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JPS61216477A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS61216477A
JPS61216477A JP60057815A JP5781585A JPS61216477A JP S61216477 A JPS61216477 A JP S61216477A JP 60057815 A JP60057815 A JP 60057815A JP 5781585 A JP5781585 A JP 5781585A JP S61216477 A JPS61216477 A JP S61216477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
semiconductor device
output terminal
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60057815A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0571145B2 (ja
Inventor
Yoshitake Tsuruoka
鶴岡　義丈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60057815A priority Critical patent/JPS61216477A/ja
Publication of JPS61216477A publication Critical patent/JPS61216477A/ja
Publication of JPH0571145B2 publication Critical patent/JPH0571145B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に堡シ、特に半導体装置の出力端子
に印加されるサージ電圧の保＠装＆を設けた半導体装置
に関する。
なお、以下の説明は、このサージ電圧印加が特に問題と
なるＭＯ８型半導体装置について行う。
〔従来の技術〕
従来、ＭＯａ型半導体装置の出力端子は、出力端子を態
動する出力用ＭＯ８トランジスタが部分大きなチャネル
幅を有するため、外部からのサージ電圧に対する保護は
特に必要とされていなかり九。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、近年の半導体装置の高置集積度の向上に伴なう
、不純物拡散領域の接合深さの減少、短チヤネル化等に
より、出力用トランジスタの耐圧が低下し、外部サージ
電圧による破壊か起こシやすくなってきている。
本発明の目的社、上記の従来の出力回路で問題であった
外部サージ電圧に対する耐圧を向上させることかできる
半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、出力端子に＊ａされかランジス
タを非導通状態に、する−足電位に接続したことからな
っている。
〔実施例〕
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す平面図、第２図
はその等価回路図で、第１図は第２図のトランジスタ（
ｈ、Ｑｓ部分を示す。
本実施例は、金属配ｆ！１４によりて出力端子２１に接
続され、かつ、６個に分割されたゲート電極１２、　ｌ
　３’を有するＮチャネルＭＯＳトランジスタを介して
接地電位ＧＮＤに接続したことからなっている。すなわ
ち、ゲート電極１３が接地された部分により、第２図に
示す保護用トランジスタＱ３電源Ｖｃｃソースが出力用
トランジスタＱ１のドレインに接続された出力用トラン
ジスタでめる。
ここで、出力用トランジスタＱｌ　、　Ｑ２が非導通状
態時に、外部から出力用トランジスタＱ１の耐圧を起え
るサージ電圧か印加された時、ａｈａ子２１に接続され
た金属配線１４よ）トランジスタＱ１．Ｑａにサージ電
圧が印加される。トランジスタ（ｈ、Ｑ３のドレイン部
に加わった電荷は、出力トランジスタＱ！ｔ−駆動する
ゲート電極１２のチャネル部分を通じてソースに流入す
るか、同時に接地電位に固定された保護用トランジスタ
Ｑ３のゲート電極１３のチャネル部分にも流れるため、
結果として、単位チャネル面積当たルの電流量が減少し
、より大きなサージ電圧に対して出力端子２１が耐えう
る様になる。
なお、以上の実施例はトランジスタとしてＮチャネルＭ
Ｕ８　トランジスタを対象としたが、本発明はこれに限
足されることなく、ＰチャネルＭＯ８トランジスタでも
、更に一般的にバイポーラトランジスタを含むトランジ
スタ全体に適用されることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上、詳細説明したとおり、本発明によれば、出力端子
に印加され友外部サージ電圧は、出力用トランジスタの
耐圧を越えると、出力回路を構成電位に固定した保護用
トランジスタ側にも流れる。
このため、出力用トランジスタの単位面積当シに流れる
電流量は少なくなシ、出力端子の保護能力が向上すると
ころの半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の要部を示す平面図、第２図
はその等価回路図である。 １１・・・・・・Ｎ型拡散領域、１２．１３・・・・・
・ゲート電極、１４．１５・・・・・・金属配線、１６
・・・・・・入力信号線、１７・・・・・・コンタクト
ホール、２１・・・・・・出力端子、２２．２３・・・
・・・入力信号端、Ｑ　１＊　Ｑ　２・・・・・・出力
紳用トランジスタｓ　Ｑｓ・・・・・・保護用トランジ
スタ、Ｖｃｃ・・・・・・電源、ＧＮＤ・・・・・・接
地電位。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 出力端子に接続されかつ複数個に分割された制御電極を
    有する出力用トランジスタの前記制御電極の一部をその
    部分における前記出力用トランジスタを非導通状態にす
    る一定電位に接続したことを特徴とする半導体装置。
JP60057815A 1985-03-22 1985-03-22 半導体装置 Granted JPS61216477A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60057815A JPS61216477A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 半導体装置

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JP60057815A JPS61216477A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61216477A true JPS61216477A (ja) 1986-09-26
JPH0571145B2 JPH0571145B2 (ja) 1993-10-06

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Family Applications (1)

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JP60057815A Granted JPS61216477A (ja) 1985-03-22 1985-03-22 半導体装置

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Publication number Publication date
JPH0571145B2 (ja) 1993-10-06

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