓ系をはじめとする４元、３元、２元■
−■族化合物半導体、またその他の半導体でもよい。
Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系の他、やはり通信用のＩｎＧａＡ
ｓＳｂ ／ＩｎＳｂ系、ＧａＡｌＡｓＳｂ ／ＧａＳｂ
系、ＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ＧａＡｓ系、ＧａＡｓＡｓ
Ｐ ／ ＧａＡｓ系をはじめとする４元、３元、２元■
−■族化合物半導体、またその他の半導体でもよい。
また、結晶の成長法として液相エピタキシャル法を用い
たが、分子線エピタキシャル成長法あるいは有機金属熱
分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）でもよい。
たが、分子線エピタキシャル成長法あるいは有機金属熱
分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）でもよい。
さらに、ｎ型不純物として基板１、クラッド層２、活性
層３に添加されたＴｅの代わりにＳｎ、 Ｓｅあるいは
Ｓを用いても同様の効果が得られ、ｐ型不純物としてク
ラッド層４、第２のクラッド層６、コンタクト層５に添
加されたＺｎの代わりにＭｇ５Ｃｄ等でもよい。但し、
不純物としてはｎ型についてみれば、ＳなどよりはＳｅ
、 Ｔｅなどの原子の大きさが大きい物質の方が拡散し
にくい。そこで、Ｓｅ。
層３に添加されたＴｅの代わりにＳｎ、 Ｓｅあるいは
Ｓを用いても同様の効果が得られ、ｐ型不純物としてク
ラッド層４、第２のクラッド層６、コンタクト層５に添
加されたＺｎの代わりにＭｇ５Ｃｄ等でもよい。但し、
不純物としてはｎ型についてみれば、ＳなどよりはＳｅ
、 Ｔｅなどの原子の大きさが大きい物質の方が拡散し
にくい。そこで、Ｓｅ。
Ｔｅなどの大型原子を使用した方が拡散防止により効果
がある。
がある。
ｍ１呈
以上説明したように本発明によれば、ｐｎ接合面の位置
をずらすことなく高キャリヤ濃度の活性層を形成するこ
とができるので、応答速度が速くかつ発光出力の大きい
半導体発光素子が実現される。
をずらすことなく高キャリヤ濃度の活性層を形成するこ
とができるので、応答速度が速くかつ発光出力の大きい
半導体発光素子が実現される。
従って、本発明による半導体発光素子を光通信用機器に
応用すれば非常に有効である。
応用すれば非常に有効である。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例に係る半
導体発光素子の断面図及びキャリヤ濃度分布図、 第３図及び第４図はそれぞれ第１図の実施例の遮断周波
数特性図及び発光出力特性図、第５図及び第６図はそれ
ぞれ他の実施例の断面図及びキャリヤ濃度分布図、 第７図、第８図、第９図はそれぞれ従来例の断面図、キ
ャリヤ濃度分布図、エネルギーバンド図である。 （主な参照番号） １・・ｎ型１ｎＰ基板、 ２・・ｎ型１ｎＰクラッド層、 ３・・ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４・・ｐ型１ｎＰクラッド層、
導体発光素子の断面図及びキャリヤ濃度分布図、 第３図及び第４図はそれぞれ第１図の実施例の遮断周波
数特性図及び発光出力特性図、第５図及び第６図はそれ
ぞれ他の実施例の断面図及びキャリヤ濃度分布図、 第７図、第８図、第９図はそれぞれ従来例の断面図、キ
ャリヤ濃度分布図、エネルギーバンド図である。 （主な参照番号） １・・ｎ型１ｎＰ基板、 ２・・ｎ型１ｎＰクラッド層、 ３・・ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４・・ｐ型１ｎＰクラッド層、
Claims (6)
- （１）ｎ型領域の第１のクラッド層と、ｐ型領域の第２
のクラッド層と、該第１、第２のクラッド層の間に形成
された活性層とを有する半導体発光素子において、 前記活性層がｎ型領域であり、さらに前記活性層のキャ
リヤ濃度が前記第１、第２のクラッド層の各キャリヤ濃
度より大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - （２）前記第２のクラッド層が前記活性層の上に形成さ
れた第１層と該第１層の上に形成され前記第１層より大
きいキャリヤ濃度と厚さを有する第２層からなる特許請
求の範囲第１項記載の半導体発光素子。 - （３）前記活性層がＩｎＧａＡｓＰからなり、前記第１
、第２のクラッド層がＩｎＰからなる特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導体発光素子。 - （４）前記活性層および前記第２のクラッド層のキャリ
ヤ濃度がそれぞれ１×１０＾１＾８〜５×１０＾１＾９
ｃｍ＾−＾３、１×１０＾１＾７〜２×１０＾１＾８ｃ
ｍ＾−＾３の範囲にある特許請求の範囲第３項記載の半
導体発光素子。 - （５）前記活性層および前記第２のクラッド層の厚さが
それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．２〜２．０μｍの範
囲内である特許請求の範囲第４項記載の半導体発光素子
。 - （６）前記活性層と前記第１、第２のクラッド層をそれ
ぞれ構成する半導体がＩｎＧａＡｓＳｂ／ＩｎＳｂ系、
ＧａＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂ系、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｇａ
Ａｓ系、ＧａＡｌＡｓＰ／ＧａＡｓ系のいずれかである
特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069713A JPS61228684A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069713A JPS61228684A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228684A true JPS61228684A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=13410744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60069713A Pending JPS61228684A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61228684A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436089A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Shinetsu Handotai Kk | Light-emitting semiconductor device |
| FR2684805A1 (fr) * | 1991-12-04 | 1993-06-11 | France Telecom | Dispositif optoelectronique a tres faible resistance serie. |
| JP2006295040A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置 |
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