[go: up one dir, main page]

JPS61222091A - Dynamic memory refresh method - Google Patents

Dynamic memory refresh method

Info

Publication number
JPS61222091A
JPS61222091A JP60048725A JP4872585A JPS61222091A JP S61222091 A JPS61222091 A JP S61222091A JP 60048725 A JP60048725 A JP 60048725A JP 4872585 A JP4872585 A JP 4872585A JP S61222091 A JPS61222091 A JP S61222091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
refresh
time
signal
dynamic memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60048725A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Ogawa
聡 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60048725A priority Critical patent/JPS61222091A/en
Publication of JPS61222091A publication Critical patent/JPS61222091A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1605Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration
    • G06F13/161Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement
    • G06F13/1636Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement using refresh

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to refresh memory without stopping a microprocessor by utilizing an idle time until next access. CONSTITUTION:Specified number is preset at every time when a microprocessor 2 outputs a timing signal ALE for starting execution of bus cycle and accesses a dynamic memory to a refreshing circuit 7 that counts basic clocks MCLK and outputs a refreshing signal at every time specified number is reached. When counted value of clocks MCLK reaches specified number, a refreshing signal is outputted through the circuit 7, and a memory 6 is refreshed by utilizing spare time of access period until next access, and it is not necessary to stop the processor 2 for refreshing. Accordingly, refreshing is made without stopping the microprocessor, and the increase of loss time of the memory system is prevented, and processing speed can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 本発明は、ダイナミックメモリのリフレッシュをバスサ
イクルのあき時間を利用して行なうようにしたものであ
る0本発明によれば、リフレッシュのためにマイクロプ
ロセッサを停止する必要がなく、メモリ回路の処理速度
を早くすることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary of the Invention] According to the present invention, a dynamic memory is refreshed using idle time of a bus cycle. There is no need to stop the processing, and the processing speed of the memory circuit can be increased.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、ダイナミックメモリのリフレッシュに関する
ものである。
The present invention relates to dynamic memory refresh.

〔技術の背景〕[Technology background]

現在のOA機器等においては、システム性、機能性を高
めるべく大容量のメモリが使用される。
BACKGROUND ART In current office automation equipment and the like, large-capacity memories are used to improve system performance and functionality.

このメモリの選択においては、スタティックメモリとダ
イナミックメモリの2種類のメモリが考えられるが、ダ
イナミックメモリの方がスタティックメモリよりも集積
度が大きく(高密度であり消に、近時ダイナミックメモ
リを使用することが多くなった。
When selecting this memory, there are two types of memory that can be considered: static memory and dynamic memory. However, dynamic memory has a higher degree of integration than static memory (higher density, Things have become more frequent.

ところで、ダイナミックメモリは、その記憶情報をコン
デンサの電荷の有無に対応させるものであるため、その
記憶情報を保持するためには電荷を注入する所謂リフレ
ッシュ動作を所定時間内に所定回数行なわなければなら
ない、このリフレッシュは、具体的には、メモリセルマ
トリクス中の各メモリがそれぞれ保持している記憶情報
(通常の場合は電圧レベル)を検出し、再び書き込むこ
とにより行なうものである。一般に、ダイナミックメモ
リは記憶情報を与えてから2ms程度の時間を経過する
ことにより記憶情報が消滅するため、このZ m s以
内に所定回数(例えば64にビットのもので128回等
)のリフレッシュを行なう必要があるわけである。
By the way, in dynamic memory, the stored information corresponds to the presence or absence of charge on the capacitor, so in order to retain the stored information, a so-called refresh operation that injects charge must be performed a predetermined number of times within a predetermined time. Specifically, this refresh is performed by detecting the stored information (usually voltage level) held by each memory in the memory cell matrix and writing it again. In general, in a dynamic memory, stored information disappears after approximately 2 ms has passed after the storage information is given, so it must be refreshed a predetermined number of times (for example, 128 times for a 64-bit type) within this Z m s. It is necessary to do so.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ダイナミックメモリのリフレッシュ方式は、従来、例え
ば第5図ないし第6図に示すようにして行なわれていた
。64にビットのチップを例として従来のリフレッシュ
方式を説明すると次のようである。
A dynamic memory refresh method has conventionally been carried out, for example, as shown in FIGS. 5 and 6. The conventional refresh method will be explained using a 64-bit chip as an example.

すなわち、64にビットのチップの場合には、Z m 
s内に少なくとも128回のリフレッシュを全ビットに
対して行なう必要があるため、1回のリフレッシュに要
する時間を例えば400nSとすると、1回のリフレッ
シュサイクルに要する時間は400nsX128=51
.2濤sとなる。
That is, for a 64-bit chip, Z m
Since it is necessary to refresh all bits at least 128 times within s, if the time required for one refresh is, for example, 400 ns, the time required for one refresh cycle is 400 ns x 128 = 51
.. It will be 2ts.

従来は、このリフレッシュに要する51.2psという
時間を第4図に示すように一括してとり、その間に12
8回のリフレッシュを行なう方法と、第5図に示すよう
に400nsというリフレッシュ時間を2 m s内に
おいて128に分散してリフレッシュを行なう方法が採
られていた。
Conventionally, the time required for this refresh is 51.2 ps, as shown in Figure 4, and 12
Two methods have been adopted: one is to perform refresh eight times, and the other is to perform refresh by dispersing the refresh time of 400 ns into 128 times within 2 ms, as shown in FIG.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、従来のリフレッシュ方式にあってメモリが使
用できず、メモリ回路の処理速度が遅くなるという問題
があった。
However, the conventional refresh method has a problem in that the memory cannot be used and the processing speed of the memory circuit becomes slow.

例えば、64にビットのダイナミックメモリにあっては
Zms内に少なくとも128サイクルだけはリフレッシ
ュしなければならないから、リフレッシュサイクル時間
を例えば51゜2ILsとすると、リフレッシュによる
損失時間TJLは、T1= (51,2X10−6/ 
2X10−3) XIGO!= 2.58% になる、リフレッシュサイクルはメモリチップが大容量
化するにつれて増加するものであるから、従来のような
リフレッシュ方式では、メモリチップの大容量化に伴な
ってメモリシステムの損失時間も増加して処理速度が低
下してしまうものであった。
For example, a 64-bit dynamic memory must be refreshed for at least 128 cycles within Zms, so if the refresh cycle time is, for example, 51°2 ILs, the loss time TJL due to refreshing is T1 = (51, 2X10-6/
2X10-3) XIGO! = 2.58%, and the refresh cycle increases as the capacity of the memory chip increases. Therefore, with the conventional refresh method, the loss time of the memory system increases as the capacity of the memory chip increases. This increases the processing speed and reduces the processing speed.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされた−のであっ
て、マイクロプロセッサを停止することなくリフレッシ
ュを行なうことのできるダイナミックメモリのリフレッ
シュ方式を提供することを目的とし、この目的達成のた
めの手段は、ダイナミックメモリを使用したメモリ回路
において、所定数の基本クロックからなるバスサイクル
の実行を開始するマイクロプロセッサからのタイミング
信号に基づいてメモリアクセスのタイミングを形成する
一方、メモリアクセスから次のバスサイクルにおけるメ
モリアクセスまでのメモリアクセス期間のあき時間を利
用してダイナミックメモリのリフレッシュを行なうダイ
ナミックメモリのリフレッシュ方式によってなされる。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a dynamic memory refresh method that can perform refresh without stopping the microprocessor. In a memory circuit using a dynamic memory, the means forms the timing of a memory access based on a timing signal from a microprocessor that starts execution of a bus cycle consisting of a predetermined number of basic clocks, while This is done by a dynamic memory refresh method that refreshes the dynamic memory using the free time in the memory access period before the memory access in the cycle.

〔実施例〕〔Example〕

以下、添付図面に基づいて本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.

第1図ないし第4図は1本発明の実施例に係るダイナミ
ックメモリのリフレッシュ方式を示すものである。
1 to 4 show a dynamic memory refresh method according to an embodiment of the present invention.

第3図は、ダイナミックメモリを用いたメモリ回路を示
すものであり、1は水晶発振等によって基本クロック(
MCLK)を出すクロック回路、2はバスサイクルの実
行開始のためのタイミング信号(ALE信号)を出すマ
イクロプロセッサ。
Figure 3 shows a memory circuit using dynamic memory, where 1 is a basic clock (1) using crystal oscillation, etc.
MCLK), and 2 a microprocessor that issues a timing signal (ALE signal) for starting execution of a bus cycle.

3は基本クロックおよびALE信号をラッチするラッチ
回路、4はデコーダ、5はゲート、6はダイナミックメ
モリである。7は、クロック回路lからの基本クロック
をカウントするとともに、マイクロプロセッサからのA
LE信号を入力して後述するような所期のタイミングで
ダイナミックメモリ6に対してリフレッシュ信号(RF
 S H)を出すリフレッシュ回路である。尚、8,9
は入力した信号を反転する反転回路である。
3 is a latch circuit that latches the basic clock and the ALE signal, 4 is a decoder, 5 is a gate, and 6 is a dynamic memory. 7 counts the basic clock from the clock circuit l and also counts the basic clock from the microprocessor.
After inputting the LE signal, a refresh signal (RF
This is a refresh circuit that outputs S H). Furthermore, 8,9
is an inverting circuit that inverts the input signal.

ところで、この実施例における前記ダイナミックメモリ
6は、例えばインテル社の8086CPUのように、 
   5 M HZの基本りa +7りを4りo +7
りTl、T2.T3.T4使用してメモリアクセスのた
めの1バスサイクルとするものとする。従って、1基本
クロックの時間は200ns、lバスサイクルの時間は
800nsである。
By the way, the dynamic memory 6 in this embodiment is, for example, Intel's 8086 CPU,
5 MHZ basics ri a +7 ri o 4 ri o +7
Tl, T2. T3. It is assumed that T4 is used for one bus cycle for memory access. Therefore, the time for one basic clock is 200 ns, and the time for one bus cycle is 800 ns.

一方、リフレッシュ回路7は、第4図にすように<o、
o、o、o>から(1,1,1,1)まで4ビツト16
進で基本クロックをカウントし、(1、l 、 1 、
1)までカウントしたときにリフレッシュ信号を出すも
のである。また、このリフレッシュ回路7は、マイクロ
プロセッサ2からALE信号を受けるとカウントを<1
.1,0゜0)にプリセットするものとする。
On the other hand, the refresh circuit 7 has <o, as shown in FIG.
4 bits 16 from o, o, o> to (1, 1, 1, 1)
Count the basic clock in decimal, (1, l, 1,
It outputs a refresh signal when counting up to 1). Also, upon receiving the ALE signal from the microprocessor 2, the refresh circuit 7 changes the count to <1.
.. It shall be preset to 1,0°0).

次に、このようなメモリ回路におけるリフレッシュ方式
を第1図に基づいて説明する。
Next, a refresh method in such a memory circuit will be explained based on FIG.

まず、マイクロプロセッサ2がバスサイクルの実行を開
始するALE信号を出した場合である。
First, there is a case where the microprocessor 2 issues an ALE signal to start executing a bus cycle.

この場合には、ALE信号が出たときがバスサイクルの
第1クロツクTIとなり、ALEi号から2段遅れてメ
モリアクセスのタイミング信号(T2cy)がダイナミ
ー2クメモリ6に対して出されるようになる。このタイ
ミング信号(T2cy)は、第1図に示すように第2ク
ロツクT2の立ち上がりから第3クロツクT3の立ち下
がりまで続くもめである。従って、最終の第4クロツク
T4と次のバスサイクルの第1クセツクTIの間はバス
サイクルとしてはあき時間となるから、マイクロプロセ
ッサ2を停止することなくこの間にリフレッシュ信号を
出すことができる。
In this case, the first clock TI of the bus cycle occurs when the ALE signal is output, and the memory access timing signal (T2cy) is output to the dynamic 2-clock memory 6 two stages later than the ALEi signal. This timing signal (T2cy) is a conflict that continues from the rising edge of the second clock T2 to the falling edge of the third clock T3, as shown in FIG. Therefore, since there is an idle time in the bus cycle between the final fourth clock T4 and the first clock TI of the next bus cycle, a refresh signal can be issued during this period without stopping the microprocessor 2.

このタイミングは次のようである。すなわち、マイクロ
プロセッサ2からALE信号が出ると。
The timing is as follows. That is, when the ALE signal is output from the microprocessor 2.

リフレッシュ回路7はカウントを<t、i、o。The refresh circuit 7 sets the count to <t, i, o.

O〉にプリセットする。そして、(i、t、o。Preset to O>. And (i, t, o.

0〉から<t 、 t 、 i 、 t>まで基本クロ
ックをカウントして、(1、l 、 1 、 1)でリ
フレッシュ信号を出すものである。(1,1,0,0)
は第1番目の基本クロックであるから、(1゜1 、1
 、1)は第4番目の基本クロックに該当し、バスサイ
クルの遊び時間であるこの第4番目の基本クロックの時
にリフレッシュ信号が出ることになる。そして、リフレ
ッシュ回路7は、次のALE信号を入力するとカウント
を(t、i。
0> to <t, t, i, t> and outputs a refresh signal at (1, l, 1, 1). (1,1,0,0)
is the first basic clock, so (1゜1, 1
, 1) corresponds to the fourth basic clock, and the refresh signal is output at the time of this fourth basic clock, which is the idle time of the bus cycle. Then, when the refresh circuit 7 receives the next ALE signal, it starts counting (t, i.

1.1〉から(1,1,0,0>ヘプリセットする。そ
して、再び第4番目の基本クロックの時にリフレッシュ
信号を出すものである。バスサイクルに要する時間は8
00nsであるから、lバスも2 m sで128回の
リフレッシュ信号を確保するのは十分可能である。
1.1> to (1, 1, 0, 0>).Then, a refresh signal is issued again at the fourth basic clock.The time required for the bus cycle is 8
00 ns, it is quite possible to secure 128 refresh signals for the l bus in 2 ms.

一方、リフレッシュ回路7のカウンタが(1゜1 、 
l 、 1)となってリフレッシュ信号を出しても、次
にALE信号が入らなかった場合は、カウンタは次の基
本クロックで(0,0,0,0)に戻る。そして、その
間ALE信号が入らない場合には第4図に示すように(
0、O、O、O)から数えて16g目の基本クロックま
でカウントし、(1,1,1,1)となったときに第2
図に示すようにリフレッシュ信号を出すものである。ま
た、(0、0、0、0)からカウントしていって、その
間にALE信号が入ったときは、カウンタは(1,1,
0,0)にプリセットされ、第4番目の基本タロツクで
(1、l 、 1 、 1)となってリフレッシュ信号
を出すことになる。尚。
On the other hand, the counter of the refresh circuit 7 is (1°1,
l, 1) and outputs a refresh signal, if the next ALE signal does not come in, the counter returns to (0, 0, 0, 0) at the next basic clock. If no ALE signal is received during that time, as shown in Figure 4 (
Counts from 0, O, O, O) to the 16th basic clock, and when it reaches (1, 1, 1, 1), the second
As shown in the figure, it outputs a refresh signal. Also, when counting starts from (0, 0, 0, 0) and the ALE signal is input during that time, the counter will start at (1, 1,
0, 0), and becomes (1, l, 1, 1) at the 4th basic tarock to issue a refresh signal. still.

16カウントごとにリフレッシュ信号を出す場合、リフ
レッシュ信号と次のリフレッシュ信号との間の時間間隔
は3 + 2JLsであるから、この場ン’s  r 
 &  ?  m  cs  M咄 1  9  Q 
 rFn  n) II  −y  c、  −、S7
    1trjL+↓ ↓分に確保できるものである
When a refresh signal is issued every 16 counts, the time interval between one refresh signal and the next refresh signal is 3 + 2 JLs, so in this case, 's r
& ? m cs M咄 1 9 Q
rFn n) II -y c, -, S7
This can be secured in 1trjL+↓↓ minutes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明のリフレッシュ方式は、マ
イクロプロセッサが作動してバスサイクルが実行されて
いるときであっても、バスサイクルのあき時間にメモリ
のリフレッシュを行なうものであるから、リフレッシュ
のためにマイクロプロセッサを停止する必要がない、従
って、本発明によればメモリチップが大容量化しても、
リフレッシュのための損失時間は全くないから、従来の
リフレッシュ方式に比べて処理速度を格段に早めること
ができるものである。
As explained above, the refresh method of the present invention refreshes the memory during the idle time of the bus cycle even when the microprocessor is operating and the bus cycle is being executed. Therefore, according to the present invention, even if the memory chip has a large capacity,
Since there is no loss time for refreshing, processing speed can be significantly increased compared to conventional refresh methods.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はバスサイクル実行中における本発明の実施例に
係るリフレッシュ方式を示すタイムチャート、第2図は
バスサイクルの実行がない場合における本発明の実施例
に係るリフレッシュ方式を示すタイムチャート、第3図
は本発明の実施例に係るメモリ回路を示すブロック図、
第4図は本発明の実施例に係るリフレッシュ回路による
リフレッシュ信号発生のタイミングを説明するための図
表、第5図および第6図は従来のダイナミックメモリの
リフレッシュ方式を示すタイムチャートである。 l・・・クロック回路 2・・・マイクロプロセッサ 3・・・ラッチ回路 4・・・デコーダ 5・・・ゲート 6・・・ダイナミックメモリ 7・・・リフレッシュ回路 MCLK・・・基本クロック信号 111  図 00ns トーH J2rIJ
FIG. 1 is a time chart showing a refresh method according to an embodiment of the present invention during execution of a bus cycle, and FIG. 2 is a time chart showing a refresh method according to an embodiment of the present invention when no bus cycle is being executed. FIG. 3 is a block diagram showing a memory circuit according to an embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a chart for explaining the timing of refresh signal generation by the refresh circuit according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are time charts showing a conventional dynamic memory refresh method. l...Clock circuit 2...Microprocessor 3...Latch circuit 4...Decoder 5...Gate 6...Dynamic memory 7...Refresh circuit MCLK...Basic clock signal 111 Figure 00ns TOH J2rIJ

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)ダイナミックメモリを使用したメモリ回路に路にお
いて、 所定数の基本クロックからなるバスサイクルの実行を開
始するマイクロプロセッサからのタイミング信号に基づ
いてメモリアクセスのタイミングを形成する一方、メモ
リアクセスから次のバスサイクルにおけるメモリアクセ
スまでのメモリアクセス期間のあき時間を利用してダイ
ナミックメモリのリフレッシュを行なうことを特徴とす
るダイナミックメモリのリフレッシュ方式。 2)前記バスサイクルの実行が所定数の基本クロックに
達するまで停止された場合には、基本クロックの数が当
該所定数に達する毎にダイナミックメモリのリフレッシ
ュを行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のダイナミックメモリにおけるリフレッシュ方式。
[Claims] 1) In a memory circuit using a dynamic memory, the timing of memory access is formed based on a timing signal from a microprocessor that starts execution of a bus cycle consisting of a predetermined number of basic clocks. , a dynamic memory refresh method characterized in that the dynamic memory is refreshed using the free time in the memory access period from memory access to memory access in the next bus cycle. 2) If the execution of the bus cycle is stopped until a predetermined number of basic clocks are reached, the dynamic memory is refreshed every time the number of basic clocks reaches the predetermined number. A refresh method in the dynamic memory described in Section 1.
JP60048725A 1985-03-12 1985-03-12 Dynamic memory refresh method Pending JPS61222091A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60048725A JPS61222091A (en) 1985-03-12 1985-03-12 Dynamic memory refresh method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60048725A JPS61222091A (en) 1985-03-12 1985-03-12 Dynamic memory refresh method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61222091A true JPS61222091A (en) 1986-10-02

Family

ID=12811268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60048725A Pending JPS61222091A (en) 1985-03-12 1985-03-12 Dynamic memory refresh method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61222091A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0509811A2 (en) * 1991-04-18 1992-10-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5243576A (en) * 1990-08-30 1993-09-07 Nec Corporation Semiconductor memory device
EP0794497A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory refresh control method and apparatus

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5178941A (en) * 1974-12-31 1976-07-09 Shimadzu Corp Konpyuutano ram rifuretsushuhoshiki
JPS5330A (en) * 1976-06-24 1978-01-05 Fujitsu Ltd Refresh control system
JPS5365631A (en) * 1976-11-24 1978-06-12 Fujitsu Ltd Data processor
JPS544532A (en) * 1977-06-13 1979-01-13 Nec Corp Automatic refresh device of idle-time retrieval type
JPS5968893A (en) * 1982-10-13 1984-04-18 Fujitsu Ltd Memory control method
JPS60113393A (en) * 1983-11-24 1985-06-19 Hitachi Ltd Refresh control circuit
JPS60173794A (en) * 1984-02-17 1985-09-07 Sanyo Electric Co Ltd Refresh system of memory
JPS6171494A (en) * 1984-09-14 1986-04-12 Hitachi Ltd semiconductor storage device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5178941A (en) * 1974-12-31 1976-07-09 Shimadzu Corp Konpyuutano ram rifuretsushuhoshiki
JPS5330A (en) * 1976-06-24 1978-01-05 Fujitsu Ltd Refresh control system
JPS5365631A (en) * 1976-11-24 1978-06-12 Fujitsu Ltd Data processor
JPS544532A (en) * 1977-06-13 1979-01-13 Nec Corp Automatic refresh device of idle-time retrieval type
JPS5968893A (en) * 1982-10-13 1984-04-18 Fujitsu Ltd Memory control method
JPS60113393A (en) * 1983-11-24 1985-06-19 Hitachi Ltd Refresh control circuit
JPS60173794A (en) * 1984-02-17 1985-09-07 Sanyo Electric Co Ltd Refresh system of memory
JPS6171494A (en) * 1984-09-14 1986-04-12 Hitachi Ltd semiconductor storage device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5243576A (en) * 1990-08-30 1993-09-07 Nec Corporation Semiconductor memory device
US5629895A (en) * 1991-04-18 1997-05-13 Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd. Semiconductor memory device
US5652723A (en) * 1991-04-18 1997-07-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5559750A (en) * 1991-04-18 1996-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5583813A (en) * 1991-04-18 1996-12-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5623454A (en) * 1991-04-18 1997-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
EP0509811A2 (en) * 1991-04-18 1992-10-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5650968A (en) * 1991-04-18 1997-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5544121A (en) * 1991-04-18 1996-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US6356484B2 (en) 1991-04-18 2002-03-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
EP0817198A1 (en) * 1991-04-18 1998-01-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US5848004A (en) * 1991-04-18 1998-12-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US6026029A (en) * 1991-04-18 2000-02-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
EP0794497A3 (en) * 1996-03-08 2000-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory refresh control method and apparatus
EP0794497A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory refresh control method and apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI676180B (en) Memory device and method for refreshing psram
US4694426A (en) Asynchronous FIFO status circuit
CN101276640A (en) Semiconductor memory, system and operating method of semiconductor memory
JPS5942396B2 (en) semiconductor memory device
KR0142795B1 (en) Dram refresh circuit
JPH0394182A (en) Test patter generator
US20230395119A1 (en) Refresh address counting circuit and method, refresh address read-write circuit and electronic device
JPH04119600A (en) Dynamic random access memory device with built-in test mode function
US5726950A (en) Synchronous semiconductor memory device performing input/output of data in a cycle shorter than an external clock signal cycle
JPS6217783B2 (en)
US20060104150A1 (en) Semiconductor memory device
JPS61222091A (en) Dynamic memory refresh method
US20230039810A1 (en) Refresh counter circuit, refresh counting method and semiconductor memory
JP4241087B2 (en) Semiconductor memory device
US5946269A (en) Synchronous RAM controlling device and method
KR920001318A (en) Microprocessor
JPH0434233B2 (en)
JPH04252490A (en) Refresh circuit in semiconductor memory device
JPH0845271A (en) Storage device
JPS60173794A (en) Refresh system of memory
KR0183813B1 (en) DMA Refresh Controller
WO2024217293A1 (en) Refresh control circuit and memory
KR0124131Y1 (en) Dram access control circuit
JPS58215789A (en) Refresh circuit of dynamic ram
KR19980029999A (en) DRAM Access Speed Improvement Device